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受海力士事件影響，DRAM報價持續漲不停，集邦科技分析師吳雅婷昨（11）日指出，第4季標準型DRAM價格往上已相當確定，9月下旬合約價先看漲，可能下周明朗。至於行動記憶體方面，價格也可能小漲。

根據集邦科技的DRAM報價統計，昨日1Gb DDR3顆粒現貨均價上漲7.56%，來到1.337美元，2Gb DDR3有效測試顆粒均價上漲5.11%，達到1.85美元，2Gb DDR3顆粒均價已站上2美元。至於4Gb DDR3現貨顆粒均價也上漲3.16%，當日高點甚至已達4.1美元。

吳雅婷說，目前部分廠商尚未報合約價，所以尚難定論，不過現貨價在海力士相關消息還不明確的情況下，上週2Gb DDR3顆粒價格已上漲二成多。

後續走勢取決於海力士方面是否釋出更多新訊息，在貨源短缺情形真正出現前，接下來是中秋節與十一長假，漲勢可能會稍微和緩一點。等到第4季，大約10、11月，相關廠商庫存明顯降低時，價格可能再上揚。

雖然韓國DRAM廠SK海力士(SK Hynix)強調大陸無錫廠已有一條生產線回復生產，其它生產線將在最快時間內回復投片，但是包括模組廠及OEM廠均表示，DRAM市場僅剩下三家供應商，SK海力士無錫廠大火後生產中斷，三星及美光限制銷售，「DRAM市場沒貨就是沒貨」。而在追補庫存買盤湧入下，4Gb DDR3現貨價昨日飆出新天價。

受惠於DRAM價格創下歷史新高，不僅南科(2408)及華亞科(347 4)本季獲利持續看俏，包括威剛(3260)、品安(8088)、宇瞻( 8271)等DRAM比重高的模組廠，9月營收可望出現「大躍進」。由於模組廠在7月及8月價格下跌時，都替上游DRAM廠吃了不少貨，現在D RAM價格持續看漲，模組廠「好心有好報」，本季獲利爆發力不容忽視。

DRAM市場在7月後出現供給過剩壓力，價格在兩個月內大跌近3成， OEM廠早已大幅降低手中庫存，但因SK海力士無錫廠大火後，包括模組廠及OEM廠均評估，至少要3個月才有辦法回復全產能投片。如今英特爾低電壓版Haswell處理器全面到貨，PC生產鏈整個動起來，市場庫存水位相對偏低，DRAM價格也因此一飛衝天。

據集邦科技及模組廠提供報價，4Gb DDR3原廠顆粒現貨價在6月中旬達到3.78美元後觸頂回落，但昨日價格已漲回3.8美元以上，最高價還一度觸及4美元，創下歷史新價。至於2Gb DDR3現貨價同樣在昨日飆上2美元，創下2011年4月以來新高，並已超過6月中旬的1.95美元。

為了提前備貨，OEM廠採購主管昨日均到台灣搶貨，不僅金士頓庫存急降，威剛、品安、宇瞻等模組廠手中DRAM模組成品庫存也被一掃而空，現有晶片庫存可因應到11月中旬，但也被惠普、戴爾、宏碁、華碩等包下，由營收及獲利來看，可說是「面子裡子都有」。

業界普遍認為，英特爾低電壓版Haswell大量交貨後，庫存低的OE M廠勢必會擴大採購力道回補庫存水位，價格將有持續上漲力道，價格的天花板在哪裡現在完全看不出來，端視SK海力士無錫廠何時能回復全產能投片，短線來看4Gb DDR3價格可能有機會上看5美元。

SK海力士無錫廠爆炸失火，DRAM現貨價格昨（5）日應聲大漲19%，創下單日最大漲幅，價格回到二個月前高點，震撼全球市場。

SK海力士是全球第三大DRAM廠。雖然SK海力士昨天聲明無鍚廠受損「輕微」，將儘速復工。但有消息指出，此爆炸案已造成二位員工死亡，中國公安已封鎖廠區調查，惟尚難證實。

