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全球智慧手機市場去年下半年一度低迷，今年第1季重回正成長，以小米、華為、OPPO、Vivo等大陸四大品牌表現最突出。

小米第1季智慧手機銷量比去年同期暴衝124%，成長動能排第一；華為與蘋果的距離則持續拉近。產研機構TrendForce昨（31）日預估，華為第2季有機會再度超車蘋果，躍居全球智慧手機二哥，帶旺台積電、聯發科、大立光等概念股。

另一家研調機構顧能（Gartner）最新統計數據顯示，今年第1季全球智慧手機銷售量為3.84億支，比去年同期成長1.3%，恢復成長。主要動能來自售價150美元（約新台幣4,500元）以下的入門及中低階機種。

集邦則從生產端觀察，回顧今年第1季初智慧手機市場一度延續去年第4季低迷買氣，到2月底市場需求才轉旺，品牌廠商開始積極備料，帶動上季全球智慧型手機生產量達3.4億支，較去年同期成長5.3%，以中國四大品牌華為、小米、OPPO 、Vivo表現最突出。

集邦指出，華為雖受美中貿易戰影響，北美市場拓展受阻，但旗下榮耀系列成功在歐洲市場打響名號後，複製高性價比的成功模式瞄準印度市場，表現突出。華為第1季生產總量年成長10%，以11.7%的市占率排名第三，緊追第二名蘋果的16.4%。

集邦預期，華為第2季將持續受惠旗艦新機熱銷，總生產量有機會再成長；反觀蘋果等待下半年新機出籠，第2季處於新舊產品轉換的空窗期，集邦預估華為第2季市占12%，將超車蘋果的11.4%，再度躍居二哥。

另一家大陸手機品牌小米表現也相當搶眼，根據顧能統計，小米今年第1季手機出貨2,849萬支，年增124%，市占率一舉從3.4%大增為7.4%，排名第四。

根據集邦科技記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查顯示，去年下 半年智慧型手機的新機發表並未如預期帶來換機效應，因此自去年第 四季中開始，市場提早進入傳統淡季。手機廠在歷經3個月的庫存水 位調節後，於今年2月底才見市場需求轉旺，並重啟拉貨動能，其中 又以旗艦新機需求的大容量DRAM居多，也推升第一季行動式DRAM產值 季增5.3％達84.35億美元，再創歷史新高。

整體而言，第一季受到智慧型手機市場回溫、新機發表，以及行動 式DRAM平均單價上漲的影響，一反以往第一季市場規模衰退的軌跡， 再度刷新歷史記錄。展望第二季行動式DRAM產值表現，儘管合約價格 漲幅趨緩，但受惠中國四大品牌華為、小米、OPPO、Vivo需求持續看 旺，以及Android陣營、蘋果陣營旗艦新機主流搭載容量上升的影響 ，預估第二季行動式DRAM總產值仍有機會較第一季成長並續創新高。

以個別供應商的營收表現來看，三星受到中國發改委的關注，第一 季及第二季的報價漲幅均較過去幾季收斂，三星因此透過積極行銷大 容量DRAM並且結合自家先進奈米製程技術，成功取得多數的大容量訂 單。製程進度上，三星的行動式DRAM幾乎已全採18奈米製程。

SK海力士雖受惠第一季合約價格的上揚，但在新製程18奈米初期良 率不穩、產能不足的影響下，無法擴大旗艦機種用LPDDR4系列大容量 DRAM的交付數量，第一季營收僅季增2.2％。目前SK海士力仍以21奈 米的LPDDR4系列及25奈米微縮製程的LPDDR3供給為主，預估18奈米產 品要到第三季才會放量。

美光集團第一季行動式DRAM營收較去年第四季成長10.2％，成長幅 度居三大主流供應商之冠，主要歸功於整體需求不減、價格上揚。在 行動式DRAM製程技術方面，美光台中廠第二季產品規畫仍以提高17奈 米製程比重為主，而在美光桃園廠仍以20奈米為主。

根據集邦科技記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查指出，企業級 固態硬碟（SSD）市場近年來受惠於資料中心、人工智慧（AI）、大 數據、5G、邊緣運算等成長題材帶動，出貨量從2016年的不到2,000 萬台規模，成長至今年有機會挑戰3,000萬台水準。但因NAND Flash 市況仍供過於求，加上廠商啟動價格戰爭搶市占率，第二季企業級S SD合約均價將續跌逾10％。

展望第二季市況，來自伺服器及資料中心的企業級SSD採購需求， 預期將比第一季淡季明顯回升。若是以企業級SSD位元出貨量來看， 2016年至2018年間，年成長率都超過50％，在所有NAND Flash應用產 品中，成長動能最為強勁，未來三年內仍會維持高速成長的步調。

