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太陽能產業去年熬過低谷，集邦科技出具報告預估，今年整體市況可望轉好，全年裝置需求有機會再創新高，有利茂迪(6244)、聯合再生等廠商營運。

集邦科技昨（16）日發布太陽能產業調查報告，強調整體太陽能產業歷經美國201、301條款、中國大陸531新政、印度防衛性關稅與歐盟MIP結束等變動，從最上游供應鏈到最下游的系統端，都呈現極不穩定狀態，但今年整體市況將會好轉，全年需求將再創新高。

集邦旗下綠能研究（EnergyTrend ）指出，大陸去年的「531新政」雖對市場造成衝擊，但因海外市場的需求走強，加上大陸市場所受影響低於預期，整體呈現「低谷不低」的現象，預估全年新增併網量達到103GW（10億瓦） ，年增4.9%。

受惠於政策鼓勵與供應鏈價格持續下降，EnergyTrend預估，今年太陽能新增併網量將成長7.7%至111.3GW，再創歷史新高。歐洲市場去年明顯復甦，在持續落實巴黎協議與模組跌價的推波助瀾下，預期今年增幅會最大，最多可望超過五成。

大陸和美國今年仍將穩居全球前二大市場，印度是第三大需求國，日本第四。其中印度受惠於先天發展優勢，以及政府積極推動，有可能維持高需求成長。

其他新興市場如東南亞、北非、中東、拉丁美洲等也自去年逐漸崛起；值得注意的是，中東地區去年全年需求估計比前一年增加近100%，今年估有五成增幅。

集邦科技最新報告指出，全球DRAM市場即將面臨一個新的挑戰。由於市場需求逐漸走弱，三星、SK海力士、美光等主要DRAM廠商紛紛放緩了產能的擴張，希望以此來緩和價格下跌的趨勢。根據集邦的預估，本季DRAM合約價格跌幅將達到15%，而下季則會收斂至10%，並在下半年持續小幅下跌。 這種市場變化對於南亞科等相關業者來說，將是一個不小的考驗。集邦旗下的記憶體儲存研究（DRAMeXchange）分析，由於個人電腦、伺服器與智慧手機等終端產品的需求疲軟，DRAM供應商們紛紛放緩了產能的擴張，並且下調了今年的資本支出，通過調整產量來避免削價競爭。 在需求端，2019年第1季將受到連假和淡季的影響，預計將是整個年度最為疲弱的季度。不過，集邦預測，從第2季開始，需求將有所回升。這也意味著，DRAM市場的供需關係將在未來幾個月內發生變化，對於業界來說，這將是一個關鍵的轉折點。

集邦科技最新調查顯示，2018年第四季DRAM合約價格大調整後，2019年受到個人電腦、伺服器、智慧型手機等終端產品需求下滑影響，DRAM市場供應商紛紛緩和產能擴張，試圖穩定價格。該研究機構強調，資本支出是衡量DRAM產業生產量的重要指標，2019年DRAM產業資本支出總額約180億美元，年減約10％，創近年來最低投資水平。三星電子、SK海力士、美光三大DRAM廠商均下修了2019年的投資計畫，其中三星電子投資總金額約80億美元，SK海力士約55億美元，美光則將資本支出下修至30億美元。美光同時將生產位元成長目標從20％下修至15％，以應對庫存上升的問題。三大廠商均選擇保守策略，避免削價競爭，並在獲利水平仍較高的情况下，維持穩健的生產展望。

根據集邦科技記憶體儲存研究DRAMeXchange最新調查，2018年第四季DRAM合約價格較前一季大幅修正約10％後，2019年由於個人電腦（PC）、伺服器、智慧型手機等終端產品需求疲軟，因此DRAM主要供應商紛紛放緩新增產能的腳步，以期減緩價格跌勢。

DRAMeXchange指出，與實際位元生產量最相關的指標為各供應商的資本支出計畫，而2019年DRAM產業用於生產的資本支出總金額約為180億美元，年減約10％，為近年來最保守的投資水位。

其中，兩家韓系廠商最先宣布將放緩2019年投資計畫。市占最大的三星電子2019年DRAM投資總金額約在80億美元，主要用在1y奈米先進製程的持續轉進及新產品的開發。投片計畫是三星近年來最保守的一次，目前決議終止平澤廠Line18擴產計畫，將使2019年位元成長達到歷年新低、約在20％水位。

