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儲存型快閃記憶體（NAND Flash）應用龍頭晟碟（SanDisk）昨（24）日公布上季財報優於預期，預期NAND市況將在供應端產出持續減少下走穩，價格看漲。法人認為，隨著市場秩序趨於正向，對群聯（8299）、創見、威剛、廣穎等業者有利。

法人表示，NAND晶片相關族群以群聯去年營運表現最佳，去年全年營收330.8億元，年增2.28%，估計每股稅後純益可達15.5元到15.95元；廣穎去年營收67.46億元，年增5.76% ，每股稅後純益也可逾5.5元，同創歷史新高。相關廠商今年營運仍不看淡。

業者表示，蘋果帶動智慧型手機和平板電腦風潮，包括三星、宏達電、諾基亞和大陸品牌大廠競相爭食市場大餅，讓NAND晶片應用去年正式超過DRAM，成為應用最廣的記憶體，也帶動主要生產廠商資本支出持續集中擴充NAND晶片，讓NAND晶片在去年上半年價格出現較明顯跌勢 。

但東芝、三星等為主要供應商，去年下半年產出踩煞車，NAND晶片供需漸趨平衡，價格也止穩，整體市況趨於正向發展。

晟碟上季營收15.4億美元，年減2%，季增21%，毛利率超過39%，營收和毛利率均優於原先預期；去年第4季未計特定項目獲利2.57億美元、每股獲利1.05美元。

晟碟財務優於預期，透露NAND晶片隨智慧型手機、平板電腦銷售持續推升且容量擴大。該公司執行長 Sanjay Mehrotra 也在電話會議中表明，預期今年 NAND價格看漲，法人預期，群聯、創見、威剛、廣穎、宇瞻等概念股去年第4季獲利，也都可望繳出優於往年同期成績。

集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調查，晟碟、東芝等主要NAND Flash供應商，仍持續採取節制產出行動，使元月上旬NAND Flash合約價持平，可望持穩至春節前。

DRAM減產持續發酵，韓系大廠決定，主流2Gb DDR3 DRAM顆粒現貨價在農曆年前每顆報價推升至1.3美元，這是繼去年12月初來的第2波漲勢，漲幅估逾20%，包括南科（2408）、華亞科、威剛、品安等族群將受惠。

據了解，全球最大記憶體模組廠金士頓已同步調漲DRAM模組報價，主流記憶體模組4GB DDR3 DRAM報價，將由目前17至17.5美元推升站上20美元，國內廠商預料跟進。

根據集邦科技旗下調查，DRAM價格自去年底一路上漲，昨（10）日主流2Gb DDR3原廠顆粒現貨價已到1.15至1.2美元，單日漲幅達5%，有效測試顆粒現貨價最高報價也漲到1.02美元，均創1年半以來新高價位。

IC通路商透露，三星、SK海力士、美光、爾必達等業者去年第4季持續將產能移往生行動式記憶體，加上台灣的南科、力晶等也淡出標準型DRAM，標準型DRAM產能估計減少三成。擁有全球近65%市占率的韓系DRAM大廠，決定將DRAM現貨報價持續拉升至不會虧本的價位，估計在農曆年前，每顆報價將向1.3美元挺進，以目前報價計算，估算漲幅逾20%。

通路業者表示，記憶體模組廠也能坐享漲價利益，而需求端在「智慧手機平板化、平板電腦NB化」的趨勢下，每支智慧型手機和平板電腦搭載的標準型DRAM倍增，也是造成這波漲勢再啟的關鍵。

DRAM價格持續推升，台股DRAM族群中以堅守DRAM製造的南科、華亞科，以及擁有低價庫存的記憶體模組廠威剛、去年由金士頓入股的品安等業者受惠程度較大。

全球各大DRAM廠明年持續大砍資本支出，業者研判DRAM現貨及合約價明年上半年仍屬強勢，預料農曆春節後還有一波漲勢；DRAM族群股價仍蓄勢待發。

稍早全球DRAM霸主南韓三星已宣布明年在DRAM支出，將比今年再銳減48%，降至1.1億美元（約新台幣32億元），創下歷年最低水準。

台灣南科（2408）和華亞科雖由集團各先注資90億元及60億元，但明年資本支出也將持保守態度，目前朝降低權利金支出及調整產品組合。

根據市調機構集邦科技調查，明年整體DRAM產業的資本支出，將比今年減少21%。集邦科技指出，DRAM廠減產行動已從今年7月開始，主要個人電腦市場受到智慧型手機和平板電腦大幅成長排擠，需求萎縮，連帶壓縮DRAM銷售，各DRAM廠陷入財務困境，被迫營運轉型並調整產品組合，部分廠商也減產因應。