但展望第二季市況，DRAMeXchange研究協理陳玠瑋指出，由於NAN D Flash整體市況仍舊處於供過於求，因此大多數NAND Flash原廠將 面臨去化產能的壓力，因此，預期第二季企業級PCIe介面SSD與SATA 介面SSD合約均價皆會較上季下滑10％以上幅度。

除產能壓力外，部分企業級SSD供應商為了取得更多下游OEM客戶的 訂單，以利切入企業級SSD這一未來具高度成長動能的市場，遂採取 較積極的訂價策略，希望能分食主要供應商的市占率，所以採用更具 成本競爭力的最新64/72層3D NAND，是上述廠商能順利執行價格戰策 略的主因。

對於第三季市況，在企業級SSD、消費級（Client）SSD與智慧型手 機需求帶動下，NAND Flash市況有機會從供過於求轉變成小幅供不應 求。然而，企業級SSD市場供應商之間的競爭會日趨激烈，因此第三 季企業級SSD價格持續走跌的可能性仍偏高。

陳玠瑋表示，英特爾、三星、美光、東芝、SK海力士等廠商的最新 64/72層3D NAND SSD都已送樣給主要客戶測試，而且也先後進入量產 階段，這也是今年市場競爭會加劇的主因。此外，受惠英特爾新一代 Purely伺服器平台滲透率今年將快速攀升並成為市場主流，大多數廠 商今年都把研發資源重押在PCIe介面相關產品上。雖然部分供應商今 年有推出QLC（1晶元可儲存4位元）規格3D NAND SSD產品的規畫，但 考量研發進度與客戶驗證時間，預估最快要到2019年上半年才能看到 明顯出貨。

集邦科技昨（17）日發布報告表示，本季企業級固態硬碟（SSD）需求比首季淡季回升，但在原廠儲存型快閃記憶體（NAND Flash）產出增加下，加速企業級SSD價格跌勢，預估本季跌幅將逾一成，增添各模組廠威剛（3260）、創見、宇瞻和群聯等廠商備貨難度，為擔心提列跌價損失，預料備貨將趨保守。

集邦旗下根記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查指出，企業級SSD市場近年來受惠於資料中心、人工智慧(AI)、大數據、5G、邊緣運算等成長帶動，出貨量從2016年不到2,000萬台規模，今年有機會挑戰3,000萬台。

若以企業級SSD位元出貨量來看，2016年至2018年間年成長率都超過50%，在所有NAND Flash應用產品中，成長動能最為強勁，未來三年仍會維持高速成長。

集邦科技（TrendForce）記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查顯示，第一季伺服器記憶體隨著供給吃緊，使平均零售價（asp）持續上揚，帶動三星、SK海力士及美光等三大記憶體原廠單季營收合計共達到69.75億美元，仍能繳出季增10.3％，雙位數成長的淡季不淡佳績。

DRAMeXchange資深分析師劉家豪指出，面對資料中心湧現伺服器訂單需求，現階段僅有三星增加18奈米出貨占比，SK海力士與美光現階段則仍受限產品良率問題，轉換率仍然偏低。三大廠冀望下半年在部分產能開出與產品比重調配與轉移下，進而提高伺服器記憶體先進製程產能比重。

由於伺服器記憶體平均搭載容量隨著英特爾Purley平台滲透而有效的提高，高容量、高傳輸伺服器模組在今年第一季有明顯地攀升，三大記憶體原廠伺服器記憶體平均獲利水準將持續提升。

三星第一季伺服器記憶體營收達31.08億美元、季增6.5％，營收市占率為44.6％。從製程進度來看，三星在伺服器記憶體上目前專注於18奈米產品線的滲透率，現階段整體產出已有接近一半的占比，預計年底將會達到七成左右的水準。

展望下半年，因記憶體產能在下半年將陸續開出，且來自於資料中心的代工需求不減下，預期三星仍將維持高獲利水位。

SK海力士第一季伺服器記憶體營收表現格外亮眼，單季營收季增13.2％至22.51億美元。從製程規畫來看，面對挹注的伺服器訂單，SK海力士伺服器記憶體仍然未全面採用最先進製程生產，目前18奈米產品仍占少數；預期下半年SK海力士將仍以21奈米為主流解決方案。

美光第一季營收季成長14.3％達到16.16億美元。在製程規畫上，美光受惠於17奈米的局部滲透與高容量模組產品組合增加，營收明顯改善，且針對美系資料中心出貨有較高的比重。然而，17奈米製程上半年因現階段仍有些問題未能有效解決，預計該製程伺服器記憶體產品的量產時程將會遞延至今年下半年。