昨天暫停報價的三星、南科等，決定持續停止報價和接單，周一再視情況，提出最新報價。記憶體模組大廠威剛也打算跟進；威剛表示，歐美客戶也加入「搶貨」行列。

集邦昨天最新報價，主流DDR3 2Gb DRAM現貨價每顆最高來到1.95元，逼近二個月前2美元價位。

DRAM業者指出，9月正是洽談第4季合約價時刻，SK海力士這把火，可能讓其他廠商第4季後續仍得以受益。

南科總經理高啟全昨日表示，「缺貨恐怕難免」，同時連帶也會使得價格上漲。

集邦科技指出，海力士無錫廠在大火後，產線全面停工，起火源可能在晶圓廠內部重要設備或機台所引發，同時恐怕造成無塵室汙染。從善後到復工，可能需時達半年以上，將對市場造成一定程度衝擊。

集邦科技估計，原先標準型DRAM市場因需求不振、價格走軟的預測，將完全被推翻，PC DRAM的供給將產生可觀缺口，甚至壓制PC單機搭載量的成長。

對於SK海力士受災，其他廠商多哀矜勿喜。不過，包括南科、華亞科、華邦電等標準型DRAM與行動記憶體廠商，昨日股價一早亮燈漲停；模組廠如威剛、創見、宇瞻與勁永等，股價漲幅也在3%之上。未來如果往上游延伸，包括中美晶等半導體矽晶圓廠，供應其他DRAM廠原料，也可能受惠。

根據研調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查顯示，NAND Flash合約價在8月上旬下跌6∼8％後，8月下旬續跌5∼10 ％，亦即8月合約價較7月重跌11∼18％。集邦科技表示，綜合生產端產出增加以及下半年需求不如預期的影響下，9月份NAND Flash合約價恐將繼續緩步下跌。

由於記憶卡、隨身碟、固態硬碟(SSD)等終端應用產品第3季以來銷售情況不如預期，加上8月份NAND Flash晶片合約價格下跌，雖然有助於降低平均採購成本，但生產鏈庫存水位持續拉高，因此法人認為，NAND產品比重高的模組廠如廣穎(4973)、創見(2451)、勁永 (6145)等，第3季旺季效應落空，但毛利率有機會優於第2季。

集邦科技指出，8月下旬NAND Flash合約價較上旬下滑5∼10％，主要由於OEM廠需求不如預期，導致買方庫存水位升高，備貨力道明顯萎縮。

從產出端來看，東芝自第3季回復全產能生產後，雖然三星西安廠最快要明年第1季才加入生產行列，但SK海力士與美光於今年第4季皆會投入新的NAND Flash產能，預計第4季NAND Flash產出將呈現季成長10％，即便NAND Flash原廠極力控制出貨以穩定市場價格，但產出增加依舊讓原廠備感壓力。

從需求端來看，筆電產業持續呈現衰退格局，集邦預期2013年筆記型電腦出貨量將比去年衰退約10％，進而影響Ultrabook與其它相關內建SSD的機種銷售表現，以至於各主要OEM廠的SSD庫存水位有攀升的跡象，因而下修下半年旺季銷售期望。

雖然9月份智慧型手機與平板電腦新機種陸續上市，但在經濟不景氣的影響下，推估買氣也將轉趨保守，綜合生產端產出增加以及下半年需求端不如預期的影響，9月份NAND Flash合約價恐將繼續緩步下跌。

根據市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查， 2012年全球DRAM模組市場總銷售金額約達54.93億美元，較2011年衰退約12.55％。在前十大DRAM模組廠中，金士頓以接近五成市占率穩坐模組廠王座，台灣則有包括威剛、創見、十詮、宇瞻等4家台灣模組廠擠進前十大排名。

