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晶圓代工廠聯電（2303）在中國大陸對美光提告侵權，近日一審判決結果出爐，美光必須停止在陸製造、加工、進口與銷售。研調機構集邦科技（TrendForce）記憶體儲存研究（DRAMeXchange）分析，美光面臨在中國市場禁止銷售部分產品，將使三星、SK海力士及明年將進入市場的中國廠商受惠。

法人認為，三星可望是搶占大陸市占率的受惠者之一，其大中華區主要代理商至上（8112）將受惠，不過，美光封測夥伴力成就可能將受到影響。

DRAMeXchange指出，美光旗下產品包含美光品牌及Crucial，未來恐面臨在中國禁售標準型DRAM以及部份快閃記憶體產品（SSD），美光依然有上訴的權利，此案後續影響層面勢必將成為全球記憶體產業關注焦點。

此外，因中美貿易戰進入關鍵時刻，加上明年將是中國DRAM生產元年的背景，更讓此訴訟案增添兩國角力氛圍。

從市場面來看，中國作為全球第二大經濟體，DRAMeXchange預估，中國內需市場今年將消化全球DRAM產能達20％，而美光DRAM總產能中，約有26％由中國內需市場所消化。

在美光面臨在中國市場禁止銷售部分產品下，勢必將衝擊其營收表現，並且將使得三星與SK海力士，以及預計明年將正式加入市場的晉華集成與合肥長鑫成為中國市場直接受益者。

從NANDFlash方面來看，根據DRAMeXchange數據顯示，中國內需市場消化今年全球NANDFlash約25％的產能，美光NANDFlash有約20％產能銷往中國，美光在中國面臨禁售部分產品情況下，身為競爭對手的三星、SK海力士、威騰（WDC）、英特爾（Intel）、東芝（Toshiba），以及明年可能將正式加入市場的長江存儲（YMTC）都將直接受惠。

此外，由7月3日公布的判決書來看，除了部分美光以及Crucial在中國禁售以外，也包含美光的西安廠將停止美光產品的封測。觀察國內供應鏈狀況，法人指出，若美光在陸營運受衝擊，三星勢必將開始大搶市佔，至上也可望連帶受惠，美光主要封測夥伴力成訂單則可能遭受衝擊。

DRAM價格及出貨量同步上揚，DRAM廠南亞科公告6月自結合併營收達85.86億元、月增3.12％，續創單月新高，較去年同期增加104.74％。南亞科第二季合併營收達245.93億元，寫下單季新高，季增幅為三成，相較去年同期成長逾九成。

法人表示，DRAM市場將進入傳統旺季，帶動行動DRAM出貨暢旺，連帶伺服器DRAM價格也微幅增加，使南亞科第三季營收有望比第二季更上一層樓。

南亞科公告6月合併營收為85.86億元，已經連續3個月改寫單月新高，帶動今年第二季營收站上245.93億元，累計今年上半年合併營收達433.90億元，相較去年同期增加74.56％，創下單月、單季及歷史同期同創新高的優異成績。

法人表示，南亞科主要受惠於第二季DRAM價格續揚，且打入伺服器DRAM市場，在近期伺服器及資料中心等應用需求暢旺帶動下，使南亞科營收表現逐月走升。

時序即將步入今年第三季，行動DRAM將開始進入大量備貨潮，由於產能供給有限，因此將連帶讓伺服器DRAM價格也出現微幅增長。集邦科技預期，由於庫存尚未達到安全水位，因此仍有相對穩健的拉貨動能，帶動DRAM整體均價呈現微幅季成長。

集邦科技指出，第三季DRAM價格漲幅主要由伺服器記憶體與行動式記憶體帶動。伺服器記憶體的需求較第二季穩健提升，以行動式記憶體而言，價格的漲幅主要由Android高階手機在高容量LPDDR4採用量提升所支撐，預期第三季整體行動式記憶體價格在高階機種的帶動下有機會出現1∼2％的漲幅。

因此，法人圈看好，南亞科今年第三季將可望受惠於行動DRAM、伺服器DRAM需求及價格同步上升，帶動業績再度上升，有機會改寫第二季創下的歷史新高數字。南亞科不評論法人預估財務數字。