集邦科技昨（14）日發布統計，首季全球DRAM總營收季增5.4%，再創新高。台廠的南亞科受惠20奈米產出比重拉升，季增達15%，優於全球平均數，力晶亦季增8.2%，華邦電則季增1.2%。

集邦旗下記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查顯示，今年首季DRAM總營收再創新高，主要價格持續上漲，其中繪圖用記憶體受惠於基期較低以及虛擬挖礦需求的增溫，漲幅達15%，其餘各應用別的記憶體在第1季約有3%至6%不等的季漲幅。

DRAMeXchange指出，第2季PC OEM廠已陸續議定第2季合約價格，平均漲幅約3%。伺服器用DRAM因需求較佳、毛利高、獲利空間較大，一線DRAM大廠持續將產能轉往伺服器記憶體。因全球DRAM產能將於年底才會逐漸開出，連帶也讓標準型DRAM價格也上漲。

台系廠商部分，南亞科受到轉進20nm帶來明顯的位元成長，加上價格持續走揚，第1季營收較前一季大幅成長15.1%。20奈米的成本效益更帶動營業利益率提升至44.3%，較上季成長5個百分點。

根據集邦科技記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查顯示，2018年第一季的DRAM價格走勢，除了繪圖用GDDR受惠於基期較低及加密貨幣（cryptocurrency）挖礦運算需求的增溫，帶動價格有15％顯著上漲外，其餘各應用別的DRAM在第一季約有3∼6％不等的季漲幅，今年第一季全球DRAM總營收較去年第四季成長5.4％再創新高。

DRAMeXchange資深研究協理吳雅婷指出，觀察第二季價格走勢，OEM廠已陸續議定第二季合約價格。就一線大廠訂價來看，4GBDDR4均價已來到34美元，較上一季平均漲幅約達3％。從市場面來觀察，由於伺服器需求較佳、毛利高、獲利空間較大，一線DRAM大廠持續將產能轉往伺服器DRAM，加上全球DRAM產能將於年底才會逐漸開出，使得標準型DRAM仍維持價格上揚格局。

觀察全球DRAM大廠營收表現，三星依然穩坐DRAM產業的龍頭，第一季營收再度創下歷史新高達103.60億美元，較上季成長2.9％；SK海力士第一季營收達64.32億美元，較前季成長2.2％，兩大韓廠第一季的出貨量受到手機需求疲弱影響皆略有下滑，營收市占率分別為44.9％與27.9％，合計約73％，較前一季度微幅下降。

美光集團仍舊維持第三，不過美光在報價上相對積極，今年上半年持續扮演市場中的價格領導者，價格上漲幅度高於其他兩家韓廠，第一季價格上揚幅度超過10％，帶動營收達52.13億美元，季增14.3％，市占率較前一季提升約2個百分點來到22.6％。

台系廠商部分，南亞科受到轉進20奈米帶來明顯的位元成長，加上價格持續走揚，第一季營收較前一季大幅成長15.1％達6.42億美元，20奈米的成本效益更帶動營業利益率提升至44.3％。展望未來，南亞科在20奈米良率將繼續向上，透過產品組合持續優化的帶動，獲利表現將可望進一步提升。

力晶科技方面，除了替晶豪科、愛普等IC設計業者代工生意成長外，力晶本身DRAM事業的產品報價亦上揚，帶動DRAM營收較上季成長8.2％達1.13億美元。華邦電DRAM營收則約略持平，季成長1.2％達1.75億美元，主要為利基型DRAM報價成長幅度較小所致。

根據集邦科技記憶體儲存研究DRAMeXchange調查指出，儘管第二季智慧型手機、筆記型電腦等需求，在工作天數回復下較第一季有所提升，但仍無法抵銷3DNANDFlash產能增加及良率改善所帶動供給的成長，使得供應商面對較高的庫存壓力，不得不進一步向下調整嵌入式多媒體記憶卡（eMMC）及通用快閃記憶體卡（UFS）價格。

DRAMeXchange指出，為了增加中高階以上智慧型手機的儲存搭載容量，供應商放大在高容量128/256GBUFS的價格修正幅度，藉以吸引原本搭載64/128GBeMMC/UFS的機型提升搭載容量。整體而言，eMMC合約價第二季跌幅為0∼5％，UFS跌幅則擴大至5∼15％。

