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力晶創新投資控股(公)公司公告
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
晶圓級動態預燒測試方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 40,600
4.其他應敘明事項:
一種晶圓級動態預燒測試方法。於預燒測試期間反覆切換各字元線組的致能狀態，
並依據測試圖案資料於字元線組再次被致能時變換對位元線施加的電壓。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
負基準電壓產生電路及負基準電壓產生系統
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$47,200
4.其他應敘明事項:
本發明提出一種負基準電壓產生電路，包括：鉗位型基準電壓電路及差動放大器
。鉗位型基準電壓電路連接於比接地電壓或該接地電壓更低的第一負電壓的節點
與比該第一負電壓更低的預定的第二負電壓的節點之間。鉗位型基準電壓電路是
由第一電路與第二電路並聯而成。差動放大器，將第一電路內的一節點電壓與第
二電路內的一節點電壓之間的電壓差放大，輸出負基準電壓。
負基準電壓產生電路及負基準電壓產生系統
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$47,200
4.其他應敘明事項:
本發明提出一種負基準電壓產生電路，包括：鉗位型基準電壓電路及差動放大器
。鉗位型基準電壓電路連接於比接地電壓或該接地電壓更低的第一負電壓的節點
與比該第一負電壓更低的預定的第二負電壓的節點之間。鉗位型基準電壓電路是
由第一電路與第二電路並聯而成。差動放大器，將第一電路內的一節點電壓與第
二電路內的一節點電壓之間的電壓差放大，輸出負基準電壓。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
光阻回收系統及其方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/01
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 59,200
4.其他應敘明事項:
一種光阻回收系統，包括：儲存瓶，用以存放光阻液，且儲存瓶具有瓶蓋，在瓶
蓋上設有第一接頭、第二接頭與第三接頭；加壓裝置，與第一接頭連接；排出管
路，與瓶蓋的第二接頭連接；第一切換裝置，設置於排出管路上；第二切換裝置
，設置於儲存瓶與第一切換裝置之間的排出管路上；回收管路，連接第三接頭以
及在第一切換裝置與第二切換裝置之間的排出管路；以及第三切換裝置，設置於
回收管路上。
光阻回收系統及其方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/01
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 59,200
4.其他應敘明事項:
一種光阻回收系統，包括：儲存瓶，用以存放光阻液，且儲存瓶具有瓶蓋，在瓶
蓋上設有第一接頭、第二接頭與第三接頭；加壓裝置，與第一接頭連接；排出管
路，與瓶蓋的第二接頭連接；第一切換裝置，設置於排出管路上；第二切換裝置
，設置於儲存瓶與第一切換裝置之間的排出管路上；回收管路，連接第三接頭以
及在第一切換裝置與第二切換裝置之間的排出管路；以及第三切換裝置，設置於
回收管路上。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
半導體元件的製作以及檢測方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 81,400
4.其他應敘明事項:
一種半導體元件的製作方法，包括提供半導體基板，其包括元件區域和週邊區域
。接著，於元件區域內形成第一幾何單元，並於週邊區域形成多個第二幾何單元
，其中各第二幾何單元的臨界尺寸係相等於第一幾何單元的臨界尺寸。之後，全
面沉積一介電層，以同時覆蓋住第一幾何單元和各第二幾何單元。最後，於介電
層上形成焊接墊，其中焊接墊位於第二幾何單元的正上方。其中在形成第二幾何
單元之後，會對第二幾何單元進行缺陷檢測。
半導體元件的製作以及檢測方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 81,400
4.其他應敘明事項:
一種半導體元件的製作方法，包括提供半導體基板，其包括元件區域和週邊區域
。接著，於元件區域內形成第一幾何單元，並於週邊區域形成多個第二幾何單元
，其中各第二幾何單元的臨界尺寸係相等於第一幾何單元的臨界尺寸。之後，全
面沉積一介電層，以同時覆蓋住第一幾何單元和各第二幾何單元。最後，於介電