集邦科技（TrendForce）旗下研究部門DRAMeXchange調查顯示，雖然11月下旬DRAM合約價格小跌3.17%，但受到現貨價格上揚激勵，12月上旬合約將維持上漲格局。

集邦雖未公布12月上旬合約價，但漲勢底定，本月形成DRAM現貨、合約價格雙漲格局，相關DRAM廠營運將大補。集邦調查，DRAM現貨、合約在需求端持續低迷下止跌回升，顯示個人電腦電子代工廠庫存經調節後，已回到相對健康水位，回補庫存意願提高。

DRAM現貨價近兩周來漲幅已近三成，雖然合約價漲幅可能只有3%到5%，但對DRAM大廠如南科（2408）、華亞科等，有助虧損大幅降低；相關模組廠如威剛、品安、商丞等，也將坐擁低價庫存增值利益。

DRAM族群昨天漲勢已停歇，唯獨南科持續漲停一價到底，收2.64元，上漲0.17元。

儲存型快閃記憶體（NAND Flash ）備貨高峰期已過，12月上旬合約價小跌1%到2%；市調機構研判緩跌走勢將延續到明年元月，相關族群如群聯（8299）、宇瞻等個股未來2個月營收將走淡。

集邦科技（TrendForce）旗下研究部門DRAMeXchange昨（18 ）日發布NAND Flash市況調查顯示，不同於近期DRAM現貨價強彈，NAND Flash晶片終端系統產品年底銷售備貨高峰，加上年底庫存盤點等因素，需求相對減弱，但因供應商也減量供貨，使12月上旬NAND Flash合約價小跌1%到2%。

業者透露，雖然南韓SK海力士12月11日遇到產線短暫跳電，但因NAND Flash的營運未受到影響，NAND Flash現貨價格雖然微幅上漲，應只是短暫。

集邦預估，NAND Flash合約價因原廠拉高對系統產品出貨比重，降低對零售端供應，12月上旬價格相對持穩，但隨備貨需求下旬減弱，預料跌勢將會持續到明年元月，但跌幅仍在狹幅區間。

上游DRAM廠大減產效應發酵，為了避免標準型DRAM供給短缺問題影響到明年農曆春節出貨，業界傳出，PC大廠聯想近日開出18美元高價收購4GB DDR3模組，消息一出引爆市場追補庫存買氣，包括金士頓等模組廠指出，2Gb DDR3原廠顆粒昨(13)日成交價格最高已飆上1.0 5美元，單日漲幅高達1成。

DRAM價格大漲消息刺激DRAM類股昨日全面反攻大漲，包括南科(2 408)、華亞科(3474)、華邦電(2344)等DRAM廠，以及威剛(32 60)、品安(8088)、商丞(8277)等模組廠均攻上漲停。其中，D RAM營收佔比最高的威剛、品安，因手握低於0.8美元的低價庫存，成為這波DRAM漲價行情下的最大受惠者。

上游DRAM廠減產是推升近期DRAM價格大漲的主要關鍵原因。由於下半年PC需求疲弱，包括三星、SK海力士、南科、華亞科、爾必達、瑞晶等DRAM廠均進行減產，並將產能移轉生產Mobile DRAM，標準型DR AM自10月以來供給量就不斷下降，光是台、日、韓等三地第4季減少的標準型DRAM投片量已逾12萬片，等於減少了3座12吋廠產能。

而業界昨日傳出，大陸最大OEM廠聯想為了補足明年農曆春節期間所需貨源，以及避免DRAM供給短缺影響出貨，近日已開出18美元高價收購4GB DDR3模組，消息一出立即引爆通路商搶補庫存買氣，金士頓等模組廠也證實，價格已經順勢調漲。

事實上，因為搶補庫存需求來的突然，包括南科在內的許多DRAM原廠昨日均鎖貨不出，因此包括集邦在內的IC通路報價並未反應實際市況，但模組廠與ODM/OEM廠、零售通路間的報價則是一路推升，主流的2GB DDR3模組現貨價最高飆上9.9美元，等於2Gb DDR3顆粒價格一天內拉高到1.05美元，單日漲幅高達1成，平均價格也拉高到1美元。

