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力晶創新投資控股(公)公司公告
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
介層窗製程用的溝填處理方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/01
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 168,400
4.其他應敘明事項:
一種介層窗製程用的溝填處理方法，包括提供基底，基底中已形成有多個開口，
基底可區分為圖案密集區與圖案疏鬆區，其中圖案密集區的開口圖案密度大於圖
案疏鬆區的開口圖案密度；於基底上形成正型光阻層，以填入該些開口，其中正
型光阻層在圖案疏鬆區表面的厚度大於圖案密集區表面的厚度；只對基底表面的
正型光阻層進行曝光；對經曝光的正型光阻層進行顯影，而在多個開口中形成溝
填材料層，其中溝填材料層在圖案密集區與圖案疏鬆區具有相同厚度；在表面塗
布反應試劑，形成反應層；以及利用溶劑清除反應層，而在溝填材料層上頂蓋層
。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
電阻式隨機存取記憶體結構及電阻式隨機存取記憶體的操作方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/08/16
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 192,723
4.其他應敘明事項:
一種電阻式隨機存取記憶體結構，包括第一電晶體、第二電晶體與電阻式隨機存
取記憶胞串。藉由第一電晶體的第一端子與第二電晶體電性連接，而使得第一電
晶體與第二電晶體串聯。電阻式隨機存取記憶胞串包括彼此電性連接的多個記憶
胞，且電性連接至第一電晶體的第二端子。
電阻式隨機存取記憶體結構及電阻式隨機存取記憶體的操作方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/08/16
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 192,723
4.其他應敘明事項:
一種電阻式隨機存取記憶體結構，包括第一電晶體、第二電晶體與電阻式隨機存
取記憶胞串。藉由第一電晶體的第一端子與第二電晶體電性連接，而使得第一電
晶體與第二電晶體串聯。電阻式隨機存取記憶胞串包括彼此電性連接的多個記憶
胞，且電性連接至第一電晶體的第二端子。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
電阻式隨機存取記憶體及其製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/12
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 169,209
4.其他應敘明事項:
一種電阻式隨機存取記憶體，包括基底、介電層與至少一記憶胞串。介電層設置
於基底上。記憶胞串包括多個記憶胞與至少一第一內連線結構。記憶胞垂直相鄰
地設置於介電層中，且各記憶胞包括第一導線、第二導線與可變電阻結構。第二
導線設置於第一導線的一側，且第二導線的上表面高於第一導線的上表面。可變
電阻結構設置於第一導線與第二導線之間。在垂直相鄰的記憶胞中的可變電阻結
構彼此隔離。第一內連線結構連接垂直相鄰的第一導線。
電阻式隨機存取記憶體及其製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/12
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 169,209
4.其他應敘明事項:
一種電阻式隨機存取記憶體，包括基底、介電層與至少一記憶胞串。介電層設置
於基底上。記憶胞串包括多個記憶胞與至少一第一內連線結構。記憶胞垂直相鄰
地設置於介電層中，且各記憶胞包括第一導線、第二導線與可變電阻結構。第二
導線設置於第一導線的一側，且第二導線的上表面高於第一導線的上表面。可變
電阻結構設置於第一導線與第二導線之間。在垂直相鄰的記憶胞中的可變電阻結
構彼此隔離。第一內連線結構連接垂直相鄰的第一導線。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
負基準電壓產生電路及負基準電壓產生系統
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/19
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 218,387
4.其他應敘明事項:
本發明提供一種產生負基準電壓的負基準電壓產生電路。所述負基準電壓產生電
路包括：差動放大器，具有非反相輸入端子、反相輸入端子及輸出端子且是以正
側電源電壓與負側電源電壓所驅動的差動放大器，從所述輸出端子經由第一電阻
連接所述非反相輸入端子，並從所述輸出端子經由第二電阻連接所述反相輸入端
子；第一二極體，具有連接所述差動放大器的非反相輸入端子的陰極及接地的陽