中國大陸太陽能新政策頒布後，已造成內需急速緊縮，產能過剩、必須要向海外尋找出海口，因而引爆拋售潮。集邦科技預估，全球太陽能產業將面臨新一波價格戰，台廠也難置身事外。

面對太陽能價降崩跌壓力，國內太陽能廠包括綠能（3519）、茂迪、中美晶、國碩等，已紛紛減或停產因應，此時保有更多現金在手，避免虧本銷售，希望在這波產業寒冬度過難關。

集邦科技旗下綠能研究（EnergyTrend）最新調查顯示，這波大陸模組廠引發的拋售潮，價格何時會跌到低點，以及太陽能系統開發廠商何時採購下單，成為近期太陽能產業關注的焦點。

綠能研究分析，大陸太陽能模組產能在全球市占率超過七成，在嚴重過剩壓力下，這波模組價格下跌情形，預料影響至少到明年第2季才會紓緩。

集邦科技旗下記憶體儲存研究（DRAMeXchange）昨（27）日發布調查報告表示，下半年儲存型快閃記憶體（NAND Flash）市場需求動能未如預期轉強，仍然相對平淡，在主要供應商64及72層3D NAND良率及產出繼續提升影響，下半年價格仍看跌，價格跌幅是否會收斂，端看新手機銷售。

這是集邦在發布伺服器DRAM價格在第3季漲幅收斂後，針對原本市場預期NAND Flash止跌，提出不如預期的示警。整體記憶體族群股價包括南亞科（2408）、華邦電等是否高點已過，已引起法人密切注意。

集邦表示，今年上半年NAND Flash市場，受到傳統淡季衝擊及64/72層3D NAND產能穩定增加影響，各類產品合約價連續二季下跌，各供應商也在這段期間內藉由對高容量產品提供價格誘因，吸引客戶增加搭載容量，以刺激旺季需求進一步成長，並稍微放緩今年的擴產計畫，試圖力挽價格跌勢。

近年來最強勢的伺服器用DRAM，供需結構將於下半年轉變，供給吃緊情況將獲得紓解。集邦旗下記憶體儲存研究（DRAMeXchange）預估下季合約價漲幅將趨緩，原本拿不到貨的二線廠將受惠，也讓整體DRAM族群漲勢受阻。

台廠南亞科（2408）昨（25）日受到外資法人轉空，賣超7,137張，股價重挫6.5%，終場收86.5元，所有均線呈現下彎。另一DRAM廠華邦電股價同步下跌，收19.25元，下跌0.05元。

集邦強調，雖然今年上半年合約價較去年下半年上揚一成，但隨DRAM原廠調整伺服器產品供貨比重，目前平均供給達成率已達八成以上，儘管仍然吃緊，但情況已比以往紓解。

DRAMeXchange調查，第3季出貨至一線廠的32GB伺服器模組價格預估仍有1~2%的上漲空間，價格可望來到320美元，不過漲幅趨緩，讓原本拿不到貨的二線廠獲益。預估第3季合約價格和第2季差異不大。

根據集邦科技記憶體儲存研究DRAMeXchange最新調查，由於伺服器 DRAM平均出貨供給達成率（Fulfillment Rate）逐季攀升，現階段供 給吃緊的狀況有機會在下半年獲得紓解。至於價格部份，伺服器合約 價第三季仍將小幅調漲，但漲幅明顯減少到僅剩1∼2％。

DRAMeXchange資深分析師劉家豪指出，雖然今年上半年的合約價較 去年下半年上揚1成，但隨著DRAM原廠調整伺服器DRAM產品供貨比重 ，現階段平均供給達成率已趨近8成以上，儘管仍然吃緊，但今年狀 況較以往樂觀。

根據DRAMeXchange調查顯示，第三季出貨至一線廠的32GB伺服器D RAM模組價格，預估仍有1∼2％的上漲空間，價格可望來到320美元。 同時，供貨率提升亦將使得價格漲幅趨緩，使二線廠獲益。整體而言 ，第三季合約價格的報價區間不會有太大差異。

