力晶創新投資控股公司公告| IPO贏家未上市股票交流網

力晶創新投資控股

報價日期:2026/02/01
買價(賣方參考)
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賣價(買方參考)
17.92

力晶創新投資控股 (公) 公司公告

公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559455專利
2016年12月30日
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 51,…
公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559586專利
2016年12月30日
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電阻式隨機存取記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$…
公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559114專利
2016年12月30日
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:負基準電壓產生電路2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 112,10…
公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555112專利
2016年12月30日
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體製程設備以及預防破片的方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$…
公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559424專利
2016年12月30日
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體晶圓的金屬汙染即時監控方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$…
公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555179專利
2016年12月30日
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:隔離結構及具有其之非揮發性記憶體的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本…
公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555082專利
2016年12月30日
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:圖案化方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 55,2004.其他…
公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555066專利
2016年12月30日
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件的製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 57,70…
公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559456專利
2016年12月30日
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:浮置閘極與非揮發性記憶胞的製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT…
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2298048專
2016年12月30日
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2298048專利1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性半導體記憶體裝置及其讀出方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期…
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2197062專
2016年12月30日
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性半導體記憶裝置及其讀出方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/243.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT…
公告本公司取得日本專利局核發JP 6017593專利
2016年12月30日
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:負基準電壓產生電路及負基準電壓產生系統2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/073.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: …
公告本公司取得日本專利局核發JP 5982510專利
2016年12月30日
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:電壓產生電路、調節器電路、半導體記憶裝置及半導體裝置2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/233.取得專利、商標、著作或其他智慧財…
公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559450專利
2016年12月30日
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:記憶體結構及其操作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 76,0…
公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555131專利
2016年12月30日
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:NOR型快閃記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ …
公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555119專利
2016年12月30日
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:具有氣隙的結構的形成方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 56,…
公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I559459專利
2016年12月30日
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:快閃記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 47,6…
公告本公司取得經濟部智慧財產局核發TW I555120專利
2016年12月30日
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:半導體元件及其製作方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/10/213.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 73,1…
公告本公司取得美國專利局核發US 9502969專利
2016年12月29日
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:負基準電壓產生電路2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/223.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 211,96…
公告本公司取得美國專利局核發US 9496418專利
2016年12月29日
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性記憶體及其製造方法2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/11/153.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 26…
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