法人指出，2Gb DDR3價格漲上1.05美元，DRAM廠的虧損可望大幅縮減，對模組廠來說則是大發利市，因為模組廠手握低價庫存，隨著溢價差不斷拉大，獲利也是水漲船高，而國內模組廠中，DRAM營收佔比最高的威剛、品安將是最大受惠者。

DRAM大廠減產效應浮現，下游積極回補庫存，激勵現貨價連漲4個交易日，昨（6）日再大漲逾6%，攻上近4個月來高點，本月以來強漲逾12%，預期耶誕節前持續看漲一成。

南科（2408）等晶片製造商改善營運績效之餘，模組廠率先反映低價庫存效益，受惠更大，威剛便樂觀預期，本季低價庫存效益可期，有助獲利。

據了解，韓系廠商如三星等將標準型DRAM產出比重降至30%左右，明年進一步以降到20%以下為目標；海力士DRAM 占比也降到五成，明年更計劃下修到四成，使得全球DRAM供應大減，估計全球DRAM單月投片量已自高點減少達10萬片，減幅9%。

隨著供給獲得節制，三星、海力士及美光等主要供應商不再削價競爭，配合近期市場強勁拉貨，激勵現貨報價走揚。根據集邦科技旗下DRAMeXchange調查，DDR3 2Gb顆粒現貨均價連日攀升，從11月底的0.82美元起漲，昨天再漲6.12%，攻上0.92美元，創4個多月來新高價，短短幾天便強漲12.2%。

集邦科技表示，DRAM現貨價12月以來天天漲，反映通路端庫存水位已低，且驚覺價格已「跌無可跌」，加上主要原廠無意再降價求售，積極回補庫存。

業界樂觀預期，本波現貨價漲勢可延續到耶誕節，有機會朝1美元靠龍，以現階段報價計算，潛在漲幅約一成。不僅有助南科、華亞科等晶片廠改善營運績效，威剛、宇瞻等模組廠，因握有低價庫存，將直接享受價差套利空間，受惠更大。

DRAM下游端回補庫存，從近來主要記憶體廠營收表現即可一窺倪。南科11月營收月增二成；威剛11月營收雖較10月小幅衰退，但DRAM業績卻比10月激增54%，營收占比也10月的35%，竄升至45.6%，公司樂觀預期本季在低價庫存效應帶動下，獲利可期。

南科和威剛均坦承，來自個人電腦品牌廠如惠普戴爾電腦，和消費性電子如數位電視、及智慧型電視及機上盒出貨拉升，帶動11月DRAM需求轉強。集邦強調，這波DRAM價格回升的驅動力，主要來自中國平板電腦風潮崛起，推升DRAM搭載容量。

台灣DRAM廠也加入減產，南科、力晶均減少標準型產品投片量；華亞科轉攻伺服器用記憶體及行動式記憶體，都讓標準型記憶體供給減少。

集邦科技（TrendForce）旗下研究部門DRAMeXchange調查，11月下旬DRAM合約價小跌3.17%，但因DRAM減產及減少標準型DRAM產出效益顯現，明年上半年供需將趨平衡，產業可望緩步復甦。

集邦科技表示，近期DRAM模組價格已從年中每月動輒1美元甚至2美元的跌幅，正逐漸收斂。

集邦科技甚至認為標準型DRAM價格底部已浮現，主要原因是各家DRAM廠持續減少標準型DRAM產出，並積極轉進行動式記憶體與伺服器用記憶體，標準型DRAM供需即將進入三星、海力及美光三強鼎立時代，產業供需漸趨平衡，但明年主流記憶體將聚焦行動記憶體及伺服器用記憶體，標準型DRAM規模仍會萎縮。

根據集邦科技調查，11月上旬DRAM合約價持平，11月下旬DRAM合約價因Windows 8換機效應不如預期，再呈現下滑，但跌幅僅3.17%。

不過，DRAM現貨價格受到各家PC廠競相在年底推出新款個人電腦，提升DRAM搭載激勵，率先止跌翻升，主流DDR3 2Gb每顆報價上漲至0.82美元到0.85美元，漲幅1.34%；DDR3 4Gb 每顆報價2.03元，上漲0.4%。

DRAM報價止跌回升，帶動DRAM族群昨（3）日股價強勁彈升，財務面較無疑慮的華亞科（3474）強鎖漲停價2.33元；力晶也因債務獲銀行團展延，收漲停價0.24元。