極；多個第二二極體，分別具有連接規定連接點的陰極與接地的陽極，且彼此並
聯連接；以及第三電阻，連接在所述連接點與所述差動放大器的反相輸入端子之
間。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
隔離結構及具有其之非揮發性記憶體的製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/08/02
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 222,225
4.其他應敘明事項:
一種隔離結構的製造方法，適用於非揮發性記憶體的製程中。此方法是提供基底
，並於基底上依序形成介電層、導體層及硬罩幕層。圖案化硬罩幕層及導體層，
而形成暴露出介電層的第一溝槽。於基底上形成第一襯層。移除第一溝槽所暴露
的第一襯層及介電層，以暴露基底。於導體層及硬罩幕層的側壁形成間隙壁。以
具有間隙壁的導體層及硬罩幕層為罩幕，移除部分基底，以形成第二溝槽。之後
於第二溝槽中形成一隔離層，其中導體層之間的間距大於第二溝槽的寬度。
隔離結構及具有其之非揮發性記憶體的製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/08/02
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 222,225
4.其他應敘明事項:
一種隔離結構的製造方法，適用於非揮發性記憶體的製程中。此方法是提供基底
，並於基底上依序形成介電層、導體層及硬罩幕層。圖案化硬罩幕層及導體層，
而形成暴露出介電層的第一溝槽。於基底上形成第一襯層。移除第一溝槽所暴露
的第一襯層及介電層，以暴露基底。於導體層及硬罩幕層的側壁形成間隙壁。以
具有間隙壁的導體層及硬罩幕層為罩幕，移除部分基底，以形成第二溝槽。之後
於第二溝槽中形成一隔離層，其中導體層之間的間距大於第二溝槽的寬度。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
CMOS 影像感測單元及其製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/12
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 206,983
4.其他應敘明事項:
一種CMOS 影像感測單元及其製造方法。所述影像感測單元包括感光二極體、轉移
閘、重置閘、源極隨耦閘、轉移閘與重置閘之間的浮汲極區，以及PIP 型電容器，
其中PIP 型電容器的複晶矽下電極與浮汲極區和源極隨耦閘電性連接，而兼作為浮
汲極區和源極隨耦閘之間的內連線。所述製造方法包括：在浮汲極區和源極隨耦閘
上形成接觸窗，然後形成PIP 型電容器，其複晶矽下電極與各接觸窗連接。
CMOS 影像感測單元及其製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/12
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 206,983
4.其他應敘明事項:
一種CMOS 影像感測單元及其製造方法。所述影像感測單元包括感光二極體、轉移
閘、重置閘、源極隨耦閘、轉移閘與重置閘之間的浮汲極區，以及PIP 型電容器，
其中PIP 型電容器的複晶矽下電極與浮汲極區和源極隨耦閘電性連接，而兼作為浮
汲極區和源極隨耦閘之間的內連線。所述製造方法包括：在浮汲極區和源極隨耦閘
上形成接觸窗，然後形成PIP 型電容器，其複晶矽下電極與各接觸窗連接。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
影像感應器
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/12
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 191,800
4.其他應敘明事項:
一種影像感應器，包含有一半導體基底，其具有一主動陣列區以及一週邊電路區
；複數個感光元件，設於該主動陣列區內的該半導體基底中；一第一介電層，位
於該半導體基底上，覆蓋該主動陣列區以及該週邊電路區；以及一第二介電層，
位於該第一介電層上，其中該第二介電層中具有一凹陷區域對應於該主動陣列區
，顯露出該第一介電層的上表面，且由該第二介電層的一側壁所定義出來的該凹
陷區域的周圍與該第一介電層的該上表面具有一夾角，其中該夾角小於90度。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
浮置閘極與非揮發性記憶胞的製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/12
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 169,016
4.其他應敘明事項:
一種浮置閘極的製造方法，包括下列步驟。提供具有多個隔離結構的基底，隔離
結構的頂面高於基底的頂面。於基底上形成第一導體層。於第一導體層上形成犧
牲層。移除部份犧牲層，而保留隔離結構之間的第一導體層上的犧牲層。以犧牲