集邦昨日公布2012年全球DRAM模組廠排名，根據調查顯示，模組廠前五名占整體銷售金額的75％，前十名幾乎囊括全球九成模組市場營業額，其中金士頓仍穩坐模組廠王座，但營收下滑約12.08％，記憶科技(Ramaxel)及Smart Modular則位居二、三名之列，營收亦下滑約14.31％及2.86％。而在前十大DRAM模組廠中，台灣業者仍有包括威剛、創見、十詮、宇瞻等4家台灣模組廠擠進前10大排名。

集邦指出，模組廠DRAM營收下降不代表該公司競爭力滑落，而是公司於策略上將重心移往新產品，未來全球模組產業將更趨於多元化。對DRAM產業而言，2012年確實是艱困一年，不光PC出貨較前年衰退近 6％，2Gb DDR3合約顆粒價格亦從高點的1.17美元下滑至最低0.82美元，跌幅達30％，甚至去年五月發生DRAM產業重整。

不過，隨著智慧型手機與平板電腦熱銷，一線DRAM大廠積極從標準型DRAM轉進Mobile DRAM，導致下半年標準型DRAM產出減少，啟動第四季價格上漲契機。但由於2012年DRAM價格經歷長達三季的價格下滑，且現貨市場規模逐漸萎縮，亦使2012年模組廠DRAM營收普遍呈現衰退，再加上模組廠在產品配置上更趨多元，DRAM產品已經不是模組廠比重最高的營收項目，都是讓2012年模組廠DRAM產值下滑的主要原因。

展望2013年，由於美光已正式整併爾必達，加上台系DRAM廠全面退出市場，或是成為單純代工廠後，DRAM供給端未來已確定成為寡占市場，供給端受限將給模組廠帶來嚴峻考驗，現貨市場規模變小。

根據市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange指出，隨著Ultrabook等輕薄筆電逐漸成市場主流，ODM/OEM廠開始採用主機板內嵌(DRAM On Board)技術，並由標準型DRAM轉向採用低功耗的 Mobile DRAM。也因此，Mobile DRAM挾省電與免模組成本優勢，成為 Ultrabook筆電首選，此一現象不僅改變了DRAM產業生態，也直接衝擊模組廠與現貨廠獲利。

自從蘋果平板電腦iPad問市後，平板電腦輕薄外觀與高度可攜式特性嚴重衝擊傳統筆電出貨量，筆電業者為了與平板電腦競爭，推出U ltrabook/Ultralike產品，並嚴格控制產品厚度、重量及電池續航力，至今大部分ODM/OEM廠商仍在縮小體積與減輕重量等硬體規格上競爭。

據集邦科技預估，2014年前Ultrabook占整體NB出貨量將成長至20 ％，至2016年將成為筆電市場主流產品。Ultrabook等輕薄筆電興起，使得記憶體方案的選擇也產生重大改變，由於筆電薄型化已是市場未來趨勢，放棄原有記憶體模組的DIMM架構，轉為主機板內嵌DRAM顆粒比例正逐步提升。

集邦科技表示，由於DRAM損壞後無法任意更換記憶體模組，因此輕薄筆電對DRAM顆粒可靠度的要求更高。此採購標準對記憶體模組廠所產生的衝擊尤鉅，如主機板內嵌DRAM顆粒需求增加，ODM/OEM廠會減少DIMM模組採購，加上輕薄筆電無法更換記憶體，讓模組廠賴以維生的終端通路市場將更形萎縮，整個供給鏈的獲利空間將大部分落在上游DRAM廠。因此，未來輕薄筆電成為主流後，模組廠營收與獲利空間將受到程度不小的影響。

此外，輕薄筆電在DRAM的選擇上將產生不同的演進。站在延長電池續航力的考量下，捨棄原先的標準型DRAM採用功耗較低Mobile DRAM 亦是考量之一，如英特爾新一代Haswell處理器平台首度支援Mobile DRAM，讓筆電續航力大幅延長，不讓平板電腦專美於前。