層上形成焊接墊，其中焊接墊位於第二幾何單元的正上方。其中在形成第二幾何
單元之後，會對第二幾何單元進行缺陷檢測。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
三維記憶體的陣列結構及其製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/11
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 45,200
4.其他應敘明事項:
一種三維記憶體的陣列結構，包括：堆疊結構，為由介電層與第一導電層交錯堆
疊而成的結構，堆疊結構具有孔洞貫穿堆疊結構的各層，且孔洞於介電層與第一
導電層處分別具有不同的孔徑；第二導電層，設置於堆疊結構中的孔洞；以及資
料儲存層，設置於堆疊結構與第二導電層之間。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
介層窗製程用的溝填處理方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$53,600
4.其他應敘明事項:
一種介層窗製程用的溝填處理方法，包括提供基底，基底中已形成有多個開口，
基底可區分為圖案密集區與圖案疏鬆區，其中圖案密集區的開口圖案密度大於圖
案疏鬆區的開口圖案密度；於基底上形成正型光阻層，以填入該些開口，其中正
型光阻層在圖案疏鬆區表面的厚度大於圖案密集區表面的厚度；只對基底表面的
正型光阻層進行曝光；對經曝光的正型光阻層進行顯影，而在多個開口中形成溝
填材料層，其中溝填材料層在圖案密集區與圖案疏鬆區具有相同厚度；在表面塗
布反應試劑，形成反應層；以及利用溶劑清除反應層，而在溝填材料層上頂蓋層
。
介層窗製程用的溝填處理方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$53,600
4.其他應敘明事項:
一種介層窗製程用的溝填處理方法，包括提供基底，基底中已形成有多個開口，
基底可區分為圖案密集區與圖案疏鬆區，其中圖案密集區的開口圖案密度大於圖
案疏鬆區的開口圖案密度；於基底上形成正型光阻層，以填入該些開口，其中正
型光阻層在圖案疏鬆區表面的厚度大於圖案密集區表面的厚度；只對基底表面的
正型光阻層進行曝光；對經曝光的正型光阻層進行顯影，而在多個開口中形成溝
填材料層，其中溝填材料層在圖案密集區與圖案疏鬆區具有相同厚度；在表面塗
布反應試劑，形成反應層；以及利用溶劑清除反應層，而在溝填材料層上頂蓋層
。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
曝光機台的遮光裝置
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 51,200
4.其他應敘明事項:
一種曝光機台的遮光裝置，包括主遮光機構及輔助遮光機構。主遮光機構，設置
於光行進路徑上。輔助遮光機構設置於光行進路線上且位於主遮光機構的一側。
其中，由主遮光機構與輔助遮光機構所形成的曝光開口的形狀對應於晶圓上的曝
光區域的形狀。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
半導體晶圓、半導體晶片以及半導體裝置及其製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 64,800
4.其他應敘明事項:
為了解決在切割道切割半導體晶圓時探針測試墊殘留墊金屬造成的半導體晶片可
靠度惡化的問題，在具有複數個半導體晶片的半導體晶圓，具有形成於半導體晶
圓的切割區的複數個探針測試墊、形成於半導體晶片上的複數個直通矽晶穿孔、
與將各探針測試墊連接於各直通矽晶穿孔的線路層，而被構成為：在晶圓測試後
，藉由蝕刻移除複數個探針測試墊及線路層的一部分的至少其中之一。另外，半
導體晶圓還具有以覆蓋移除線路層的一部分時殘留的線路層的曝露面的形式形成
的保護膜。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
半導體元件及其製作方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/01
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 53,200
4.其他應敘明事項:
一種半導體元件及其製作方法。半導體元件的製作方法包括以下步驟。提供一基
底，基底中已形成有多個溝槽，其中溝槽之間的基底上已依序配置有一氧化層、
一矽基材料層以及一罩幕層。形成一介電層，以填入溝槽中並覆蓋罩幕層、矽基
材料層、氧化層以及基底。對基底進行一退火製程，其中來自罩幕層的氫會與矽
基材料層中的矽形成矽-氫鍵。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
記憶體線路結構以及其半導體線路製程