層為罩幕，移除部份第一導體層，以於相鄰的隔離結構之間形成導體結構。移除
犧牲層。於基底上形成第二導體層，第二導體層電性連接導體結構。以及圖案化
第二導體層與導體結構，以形成浮置閘極。
浮置閘極與非揮發性記憶胞的製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/12
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 169,016
4.其他應敘明事項:
一種浮置閘極的製造方法，包括下列步驟。提供具有多個隔離結構的基底，隔離
結構的頂面高於基底的頂面。於基底上形成第一導體層。於第一導體層上形成犧
牲層。移除部份犧牲層，而保留隔離結構之間的第一導體層上的犧牲層。以犧牲
層為罩幕，移除部份第一導體層，以於相鄰的隔離結構之間形成導體結構。移除
犧牲層。於基底上形成第二導體層，第二導體層電性連接導體結構。以及圖案化
第二導體層與導體結構，以形成浮置閘極。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
快閃記憶體裝置及資料抹除方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/05
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 172,671
4.其他應敘明事項:
快閃記憶體及其資料抹除方法。資料抹除方法包括：設定依序遞增的多個抹除電
壓，並分別依據抹除電壓對快閃記憶體的多個記憶胞執行多數次的資料抹除動作
；記錄最後一次抹除動作對應的抹除電壓為記錄抹除電壓；設定依序遞增的多個
讀取電壓，並依據讀取電壓針對記憶胞執行多個資料讀取動作，並記錄最後一次
讀取動作的最後讀取電壓值；設定最終抹除電壓以對記憶胞執行最終抹除動作，
其中最終抹除電壓的電壓值等於抹除驗證電壓的電壓值、最後讀取電壓值以及記
錄抹除電壓的電壓值的和。
快閃記憶體裝置及資料抹除方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/05
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 172,671
4.其他應敘明事項:
快閃記憶體及其資料抹除方法。資料抹除方法包括：設定依序遞增的多個抹除電
壓，並分別依據抹除電壓對快閃記憶體的多個記憶胞執行多數次的資料抹除動作
；記錄最後一次抹除動作對應的抹除電壓為記錄抹除電壓；設定依序遞增的多個
讀取電壓，並依據讀取電壓針對記憶胞執行多個資料讀取動作，並記錄最後一次
讀取動作的最後讀取電壓值；設定最終抹除電壓以對記憶胞執行最終抹除動作，
其中最終抹除電壓的電壓值等於抹除驗證電壓的電壓值、最後讀取電壓值以及記
錄抹除電壓的電壓值的和。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
自動化資源傳送裝置及傳送方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/11
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 60,000
4.其他應敘明事項:
自動化資源傳送裝置及傳送方法。資源傳送裝置包括管控伺服器、資料庫裝置以
及多數個資源傳輸設備。管控伺服器依據多數個派工指令分別產生多數個傳輸規
劃命令。資料庫裝置的資料庫控制器依據傳輸規劃命令的數量以決定是否啟動流
量管控機制，並傳送對應傳輸規劃命令的多數個卡控參數至管控伺服器。資源傳
輸設備的至少其中之一依據管控伺服器產生的動作命令以執行資源傳送動作。其
中，管控伺服器依據流量管控機制是否啟動以及各傳輸規劃命令對應的各卡控參
數來暫存各傳輸規劃命令至資料庫裝置中的命令佇列
自動化資源傳送裝置及傳送方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/11
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 60,000
4.其他應敘明事項:
自動化資源傳送裝置及傳送方法。資源傳送裝置包括管控伺服器、資料庫裝置以
及多數個資源傳輸設備。管控伺服器依據多數個派工指令分別產生多數個傳輸規
劃命令。資料庫裝置的資料庫控制器依據傳輸規劃命令的數量以決定是否啟動流
量管控機制，並傳送對應傳輸規劃命令的多數個卡控參數至管控伺服器。資源傳
輸設備的至少其中之一依據管控伺服器產生的動作命令以執行資源傳送動作。其
中，管控伺服器依據流量管控機制是否啟動以及各傳輸規劃命令對應的各卡控參
數來暫存各傳輸規劃命令至資料庫裝置中的命令佇列
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
控制閥模組與測漏監控系統
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 62,000
4.其他應敘明事項:
一種控制閥模組，包括載座、連通管、閥箱以及固定結構。連通管設置於載座上
。閥箱連接連通管，用以導通或阻斷連通管，其中連通管位於載座與閥箱之間。
固定結構包括框架以及壓力感測元件。框架固定閥箱與連通管於載座上。壓力感