市占第二名的SK海力士2019年DRAM投資金額也降低到約55億美元，主要用以持續轉進新製程與提升良率為主。但由於中國無錫新廠才剛落成，因此該廠全年仍有約3∼4萬片月產能提升，根據DRAMeXchange計算，SK海力士2019年位元成長約21％，但也只是稍微高過三星。

市占第三的美光近日才宣布下修2019年資本支出至約30億美元，並將2019年的生產位元成長目標由原先的近20％下修至15％，以期改善庫存持續升高狀況。而美光目前不論是在台中廠、桃園廠、日本廣島廠等都沒有擴產計畫，2019年投片水準維持在每個月35萬片水準，而位元成長將僅來自1y奈米的持續轉進。DRAMeXchange認為，美光因為成本結構與兩大韓系廠相較偏弱，因此對於承受價格持續下跌的空間較小，才會有較大動作的反應。在連續兩年供給位元成長都僅有15％的情況下，美光市占持續被壓縮。

從三大廠商下修2019年資本支出的營運方向可以看出，在寡占市場中由於沒有新進競爭者的威脅，各供應商選擇透過調整產出，來避免削價競爭。從獲利表現來看，三星與SK海力士生產DRAM的毛利仍有近8成，美光也有6成以上的水準，因此各廠在獲利仍豐厚的情況下，選擇保守看待2019年的生產展望，也是較為合理的作法。

集邦科技昨（2）日出具報告指出，三星、SK海力士、美光等主要DRAM廠考量市場需求走弱，相繼放緩新增產能腳步，希望減緩價格跌勢。集邦預估，本季DRAM合約價跌幅將達15%，下季則收斂至10%；下半年也會持續小跌。隨著DRAM價格仍將走跌，法人認為，將考驗南亞科（2408）等相關業者營運。

集邦旗下記憶體儲存研究（DRAMeXchange）指出，由於個人電腦、伺服器與智慧手機等終端產品需求疲軟，主要DRAM供應商紛紛放緩新增產能的腳步，以期減緩價格跌勢。三大廠商下修今年資本支出，各供應商透過調整產出，避免削價競爭。

至於需求端，2019年第1季受到連假以及淡季效應的影響，將會是最為疲弱的季度，預料第2季後需求會有所改善。

市調機構集邦科技昨（8）日針對2019年科技產業發展，發布十大科技趨勢整理，包括次世代記憶體崛起、5G商用部署進入衝刺階段、可摺疊螢幕及eSIM智慧型手機可望面市、屏下指紋辨識成為市場新寵等。集邦亦看好新科技將帶動物聯網發展，也將推動醫療產業升級。

集邦表示，2019年由於製程轉進已達到摩爾定律的物理極限，記憶體技術的發展將著墨於封裝方式的更新，以及對次世代記憶體的探索。再者，為滿足邊際運算需要更快的反應時間的需求，與現有的DRAM相較，由於應用的嵌入式設計架構不同，以及產品特性為非揮發性所帶來的省電優勢，都將使得明年廠商對次世代記憶體的研發能量將更為強勁。

此外，智慧型手機可摺疊螢幕與5G手機將問世，2019年智慧型手機產業發展重點將以優化既有功能為主軸，包含全螢幕走向窄邊框、Notch（瀏海缺口）面積更小的極致化，而前鏡頭會朝向縮小模組的設計來配合Notch的極致化。此外，生物辨識搭載比例將再提高，三鏡頭也會帶動照相功能提升。不意外可摺疊螢幕手機以及5G手機都有望在2019年正式亮相。

受惠於技術演進與成本降低，加上各大Android廠商陸續採用，原本專屬於旗艦機種的光學式「屏下指紋辨識」，預期在2019年將大規模導入中高階的機種中。此外，隨著超聲波指紋辨識陣營積極投入，2019年也有機會看見採用超聲波屏下指紋辨識技術的Android旗艦機種發表。預估超聲波與光學屏下指紋辨識技術滲透率將從2018年的3％提高至2019年的13％。

其餘如，5G商用部署進入衝刺階段、MiniLED將成為顯示器新寵、語音功能進入更多終端裝置，尋找新服務商機。eSIM提高智慧手錶產品價值，帶動市場增長。物聯網市場進入白熱化競爭，以及智慧電網、能源管理、儲能系統成為太陽能發展關鍵等，都是明年的觀察重點。而由於新科技的陸續加入，也將開創醫療產業新格局。