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/04/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$72,400
4.其他應敘明事項:
本發明提出了一種用以形成特定圖形特徵的半導體製程，其步驟包含：在基底上
形成一目標層以及等間隔排列的內核體、共形地形成一硬遮罩層、在硬遮罩層上
形成第一光阻，其中該第一光阻涵蓋一預定區域，該預定區域包含兩個以上的該
些內核體、進行一第一蝕刻製程去除該預定區域以外部分的硬遮罩層，以裸露出
部分內核體、去除該些裸露的內核體、在該預定區域內形成一第二光阻，其至少
涵蓋該預定區域中所有的凹槽、以及進行一第二蝕刻製程圖形化該目標層。
記憶體線路結構以及其半導體線路製程
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/04/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$72,400
4.其他應敘明事項:
本發明提出了一種用以形成特定圖形特徵的半導體製程，其步驟包含：在基底上
形成一目標層以及等間隔排列的內核體、共形地形成一硬遮罩層、在硬遮罩層上
形成第一光阻，其中該第一光阻涵蓋一預定區域，該預定區域包含兩個以上的該
些內核體、進行一第一蝕刻製程去除該預定區域以外部分的硬遮罩層，以裸露出
部分內核體、去除該些裸露的內核體、在該預定區域內形成一第二光阻，其至少
涵蓋該預定區域中所有的凹槽、以及進行一第二蝕刻製程圖形化該目標層。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
半導體結構與其半導體製程
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/04/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$59,400
4.其他應敘明事項:
本發明提出了一種半導體製程，其步驟包含在一基底上形成一圖形化導電層、形
成一未摻雜介電層，其頂面與圖形化導電層的頂面齊平、在圖形化導電層以及未
摻雜介電層上形成一受摻雜介電層、進行一蝕刻製程，該蝕刻製程對未摻雜介電
層以及受摻雜介電層具有高度的蝕刻選擇比，使得該蝕刻製程中僅裸露出之受摻
雜介電層會被完全蝕去，未摻雜介電層則不會受到蝕刻。
半導體結構與其半導體製程
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/04/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$59,400
4.其他應敘明事項:
本發明提出了一種半導體製程，其步驟包含在一基底上形成一圖形化導電層、形
成一未摻雜介電層，其頂面與圖形化導電層的頂面齊平、在圖形化導電層以及未
摻雜介電層上形成一受摻雜介電層、進行一蝕刻製程，該蝕刻製程對未摻雜介電
層以及受摻雜介電層具有高度的蝕刻選擇比，使得該蝕刻製程中僅裸露出之受摻
雜介電層會被完全蝕去，未摻雜介電層則不會受到蝕刻。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
電阻式隨機存取記憶體
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/04/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$59,200
4.其他應敘明事項:
一種電阻式隨機存取記憶體，包括第一電極、介電層、至少一第一奈米結構及第
二電極。介電層設置於第一電極上。第一奈米結構設置於第一電極與介電層之間
，且第一奈米結構包括多個第一群聚型金屬奈米粒子及多個第一包覆型金屬奈米
粒子。第一群聚型金屬奈米粒子設置於第一電極上。第一包覆型金屬奈米粒子包
覆第一群聚型金屬奈米粒子，其中第一群聚型金屬奈米粒子的擴散係數大於第一
包覆型金屬奈米粒子的擴散係數。第二電極設置於介電層上。
電阻式隨機存取記憶體
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/04/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$59,200
4.其他應敘明事項:
一種電阻式隨機存取記憶體，包括第一電極、介電層、至少一第一奈米結構及第
二電極。介電層設置於第一電極上。第一奈米結構設置於第一電極與介電層之間
，且第一奈米結構包括多個第一群聚型金屬奈米粒子及多個第一包覆型金屬奈米
粒子。第一群聚型金屬奈米粒子設置於第一電極上。第一包覆型金屬奈米粒子包
覆第一群聚型金屬奈米粒子，其中第一群聚型金屬奈米粒子的擴散係數大於第一
包覆型金屬奈米粒子的擴散係數。第二電極設置於介電層上。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