通路業者表示，由於上半年NANDFlash價格直直落，不僅固態硬碟（SSD）價格持續調降，eMMC/UFS價格同步走跌。以採用TLCNANDFlash的128GBeMMC現貨價格來看，第一季價格約在43美元左右，4月已降至39美元，至於採用MLCNANDFlash的64GBeMMC現貨價第一季約21美元，4月已降至19美元。普遍來看，eMMC現貨價4月跌幅約逾9％。

展望第三季eMMC/UFS價格走勢，DRAMeXchange表示，儘管NANDFlash供給位元成長將高於第二季，但是在需求面有傳統旺季，及蘋果新機的備貨需求雙重加持下，市場供需仍將趨緊，合約價格跌幅預估將收斂至5％內。至於第四季價格走勢仍維持價格持穩的看法，惟價格震盪幅度仍須觀察蘋果iPhone新機銷售狀況。

集邦科技昨（2）日發布調查報告，預期本季行動式記憶體合約價受中國發改委介入定價影響，報價普遍趨於保守，漲幅低於預期，其中，分離式行動記憶體平均漲幅落縮小在1%以內；至於嵌入式多晶片封裝記憶體，（eMCP）則受儲存型快閃記憶體（NAND Flash）價格下跌影響，平均價格跌幅約1%。

集邦旗下的記憶體研究（DRAMeXchange）指出，展望第3季，隨傳統旺季來臨，智慧型手機生產數量預估將較第2季成長5%~10%。但因SK海力士及美光增加投片量，新製程轉進良率提升，預估供給將增加，可緩解供給緊張的態勢，讓第3季行動式記憶體價格持平或小漲；至於eMCP價格，則是持平或略為下跌。集邦分析，主流供應商為消耗NAND Flash產能，積極行銷智慧手機搭配大容量eMCP，從中國品牌華為、小米、OPPO、Vivo上半年度發表的旗艦新機可見端倪。

蘋果在法人說明會中預期NAND Flash報價將在不久後走低，DRAM價 格可能在今年底觸頂。而事實上，NAND Flash價格今年以來持續走跌 ，DRAM價格續漲但漲幅明顯縮小。業界目前認為下半年NAND Flash及 DRAM價格仍然看漲，但市調機構集邦則預期，第三季行動式DRAM合約 價恐持平。

蘋果財務長Luca Maestri在法人說明會中回答分析師有關iPhone成 本提問時，針對記憶體的影響提出看法，預期NAND Flash部份很快會 出現新局面，至於DRAM預期正逼近高點，很有可能在今年底觸頂。市 場人士解讀，蘋果意指NAND Flash價格看跌，行動式DRAM價格再漲空 間已經有限。

集邦科技記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查顯示，第二季行動 式DRAM合約價持續受到第一季中國發改委介入定價的影響，報價普遍 趨於保守，漲價幅度低於標準型或伺服器等其他規格DRAM產品，以分 離式行動式DRAM來說，第二季平均漲幅落在1％以內，eMCP則受NAND Flash價格下跌影響，平均價格跌幅約1％。

DRAMeXchange指出，展望第三季，隨著傳統旺季來臨，智慧型手機 生產數量預估將較第二季成長5∼10％。從行動式DRAM供給面來看， 受到SK海力士及美光投片增加貢獻，以及新製程轉進良率提升等帶動 產出，可望稍加緩解第三季供給緊張的態勢，預估第三季合約價走勢 和第二季相似，分離式行動式DRAM價格將持平或略為小漲，eMCP價格 則可望持平或略為下跌。

另一方面，主流供應商為有效消耗NAND Flash產能，積極行銷智慧 型手機搭配大容量NAND Flash，從中國品牌華為、小米、OPPO、Viv o於上半年度發表的旗艦新機上可見端倪，相較於去年主流的64GB N AND搭配32Gb DRAM規格，品牌廠今年紛紛將記憶體規格提升至128GB NAND搭配48Gb DRAM，確實舒緩原先3D NAND產能開出恐導致產能過剩 的狀況。

集邦科技最新調查指出，價格拉回的儲存型快閃記憶體（NAND Flash）上季已小幅供過於求，本季因需求轉弱，預估將持續跌價，但下游模組廠包括威剛（3260）、宜鼎及宇瞻等，以及控制IC廠慧榮和群聯等，認為價格持續修正，有助系統廠啟動備貨需求，一改去年產業鏈「上肥下瘦」局面，穩健回升。

集邦旗下記憶體儲存研究（DRAMeXchange）表示，NAND Flash市場第1季已呈現供過於求，本季雖因工作天數增加，但市場需求進入淡季，成長力道仍偏弱，預期本季還是處於小幅供過於求，價格持續看跌。