蘋果近期推出的Macbook Air就採用了Mobile DRAM中的LPDDR3，使用時間亦增加至12小時，引起ODM/OEM廠跟進，集邦預測，採用主機板內嵌DRAM顆粒方案漸成主流後，無論是採用標準型DRAM或是Mobil e DRAM，DRAM原廠將是受惠最多的一方，不光現貨市場將式微，模組廠與現貨廠生存空間亦將被壓縮，對整體DRAM產業產生不小的影響。

隨著產業旺季需求逐步浮現，DRAM現貨拋售行動止步，集邦科技調查，DRAM現貨價昨（13）日單日大漲近8%，創下7月以來單日最大漲幅。

其中主流DDR3 2Gb DRAM報價重新站上1.6美元，達到1.62美元，漲幅7.9%；DDR3 4Gb DRAM雖還在3.05至3.35美元遊走，均價小漲至3.1美元，漲幅0.49%。

DRAM業者透露，7月以來標準型DRAM跌幅逾15%，主要是因為SK海力士認為，每年美光都會在8月年底拋貨搶單，因此SK海力士率先於7月出招，8 月美光跟進，才會形成現貨市場價格急速滑落。

不過，由於美光近來在伺服器及車用電子銷售不錯，美光今年8月拋貨幅度未如往年大，加上傳統電子旺季陸續浮現，市場隨即見風轉舵，現貨行情止跌快速翻揚。隨著DRAM昨天漲幅近8%，可望激勵相關DRAM族群表現。

業者研判，儘管個人電腦銷售持顯疲弱，但今年DRAM供需已不像過去一般面臨沈重賣壓，隨著各DRAM廠第2季全面賺錢，各家流血搶單的壓力減輕，儘管DRAM短期波動難免，整體產業會比往年更健康。

稍早威剛董事長陳立白即重申，DRAM價格經短暫修正後，將重啟多頭走勢；儲存型快閃記憶體（NAND Flash）可望在9 月及10月間，重燃拉貨行情。

在美國記憶體大廠美光(Micron)於7月底完成併購日本DRAM廠爾必達(Elpida)後，DRAM市場已呈現三強鼎立局面，而配合英特爾H aswell新處理器及微軟Windows 8.1的推出，DRAM廠近期通知客戶將大減2Gb DDR3產出，產能全部轉進4Gb DDR3世代。

在DRAM廠開始轉進高容量4Gb DDR3後，預期2Gb DDR3供給量將逐步下降的情況下，刺激2Gb DDR3現貨價昨日出現大漲。根據集邦科技報價，2Gb DDR3現貨價昨日大漲7.5∼7.9％，原廠顆粒平均價格來到1 .61∼1.63美元區間。

上旬現貨價已跌落合約價之下 出現「死亡交叉」 DRAM 旺季轉淡成定局

第3季PC及行動裝置銷售成績不如預期，但生產鏈上下游的DRAM庫存全處於滿水位，為了降低庫存壓力，ODM/OEM廠已開始拋售過剩存貨，導致DRAM現貨價在5周內崩跌15∼20％。由於8月上旬現貨價已跌落合約價之下，DRAM價格出現「死亡交叉」，旺季轉淡已成定局。

根據集邦科技及模組業者報價，4Gb DDR3現貨價昨日已砍到3.2美元，2Gb DDR3現貨價砍至1.5美元，但8月上旬合約價與7月持平，4G b DDR3合約價格介於3.3∼3.5美元間，2Gb DDR3則介於1.6∼1.7美元間。也就是說，DRAM價格已在8月上旬出現了現貨價跌破合約價的「死亡交叉」。

合約價一般來說可視為DRAM買家的平均成本，現貨價跌破合約價，代表市場價格可能已低於採購成本，若不能小心處理庫存問題，一不小心看錯市場行情走勢，很有可能就會意外由盈轉虧。

法人表示，雖然DRAM廠及模組廠上半年獲利表現優於市場預期，但 7月以來DRAM價格崩跌2成，價格走勢又出現死亡交叉，DRAM廠尚可利用製程微縮至30奈米以下來降低成本維持獲利，但模組廠向DRAM廠採購合約價，無法立即反應現貨價大跌走勢而調降，所以本季獲利勢必會較上季大幅縮水。