美國對大陸太陽能電池廠「雙反」昨（8）日終判，大陸製太陽能電池最高將被課徵逾265%高額懲罰性關稅，並追溯自今年3月起，為期5年，台灣新日光、昱晶、茂迪喜迎轉單，業界近期醞釀漲價聲浪再起，將帶領台灣太陽能產業再度迎向高潮。

美國「雙反」貿易制裁為期5年，比業界原預期2至3年還長。業界認為，「此舉等於關閉大陸太陽能電池輸美大門」，引發大陸業者強烈不滿，揚言發動美國境內訴訟或多邊貿易機制，以捍衛權益。

台廠則對這項終判正面看待。新日光總經理洪傳獻認為，大陸是全球最大太陽能電池製造國，但一直以來都以價格戰搶市，導致市場機制扭曲，成為一片紅海。隨著大陸太陽能電池最高將被課徵逾265%關稅，「大陸製產品將毫無競爭力」，預料訂單將轉往台廠。

太陽能導電漿大廠碩禾認為，美國「雙反」終判比業界預期嚴苛，「等於要讓大陸太陽能電池退出美國市場 」，大陸業者要規避美方制裁，委託台灣代工將成為必要之策，對台灣太陽能廠短期絕對有利。

台灣是全球第二大太陽能電池製造國，由於具有品質與技術優勢，隨著大陸廠「無法搗亂」，近期醞釀漲價，幅度約5%，近期業者接單狀況明顯揚升，伴隨漲價，更有助台廠走出低潮。

根據美國國際貿易委員會對「雙反」的終判決議，全數通過對大陸太陽能電池廠進行貿易制裁，預計增課反傾銷稅率從18.32%至249.96%，反補貼稅率14.78%至15.97%。

集邦科技（TrendForce）旗下綠能分析部門EnergyTrend也指出，美對大陸太陽能電池廠「雙反」終判，將使大陸業者成本大幅增加，必須透過採用第3地電池產品做為規避課稅方法，台灣廠商將會是短期受惠最多地區。台股太陽能族群昨天反映美國雙反終判及歐巴馬連任美國總統後，仍將延續獎勵新能源政策等利多，相對大盤抗跌，綠能漲停鎖死。

集邦科技（TrendForce）旗下EnergyTrend昨（12）指出，歐盟通過針對中國大陸太陽能產品雙反調查成案，台灣廠商在第4季與明年第1季可望受惠於歐系廠商的轉單效應，產能利用率將明顯提升；但明年第2季以後仍需視全球市場需求、歐盟初判結果而定。

法人預期，歐盟對大陸太陽能廠展開調查，初期以茂迪（6244）、昱晶、新日光、昇陽科等電池廠受惠大。由於歐盟將對大陸太陽能上下游產業鏈展開全面反傾銷調查，綠能、中美晶等廠商也將有轉單效應可期。

EnergyTrend近期訪察發現，部分廠商歐美線業務人員陸續赴國外出差，顯示部分廠商的歐洲區業務似乎出現轉機，近期活動轉趨積極，轉單效應似開始發酵。

根據歐盟公布的資料顯示，將在9個月內完成大陸雙反調查進行初判，初判後6個月進行終判，相關業者推估，歐盟將在3至6個內完成調查。由於業者擔心有追訴回溯期的問題，以及造成大陸業者出現營運危機，預期歐洲系統業者短期內將進行轉單。

集邦調查，目前大陸業者已擬訂因應計畫，除進行人力調整以降低支出，也規劃在第3地新建生產基地，規避歐盟法令的限制。集邦認為，短期內現貨市場價格走勢將出現不同發展，大陸內需市場將自成一格。

根據集邦科技旗下研究部門DRAMeXahcnge調查，8月上旬DRAM合約價仍維持價格下跌走勢，且下跌速度有加快現象，由於整體市場需求清淡，以及DRAM生產鏈庫存已達4個月以上滿水位，8月份合約價跌幅將逾8％，4GB模組報價下看18美元，DRAM廠的虧損幅度將進一步拉大。

DRAM模組業者表示，今年初日本爾必達宣佈破產保護，各大ODM/O EM廠均大舉拉高DRAM庫存，庫存水位最高一度來到5∼6個月，但第2 季至第3季，電腦銷售情況不如預期好，所以至今年7月，ODM/OEM廠手中的庫存水位平均仍有4∼5個月，算是2004年以來的歷史高檔。