其次，隨著英特爾Purley平台與超微Naples平台的滲透率提高，下 半年單機容量和32GB產品線的滲透率都會跟著提升，因此下半年整體 訂單量將維持上半年的水準。其中，針對英特爾新解決方案的備貨仍 維持一定規模，且出貨仍集中在北美與中國大陸資料中心。DRAMeXc hange調查顯示，目前英特爾新平台的滲透率已超過5成，預期第四季 將接近8成，而整體32GB伺服器模組滲透率在年底可望突破7成。

從DRAM製程規畫來看，今年仍以20奈米產出為主，其中為配合新平 台解決方案，針對高容量伺服器DRAM模組的備貨動能將會延續至年底 。在伺服器DRAM製程上，先進製程的產品比重仍然偏低。進入17奈米 與18奈米節點後，微縮技術愈顯困難，除三星已大規模生產18奈米節 點伺服器用DRAM產品外，其餘DRAM原廠為維持整體伺服器DRAM產品的 可靠性（Product Reliability），預計要到今年第四季才會陸續提 高先進製程產品占比。

LED驅動IC廠聚積（3527）在Mini LED研發上傳出捷報，聚積指出 ，第二代Mini LED箱體模組良率大幅提升，有信心在明年第一季進入 量產。法人看好聚積明年有機會藉由Mini LED產品打入手機、電視、 大型顯示屏等市場。

聚積原先規畫Mini LED顯示模組將在2019年上半年開始量產，現在 聚積又釋出更明確的量產時間。聚積指出，與錼創合作的第二代Min i LED箱體相對於今年2月在歐洲國際視聽暨整合系統展（ISE）展覽 時的第一代箱體，已有長足的進步。

聚積Micro LED事業群總監黃炳凱表示，聚積mini LED箱體點間距 為Pitch 0.75，是當前點間距最小的方案，且第二代箱體所使用的模 組率大幅提升，死燈率顯著降低且有更佳的畫面均勻性，有信心可以 於2019年第一季進入量產。

聚積指出，業界常將Mini LED與傳統晶片直接封裝（COB）方案做 比較，不過在同樣具備高可靠度以及無摩爾紋的特性下，兩者因為晶 片本質完全不同，Mini LED可以進一步應用於更小點間距的產品以及 提供更高的發光效率。

Mini LED的發展前景廣大，短期內將可望先在高階產品導入應用。 研調機構集邦科技（Trendforce）LEDinside最新報告指出，考量現 階段Micro LED技術仍有許多技術壁壘需要克服，許多廠商在2018年 先推出Mini LED背光方案，希望能吸引市場買氣。LEDinside預估， 2018年下半年將會陸續見到採用Mini LED背光技術的顯示器問世，2 022年Mini LED的產值將會達到6.89億美元。

法人認為，由於Mini LED首批產品成本一定偏高，因此初期將首先 導入到高階產品當中，預料手機、電視及大型顯示屏將有機會成為首 批客戶，聚積也可望切入上述供應鏈當中。

法人指出，聚積今年年

底前將開始量產Mini LED背光模組的驅動IC，明年第一季將放量出 貨，與此同時，聚積的Mini LED箱體也可望開始進入量產，並在Min i LED商機拔得頭籌。

今年以來NAND Flash市場供給過剩，固態硬碟（SSD）價格直直落 ，240GB TLC SSD價格在6月中旬下看40美元，雖然改寫歷史新低價， 但因價格降至市場甜蜜點，反而意外引爆終端市場需求持續轉強。由 於下半年進入智慧型手機NAND Flash備貨旺季，加上SSD銷售量能持 續攀高，法人看旺群聯（8299）下半年營運表現，今年賺逾2個股本 沒有太大問題。

去年NAND Flash出現難得一見的缺貨行情，雖然價格大幅飆漲，但 也重創了終端市場實際需求，SSD銷售動能在去年下半年幾乎呈現停 滯狀態。而今年以來隨著三星、SK海力士、美光、東芝等大廠紛紛量 產64層3D NAND，NAND Flash市場供需關係明顯改善，市場行情回歸 理性，價格的下跌反而開始陸續刺激出終端市場需求。

隨著上游NAND Flash原廠的64層3D NAND產能持續開出，且被大量 應用在SSD產品線，今年以來高容量SSD價格持續下滑，6月中旬主流 的240GB TLC SSD現貨價已降至40∼43美元區間，今年來累積價格跌 幅約達3成，價格雖改寫市場新低紀錄，但卻明顯帶動終端市場需求 ，SSD出貨量持續拉升。