雖然DRAM廠商不斷強調，今年DRAM市場因供給成長有限，價格易漲難跌，不過正因為如此，ODM/OEM廠、手機廠、模組廠等DRAM買家，早在第2季就拉高庫存水位，以避免下半年DRAM價格持續調漲，拉高零組件採購成本。但是，第3季以來，PC、智慧型手機、平板電腦的銷售成績不如預期，導致上下游生產鏈的DRAM庫存全處於滿水位的危險狀態。

事實上，雖然DRAM廠將標準型DRAM產能移轉投產Mobile DRAM，但 Mobile DRAM市場超額下單問題嚴重，6月以來市場已供給過剩，價格連續下跌2個月時間。至於標準型DRAM雖然供給量減少，但PC銷售成績太差，PC生產鏈的DRAM庫存水位又達8周滿水位，自然有拋售過剩存貨的壓力。

由於上游DRAM廠仍維持滿載投片，已超過系統廠的實際需求，多餘產能自然得大量往下游塞貨，但下游廠商現在急於降低庫存，避免出現庫存跌價損失，已動手拋售過剩存貨。在市場供需逆轉為供給過剩的壓力下，DRAM價格在5周內崩跌2成，旺季轉淡已成定局。

市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查顯示， 6月下旬NAND Flash合約價維持小幅上漲的趨勢，主流顆粒價格走勢較6月上旬上漲約2∼5％，且合約價將看漲到季底。集邦指出，各項指標均指向第3季NAND Flash終端需求穩健加溫，主流NAND Flash合約價將隨著旺季效應的來臨，呈現逐步上漲的趨勢不變。

根據模組廠表示，目前32Gb NAND MLC晶片合約價介於3∼4美元間，64Gb NAND MLC合約價則介於5∼6.5美元間。由於近期逐步進入NA ND應用產品旺季，記憶卡及隨身碟終端市場售價均小幅上揚，有助於推升晶片價格在第3季逐月上漲。

集邦表示，從NAND Flash產出供給面的因素來分析，三星、SK海力士、東芝陣營正加速將產能轉往eMMC與固態硬碟(SSD)，以應付自第3季開始智慧型手機、平板電腦、Ultrabook的備貨需求，而美光與英特爾陣營也因為企業級SSD需求持續增溫，絕大多數產能也移往OE M端。總體來看，第3季NAND Flash產出成長率，預期僅有季增6.1％的幅度，產量增加相當有限。

但由需求面來看，第3季智慧型手機、平板電腦出貨季成長幅度將達10∼15％，帶動eMMC與SSD等OEM端的需求穩健向上。雖然隨身碟和記憶卡的市場需求在4月及5月份較為疲弱，但多數模組廠預期6月過後需求將會好轉，預期第3季隨身碟市場出貨量將季增5％。

考量到零售端下半年供貨吃緊將更為明顯，多數的廠商還是願意在 6月底提早備貨，為第3季旺季來臨前多做準備，因此，6月下旬NAND Flash合約價繼續維持小漲的格局。

展望後續行情，受惠雲端運算以及大型資料中心的強勁需求，企業級SSD需求持續加溫，彌補OEM與零售SSD市場受到PC產業下滑的劣勢，而智慧型手機、平板電腦的新機上市潮，也將瞄準9月份開始的年底旺季，對於eMMC與SSD的拉貨動能將自7月份開始展開。

美商DRAM大廠美光上季順利由虧轉盈，在台持股近四成且為美光代工的華亞科將連帶受惠；因美光預期未來DRAM產出仍低於需求成長，預告DRAM還有上漲空間。

美光執行長德肯表示，DRAM今明年位元數增幅約20%，但需求增幅仍達30%到40%，未來DRAM供應對美光仍然有利，他預期下半年可望維持這般榮景。

國內業者也預期今明兩年，DRAM行情都會處於平穩或緩步上揚局面，產業會更趨合理、健康。

集邦科技昨（20）日出具分析報告，強調美光獲利快速提升，主要受惠三星、SK海力士、南科及力晶等，都把標準型DRAM產能轉往行動式記憶體及伺服器記憶體，讓標準型記憶體產出近50%的美光受益。