不過，DRAMeXchange對下半年NAND Flash市場仍不看淡，主因進入傳統旺季，以及智慧手機搭載容量持續提升等因素帶動，位元需求將穩定成長，有助價格止跌。

DRAMeXchange指出，因部分供應商已減緩擴產速度，下一個世代的9x層NAND Flash製程要至到明年才會有較具規模的出貨，對今年供給影響有限；備受外界關注的中國供應鏈長江存儲的產能也要明年才會較具規模，對今年市況影響也不大。

根據集邦科技記憶體儲存研究DRAMeXchange調查顯示，固態硬碟（ SSD）市場受到第一季淡季效應的影響，導致OEM廠拉貨需求較去年第 四季明顯下滑，加上SSD供應商為促銷64/72層3D SSD新品，透過降價 以提高OEM廠導入意願。

第一季主流容量電腦終端（PC-Client）OEM SSD合約價均價，在S ATA介面SSD部分較前一季下跌3∼5％，PCIe介面SSD部分則下跌4∼6 ％。不過，SSD價格下跌，推升OEM廠採用速度，今年筆電SSD搭載率 突破5成。

展望第二季SSD市況，在各家64/72層3D NAND產能增加，但需求端 成長力道仍偏弱的情況下，SSD仍將小幅供過於求，DRAMeXchange預 期，第二季主流容量合約價將持續下滑。

DRAMeXchange研究協理陳玠瑋指出，去年SSD價格高漲，PC OEM大 廠2017年下半年的SSD採購量較原先規劃保守，使得2017年筆電SSD平 均搭載率僅達45％，低於原先預期。今年SSD價格反轉下跌後，將帶 動筆電SSD搭載率突破50％大關。此外，SSD合約價的走跌，也將帶動 OEM市場的SSD主流容量提升至256GB，至於512GB的規格，因今年價格 仍難以碰觸甜蜜點水準，預估將到2019年至2020年間才會成為主流。

從筆電SSD的介面發展趨勢來看，儘管PCIe介面SSD效能遠勝於SAT A III介面SSD， 然因整體性價比不如SATA III介面SSD，使得2017年 滲透率低於預期，滲透率僅達30％。SATA III仍為去年Client SSD市 場的主流規格。然而，今年在英特爾平台更廣泛支援PCIe介面SSD後 、3D NAND SSD技術成熟帶動的成本下降，以及SSD控制晶片廠陸續推 出更具性價比解決方案的帶動下，DRAMeXchange預期，2018年PCIeS SD滲透率有機會快速提升，可望挑戰50％水準。

此外，觀察3D SSD產品進度，今年第一季起SK海力士、威騰（WD） 與東芝陣營、美光、英特爾的64/72層SSD新產品已先後開始放量，預 估2018年Client SSD市場中，3D-TLC架構比重有機會突破70％水準。 未來值得注意的是，NAND Flash原廠目前正在開發單顆容量更大、成 本更具競爭力的3D-QLC Flash技術，預期最快於2018年下半年正式進 入量產階段。一旦此技術成熟後，SSD性價比將更上一層樓，取代HD D的速度將會加快。

集邦科技（TrendForce）發布調查統計，受智慧手機首季需求減緩影響，本季行動式記憶體漲幅收斂，估計產值成長也趨緩。台廠南亞科（2408）和華邦電市占仍小，估計不到5%，但南亞科20奈米製程效益本季持續發酵，預料在電競電腦和資料中心等領域將大有斬獲。

集邦旗下的儲存研究（DRAMeXchange）調查，去年第4季因智慧手機市場和北美資料中心需求強勁，主要記憶體供應商紛紛提高去年第4季行動式記憶體價格，平均約10%~15%，推升行動式記憶體產值攀升至80億美元，季增23.6%，再創歷史新高。

DRAMeXchange指出，去年年第4季行動式記憶體廠商營收以美光表現最突出，季增近六成；營收市占率方面，韓系兩大陣營三星及SK海力士合計市占率雖由前一季的85.6%下滑至82.5%，但仍大幅領先美系陣營。

至於台廠南亞科及華邦電去年第4季行動式記憶體營收表現，受限產品並非智慧手機主流搭載容量，表現平穩，兩者合併營收市占率低於5%。

集邦強調，本季行動式記憶體因全球智慧手機市場需求減緩，多數品牌廠調整生產計畫並延緩拉貨，連帶也讓本季行動式記憶體平均合約價漲幅較過去幾季收斂，估計漲幅約在3%，低於原預估的5%，預料本季行動式記憶體產值增幅也會同步收斂。