至於DRAM廠及模組廠端的庫存，同樣是居高不下。由於今年初爾必達破產之際，市場對電腦銷售前景一片樂觀，而當時NAND快閃記憶體市況不佳，韓系業者將NAND產能移轉生產DRAM，台灣及美國DRAM廠也將產能利用率拉高到滿載，而隨著DRAM顆粒貨源不斷向下游推動，O DM/OEM廠庫存拉高後，貨源回堵到模組廠手中，因此DRAM廠及模組廠現在的手中庫存也高達4個月。

正因為整個DRAM生產鏈的庫存水位高的可怕，來到4個月以上的平均庫存水位，但以現在對下半年的電腦出貨量預估，以及DRAM廠仍滿載投片的情況來看，市場嚴重供給過剩，供給大於需求至少達3成。

也因此，業界對下半年DRAM價格走勢悲觀，一旦DRAM廠開始殺價，將呈現骨牌效應，模組廠及ODM/OEM廠為了減少庫存跌價損失壓力，也會向現貨市場進行拋貨，DRAM價格恐將出現崩跌走勢。

DRAMeXahcnge指出，8月上旬合約價已重跌5％，8月份合約價跌幅恐超過8％，主流4GB模組價格下看18美元，DRAM廠虧損擴大。現在D RAM產業最根本的問題，在於DRAM需求停滯未有成長，從現今供需曲線看來，除非減產的幅度能夠進一步的擴大，單月能有8∼10萬片的投片量退出市場，否則在需求持續下修的情況之下，價格的跌勢不僅難以反轉，後續DRAM價格進一步的崩跌恐怕成為即將成真的事實。

個人電腦需求減緩，動態隨機存取記憶體（DRAM）7月下旬合約價續跌，7月整月跌幅近7%，業者期盼日系大廠爾必達減產後，本月能止穩回升，為台系DRAM廠如南科（2408）、華亞科提升現金流量添助力。

集邦表示，以7月DRAM合約價跌幅近7%來看，以40奈米為主的DRAM廠將再陷入虧損；且從個人電腦代工廠第3季出貨預估來看，第3季傳統個人電腦旺季已不會有返校潮的需求，Win8為下半年能激勵DRAM需求的唯一動能，不過Win8預定要到10月才上市，意謂DRAM價格下修還未結束，8月合約價仍看跌。

集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調查，DRAM合約價7月上旬止漲回跌後，下旬價格仍因需求疲弱，DDR3 4GB模組每條價格跌破20美元的支撐，均價掉到19.75美元，跌幅2.5%；DDR 3 2Gb每顆報價也下跌2.7%，但仍守住1美元價位，均價跌至1.08美元。

記憶體封測廠力成董事長蔡篤恭也保守看待下半年標準型DRAM景氣，強調蘋果和三星產品擠壓個人電腦市場需求，目前看來，倫敦奧運對於帶動筆記型電腦銷售，並沒有太大影響，加上Windows 8出貨遞延，個人電腦和筆記型電腦應用的記憶體出貨將會受影響。

值得注意的是，爾必達和瑞晶均自7月開始減產標準型DRAM，減產幅度高達三成以上，雖然雙方均還未公布減產到何時結束，但預料近期將激勵通路及代工廠進場回補庫存，DRAM價格應可獲得支撐，甚至在下旬出現彈升，對目前擁有低價庫存的模組廠如威剛、創見和宇瞻，將有正面助益。

法人表示，爾必達和瑞晶同步減產，對維持產能滿載的南科和華亞科，更是獲得現金流入提升及虧損減輕的雙重助益，這次減產若期間能拉長，將是台系DRAM廠扭轉虧損的好機會，但與爾必達和瑞晶合作密切的力成，將會遭遇頗大的衝擊。

DRAM返校潮備貨需求不如預期，7月DRAM上旬合約價結束今年漲勢，均價下跌5.13%，為今年來首次下跌。

集邦科技（TrendForce）預估，除非DRAM持續減產，否則仍難扭轉跌勢。

根據集邦旗下研究部門DRAMeXchange調查，7月進入傳統電子旺季，市場預期DRAM價格會有支撐，但PC代工廠出貨並不如預期，電腦品牌大廠宏碁還下修全年PC出貨。

由於買氣低迷，DRAM庫存水位上升，讓7月上旬DRAM合約價格呈現今年首次下跌，主流規格DDR3 2Gb最低來到1.09美元，均價1.11美元，比前2周下跌5.13%；4GB的模組價格最低也跌到20美元，均價20.25美元，跌幅為4.71%。

集邦預估，未來幾周，在終端市場景氣不佳情況下，個人電腦代工廠將持續調整DRAM庫存，DRAM市場將充斥清淡氛圍，價格持續下探可能性高，加上美光合併爾必達後，包括爾必達、瑞晶、南科、華亞科等都恢復產能，為供給端帶來壓力。