模組業者表示，NAND Flash產品價格與終端市場需求呈現反向走勢 ，價格愈高自然需求愈低。去年NAND Flash價格大漲雖帶動SSD價格 同步走高，但終端需求反而持續降低。今年以來市況正好反過來，N AND Flash及SSD價格持續走低，終端需求持續提升，近期240GB TLC SSD價格降至接近40美元關卡，反而刺激需求進入快速成長軌道，代 表價格已跌到引爆需求的甜蜜點。

集邦科技先前預期，NAND Flash產業的供過於求狀態，導致消費終 端Client SSD價格隨之走跌，然而價格走跌反倒刺激需求成長，預期 NB產品的SSD搭載率今年將正式突破50％，其中，PCIe介面SSD取代目 前主流SATA III介面SSD腳步也將加速，PCIe介面SSD滲透率也可望於 今年挑戰50％大關。

看好SSD下半年強勁出貨動能，法人看好群聯營運表現，包括在NA ND Flash及SSD模組的銷售動能，以及SSD控制晶片強勁需求，新一代 96層3D NAND及QLC（四階儲存單元）控制晶片也已準備就緒。群聯第 一季合併營收93.03億元，歸屬母公司稅後淨利達8.82億元，每股淨 利4.48元，日前公告5月合併營收34.59億元符合預期。法人看好群聯 第二季營收將重回百億元大關，下半年進入旺季後營運將優於上半年 。

中國大陸國家發改委、財政部與國家能源局上月底針對太陽能產業下發新政策，影響到各類型太陽能系統。集邦旗下綠能研究（EnergyTrend）昨（14）日出具報告表示，這項新政將使今年太陽能內需需求大減四成，下滑到29至35GW（10億瓦），造成全球太陽能需求出現首度負成長，將低於100GW，全球太陽能廠都受重創。國內太陽能廠包括綠能（3519）、昱晶、國碩和碩禾等都陸續採取減產行動，若大陸政策不鬆綁，預料後續減產動作會加大。

EnergyTrend表示，根據《關於2018年光伏發電有關事項的通知》，今年度光伏標杆上網電價（FiT）再次調降，只有光伏扶貧電站的補貼仍維持不變。

全球智慧手機市場去年下半年一度低迷，今年第1季重回正成長，以小米、華為、OPPO、Vivo等大陸四大品牌表現最突出。

小米第1季智慧手機銷量比去年同期暴衝124%，成長動能排第一；華為與蘋果的距離則持續拉近。產研機構TrendForce昨（31）日預估，華為第2季有機會再度超車蘋果，躍居全球智慧手機二哥，帶旺台積電、聯發科、大立光等概念股。

另一家研調機構顧能（Gartner）最新統計數據顯示，今年第1季全球智慧手機銷售量為3.84億支，比去年同期成長1.3%，恢復成長。主要動能來自售價150美元（約新台幣4,500元）以下的入門及中低階機種。

集邦則從生產端觀察，回顧今年第1季初智慧手機市場一度延續去年第4季低迷買氣，到2月底市場需求才轉旺，品牌廠商開始積極備料，帶動上季全球智慧型手機生產量達3.4億支，較去年同期成長5.3%，以中國四大品牌華為、小米、OPPO 、Vivo表現最突出。

集邦指出，華為雖受美中貿易戰影響，北美市場拓展受阻，但旗下榮耀系列成功在歐洲市場打響名號後，複製高性價比的成功模式瞄準印度市場，表現突出。華為第1季生產總量年成長10%，以11.7%的市占率排名第三，緊追第二名蘋果的16.4%。

集邦預期，華為第2季將持續受惠旗艦新機熱銷，總生產量有機會再成長；反觀蘋果等待下半年新機出籠，第2季處於新舊產品轉換的空窗期，集邦預估華為第2季市占12%，將超車蘋果的11.4%，再度躍居二哥。