根據市調機構集邦科技記憶體儲存研究DRAMeXchange最新調查，時序進入9月下旬，正值各家廠商議定第四季合約價的關鍵時機，但受到位元產出持續增加，以及旺季需求並未明顯增溫的影響，價格走弱的態勢更為明顯，DRAM第四季合約價跌幅將由原先預估的季跌1∼3％擴大至約5％。

DRAMeXchange資深協理吳雅婷指出，DRAM價格在過去9個季度期間大幅上揚，但從今年第三季起價格已經開始走弱，其中標準型PCDRAM與伺服器DRAM價格漲幅縮小至1∼2％，行動式DRAM價格在旺季僅持平開出，繪圖用DRAM更率先出現跌價。觀察現貨市場狀況，價格從年初一路下滑，並在今年6月底開始正式低於合約價，而目前的現貨價格已經低於合約價格約10％，顯示後續合約價格仍將繼續下跌。

從伺服器DRAM市場來觀察，受惠於平台轉換與資料中心建案挹注，伺服器需求比往年來的熱絡，但今年上半年因DRAM供給仍吃緊，導致終端紛紛以超額訂單的方式維持穩定貨源。第三季隨著原廠持續提升伺服器DRAM的產出比重，供給達成率已轉趨飽和。展望第四季，除了伺服器需求出現雜音外，目前由於通路價格持續開低，韓系原廠已率先降低第四季價格標的，預估季跌幅將達5％左右，高於原先預期的2％。

與伺服器DRAM產品屬性較為相近的PCDRAM同樣呈現供過於求，再加上英特爾新平台供貨不足影響筆電出貨狀況，導致PCDRAM第四季價格跌幅也上看5％。利基型的消費型DRAM則受到中美貿易戰帶來的不確定性因素影響，需求已出現下修，價格也從9月開始下跌，第四季的跌幅更可能超過PCDRAM與伺服器記憶體。

占整體供貨比重最大的行動式DRAM價格同樣呈現下滑趨勢。展望第四季，雖然在新款iPhone出貨的拉升下，需求逐漸增溫，但由於新款機種的定價高於市場預期，銷售預估轉為保守，因此難以反轉DRAM供過於求的態勢。預估分離式（discrete）單顆行動式DRAM第四季價格跌幅約在3％，eMCP解決方案則因NANDFlash價格下滑更為快速，整體跌幅可能擴大至8％。

集邦科技昨（26）日發布最新調查，隨DRAM位元產出持續增加，旺季需求並未明顯增溫的影響， 第4季合約價跌幅將由原先預估的季跌 1-3%，擴大至約5%。DRAM業者認為主要大廠仍有節制增產，短期價格下跌難免。

集邦旗下記憶體儲存研究調查，DRAM價格過去九季大幅上揚，今年第3季部分規格價格開始走弱，標準型DRAM與伺服器記憶體價格漲幅縮小至1-2%，行動式記憶體價格在旺季僅持平開出，繪圖用記憶體受虛擬貨幣挖礦需求減弱，率先出現跌價。

根據集邦科技最新調查，由於英特爾14+奈米及14++奈米等先進製程產能不足，導致中央處理器（CPU）供貨不足，已對下半年ODM/OEM廠的出貨造成影響。集邦下修了今年筆電（NB）出貨量成長預估值至負0.2％，而此供貨不足狀況也恐將進一步衝擊DRAM價格。

集邦表示，第三季正值NB出貨旺季，原先英特爾新平台WhiskeyLake也預計在第三季量產，然而，從PCOEM業者的出貨狀況觀察到，英特爾新平台仍持續供貨不足，並嚴重影響下半年NB業者的出貨規畫。集邦也下修了今年全年NB出貨量成長預估值至負0.2％，恐將進一步衝擊DRAM價格。

目前英特爾持續供貨不足的主因尚不明朗，集邦指出，此狀況不僅發生在改良版的14++奈米，就連已量產半年多的14+奈米CoffeeLake產品線也出現供貨不足狀態，由於此產品為現有主流機種處理器之一，因而對目前NB市場影響甚鉅。

集邦預估，英特爾處理器供貨不足現象導致8月NB供應缺口約5％，9月缺口增加至5∼10％，第四季供應缺口恐怕超過1成。根據供應鏈的訊息，該新平台供貨不足狀況恐怕要延續至明年上半年才有可能全面緩解。