品質管理系統及其方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/04/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$84,200
4.其他應敘明事項:
品質管理方法包含由資料庫中取得生產批的品質歷史資料，依據生產批的品質歷
史資料，將生產批歸類為N個異常事件集合，依據生產批的品質歷史資料，將每個
異常事件集合內複數個異常事件之每個異常事件對應至合適的異常事件等級，設定
對應於每個異常事件等級之待估測的風險係數，根據生產批的品質歷史資料及該些
異常事件等級，計算每個異常事件等級對應之待估測的風險係數，依據該些異常事
件等級及計算後的該些風險係數，產生線性回歸方程式，根據線性回歸方程式，預
測生產批的高可靠度區間所對應的風險分數。
品質管理系統及其方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/04/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$84,200
4.其他應敘明事項:
品質管理方法包含由資料庫中取得生產批的品質歷史資料，依據生產批的品質歷
史資料，將生產批歸類為N個異常事件集合，依據生產批的品質歷史資料，將每個
異常事件集合內複數個異常事件之每個異常事件對應至合適的異常事件等級，設定
對應於每個異常事件等級之待估測的風險係數，根據生產批的品質歷史資料及該些
異常事件等級，計算每個異常事件等級對應之待估測的風險係數，依據該些異常事
件等級及計算後的該些風險係數，產生線性回歸方程式，根據線性回歸方程式，預
測生產批的高可靠度區間所對應的風險分數。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
晶片可靠度的測試板及其測試系統
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/04/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$52,800
4.其他應敘明事項:
一種晶片可靠度的測試板及其測試系統被提出。晶片可靠度的測試板用以承載多
數個晶片。晶片依據陣列排列形式被配置在測試板上以形成多數個晶片行及多數
個晶片列。晶片可靠度的測試板包括多數條輸出資料線以及多數條輸入資料線。
多數條輸出資料線分別耦接至該些晶片列上的晶片的資料輸出接腳。多數條輸入
資料線分別耦接至晶片列上的晶片的資料輸入接腳。其中，輸出資料線分別連接
至可靠度測試機台的多數個資料接收端子，輸入資料線分別連接至可靠度測試機
台的多數個第一時脈信號端子。
晶片可靠度的測試板及其測試系統
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/04/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$52,800
4.其他應敘明事項:
一種晶片可靠度的測試板及其測試系統被提出。晶片可靠度的測試板用以承載多
數個晶片。晶片依據陣列排列形式被配置在測試板上以形成多數個晶片行及多數
個晶片列。晶片可靠度的測試板包括多數條輸出資料線以及多數條輸入資料線。
多數條輸出資料線分別耦接至該些晶片列上的晶片的資料輸出接腳。多數條輸入
資料線分別耦接至晶片列上的晶片的資料輸入接腳。其中，輸出資料線分別連接
至可靠度測試機台的多數個資料接收端子，輸入資料線分別連接至可靠度測試機
台的多數個第一時脈信號端子。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
圖案形成方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/04/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$41,200
4.其他應敘明事項:
一種圖案形成方法，包括下列步驟。提供晶圓，晶圓包括多個晶圓內部晶粒與多
個晶圓邊緣晶粒。在各晶圓內部晶粒上形成第一圖案，且在各晶圓邊緣晶粒上形
成第二圖案，其中第一圖案的形成方法包括進行至少兩次曝光製程，第二圖案的
形成方法包括進行上述至少兩次曝光製程中的至少一次，且形成第二圖案所進行
的曝光製程次數少於形成第一圖案所進行的曝光製程次數。
圖案形成方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/04/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$41,200
4.其他應敘明事項:
一種圖案形成方法，包括下列步驟。提供晶圓，晶圓包括多個晶圓內部晶粒與多