另一家大陸手機品牌小米表現也相當搶眼，根據顧能統計，小米今年第1季手機出貨2,849萬支，年增124%，市占率一舉從3.4%大增為7.4%，排名第四。

根據集邦科技記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查顯示，去年下 半年智慧型手機的新機發表並未如預期帶來換機效應，因此自去年第 四季中開始，市場提早進入傳統淡季。手機廠在歷經3個月的庫存水 位調節後，於今年2月底才見市場需求轉旺，並重啟拉貨動能，其中 又以旗艦新機需求的大容量DRAM居多，也推升第一季行動式DRAM產值 季增5.3％達84.35億美元，再創歷史新高。

整體而言，第一季受到智慧型手機市場回溫、新機發表，以及行動 式DRAM平均單價上漲的影響，一反以往第一季市場規模衰退的軌跡， 再度刷新歷史記錄。展望第二季行動式DRAM產值表現，儘管合約價格 漲幅趨緩，但受惠中國四大品牌華為、小米、OPPO、Vivo需求持續看 旺，以及Android陣營、蘋果陣營旗艦新機主流搭載容量上升的影響 ，預估第二季行動式DRAM總產值仍有機會較第一季成長並續創新高。

以個別供應商的營收表現來看，三星受到中國發改委的關注，第一 季及第二季的報價漲幅均較過去幾季收斂，三星因此透過積極行銷大 容量DRAM並且結合自家先進奈米製程技術，成功取得多數的大容量訂 單。製程進度上，三星的行動式DRAM幾乎已全採18奈米製程。

SK海力士雖受惠第一季合約價格的上揚，但在新製程18奈米初期良 率不穩、產能不足的影響下，無法擴大旗艦機種用LPDDR4系列大容量 DRAM的交付數量，第一季營收僅季增2.2％。目前SK海士力仍以21奈 米的LPDDR4系列及25奈米微縮製程的LPDDR3供給為主，預估18奈米產 品要到第三季才會放量。

美光集團第一季行動式DRAM營收較去年第四季成長10.2％，成長幅 度居三大主流供應商之冠，主要歸功於整體需求不減、價格上揚。在 行動式DRAM製程技術方面，美光台中廠第二季產品規畫仍以提高17奈 米製程比重為主，而在美光桃園廠仍以20奈米為主。

根據集邦科技記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查指出，企業級 固態硬碟（SSD）市場近年來受惠於資料中心、人工智慧（AI）、大 數據、5G、邊緣運算等成長題材帶動，出貨量從2016年的不到2,000 萬台規模，成長至今年有機會挑戰3,000萬台水準。但因NAND Flash 市況仍供過於求，加上廠商啟動價格戰爭搶市占率，第二季企業級S SD合約均價將續跌逾10％。

展望第二季市況，來自伺服器及資料中心的企業級SSD採購需求， 預期將比第一季淡季明顯回升。若是以企業級SSD位元出貨量來看， 2016年至2018年間，年成長率都超過50％，在所有NAND Flash應用產 品中，成長動能最為強勁，未來三年內仍會維持高速成長的步調。

但展望第二季市況，DRAMeXchange研究協理陳玠瑋指出，由於NAN D Flash整體市況仍舊處於供過於求，因此大多數NAND Flash原廠將 面臨去化產能的壓力，因此，預期第二季企業級PCIe介面SSD與SATA 介面SSD合約均價皆會較上季下滑10％以上幅度。

除產能壓力外，部分企業級SSD供應商為了取得更多下游OEM客戶的 訂單，以利切入企業級SSD這一未來具高度成長動能的市場，遂採取 較積極的訂價策略，希望能分食主要供應商的市占率，所以採用更具 成本競爭力的最新64/72層3D NAND，是上述廠商能順利執行價格戰策 略的主因。

對於第三季市況，在企業級SSD、消費級（Client）SSD與智慧型手 機需求帶動下，NAND Flash市況有機會從供過於求轉變成小幅供不應 求。然而，企業級SSD市場供應商之間的競爭會日趨激烈，因此第三 季企業級SSD價格持續走跌的可能性仍偏高。

陳玠瑋表示，英特爾、三星、美光、東芝、SK海力士等廠商的最新 64/72層3D NAND SSD都已送樣給主要客戶測試，而且也先後進入量產 階段，這也是今年市場競爭會加劇的主因。此外，受惠英特爾新一代 Purely伺服器平台滲透率今年將快速攀升並成為市場主流，大多數廠 商今年都把研發資源重押在PCIe介面相關產品上。雖然部分供應商今 年有推出QLC（1晶元可儲存4位元）規格3D NAND SSD產品的規畫，但 考量研發進度與客戶驗證時間，預估最快要到2019年上半年才能看到 明顯出貨。