測元件連接框架並與閥箱相抵接，其中閥箱位於連通管與壓力感測元件之間。本
發明另提出一種應用前述控制閥模組的測漏監測系統。
控制閥模組與測漏監控系統
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 62,000
4.其他應敘明事項:
一種控制閥模組，包括載座、連通管、閥箱以及固定結構。連通管設置於載座上
。閥箱連接連通管，用以導通或阻斷連通管，其中連通管位於載座與閥箱之間。
固定結構包括框架以及壓力感測元件。框架固定閥箱與連通管於載座上。壓力感
測元件連接框架並與閥箱相抵接，其中閥箱位於連通管與壓力感測元件之間。本
發明另提出一種應用前述控制閥模組的測漏監測系統。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
機械手臂的檢測裝置與檢測方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/11
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 51,200
4.其他應敘明事項:
本發明提供一種機械手臂的檢測裝置與檢測方法。上述機械手臂的檢測裝置包括
：底座部；支架部，配置在上述底座部上；承載部，包括上承載板以及下承載板
，且上述上承載板以及上述下承載板以彼此間隔一距離的方式配置在上述支架部
上；以及至少一感測器，配置在上述承載部上，用以對待檢測的機械手臂進行距
離資料的收集。
機械手臂的檢測裝置與檢測方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/11
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 51,200
4.其他應敘明事項:
本發明提供一種機械手臂的檢測裝置與檢測方法。上述機械手臂的檢測裝置包括
：底座部；支架部，配置在上述底座部上；承載部，包括上承載板以及下承載板
，且上述上承載板以及上述下承載板以彼此間隔一距離的方式配置在上述支架部
上；以及至少一感測器，配置在上述承載部上，用以對待檢測的機械手臂進行距
離資料的收集。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
非揮發性記憶體及其製作方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/01
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 39,000
4.其他應敘明事項:
一種非揮發性記憶體的製作方法。提供基底，其上形成有穿隧介電層、第一導體
圖案及隔離結構。以第一光阻層為罩幕，移除部分第一導體圖案，以形成暴露出
基底的第一開口。形成絕緣層，以填滿第一開口並覆蓋第一導體圖案與隔離結構
。形成第二光阻層，其遮蔽部分第一導體圖案。以第二光阻層為罩幕，移除第一
導體圖案周圍的絕緣層，形成具有第二開口的圖案化絕緣層，第二開口暴露出第
一導體圖案的頂部與側壁。於第一導體圖案上形成閘間介電層與第二導體圖案，
第二導體圖案填滿第二開口，第一導體圖案形成浮置閘極，第二導體圖案形成控
制閘極。
非揮發性記憶體及其製作方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/01
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 39,000
4.其他應敘明事項:
一種非揮發性記憶體的製作方法。提供基底，其上形成有穿隧介電層、第一導體
圖案及隔離結構。以第一光阻層為罩幕，移除部分第一導體圖案，以形成暴露出
基底的第一開口。形成絕緣層，以填滿第一開口並覆蓋第一導體圖案與隔離結構
。形成第二光阻層，其遮蔽部分第一導體圖案。以第二光阻層為罩幕，移除第一
導體圖案周圍的絕緣層，形成具有第二開口的圖案化絕緣層，第二開口暴露出第
一導體圖案的頂部與側壁。於第一導體圖案上形成閘間介電層與第二導體圖案，
第二導體圖案填滿第二開口，第一導體圖案形成浮置閘極，第二導體圖案形成控
制閘極。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
半導體裝置的製作方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/01
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 57,800
4.其他應敘明事項:
本發明提供一種半導體裝置的製作方法，僅需增加一道光罩，能夠提供高壓元件
較大的側壁子寬度，對記憶體區域及低電壓區域內的元件提供較小的側壁子寬度
。本發明主要利用一犧牲保護層，僅覆蓋住高電壓區域的氮化矽側壁子，選擇性
的剝除低電壓區域內的氮化矽側壁子，再去除該犧牲保護層。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
影像感測器及其製作方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/07/11