英特爾處理器供貨不足狀況除了衝擊NB下半年的出貨狀況外，也恐將影響DRAM價格。

集邦指出，當前的記憶體產業在經歷DRAM連續9個季度價格上漲後，即將受到供過於求的影響而出現價格反轉態勢。集邦原先預估PCDRAM第四季價格跌價幅度為2％，然而受到英特爾平台供貨不足衝擊NB市場需求，在PCDRAM消耗量進一步減少的前提下，價格跌幅恐更為擴大。

另一方面，NANDFlash市場也同樣恐受英特爾新平台供貨不足影響，在NB需求受到英特爾新平台供貨不足的衝擊下，可能導致PCOEM廠商對後市銷售需求保守看待，連帶使得固態硬碟（SSD）下半年可能面臨旺季不旺的情況，造成SSD第四季價格跌幅恐將大於第三季。

在伺服器領域，目前正值Grantley與Purley的平台轉換時間，現階段有少部分OEM客戶面臨Purley產品線交期變長的問題，後續值得觀察的重點在於英特爾新平台供貨不足狀況是否會在伺服器市場中擴大？若後續狀況加劇，伺服器的出貨量亦恐受到衝擊。這對包含DRAM與NANDFlash在內的記憶體產品來說，影響將更甚於NB，若伺服器記憶體的需求也下修，恐怕將更加速整體記憶體報價的跌勢。

根據集邦科技記憶體儲存研究DRAMeXchange調查顯示，受惠於中國大陸政策的推動與民間企業的配合，加上大規模資料中心部署及運營商伺服器建置的需求帶動，中國大陸地區伺服器使用量逐年攀升，2018年大陸伺服器市場出貨量年成長23％，在全球市場的占比也從去年的21.8％成長至今年的25.6％。

法人認為，大陸伺服器市場快速成長，將有助於伺服器DRAM及固態硬碟（SSD）銷售，對南亞科（2408）、威剛（3260）、宜鼎（5289）、宇瞻（8271）等業者有利。再者，主攻伺服器遠端控制晶片（BMC）的信驊（5274）也可望同步受惠。

DRAMeXchange資深分析師劉家豪指出，華為今年在穩健的資料中心代工，與爭取到中國移動與中國電信等電信運營商標案，在大陸市場的整體出貨規模來到歷史新高的70萬台，年成長率達31.5％。而為了因應未來3∼5年間自駕車市場與5G基礎設施的布建，歐洲車廠與電信運營商的伺服器標案需求也增加，囊括華為約3成的代工出貨比重，相較於去年成長約2成。

浪潮（Inspur）今年受惠於大陸官方政策推動與補助，加上大陸第三方資料中心興起，在大陸市場整體伺服器出貨規模預計將年增35.3％達到90萬台。此外，大陸網路服務供應商為因應網路數據相關業務量增加，今年紛紛提高對於高強度運算的伺服器需求比重，同樣帶動浪潮出貨增加。

浪潮今年更加入聯合開發（JointDesignManufacturer，JDM）的業務模式，實現了高度創新與客製化，也明顯提升在百度、阿里巴巴、騰訊的代工比重，占比已從去年的3成提升至今年的5成。

分析華為與浪潮的伺服器業務可知，現階段兩品牌廠皆專注在大陸伺服器市場，因此中美貿易戰的影響仍有限，但未來若美國實施第三波對中關稅，相關伺服器整機產品與零組件如主機板、記憶體模組等，均將受到貿易稅差與增值稅的影響，可能面臨10∼25％的額外關稅（ExtraTariff）。

集邦科技昨（16）最新調查指出，近期廠商陸續開始議定第4季DRAM價格，原先業界普遍預期價格仍將持平開出，但因供給持續增加，需求卻不見明顯回溫，預估第4季報價可能鬆動。

不過，記憶體族群指標廠南亞科（ 2408）因價格波段修正結速，看好今年獲利仍逾一個股本的情況下，積極逢低布局，昨天股價已率先止跌，預料有助穩住族群軍心，率先展開波段反彈。

集邦旗下記憶體研究（DRAMeXchange）指出，本季PC用的標準型 DRAM與伺服器DRAM仍供不應求，價格持續上漲，但漲幅收斂，漲幅約1%至2%；行動式記憶體與利基型記憶體價格持平；繪圖用記憶體受到挖礦熱潮消退影響， 開始跌價。