集邦表示，除非記憶體廠持續減產PC DRAM，否則短期內恐難扭轉DRAM價格的跌勢。

集邦科技（TrendForce）旗下綠能分析部門EnergyTrend昨（18）日示警，受到訂單量與價格同步下滑衝擊，太陽能市場8月恐將旺季不旺，部分業者產能利用率面臨下調困境。

昱晶（3514）、茂迪、昇陽科等業者表示，目前訂單狀況仍算不錯，但坦言現階段價格確實面臨壓力，主要是大陸業者仍在市場大量拋貨，以低價搶單。目前訂單能見度不長，約1個月，後市需謹慎觀察。

EnergyTrend指出，儘管7月各廠接單狀況不錯，但該機構訪查發現，已有業者表示，8月起受到歐洲政策改變影響，訂單量已明顯感受到下滑。另一方面，近期現貨價格走勢，也同步出現下滑。

EnergyTrend表示，由於歐洲市場需求滑落，但新興市場需求又無法快速銜接上揚，導致相關廠商近期產能利用率明顯調降。根據該機構訪查，目前主要廠商產能利用率約70%至80%，二、三線廠則降至約六成。

儘管日本市場被寄予厚望，但當地市場需要長期耕耘，並非一蹴可幾，現階段僅有部分廠商可望受惠日本市場成長，維持較佳的產能利用率。

本周現貨報價方面，多晶矽貿易商報價已低於每公斤20美元，降至約19.5美元，顯示已有廠商積極出清庫存，以平均價格來看，每公斤約20.885美元，跌幅0.76%。

矽晶圓價格也出現小跌，多晶報價約每片1.062美元，跌幅0.19%；單晶均價每片1.466美元，跌幅0.27%。電池部分，每瓦均價0.458美元，跌幅1.08%；模組跌0.13%，每瓦均價0.744美元。

太陽能族群昨天普遍壓回，茂迪、昱晶、昇陽科等都收黑。茂迪跌1.65元、收33.55元；昱晶跌0.35元、收30.1元；昇陽科跌0.25元、收22.95元。

外電報導，美光執行長德肯（Mark Duncan）接受彭博專訪時表示，美光收購爾必達之後，將提供最高8億美元（約新台幣240億元）設備投資資金，且不會對爾必達與瑞晶（4932）裁員。

業界揣測，美光將藉由爾必達與瑞晶，強化行動裝置應用布局，拓展蘋果等大廠訂單。

美光收購瑞晶與爾必達效應，昨天在台股發酵，南科、華亞科都收紅，力晶拉出第2根漲停板，上漲0.04元、收0.62元；瑞晶在興櫃無漲幅限制，大漲逾一成，參考價收11元、上漲1.22元。

瑞晶昨天公布6月營收25.02億元，月減6.7%，年減11.24%；上半年營收141.68億元，比去年同期衰退23.56%，主要受DRAM價格漲勢稍歇影響。市場看好美光入股後，瑞晶營運將逐步提升。

力晶受惠代工業務穩定成長、調漲價格激勵，6月營收月增2.5%，達26.41億元，創11個月來新高。力晶預期，隨DRAM價趨穩，公司導入30奈米製程效益浮現，以及代工業務的訂單能見度已到今年底，下半年營運將漸入佳境。

美光收購爾必達與瑞晶之後，躍居全球第2大DRAM勢力，德肯接受專訪時透露，為支援爾必達的研發生產，將在明年夏天結束前，提供爾必達5億美元設備投資資金，並勢必要，調高至8億美元。

業界認為，爾必達是蘋果最大行動記憶體供應商，瑞晶又具有精良的生產設備與成本優勢，美光對兩家公司釋出善意，主要為仰賴爾必達與瑞晶，強攻原本公司較欠缺的行動裝置市場布局。

集邦科技旗下DRAMeXchange指出，美光此次跨國大整合，不但取得爾必達行動記憶體技術優勢，未來更可整合自家的快閃記憶體產能與爾必達的行動記憶體產品，在全球行動運算裝置的記憶體儲存領域掌握更多訂單，預期來自蘋果的訂單將增加。

技術轉進方面，爾必達標準型記憶體及行動式記憶體的30奈米製程良率已趨成熟，25奈米開始試產，瑞晶也將在本季跟進試產25奈米技術，對美光拓展勢力幫助大，有助打入明年度新款行動運算裝置供應鏈。