個晶圓邊緣晶粒。在各晶圓內部晶粒上形成第一圖案，且在各晶圓邊緣晶粒上形
成第二圖案，其中第一圖案的形成方法包括進行至少兩次曝光製程，第二圖案的
形成方法包括進行上述至少兩次曝光製程中的至少一次，且形成第二圖案所進行
的曝光製程次數少於形成第一圖案所進行的曝光製程次數。
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2044370專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
內部電壓調整電路、內部電壓調整方法以及半導體裝置
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/05/20
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$79,200
4.其他應敘明事項:
一種內部電壓調整電路，包括：一控制裝置，利用一時脈的計數值的變化調整一
內部電壓，其中一半導體裝置的一內部電壓產生器產生該內部電壓，一時脈產生
器根據流過該時脈產生器之一電源電流源之一電晶體的電流產生該時脈；其中當
一預定參考電壓施加至該電晶體之控制端時，該控制裝置計數該時脈產生器所產
生之該時脈的第一計數值，當該內部電壓施加至該電晶體之該控制端時，該控制
裝置計數該時脈產生器所產生之該時脈的第二計數值，且該控制裝置控制該內部
電壓產生器所產生之該內部電壓以使該第二計數值實質上與該第一計數值一致。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
內部電壓調整電路、內部電壓調整方法以及半導體裝置
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/05/20
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$79,200
4.其他應敘明事項:
一種內部電壓調整電路，包括：一控制裝置，利用一時脈的計數值的變化調整一
內部電壓，其中一半導體裝置的一內部電壓產生器產生該內部電壓，一時脈產生
器根據流過該時脈產生器之一電源電流源之一電晶體的電流產生該時脈；其中當
一預定參考電壓施加至該電晶體之控制端時，該控制裝置計數該時脈產生器所產
生之該時脈的第一計數值，當該內部電壓施加至該電晶體之該控制端時，該控制
裝置計數該時脈產生器所產生之該時脈的第二計數值，且該控制裝置控制該內部
電壓產生器所產生之該內部電壓以使該第二計數值實質上與該第一計數值一致。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
電阻式隨機存取記憶體及其製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/05/04
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$306,461
4.其他應敘明事項:
一種電阻式隨機存取記憶體，包括基底、介電層、多個記憶胞及內連線結構。介
電層設置於基底上。記憶胞垂直相鄰地設置於介電層中，且各個記憶胞包括第一
電極、第二電極及可變電阻結構。第二電極設置於第一電極上。可變電阻結構設
置於第一電極與第二電極之間。在垂直相鄰的兩個記憶胞中，位於上方的記憶胞
的第一電極與位於下方的記憶胞的第二電極設置於相鄰的可變電阻結構之間且彼
此隔離。內連線結構設置於介電層中且將記憶胞的第一電極進行連接。
電阻式隨機存取記憶體及其製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/05/04
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$306,461
4.其他應敘明事項:
一種電阻式隨機存取記憶體，包括基底、介電層、多個記憶胞及內連線結構。介
電層設置於基底上。記憶胞垂直相鄰地設置於介電層中，且各個記憶胞包括第一
電極、第二電極及可變電阻結構。第二電極設置於第一電極上。可變電阻結構設
置於第一電極與第二電極之間。在垂直相鄰的兩個記憶胞中，位於上方的記憶胞
的第一電極與位於下方的記憶胞的第二電極設置於相鄰的可變電阻結構之間且彼
此隔離。內連線結構設置於介電層中且將記憶胞的第一電極進行連接。
1.股東會決議日:105/06/22
2.許可從事競業行為之董事姓名及職稱:
(1)董事：黃崇仁先生
(2)法人董事：力元投資股份有限公司
(3)法人董事代表人：陳瑞隆先生、蔡國智先生、王其國先生、黎湘鄂先生
3.許可從事競業行為之項目:依公司法第209條第一項相關規定，董事為自己或
他人為屬於公司營業範圍內之行為。
4.許可從事競業行為之期間:105/06/22~107/06/17
5.決議情形（請依公司法第209條說明表決結果）:
本案經主席徵詢在場出席股東無異議照案通過。
6.所許可之競業行為如屬大陸地區事業之營業者，董事姓名及職稱（非屬大陸地區事業