集邦科技昨（17）日發布報告表示，本季企業級固態硬碟（SSD）需求比首季淡季回升，但在原廠儲存型快閃記憶體（NAND Flash）產出增加下，加速企業級SSD價格跌勢，預估本季跌幅將逾一成，增添各模組廠威剛（3260）、創見、宇瞻和群聯等廠商備貨難度，為擔心提列跌價損失，預料備貨將趨保守。

集邦旗下根記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查指出，企業級SSD市場近年來受惠於資料中心、人工智慧(AI)、大數據、5G、邊緣運算等成長帶動，出貨量從2016年不到2,000萬台規模，今年有機會挑戰3,000萬台。

若以企業級SSD位元出貨量來看，2016年至2018年間年成長率都超過50%，在所有NAND Flash應用產品中，成長動能最為強勁，未來三年仍會維持高速成長。

集邦科技（TrendForce）記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查顯示，第一季伺服器記憶體隨著供給吃緊，使平均零售價（asp）持續上揚，帶動三星、SK海力士及美光等三大記憶體原廠單季營收合計共達到69.75億美元，仍能繳出季增10.3％，雙位數成長的淡季不淡佳績。

DRAMeXchange資深分析師劉家豪指出，面對資料中心湧現伺服器訂單需求，現階段僅有三星增加18奈米出貨占比，SK海力士與美光現階段則仍受限產品良率問題，轉換率仍然偏低。三大廠冀望下半年在部分產能開出與產品比重調配與轉移下，進而提高伺服器記憶體先進製程產能比重。

由於伺服器記憶體平均搭載容量隨著英特爾Purley平台滲透而有效的提高，高容量、高傳輸伺服器模組在今年第一季有明顯地攀升，三大記憶體原廠伺服器記憶體平均獲利水準將持續提升。

三星第一季伺服器記憶體營收達31.08億美元、季增6.5％，營收市占率為44.6％。從製程進度來看，三星在伺服器記憶體上目前專注於18奈米產品線的滲透率，現階段整體產出已有接近一半的占比，預計年底將會達到七成左右的水準。

展望下半年，因記憶體產能在下半年將陸續開出，且來自於資料中心的代工需求不減下，預期三星仍將維持高獲利水位。

SK海力士第一季伺服器記憶體營收表現格外亮眼，單季營收季增13.2％至22.51億美元。從製程規畫來看，面對挹注的伺服器訂單，SK海力士伺服器記憶體仍然未全面採用最先進製程生產，目前18奈米產品仍占少數；預期下半年SK海力士將仍以21奈米為主流解決方案。

美光第一季營收季成長14.3％達到16.16億美元。在製程規畫上，美光受惠於17奈米的局部滲透與高容量模組產品組合增加，營收明顯改善，且針對美系資料中心出貨有較高的比重。然而，17奈米製程上半年因現階段仍有些問題未能有效解決，預計該製程伺服器記憶體產品的量產時程將會遞延至今年下半年。

集邦科技昨（14）日發布統計，首季全球DRAM總營收季增5.4%，再創新高。台廠的南亞科受惠20奈米產出比重拉升，季增達15%，優於全球平均數，力晶亦季增8.2%，華邦電則季增1.2%。

集邦旗下記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查顯示，今年首季DRAM總營收再創新高，主要價格持續上漲，其中繪圖用記憶體受惠於基期較低以及虛擬挖礦需求的增溫，漲幅達15%，其餘各應用別的記憶體在第1季約有3%至6%不等的季漲幅。

DRAMeXchange指出，第2季PC OEM廠已陸續議定第2季合約價格，平均漲幅約3%。伺服器用DRAM因需求較佳、毛利高、獲利空間較大，一線DRAM大廠持續將產能轉往伺服器記憶體。因全球DRAM產能將於年底才會逐漸開出，連帶也讓標準型DRAM價格也上漲。