根據集邦科技旗下研究部門EnergyTrend的調查顯示，受到美國雙反判決的影響，加上太陽能電池安裝進入傳統旺季，導致訂單加溫，使得台灣電池廠商報價出現上漲，訪查顯示目前產品報價已來到每瓦（Watt）0.5美元以上。由於太陽能電池報價調漲5∼10％，上游太陽能矽晶圓漲聲響起，預計將調漲3∼6％。只不過法人仍指出，價格上漲幅度不夠大，部份廠商仍難轉虧為盈。

根據調查，此次調漲的產品除了高效產品外，連傳統16.6％轉換效能的太陽能電池產品也在調漲的行列之內。EnergyTrend的資料庫顯示，5月上旬轉換效率在16.6％產品的報價，還在每瓦0.45∼0.48美元間，但最近一期的報價則是來到每瓦0.49∼0.51美元間，另外在高效產品的部分，也就是效率在17.2％以上的產品，其報價區間在每瓦0.55∼0.6美元之間，由目前的資料分析，此波漲幅約在5∼10％之間。

再進一步跟廠商了解客戶接受的狀況，廠商表示，目前大陸客戶仍未同意調漲價格，然而在雙反判決的壓力下，廠商表示大陸客戶應該會接受此次價格的調漲。

同時，這波太陽能電池報價上漲的風潮，可望蔓延至上游矽晶圓業者。太陽能矽晶圓業者表示，已聽聞下游太陽能電池客戶開始調漲價格，並且透過關係重覆確認該價格是否是成交價格；另一方面，也準備跟著調漲報價，目前已針對部分客戶提出報價來測試水溫。

EnergyTrend表示，由於短期內市場變化有利於台灣太陽能電池業者，因此相關業者的售價有望調升，然而，此次雙反判決並未擴及至大陸模組產品，使得此波上漲力道有限，預估電池漲幅在5∼10％，而太陽能矽晶圓漲幅為3∼6％。

市場法人則指出，雖然太陽能電池及矽晶圓均出現價格調漲，但因雙反判決並未擴及至太陽能電池模組產品，所以在漲幅有限情況下，業者仍難將高價材料成本有效轉嫁，因此部份業者可能仍難轉虧為盈。

根據集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調查，第1季行動式DRAM記憶體平均銷售單價滑落約10~15％，合約價降幅約10％，但由於出貨位元成長約達20％，整體行動式記憶體營收較去年第4季成長約37％。

不過，第1季除了三星電子市佔率大幅擴大，其餘廠家表現不佳，而韓國DRAM廠市占率合計已達85.9％，台廠市占率不到2％，已被嚴重邊緣化。

在產品組合多樣性、技術以及生產成本優勢下，三星第1季在行動式記憶體的銷售一舉拿下7成的市占率，自有品牌Galaxy智慧型手機或平板電腦的貢獻良多，約占三星行動式記憶體總產出的3成。

三星今年開始在市場策略上將更專注目前Mobile DRAM主流規格LPDDR2，以及高容量多晶片封裝（MCP）生產，集邦科技認為，這是三星在行動式記憶體營收領先對手的主因，下階段三星將以深化客戶對高容量LPDDR2的接受度為發展重點，做為下一波營收成長動力。

SK海力士方面，本季行動式記憶體產品線營收與上季相當，隨著38奈米製程良率逐步提升，不僅生產成本降低，生產比例也逐步提升，且LPDDR2 4Gb顆粒已受客戶驗證完畢，後續在高容量LPDDR2的出貨量將穩定增加，可望在第2季為獲利表現加溫。

年初聲請破產保護的爾必達雖不斷向客戶承諾將持續出貨，然而在財務問題尚未明朗化前，多數客戶皆在備料計畫上採取避險措施，以免其無預警減產或停產危及產線穩定，因此，第1季爾必達在行動式記憶體市占率以及營收上均受到不小衝擊。

美光主要鎖定中低階智慧型手機市場，製程方面轉進30奈米並送測中，由於美國擁有NAND及NOR快閃記憶體產品線，在多晶片封裝上有很大的優勢，未來若與爾必達在高容量行動式記憶體有進一步的合作，產品垂直整合優勢將會更進一步拓展其在行動式記憶體市占率。

台廠雖然已有南亞科技及華邦投入此一市場，但南科第2季30奈米晶片才送測，下半年才能以LPDDR2切入市場，華邦雖自行開發46奈米生產LPDDR1，配合本身Pseudo SRAM出貨，但較集中在功能型手機市場。