集邦表示，本季除行動式記憶體維持漲勢外，標準型DRAM本季漲幅也達5%，仍是本季漲幅較明顯的記憶體；另外，伺服器用DRAM在北美四大網路服務提供業者為首的資料中心拉貨動能需求仍強，本季價格漲幅也有3%~5%。

從DRAM產業整體產值來看，今年DRAM產業仍維持健康穩定，產值將達960億美元，還是比去年成長超過三成，DRAM相關供應商仍會繳出相當亮麗財報 。

中國半導體及面板拚擴廠，上市設備廠盟立（2464）、帆宣、志聖、大量等營運暢旺，在手訂單能見度紛創新高紀錄。展望2018年因客戶持續擴廠，設備廠營收及獲利可望續創新高。

根據集邦科技最新研究報告指出，在半導體產業方面，高資本支出的晶圓廠建設專案備受業界關注，預估至2018年中國半導體市場產值將達人民幣1,767億元，年成長率為27.12％；面板則持續擴大在大尺寸及AMOLED等新廠建置，包括中國地區於未來三年（2018~2020年）將有六條10.5代線產能陸續開出，提供整體無塵室機電整合工程服務有龐大市場機會。

受惠於兩岸面板廠及半導體加碼投資，盟立訂單能見度達2020年。去年12月因年底入帳效應，單月合併營收站上13.86億元的歷史新高，月增15.5%，年增57.4%。第4季合併營收36.92億元，季增10.9%，年增55.9%。創下單月、單季及年度「三新高」的歷史紀錄。

盟立今年元月合併營收12.57億元，雖然月減9.3%，但年增48.7%，改寫元月單月業績的歷史新高紀錄。

同樣的情況也表現在帆宣、志聖及大量的業績上。帆宣元月營收17.76億元，月減13.5%，年增9%。志聖元月營收3.7億元，月減19.9%，年增21%。大量1月營收3.6億元，月增11.1%，年增73.7%。

帆宣近年來站穩高科技設備材料銷售、自動化供應系統、整合系統，以及客製化設備研發製造四大類市場領域。 其中，後起的客製化設備研發製造業務，業績逐年大幅成長，已成為占業績比重第一的項目。

間接搶進蘋果供應鏈的志聖，在蘋果新發表 iPhone 8 及即將上市的 iPhone X 新手機系列，均採用3D玻璃機殼以因應無線充電的需求。志聖開發出玻璃機殼的固化製程設備，去年完成交機，獲華碩及中國大陸 OPPO 供應鏈的採用，今年還有待交機的訂單。

對於今年的設備業市場景氣，志聖董事長梁茂生以「就是旺」來形容。他強調，設備業在「工業 4.0」自動化生產的浪頭上，市場景氣持續穩定向上衝，台中及廣州的生產線也塞爆。

大量表示，近二年客戶急單湧入，設備機台呈供不應求的熱況，原本45天的交期已經拉長到半年，2017營收大幅成長逾七成，展望2018也是好年，大量將在站穩PCB類機台市場後，積極跨足非PCB設備市場。

集邦科技昨（28）日發布報告表示，儲存型快閃記憶體（NAND Flash）隨主要供應商良率提升，去年第4季市場供需已趨平衡，因本季進入淡季，市場可能轉為小幅供過於求，價格面臨修正壓力。

這也是NAND Flash在連漲六季後，去年第4季在個人電腦應用端首季面臨價格下跌，本季則呈現全面性修正。

集邦科技旗下的記憶體儲存研究表示，去年第4季合約價僅嵌入式記憶體（eMMC）維持小幅上漲外，其他部分如伺服器/資料中心用的NAND Flash，合約價持平，甚至出現小跌走勢，整體NAND Flash市場趨於供需平衡。

集邦預估本季在淡季需求疲弱影響下，市場轉為小幅供過於求的狀態，供應商透過調降各產品合約價以刺激需求，預期各家NAND Flash廠的營收表現將受到衝擊，不過因64/72層的3D-NAND成本進一步優化，還是可維持獲利局面。

各大NAND Flasha供應商，以SK海力士表現最出色，去年第4位元出貨量季增16%。

根據集邦科技記憶體儲存研究DRAMexchange調查顯示，2017年第四季北美資料中心的需求持續強勁，即使DRAM原廠透過產品線調整，但仍無法有效紓解伺服器DRAM市場供給吃緊的狀況。伺服器DRAM受惠平均價格上漲，三大DRAM原廠三星、SK海力士、美光的伺服器DRAM營收均出現明顯成長動能。