DRAMeXchange認為，第4季PC DRAM價格在最樂觀的情況下僅可能持平開出，但也可能開始小幅下滑。

至於伺服器記憶體，由於原廠持續提高伺服器產品比重，伺服器記憶體供給達成率在第3季顯著提升，有助於改善供需失衡的狀況。第4季實際供需，仍視大陸與北美地區資料中心需求而定，預期報價有較高機會持平開出，但也不排除下修的可能。

至於第4季行動式DRAM，受智慧手機市場需求牽動。受惠iPhone新機以及Android陣營旗艦新機的需求帶動，預估整季生產數量將較第3季成長5%至10%，進而推升對行動式記憶體需求。

集邦科技昨（16）日發布最新報告指出，儲存型快閃記憶體第2季價格跌幅達15%至20%，預估本季將續跌近一成。不過，快閃記憶體控制晶片大廠群聯（8299）和慧榮都認為，NAND Flash價格下滑，有助加快應用端擴大導入，讓控制晶片出貨量顯著提升，下游應用端反而受惠，並樂觀本季旺季表現。

集邦旗下記憶體儲存研究（DRAMeXchange）表示， 今年第1季受傳統淡季影響，市場供過於求，NAND Flash價格呈現跌勢，第2季平均價格續跌，且跌勢擴大，單季跌幅達15%至20%。

DRAMeXchange表示，本季雖進入傳統備貨旺季，但旺季卻不旺，主因智慧手機、筆記型電腦等主要消費性產品出貨量成長並不明顯，加上模組廠庫存水位高，預估本季NAND Flash供過於求態勢將延續，各產品合約價繼續下探，價格平均跌幅預估將近10%。

不過DRAMeXchange表示，NAND Flash價格下跌並非完全負面，透過價格適當的調整有利供應商優化產品硬體規格，行動裝置市場已迎來一波調升搭載規格的風潮，128GB以上容量的搭載比重已提升至逾10%。

群聯認為，本季進入傳統旺季，智慧手機、筆電╱PC等需求全面回升，來自嵌入式快閃記憶體（eMMC）主要客戶群的訂單能見度可預期相關晶片出貨將大幅成長。

根據集邦科技記憶體儲存研究DRAMeXchange最新調查，近期DRAM廠陸續開始與客戶議定第四季價格，原先業界普遍預期價格仍將持平開出，但由於供給持續增加，需求則不見明顯回溫，因此第四季整體DRAM價格走弱的機會逐漸升高。法人表示，DRAM價格一旦鬆動，將不利於南亞科、華邦電等DRAM類股股價表現。

DRAMeXchange指出，以第三季的價格來看，產品屬性類似的PCDRAM與伺服器DRAM季漲幅僅1∼2％，行動式與利基型DRAM價格持平，繪圖用DRAM已經開始跌價。由現貨市場來觀察，價格從今年年初開始一路下滑，在6月底正式低於合約價，已經預告DRAM整體價格即將走弱的可能性。

展望2019年，在各廠商持續轉進1x/1y奈米製程，以及SK海力士無錫新廠可望開始投片的影響下，供給位元成長將大於需求，預估整體DRAM價格將持續下滑，年衰退幅度約在15∼25％。

PCDRAM雖然占總產出的比重低於15％，但由於該產品對供需變化高度敏感，因此扮演所有產品別價格走勢的先行指標。雖然第四季各PCOEM廠處於旺季需求，但由於各家庫存水位與年初相比持續增加，加上業界對2019年價格走弱似乎已有共識，因此並不急於在此時回補庫存。DRAMeXchange認為，第四季PCDRAM價格在最樂觀的情況下僅可能持平開出，但也可能開始小幅下滑。

展望第四季智慧型手機市場需求表現，受惠蘋果iPhone新機以及Android陣營旗艦新機的需求帶動，預估整季生產數量將較第三季成長5∼10％，進而推升對行動式DRAM需求。

供給方面，三星平澤新廠第四季的產能將小幅增加，SK海力士、美光等則受惠於新製程轉進以及良率提升等挹注，行動式DRAM市場的供貨滿足率將獲得改善，整體供需狀況將優於上半年。