台廠市占率不到2％，相較於韓廠的獨佔，台灣業者在行動記憶體市場已被嚴重邊緣化。

主攻個人電腦市場的標準型動態隨機存取記憶體（DRAM）近期呈現強勁的拉貨力道，本月價格可望強彈；應用行動裝置的儲存型快閃記憶體（NAND Flash）因補貨需求落空，價格看跌。

4月DRAM下旬合約價持續上揚6.8%，集邦科技調查，雖主要記憶體供應商的產能利用率已逐漸恢復滿載，供過於求的缺口仍未顯著收斂，但供應商不願殺低求售，價格有撐。

南科和華亞科預期，本月起由於美國戴爾及惠普等PC大廠新產品陸續出貨，DRAM拉貨強勁，加上爾必達拋售庫存也近尾聲，本月DRAM漲勢將會很大；但兩家公司都不願預估漲幅。

至於在NAND Flash部分，根據集邦科技（TrendForce）旗下研究部門DRAMeXchange調查，4月下旬NAND Flash合約價因五一長假庫存回補需求，平均售價下探9%，本季雖然買賣雙方仍呈拉距，但市場仍看跌，主因市場需求疲弱，且產能供過於求，供應廠商競爭激烈。

集邦科技預估，NANA Flash價格可能要到第3季需求增溫時才會止穩。

群聯董事長潘健成表示，因第1季NAND晶片價格大跌，上游晶片廠商普遍不賺錢，整體產業相辛苦，目前看來，群聯4、5月還是辛苦，6月以後應會轉好。估計4月營收會比3月衰退一成，第2季營收季減幅度約一成。

增你強營業本部總經理范宏達認為，本季NAND Flash價格持續向下，但下半年包括智慧型手機、平板電腦及超輕薄筆電等，都大幅增加NAND Flash容量，應有不錯的表現。

集邦科技昨（23）日終於公布4月下旬合約價，各規格合約價全面揚升，其中DDR3 2Gb顆粒報價上漲7.77％，均價觸及1.11美元，創下去年9月下旬以來新高紀錄。不過集邦科技強調，目前DRAM供過於求幅度仍達12％，價格上漲是反映產能供應端的不確定因素，需求並未出現太大起色。

4月下旬合約價遲至昨日才公布，集邦科技表示，以供給端而言，雖然目前產能仍處於供過於求狀態，但韓國大廠在PC記憶體價格上轉趨強硬，加上爾必達退出市場與否充滿不確定性，合約價格仍維持上漲走勢，4GB與2GB模組均價分別達到20.25與10.5美元，漲幅達5％至6.58％。

在DRAM顆粒的主流規格上，DDR3 2Gb顆粒報價則上漲7.77％，低價成交區擴大至9％，均價觸及1.11美元，創下2011年9月下旬以來新高水準。然而業者分析，儘管價格已經見到顯著漲幅，但是價位只超越台系廠商的現金成本，未達製造成本，因此僅收增加現金流量、減少虧損之效，距離轉虧為盈仍有段距離。

中美晶（5483）總經理徐秀蘭昨（12）日除說明半導體春燕已至外，也強調LED照明需求爆發，是本季最大亮點；中美晶旗下的中美藍晶已啟動擴廠，新產能6月到位，預估到今年底，月產能將擴增至現在的三倍。

徐秀蘭表示，中美晶將旗下的藍寶石基板業務分割成立中美藍晶公司，去年情況雖然很差，但去年11月就落底，並逐步回升。她強調，中美藍晶3月的營收已是去年11月的三倍，產能全滿，訂單能見度到今年第二季，產業景氣復甦甚為明顯。

徐秀蘭表示，中美藍晶目前產能滿載，出貨規格有高達94%是屬於超高亮度藍寶石基板產品，凸顯LED照明市場急速成長，帶動超高度LED需求大幅提升。

為掌握商機，中美藍晶已啟動擴建，預定6月初新增產能可全數到位，估計到年底，中美藍晶的藍寶石基板月產能，將由每月10 萬片擴增至31萬片。

集邦科技（TrendForce）旗下研究部門LEDinside同樣看好LED後市，認為包括晶電、璨圓等晶粒廠，以及封裝廠中的東貝，3月產能利用率也都拉升至八、九成以上。集邦預估，在中國政策補助LED照明及歐洲電價昂貴的激勵下，今年全球LED照明產值將突破30億美元（約新台幣885 億元）。