展望下半年，集邦預期美光第3季合併爾必達，將可加速切入行動式應用的嵌入快閃記憶體（eMMC）與多晶片封裝記憶體（eMCP），加上自家新加坡廠大量將DRAM產能轉向生產儲存型快閃記憶體（NAND Flash），連同取得華亞科及瑞晶龐大的標準型DRAM產能，預料未來幾季DRAM和NAND Flash都會更趨健康，美光將續獲利，市占提升，成為DRAM淘汰賽的大贏家，和唯一能與韓廠抗衡的DRAM廠。

記憶體大廠美光(Micron)昨(20)日召開法說會，執行長Mark Durcan看好下半年NAND Flash旺季，並指出未來12個月，NAND市場產能供給增加的幅度有限，但需求十分強勁，幾乎可用貪婪的需求(i nsatiable demand)來形容，因此對下半年NAND市場抱持樂觀正面看法。

根據集邦科技旗下DRAMeXchange調查，由於全球4大供應商近一年來沒有擴產動作，加上製程微縮難度太高導致速度放緩，第3季NAND Flash位元成長率恐低於10％，但因行動裝置及固態硬碟(SSD)市場進入旺季，業界看好NAND Flash價格在第3季有機會大漲2成，本季大幅拉升NAND晶片庫存的廣穎(4973)、創見(2451)、群聯(8299) 等業者可望大賺機會財。

受惠於DRAM及NAND Flash價格同步上漲，美光2013年會計年度第3 季(3∼5月)終於扭轉連8季虧損態勢而轉虧為盈，稅後淨利0.43億美元。對於下半年，美光高層認為，現階段DRAM及NAND Flash市場供需已趨於平衡，下半年將呈現供給吃緊，其中特別看好NAND Flash市場旺季表現。

集邦科技指出，從供給面來看的話，NAND Flash供應商除日本東芝將會回復先前減產的產能外，其它供應商在第3季時都不會有任何新產能的加入，同時，在各家轉進1x奈米等級製程的腳步也明顯放緩下，預估第3季供給端總產出的季增率將不到10％水準。

從需求面來看的話，系統OEM端對於新品上市的備貨動能將逐月增溫，將有助於提升eMMC、SSD的需求。另外，就連一直需求疲軟的記憶卡與隨身碟市場，都有機會於第3季出現觸底反彈，如記憶卡市場因為非蘋陣營廠商新手機與平板產品，在下半年銷售量可望增加而受惠；隨身碟市場受到傳統銷售旺季、USB 3.0隨身碟價格更具吸引力、價格戰可能趨緩等因素激勵下，出貨量較上季成長的機率高。

業界推估，NAND Flash下半年供給成長有限，但需求成長快速，第 3季價格有機會季增至少2成，第4季價格還會持續走高。

國內模組廠如廣穎、創見、勁永、群聯等，利用第2季淡季期間大量回補庫存，第3季可望直接受惠大賺機會財，獲利均有機會創下新高。

全球市場研究機構集邦科技（TrendForce）旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查顯示，6月上旬儲存型快閃記憶體（NAND Flash）合約價，受惠新一波電子代工大廠（OEM）客戶備貨需求提升，小幅上揚2%到4%；6月下旬持續上漲機率高。

集邦指出，6月上旬OEM廠已啟動新一波的新產品備貨需求，讓大多的NAND Flash供應商包括三星、東芝、新帝及美光等，都將產出的NAND晶片優先滿足系統端客戶為主，導致通路端可分配的貨大幅受到排擠，貨源吃緊。