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 49,200
4.其他應敘明事項:
一種影像感測器的製作方法。提供基底，基底包括像素陣列區。於像素陣列區的
基底中形成多個開口。於各開口周圍的基底中形成導光區，其中導光區與開口之
間配置有基底，導光區於基底中的深度大於其所環繞之開口於基底中的深度。於
開口中形成隔離結構，以於像素陣列區中定義出分別位於兩相鄰隔離結構之間的
多個像素區。於各像素區的基底中形成光感測區。於各像素區的基底上形成導線
層。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
影像感應器
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 47,600
4.其他應敘明事項:
一種影像感應器，包含有一半導體基底，其具有一主動陣列區以及一週邊電路區
；複數個感光元件，設於該主動陣列區內的該半導體基底中；一第一介電層，位
於該半導體基底上，覆蓋該主動陣列區以及該週邊電路區；以及一第二介電層，
位於該第一介電層上，其中該第二介電層中具有一凹陷區域對應於該主動陣列區
，顯露出該第一介電層的上表面，且由該第二介電層的一側壁所定義出來的該凹
陷區域的周圍與該第一介電層的該上表面具有一夾角，其中該夾角小於90度。
影像感應器
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 47,600
4.其他應敘明事項:
一種影像感應器，包含有一半導體基底，其具有一主動陣列區以及一週邊電路區
；複數個感光元件，設於該主動陣列區內的該半導體基底中；一第一介電層，位
於該半導體基底上，覆蓋該主動陣列區以及該週邊電路區；以及一第二介電層，
位於該第一介電層上，其中該第二介電層中具有一凹陷區域對應於該主動陣列區
，顯露出該第一介電層的上表面，且由該第二介電層的一側壁所定義出來的該凹
陷區域的周圍與該第一介電層的該上表面具有一夾角，其中該夾角小於90度。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
半導體元件的製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 48,600
4.其他應敘明事項:
一種半導體元件的製造方法，包括下列步驟。提供基底，基底包括隔離區和元件
區。對基底進行全面性預非晶化處理以形成非晶化區，其中非晶化區的深度全面
性地深於隔離區及元件區的至少一者的深度，且非晶化區涵蓋隔離區及元件區的
至少一者。對非晶化區進行熱處理。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
快閃記憶體裝置及其程式化動作的初始化方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 51,800
4.其他應敘明事項:
快閃記憶體裝置及其程式化動作的初始化方法。程式化動作的初始化方法包括：
提供遞增的多個脈波程式化電壓以對快閃記憶體的多個記憶胞進行多個非遮蔽方
案程式化動作並依據程式化驗證電壓對記憶胞執行對應的程式化驗證動作；依據
程式化驗證動作的驗證結果以獲得記錄程式化電壓值；提供遞增的多個脈波讀取
電壓以對記憶胞進行多個讀取動作；依據讀取動作的讀取結果來獲得記錄讀取電
壓值；以及，依據記錄程式化電壓值、記錄讀取電壓值以及程式化驗證電壓的電
壓值來獲得起始程式化電壓值及程式化脈波電壓遞增值。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
自動監控膜厚均勻性的方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 41,200
4.其他應敘明事項:
一種自動監控膜厚均勻性的方法。取得多個晶圓之薄膜的膜厚資料，其中各晶圓
的膜厚資料包括在多個量測區域上的多個厚度值，並且同一個晶圓的厚度值設定
為一膜厚向量。基於各量測區域所獲得的上述厚度值獲得群均值矩陣。依據群均
值矩陣與上述膜厚向量，獲得群共變異矩陣。基於量測區域之間的偏離關係，獲
得變換矩陣。利用變換矩陣、群均值矩陣以及群共變異矩陣，獲得偏差範圍。基
於偏差範圍來監控各晶圓之薄膜的膜厚均勻性。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
化學機械研磨裝置與方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:105/09/01
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 50,600
4.其他應敘明事項:
一種化學機械研磨裝置包括：研磨台、研磨墊、研磨頭、調節器、研磨液供應裝
置以及分離器。研磨墊配置於研磨台上。研磨頭與調節器配置於研磨墊上。分離
器配置於研磨頭與調節器之間。分離器的第一端靠近研磨墊的圓心，其第二端靠
近研磨墊的圓周。分離器包括注入部與開口部。注入部靠近分離器的第一端，且
與研磨液供應裝置連接。開口部配置於注入部與研磨墊之間，用以塗佈研磨液於
研磨墊上。
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