DRAMeXchange預估，第四季行動式DRAM合約價格將有機會呈現持平或出現反轉，以分離式來說，價格將落在持平到下跌2％的區間。eMCP則因NANDFlash的持續降價，價格將較第三季調降2∼5％。

集邦科技旗下記憶體儲存研究（DRAMeXchange）昨（13）日提出示警，第2季DRAM廠營收季增11.3%，雖創單季新高，但價格已接近高點。集邦表示，因DRAM供給端產能集中在下半年開出，加上現貨價已經走跌，第4季合約價恐難再有漲價，甚至價格可能會回跌。

DRAMeXchange表示，第2季因供給仍吃緊，帶動整體DRAM報價走揚，DRAM營收季成長11.3%，再創新高。繪圖用記憶體仍受惠於虛擬挖礦需求的增溫，價格漲幅達15%外，其餘各應用別的記憶體季漲幅約3%。

不過，DRAMeXchange指出，本季DRAM合約價上漲僅1.5%，漲幅收斂，在需求端成長有限、供給端產能集中在下半年開出，加上現貨價持續走跌下，第4季合約價恐難有顯著漲幅，也反應整體DRAM價格已來到高峰。

繼儲存型快閃記憶體（NAND Flash）價格走跌之後，原本報價尖挺的DRAM也開始鬆動，其中，連續八季漲價的DDR3率先走跌，台灣包括晶豪科、南亞科等業者都以DDR3為主要產品，將首當其衝。

記憶體通路商透露，受虛擬貨幣挖礦機對DRAM拉貨需求轉弱，以及用戶端轉向主流DDR4 DRAM影響，連績八季走高的DDR3近期報價開始走跌，是記憶體產業在價格連續二年走堅後，首見疲態，是否會掀起骨牌反應，值得密切注意，但已為記憶體產業攀高峰添變數。

集邦科技旗下記憶體儲存研究（DRAMeXchange）昨（6）日最新調查報告也指出，比特幣價格雖止跌反彈，但記憶體需求量高的乙太幣礦機E3，受乙太幣持續跌價影響，原本預期今年下半年會出現的強勁拉貨動能已消失，連帶讓DDR3 1Gb的價格上漲預期落空。

DRAMeXchange認為，在乙太幣價格回升到一定水位，或在支援高顆數記憶體的全新挖礦機種出現前，所帶起的記憶體拉貨熱潮恐暫告一段落。

集邦科技調查，消費性電子本季需求成長力道偏弱，原本冀望止跌的儲存型快閃記憶體（NAND Flash）持續下挫，預料本季及下季跌幅都在一成左右，將為群聯（8299），威剛等記憶體模組廠帶來營運干擾。

集邦旗下記憶體儲存研究（DRAMeXchange）最新調查指出，NAND Flash價格持續疲軟，主因來自智慧型手機硬體規格已無太大差異，難以吸引換機需求。相關機構預估今年手機需求與去年持平。

另外，筆記型電腦因上半年廠商積極出貨，基期墊高，下半年旺季效應並不明顯。伺服器需求雖穩定成長，但也因毛利高，吸引各供應商投入，導致伺服器固態硬碟（SSD）供給大增；最後是64/72層3D NAND Flash的良率持續提升及擴產，主要供應商均上修產出預測。

這些因素使下半年還是供過於求，NAND Flash合約價難獲支撐，價格持續下挫。

NAND Flash價格下跌，卻有助推升平均搭載容量。高階智慧型手機搭載容量提升至256/512GB，中階以上機種也自32/64GB轉採64/128GB容量，預估今年位元需求量成長逾40%。

台灣面板龍頭群創（3481）公告，自結第2季合併營業淨利6.49億元；受面板價格崩跌影響，合併稅前盈餘雖然較前一季大減逾七成、降至10.13億元，但仍是連續八季繳出獲利成績單，每股稅前盈餘為0.1元；上半年每股稅前盈餘為0.5元。

今年第2季面板報價大跌，群創前董事長兼執行長王志超6月時便預警，今年下半年會很辛苦，面板廠有虧損壓力。南韓指標廠樂金顯示器（LGD）第2季已陷入嚴重虧損，但台灣面板雙虎差異化策略奏效，單季仍維持獲利，表現相對出色。

群創第2季稅前盈餘為10.13億元，季減74.1%，也比去年同期衰退93.7%，以股本995.21億元計算，單季每股稅前盈餘0.1元；上半年稅前盈餘為49.33億元，每股稅前盈餘為0.5元。