集邦分析，主要NAND Flash供應商除東芝將恢復先前減產產能外，其他各廠都表明第3季不會有新產能。

標準型DRAM價格6月以來天天漲，DDR3 2Gb DRAM昨（17）日每顆報價，二年多來首度觸及2 美元，4Gb DRAM也快衝上4美元價位，市場預期漲勢可能延燒至利基型記憶體，包括華邦電（2344）、鈺創等第2季轉盈在望。

不過，DRAM相關個股波段漲幅已高，加上第3季電子產業傳出旺季不旺的聲音，DRAM價格後續走勢值得關注。

集邦科技旗下的DRAMeXchange最新報價，DDR3 2GbDRAM 現貨報價，昨天最高價每顆已來到2美元，為2011年2月以來首度觸及2美元價位，均價也推升至1.94美元；DDR3 4Gb DRAM每顆現貨報價推升3.76美元，最高報價達3.8美元，同創2011年5月以來最高價；累計6月以來DRAM現貨價漲幅已達8.1%；4月以來漲幅則達13.6%。

機構件捷邦（1566）昨（17）日董事會決議，在LED石墨散熱燈罩事業投資8,000萬元，用於租用廠房與添購設備，預計第3季開始小量生產，初期規劃的月產能15萬顆，搶攻LED照明。

看好LED產業未來發展前景，捷邦已於2011年成立電子零件事業部，並開始研發LED石墨散熱燈罩。捷邦表示，LED石墨燈罩的散熱效果相較於現在的LED燈泡採用鋁合金散熱機構件還要好，成本方面，理論上也會比鋁合金散熱器便宜，且冶金粉末也是公司的強項。

捷邦表示，LED石墨燈罩產品持續試樣中，目前國內也有許多燈具廠的客戶正在接觸當中，公司也決議於今年進入量產階段，產能預計第3季開出，不過，初期量產的產能不大。因為今年此產品投產時間較晚，加上初期投產的規模還不大，今年營收貢獻應相當有限。捷邦昨天股東會，通過承認去年度營業報告書及財務報表案，也通過盈餘分派案，預計每股配發現金0.36元，另以資本公積配發現金每股0.04元。

台北電腦展閉幕，但DRAM現貨報價因平板、手機及電腦三股買氣匯集，主流DDR3 2Gb顆粒站上1.9美元，創下近期新高。

三星上月通知通路商，6月起將把大部分產能優先供應自家產品使用後，DRAM價格5月以來天天漲，雖然每日漲幅不超過1%，但5月初以來累計漲幅已達15%；股價方面，低價DRAM轉機股成為本波買盤追捧標的，但市場預期未來漲幅將趨緩，上周類股股價回檔整理。

稍早集邦科技預估，隨各家新產品密集在6月上市，第3季大舉拉貨，儲存型快閃記憶體（NAND Flash）價格本月中旬緩漲，加上DRAM漲勢不止，使本月重現今年首季DRAM和NAND Flash雙漲局面。

全球市場研究機構集邦科技（TrendForce）發布最新研究報告，預估今年DRAM產值在銷售單價強勁反彈下，將可大幅成長逾30%，擺脫過去二年價格崩跌、產值大減的窘境。

另外，儲存型快閃記憶體（NAND Flash），因拜行動裝置需求持續提升，加上銷售單價跌幅收斂，產值也將比去年成長27.2%，產值來257億美元（約新台幣7,740億元），而位元成長率更達到48.8%。

集邦透露，今年是DRAM步向復甦的一年，產業也正進行大幅度的結構性調整，包括美光即將合併爾必達，並與台塑集團達成策略結盟。

DRAM廠因應雲端以及行動手持產品領域需求快速成長，也加速將產能轉向生產這類毛類較高的產品，並尋求產品差異化、多元化，但資本支出也趨保守，除製程轉進的相關投資外，並未有建置新產能的計畫。

但集邦也強調，未來DRAM由三星獨大的局面將不會改變，且隨著DRAM製程瀕臨物理極限，在各廠無意大幅擴充下，過去價格大起大落巨幅波動將成為歷史。

受惠DRAM合約價上揚，台塑集團旗下華亞科（3474）、南科，第2季獲利將大幅躍升，華亞科單季有機會逾35億元，南科獲利將超過20億元，兩家公司合計挑戰60億元；模組廠威剛、創見及宇瞻等，獲利也將齊步維持高檔。