台系廠商部分，南亞科受到轉進20nm帶來明顯的位元成長，加上價格持續走揚，第1季營收較前一季大幅成長15.1%。20奈米的成本效益更帶動營業利益率提升至44.3%，較上季成長5個百分點。

根據集邦科技記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查顯示，2018年第一季的DRAM價格走勢，除了繪圖用GDDR受惠於基期較低及加密貨幣（cryptocurrency）挖礦運算需求的增溫，帶動價格有15％顯著上漲外，其餘各應用別的DRAM在第一季約有3∼6％不等的季漲幅，今年第一季全球DRAM總營收較去年第四季成長5.4％再創新高。

DRAMeXchange資深研究協理吳雅婷指出，觀察第二季價格走勢，OEM廠已陸續議定第二季合約價格。就一線大廠訂價來看，4GBDDR4均價已來到34美元，較上一季平均漲幅約達3％。從市場面來觀察，由於伺服器需求較佳、毛利高、獲利空間較大，一線DRAM大廠持續將產能轉往伺服器DRAM，加上全球DRAM產能將於年底才會逐漸開出，使得標準型DRAM仍維持價格上揚格局。

觀察全球DRAM大廠營收表現，三星依然穩坐DRAM產業的龍頭，第一季營收再度創下歷史新高達103.60億美元，較上季成長2.9％；SK海力士第一季營收達64.32億美元，較前季成長2.2％，兩大韓廠第一季的出貨量受到手機需求疲弱影響皆略有下滑，營收市占率分別為44.9％與27.9％，合計約73％，較前一季度微幅下降。

美光集團仍舊維持第三，不過美光在報價上相對積極，今年上半年持續扮演市場中的價格領導者，價格上漲幅度高於其他兩家韓廠，第一季價格上揚幅度超過10％，帶動營收達52.13億美元，季增14.3％，市占率較前一季提升約2個百分點來到22.6％。

台系廠商部分，南亞科受到轉進20奈米帶來明顯的位元成長，加上價格持續走揚，第一季營收較前一季大幅成長15.1％達6.42億美元，20奈米的成本效益更帶動營業利益率提升至44.3％。展望未來，南亞科在20奈米良率將繼續向上，透過產品組合持續優化的帶動，獲利表現將可望進一步提升。

力晶科技方面，除了替晶豪科、愛普等IC設計業者代工生意成長外，力晶本身DRAM事業的產品報價亦上揚，帶動DRAM營收較上季成長8.2％達1.13億美元。華邦電DRAM營收則約略持平，季成長1.2％達1.75億美元，主要為利基型DRAM報價成長幅度較小所致。

根據集邦科技記憶體儲存研究DRAMeXchange調查指出，儘管第二季智慧型手機、筆記型電腦等需求，在工作天數回復下較第一季有所提升，但仍無法抵銷3DNANDFlash產能增加及良率改善所帶動供給的成長，使得供應商面對較高的庫存壓力，不得不進一步向下調整嵌入式多媒體記憶卡（eMMC）及通用快閃記憶體卡（UFS）價格。

DRAMeXchange指出，為了增加中高階以上智慧型手機的儲存搭載容量，供應商放大在高容量128/256GBUFS的價格修正幅度，藉以吸引原本搭載64/128GBeMMC/UFS的機型提升搭載容量。整體而言，eMMC合約價第二季跌幅為0∼5％，UFS跌幅則擴大至5∼15％。

通路業者表示，由於上半年NANDFlash價格直直落，不僅固態硬碟（SSD）價格持續調降，eMMC/UFS價格同步走跌。以採用TLCNANDFlash的128GBeMMC現貨價格來看，第一季價格約在43美元左右，4月已降至39美元，至於採用MLCNANDFlash的64GBeMMC現貨價第一季約21美元，4月已降至19美元。普遍來看，eMMC現貨價4月跌幅約逾9％。

展望第三季eMMC/UFS價格走勢，DRAMeXchange表示，儘管NANDFlash供給位元成長將高於第二季，但是在需求面有傳統旺季，及蘋果新機的備貨需求雙重加持下，市場供需仍將趨緊，合約價格跌幅預估將收斂至5％內。至於第四季價格走勢仍維持價格持穩的看法，惟價格震盪幅度仍須觀察蘋果iPhone新機銷售狀況。