台灣面板雙虎第2季逆勢繳出獲利成績單，近期成為外資買盤進駐標的，外資昨天買超群創3,183張，連續六個交易日站在買方；此外，外資昨天也買超友達逾4.6萬張，同樣也是連續六個交易日站在買方。

群創昨（1）日股價小跌0.05元，成交量2.93萬餘張，收11.45元。友達第2季稅後純益12.52億元，每股純益為0.13元，昨天股價小漲0.05元，成交量逾9.48萬張，收13.25元。

上半年面板價格大幅下修之後，本季陸續反彈，群創7月已通知客戶調漲報價，部分大尺寸產品漲個位數百分比，中小尺寸產能全滿，漲幅更甚、達二位數百分比。另外，群創也積極進軍車用等利基型市場，已成為全球一線車廠的面板供應鏈，長期供應特斯拉車載面板，近年更積極從單純供應面板擴充到模組出貨。群創AII總經理楊柱祥強調，今年起，群創的車用顯示器模組出貨量將達「百萬級」以上的水準。

市調機構集邦科技光電研究（WitsView）研究經理楊晴翔指出，在價格下跌刺激買氣，以及世界盃需求提前備貨的加持下，今年第1季電視品牌出貨表現亮眼，卻也讓整體通路庫存過多的疑慮在第2季開始浮現，促使電視品牌紛紛調整出貨節奏以及面板採購需求。

根據集邦科技記憶體儲存研究（DRAMeXchange）最新調查，儘管第三季為傳統旺季，由於消費性電子產品需求成長力道偏弱，加上3DNANDFlash供給持續增加，下半年NANDFlash合約價恐將續跌，看不到止跌反彈情況，且預估第三季及第四季都將呈現10％左右的跌幅。

DRAMeXchange指出，NANDFlash價格持續疲軟的主因仍為供過於求，問題來自於幾個層面：第一是智慧型手機硬體規格已無太大差異，難以吸引換機需求，全年手機年成長較2017年持平；第二是筆記型電腦由於上半年廠商積極出貨，在基期墊高的情形下，使得下半年旺季效應並不明顯。

第三是伺服器需求雖呈現穩定成長，但由於毛利高，吸引各供應商積極投入，導致伺服器固態硬碟（SSD）供給大增；第四是64/72層3DNANDFlash的良率持續提升以及擴產，主要供應商皆上修產出預測。上述原因使得供過於求的狀況延續至下半年，以至於合約價仍難有支撐力道。

然而價格走跌對於NANDFlash市場而言，並不盡然是負面影響，反而有助於推升平均搭載容量。智慧型手機市場隨著價格走跌，一方面促進旗艦機種搭載容量進一步往256/512GB提升，同時也促使中階以上機種自32/64GB轉採64/128GB容量，使得2018年位元消耗量仍有40％以上的成長。

在SSD方面，由於價格下跌，有助於筆記型電腦的搭載率預估年內將突破50％，主流搭載容量也提升到256GB，而512GB的產品也有機會在未來2∼3年內成為主流。伺服器SSD部份，供應商也對高容量產品躍躍欲試，2019年起在3DQLCNAND架構問市後，可望進一步推升容量成長。

除下半年價格走勢已大致底定之外，DRAMeXchange預期在2019年上半年的傳統淡季，價格可能進一步走跌，主因為智慧型手機、筆記型電腦、平板電腦等主要消費性需求的出貨量都不樂觀。供給方面則有東芝四日市Fab6新廠的加入，加上各供應商著手自64/72層轉往96層3DNAND製程，使得供給持續增加，市場將處於供過於求的格局。

根據集邦科技記憶儲存研究（DRAMexchange）最新全球記憶體模組廠排名調查顯示，由於2017年DRAM的平均銷售單價較2016年大漲近5成，儘管現貨市場占總DRAM產值比例持續縮小，2017年全球模組市場總銷售金額仍達到117.25億美元，年增高達68.89％。

在先進製程轉進不易、寡占的競爭態勢，以及沒有新增產能等因素下，去年DRAM各產品線的價格漲幅都相當可觀，其中又以價格領先指標的標準型DRAM為最。雖然現貨市場的規模持續縮小，但由於該領域對價格波動的敏感度最高，在DRAM呈現供不應求的市況時，現貨市場的波動遠大於合約市場，以2017年來說，全年漲幅達到6成以上，大幅貢獻各模組廠的全年營收。