法人預估，同是DRAM廠的瑞晶和華邦，預料第2季也都可望繳出獲利成績，這也將是DRAM廠睽違多年後，首見進入全面獲利時代。

DRAM業者透露，儘管4月市場買氣有暫時縮手趨勢，但主要生產廠房礙於並無新增產能，也不能低價出售，加上三星擔心標準型DRAM持續飆升，波及集團相關智慧手機、平板電腦及智慧型電視出貨，設法壓抑漲幅，使得4月DRAM價格波動極小。

直到近期，隨著三星和蘋果鎖貨，造成市場DRAM貨源愈加吃緊，加上以代工生產筆電的OEM廠5月中旬開始陸續補貨，讓近期DRAM價格悄俏站上2年多來新高。

根據集邦科技最新報價，昨天主流DDR3 4Gb DRAM，每顆報價已站上3.3美元；DDR3 2Gb DRAM每顆報價來到1.81美元高價，均價也將正式站穩1.8美元，和上月相比，漲幅已近一成，透露供貨短缺，三星也擋不住DRAM漲勢。

行動裝置Mobile DRAM供不應求，利基型DRAM同樣缺貨，連網通設備大廠正文(4906)都指出因DRAM缺貨而導致出貨延宕。由於日韓D RAM大廠無法足額供貨，華邦電(2344)受惠於中小型手機廠及網通設備廠轉單效應，本季持續放量出貨，加上價格已連續3個月調漲，法人估華邦電4月單月將由虧轉盈，第2季確定可以獲利。

根據集邦科技旗下DRAMeXchange調查，今年第1季因為進入智慧型手機出貨淡季，加上工作天數減少，全球Mobile DRAM市場規模下滑 5.2％至26.01億美元。

不過，由於3月後各家手機廠陸續推出新機，內建Mobile DRAM容量由1GB放大1倍到2GB，包括三星、SK海力士、爾必達等3大供應商，產能均被包走，沒有多餘產能可以釋出，Mobile DRAM市場頓時陷入缺貨狀態，因此，美光及華邦電受惠於轉單效應，首季營收逆勢成長。

美光第1季Mobile DRAM營收約達0.71億美元，季成長率高達98％，華邦電首季Mobile DRAM營收亦成長21.3％達0.29億美元。雖然兩家 DRAM廠的市占率仍低，但因第2季後3大供應商仍無多餘產能可以交貨，美光及華邦電本季出貨持續放量。

集邦科技指出，華邦電Mobile DRAM首季全球市占率達1.1％，但營收佔比已達14％，雖然現在仍以低容量的Pseudo RAM及LPDDR1為大宗，但隨著智慧型手機的興起，LPDDR2已進入試產階段，亦在客戶端進行相關驗證工作，可望在自本季起逐步提升整體獲利能力與營運體質。

此外，應用在消費性電子及網通設備中的利基型DRAM，第2季同樣出現缺貨，如網通大廠正文就表示，4月營收意外衰退，就是受制於 DRAM供貨量不足。由於第2季網通設備市場進入出貨旺季，在日韓DR AM大廠同步淡出1Gb以下容量利基型DRAM市場情況下，華邦電亦直接受惠，開始承接國內外網通設備廠轉單。

由於行動及利基型DRAM出貨量放大，加上價格調漲，華邦電4月合併營收達29.96億元，月成長率達10.4％，法人預估，華邦電4月單月看來已可由虧轉盈，第2季確定可獲利。

DRAM 4月上旬合約價再漲逾2%，台系DRAM廠南科（2408）及華亞科本月獲利更加確定；相關模組廠業績同步看俏。

根據集邦科技旗下研究部門最新統計，DRAM合約價經歷3月大漲近20%後，仍未改善供需失衡情況，合約價與現貨價仍有逾0.4美元的價差。