集邦統計指出，去年第四季伺服器DRAM市場規格來到63.21億美元，較第三季成長13.9％，並創下新高紀錄。DRAMeXchange資深分析師劉家豪指出，進入2018年第一季在伺服器出貨動能不減的情況下，整體伺服器DRAM供不應求的市況依然持續，而伺服器DRAM模組的報價將會維持在高點。

受惠資料中心建案與高容量DRAM模組需求，2017年第四季三星伺服器DRAM營收表現格外亮眼，不僅位元出貨量較第三季度成長8％外，平均售價也往上調漲，營收較第三季上揚14.5％並來到29.19億美元，占整體市場約46.2％。三星現階段仍然會持續針對各家OEM/ODM廠調整供貨達成率，以期望滿足主要客戶需求進而提高獲利水平。

SK海力士同樣受惠於北美資料中心的強勁需求，對伺服器DRAM產品配置上更為積極，第四季整體伺服器DRAM產出比重已超過30％。其次，因新平台轉換而帶動高容量模組的需求，也讓SK海力士第四季營收較第三季大幅成長10.9％至19.88億美元，營業利益率也較第三季改善。2018年因伺服器DRAM需求將維持在高點，SK海力士將會逐季提高伺服器DRAM產出的比重，並且著重在新製程18奈米產品的轉進與滲透率的提升。

美光集團除了受到伺服器DRAM價格持續上漲以及製程微縮所帶來的成本效益，第四季伺服器DRAM位元出貨量較前一季成長外，平均銷售單價也有明顯地躍升，其伺服器DRAM產品營收成長17.2％，達到14.14億美元，市占來到22.4％水準。以產品面來看，美光在伺服器DRAM的比重仍然維持在近3成水位，現階段獲利的持續增長完全有賴於DRAM平均銷售單價的提升。

由於人工智慧及雲端運算需求強勁，資料中心建置動能持續成長，而英特爾推出的Purley平台已經開始放量出貨，超微EPYC處理器平台亦受到OEM大廠青睞及採用。由於新平台搭載的伺服器DRAM容量大幅提升，所以業界對今年伺服器DRAM需求看法樂觀，在供不應求情況下，價格可望維持逐季調漲動能。

集邦科技（TrendForce）記憶體儲存研究（DRAMeXchange）指出， DRAM與NAND Flash等記憶體產品，目前都處於第一季各產品別的議價 時刻，但由於去（2017）年底中國大陸發改委員會出於對三星在記憶 體價格持續調漲感到不滿，因而約談該公司的變數下，可能將對記憶 體價格走勢帶來變數，預期行動式記憶體漲幅將較為收斂。

DRAMeXchange研究協理吳雅婷指出，從每單位容量來看，2017年D RAM價格上漲超過四成，同期NAND的價格上漲幅度也逼近四成水位。 該事件的起因正為中國智慧型手機業者商無法承受記憶體持續漲價， 因此向中國發改委投訴，希望能夠抑制後續以三星為首的記憶體廠商 價格漲勢，並且清查其是否有壟斷的疑慮。

展望今年上半年，因原廠對產能計畫趨於保守，實質新產能開出將 落於下半年，導致上半年供給仍然受限，整體市場仍然吃緊；雖然市 場傳出中國發改委介入價格制定的消息，但對於價格漲幅並不會有太 大的影響，不過自去年第三季度起，隨著北美資料中心建案而供貨吃 緊進而帶動漲幅，整體備貨動能超出預期，因此預期在今年上半年伺 服器記憶體價格仍然會延續漲價的走勢。

TrendForce認為，因為中國發改委的介入，對今年第一季行動式記 憶體價格恐怕造成實質的負面影響。在中國智慧型手機出貨疲弱的大 環境影響下，雖然整體DRAM仍呈現供貨吃緊的狀態，但以三星為首、 率先調整對中國智慧型手機廠商的報價，行動式記憶體的漲幅已較先 前收斂，從原先的5％的季成長縮小為約3％。

由於中國在近年內已成為記憶體產出的最大出海口，不管是內陸或 是外銷，透過中國所購買的記憶體比重持續增加，因此官方的介入恐 怕對價格產生實際的變化。

中國半導體發展風起雲湧，在市場、國安等考量下，記憶體成為中 國重點發展項目。根據市場研究機構集邦科技最新報告指出，隨著中 國挾帶著龐大的資金與地方政府的資源進軍半導體中的記憶體領域， 包含晉華電子、合肥長鑫、紫光集團在內的三大陣營已成形，利基型 DRAM及NAND Flash是布局重點。