DRAMeXchange統計，2017年全球前五大記憶體模組廠已占整體銷售額85％，前十名囊括全球模組市場中93％的營業額，大者恆大已是模組廠的趨勢。其中，金士頓2017年蟬聯全球記憶體模組廠的龍頭寶座，在DRAM量價齊揚的帶動下，金士頓的DRAM營收年成長近6成，帶動公司營收規模再創歷史新高。

相比其他中小型模組廠，金士頓的成長力道相對較緩，除了因為基期已高，金士頓的產品多為DDR3，受惠報價上漲的程度比主流DDR4小。儘管如此，金士頓仍穩居DRAM模組廠第一名的位置。

威剛持續展現靈活的銷售能力，在2017年DRAM供貨非常吃緊的態勢下，受惠於高水位低價庫存貢獻，該公司的年營收暴增146.14％，超越原先市占第二的美系SmartModular以及第三的記憶科技（Ramaxel），成為僅次金士頓的第二大模組廠。

觀察其他台廠表現，2017年模組營收排名第七的創見，正處於轉型階段，急欲由波動性較大、風險較高的現貨領域，轉向較穩定的工控領域，與其他模組廠相比，近三年DRAM業務營收年成長相對保守。

位居第八的宇瞻雖採購策略一向較為保守，受到低價庫存的挹注較小，但該公司多年來也持續專注於工控領域，各產品線都積極導入，也同時布局工業物聯網與電競相關市場，獲利體質穩健，受到記憶體產業可能的波動風險也逐年降低。

排名第九的十銓展現模組廠持續差異化的強烈企圖。歷經多年耕耘後，在電競領域持續推出市場評價甚高的相關產品，其中電競記憶體模組超頻速度已來到4500MHz，為業界頂尖。電競記憶體模組的營收比重占十銓科技DRAM營收的5成以上，高於一般模組廠甚多，帶動去年DRAM年營收呈現近一倍的成長。

集邦科技昨（4）日出具報告指出，在大陸記憶體廠明年加入市場前夕，大陸福州中級人民法院對美光提出禁止令，要美光在與聯電專利侵權訴訟期間，停止美光半導體（西安）及美光半導體（上海）各12項及17項產品生產及銷售，將引發全球DRAM銷售版圖洗牌。

集邦更點名，從大陸福州中級人民法院釋出的相關文件來看，除部分美光以及英睿達（Crucial）產品面臨大陸禁售之外，美光西安廠也將停止美光產品封測、美光半導體銷售（上海）也將停止銷售。因此，除美光以及英睿達在大陸的銷售將受影響之外，力成、南茂等台資下游封測廠，也恐蒙受相當程度衝擊。

對於福州中級人民法院提出的禁止令，美光昨表示，未收到判決書，不做任何回應。

集邦旗下記憶體儲存研究（DRAMeXchange）昨天火速出具分析報告，認為美光旗下產品包含美光（Micron）品牌、Crucial英睿達等，主要應用在筆電用記憶體模組以及固態硬碟（SSD），未來恐面臨在大陸禁售標準型記憶體（PC DRAM），以及部分快閃記憶體產品。

不過，美光仍有上訴權利，但時值美中貿易戰進入關鍵時刻，加上明年是大陸DRAM生產元年，此事發展深受業界關注。

DRAMeXchange預估，大陸內需市場今年將消化全球DRAM約二成產能。今年首季美光營收市占率約23%，居全球第三，低於三星的45%與SK海力士的28%，美光DRAM總產能中，約26%供應大陸市場。

美光面臨在大陸市場禁止銷售部分產品下，勢必衝擊其營收，並使得三星、SK海力士，以及預計明年正式加入市場的合肥長鑫與晉華集成等大陸業者直接受益。

從NAND Flash方面來看，DRAMeXchange認為，大陸市場消化今年全球NAND Flash約25%產能。美光今年第1季營收市占約12%，居全球第四，低於三星的37%、東芝的19%與WDC的15%。

大陸市場消化美光NAND Flash約20%產能，在美光面臨部分產品於大陸禁售下，三星、SK海力士、威騰、英特爾、東芝，以及明年可能加入市場的大陸長江存儲都將受惠。