之營業者，以下欄位請輸不適用）:
(1)董事：黃崇仁先生
(2)智成電子股份有限公司代表人黎湘鄂董事
7.所擔任該大陸地區事業之公司名稱及職務:
(1)合肥晶合集成電路有限公司：董事
(2)合肥晶合集成電路有限公司：董事、總經理、採購總監兼銷售總監。
8.所擔任該大陸地區事業地址:安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內。
9.所擔任該大陸地區事業營業項目:從事面板驅動晶片等產品之晶圓代工服務。
10.對本公司財務業務之影響程度:無。
11.董事如有對該大陸地區事業從事投資者，其投資金額及持股比例:
不適用
12.其他應敘明事項:無。
2.許可從事競業行為之董事姓名及職稱:
(1)董事：黃崇仁先生
(2)法人董事：力元投資股份有限公司
(3)法人董事代表人：陳瑞隆先生、蔡國智先生、王其國先生、黎湘鄂先生
3.許可從事競業行為之項目:依公司法第209條第一項相關規定，董事為自己或
他人為屬於公司營業範圍內之行為。
4.許可從事競業行為之期間:105/06/22~107/06/17
5.決議情形（請依公司法第209條說明表決結果）:
本案經主席徵詢在場出席股東無異議照案通過。
6.所許可之競業行為如屬大陸地區事業之營業者，董事姓名及職稱（非屬大陸地區事業
之營業者，以下欄位請輸不適用）:
(1)董事：黃崇仁先生
(2)智成電子股份有限公司代表人黎湘鄂董事
7.所擔任該大陸地區事業之公司名稱及職務:
(1)合肥晶合集成電路有限公司：董事
(2)合肥晶合集成電路有限公司：董事、總經理、採購總監兼銷售總監。
8.所擔任該大陸地區事業地址:安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內。
9.所擔任該大陸地區事業營業項目:從事面板驅動晶片等產品之晶圓代工服務。
10.對本公司財務業務之影響程度:無。
11.董事如有對該大陸地區事業從事投資者，其投資金額及持股比例:
不適用
12.其他應敘明事項:無。
1.事實發生日:105/04/19
2.發生緣由:
Global Powertec CO., LTD.為提昇股東權益報酬率及增加股東
資金運用效率，擬以105年04月19日為基準日，辦理減資新台幣
78,673,580元以退還股東股款，本公司減少資本前實收資本額
為美金2,535,010元，依歷次增資匯率換算，折合新台幣
78,673,903元，每股面額為美金10元，已發行股份總數為
253,501股，辦理減少資本新台幣78,673,580元，
消除253,500股後，實收資本額為美金10元，折合新台幣323元，
已發行股份總數為1股。
3.因應措施:無。
4.其他應敘明事項:無。
2.發生緣由:
Global Powertec CO., LTD.為提昇股東權益報酬率及增加股東
資金運用效率，擬以105年04月19日為基準日，辦理減資新台幣
78,673,580元以退還股東股款，本公司減少資本前實收資本額
為美金2,535,010元，依歷次增資匯率換算，折合新台幣
78,673,903元，每股面額為美金10元，已發行股份總數為
253,501股，辦理減少資本新台幣78,673,580元，
消除253,500股後，實收資本額為美金10元，折合新台幣323元，
已發行股份總數為1股。
3.因應措施:無。
4.其他應敘明事項:無。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
電源供應系統及電子裝置的維修方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/03/11
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$51,000
4.其他應敘明事項:
一種電源供應系統及電子裝置的維修方法，此電源供應系統包括電源供應器、第
一迴路框架組以及第一負載。電源供應器提供電源。第一迴路框架組包括第一迴
路框架以及第二迴路框架。第一迴路框架及第二迴路框架的其中之一裝入有第一
斷路器，以將電源由電源供應器通過第一斷路器提供至第一負載。
電源供應系統及電子裝置的維修方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/03/11
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$51,000
4.其他應敘明事項:
一種電源供應系統及電子裝置的維修方法，此電源供應系統包括電源供應器、第
一迴路框架組以及第一負載。電源供應器提供電源。第一迴路框架組包括第一迴
路框架以及第二迴路框架。第一迴路框架及第二迴路框架的其中之一裝入有第一
斷路器，以將電源由電源供應器通過第一斷路器提供至第一負載。
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