集邦表示，紫光透過併購或爭取技術母廠授權的策略多失敗收場， 但中國大陸積極吸收專業人才，無論是台灣地區的建廠人才，或是日 韓的技術人才等，皆為大陸半導體廠的目標，並且從技術授權轉為自 主研發，處處可見大陸進軍記憶體的強烈決心。

大陸DRAM產業目前已有晉華電子、合肥長鑫等兩大陣營。晉華電子 專注利基型DRAM的開發，主攻消費型電子市場，技術合作夥伴是聯電 ，希望憑藉著大陸本有的龐大內需市場壯大自身產能，甚至在補貼政 策下，預估最快2018年底可能將擾亂國際大廠在中國市場的銷售策略 ，並且有機會取得技術矽智財（IP）走向國際市場。

相較於晉華電子避開國際大廠的主力產品，合肥長鑫直搗國際大廠 最核心的行動式DRAM產品。行動式DRAM已是記憶體類別中占比最高的 產品，其省電技術要求極高，開發難度相當高。然而，中國品牌手機 出貨已占全球逾4成，倘若LPDDR4能順利量產並配合補貼政策，大陸 官方進口取代的策略即可完成部分階段性任務。

觀察大陸在NAND Flash領域的發展，以紫光集團旗下的長江存儲為 最快成軍的開發廠商，初期也將以大陸內需市場的布局為主。由於長 江存儲開發早期技術力不足，難以與一線大廠相抗衡，預估其初期產 品會以卡碟類為大宗。隨著長江存儲技術發展來到64/96層才有機會 進軍固態硬碟（SSD）市場，但此市場技術競爭相當激烈，沒有中國 政府的支持，短期會難以在成本上取得優勢，利用中國內需市場壯大 自己將是紫光集團未來可行的策略。

而武漢新芯隨著長江存儲的成立後，將專注於NOR Flash的開發， 雖然長江存儲的NAND Flash試產線暫放在武漢新芯，但隨著長江存儲 於武漢未來城基地建構完成後，未來也將各自獨立。

集邦指出，以目前現況來看，中國發展記憶體的策略能否成功，未 來的3∼5年將是極其重要的關鍵期，特別是強化矽智財的布局，中國 政府以及廠商未來必須憑藉內需市場、優秀的開發能力，以及具國際 水準的產能，取得與國際廠商最有利的談判籌碼，才有機會立足全球 並占有一席之地。

集邦科技（TrendForce）昨（21）日發布最新「中國半導體產業深度分析」報告，大陸挾龐大資金與地方政府資源搶進記憶體，讓晉華電子、合肥睿力與紫光集團的三大記憶體陣營已成形，南亞科（2408）、威剛等DRAM業者認為，DRAM學習曲線長，短期還不會對市場構成威脅。

集邦指出，大陸發展記憶體產業，儘管紫光集團與美光洽談技術合作無疾而終，但積極吸收台灣、日本、美國等地人才，展現進軍記憶體的強烈決心。

集邦強調，大陸發展記憶體的策略已逐步收斂，除最早布局的紫光集團，包括福建晉華、合肥睿力等，形成三大陣營。

其中晉華專注利基型記憶體的開發，主攻消費型電子市場，有望憑藉著大陸龐大內需市場以壯大自身產能，預估最快2018年底問鼎大陸市場，並藉由取得技術矽智財（IP）走向國際市場。

中國大陸LED晶片龍頭廠三安光電和華燦光電近日陸續調降部分晶片價格，持續長達一年半的LED晶片漲價周期正式結束。集邦認為，本波LED晶片供不應求已反轉，預計明年將恢復供需平衡。

TrendForceLED研究（LEDinside）認為，明年LED晶片市場將恢復供需平衡，但隨著LED晶片大廠新產能持續投放，未來兩年不排除再出現供過於求情形。

LED晶片價格已持續一年半居高不下，經過本波調整，價格有望進入穩定或小幅調整的平台期。

若以2吋磊晶片產能計算，三安、華燦、澳洋順昌分別淨增加130萬片、100萬片與83萬片，是大陸前三大LED晶片廠。

隨著2017年底新增產能逐漸開出，LED晶片市場供需逐漸恢復平衡，三安、華燦等業者決定，近期針對競爭較激烈的照明和顯示用晶片調整價格。

LEDinside首席分析師王飛表示，2015年大陸LED晶片價格大跌，加速全球LED晶片訂單向大陸轉移，也使大陸廠商2016年訂單劇增，紛紛擴大資本支出來因應。

與全球其他區域廠商逐漸減少投資，甚至退出LED產業相比。大陸廠商對LED產業的投入仍然積極。2017年主要的MOCVD設備擴產即來自大陸廠商三安光電、華燦光電及澳洋順昌。