集邦科技昨（2）日發布調查報告，預期本季行動式記憶體合約價受中國發改委介入定價影響，報價普遍趨於保守，漲幅低於預期，其中，分離式行動記憶體平均漲幅落縮小在1%以內；至於嵌入式多晶片封裝記憶體，（eMCP）則受儲存型快閃記憶體（NAND Flash）價格下跌影響，平均價格跌幅約1%。

集邦旗下的記憶體研究（DRAMeXchange）指出，展望第3季，隨傳統旺季來臨，智慧型手機生產數量預估將較第2季成長5%~10%。但因SK海力士及美光增加投片量，新製程轉進良率提升，預估供給將增加，可緩解供給緊張的態勢，讓第3季行動式記憶體價格持平或小漲；至於eMCP價格，則是持平或略為下跌。集邦分析，主流供應商為消耗NAND Flash產能，積極行銷智慧手機搭配大容量eMCP，從中國品牌華為、小米、OPPO、Vivo上半年度發表的旗艦新機可見端倪。

蘋果在法人說明會中預期NAND Flash報價將在不久後走低，DRAM價 格可能在今年底觸頂。而事實上，NAND Flash價格今年以來持續走跌 ，DRAM價格續漲但漲幅明顯縮小。業界目前認為下半年NAND Flash及 DRAM價格仍然看漲，但市調機構集邦則預期，第三季行動式DRAM合約 價恐持平。

蘋果財務長Luca Maestri在法人說明會中回答分析師有關iPhone成 本提問時，針對記憶體的影響提出看法，預期NAND Flash部份很快會 出現新局面，至於DRAM預期正逼近高點，很有可能在今年底觸頂。市 場人士解讀，蘋果意指NAND Flash價格看跌，行動式DRAM價格再漲空 間已經有限。

集邦科技記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查顯示，第二季行動 式DRAM合約價持續受到第一季中國發改委介入定價的影響，報價普遍 趨於保守，漲價幅度低於標準型或伺服器等其他規格DRAM產品，以分 離式行動式DRAM來說，第二季平均漲幅落在1％以內，eMCP則受NAND Flash價格下跌影響，平均價格跌幅約1％。

DRAMeXchange指出，展望第三季，隨著傳統旺季來臨，智慧型手機 生產數量預估將較第二季成長5∼10％。從行動式DRAM供給面來看， 受到SK海力士及美光投片增加貢獻，以及新製程轉進良率提升等帶動 產出，可望稍加緩解第三季供給緊張的態勢，預估第三季合約價走勢 和第二季相似，分離式行動式DRAM價格將持平或略為小漲，eMCP價格 則可望持平或略為下跌。

另一方面，主流供應商為有效消耗NAND Flash產能，積極行銷智慧 型手機搭配大容量NAND Flash，從中國品牌華為、小米、OPPO、Viv o於上半年度發表的旗艦新機上可見端倪，相較於去年主流的64GB N AND搭配32Gb DRAM規格，品牌廠今年紛紛將記憶體規格提升至128GB NAND搭配48Gb DRAM，確實舒緩原先3D NAND產能開出恐導致產能過剩 的狀況。

集邦科技最新調查指出，價格拉回的儲存型快閃記憶體（NAND Flash）上季已小幅供過於求，本季因需求轉弱，預估將持續跌價，但下游模組廠包括威剛（3260）、宜鼎及宇瞻等，以及控制IC廠慧榮和群聯等，認為價格持續修正，有助系統廠啟動備貨需求，一改去年產業鏈「上肥下瘦」局面，穩健回升。

集邦旗下記憶體儲存研究（DRAMeXchange）表示，NAND Flash市場第1季已呈現供過於求，本季雖因工作天數增加，但市場需求進入淡季，成長力道仍偏弱，預期本季還是處於小幅供過於求，價格持續看跌。

不過，DRAMeXchange對下半年NAND Flash市場仍不看淡，主因進入傳統旺季，以及智慧手機搭載容量持續提升等因素帶動，位元需求將穩定成長，有助價格止跌。

DRAMeXchange指出，因部分供應商已減緩擴產速度，下一個世代的9x層NAND Flash製程要至到明年才會有較具規模的出貨，對今年供給影響有限；備受外界關注的中國供應鏈長江存儲的產能也要明年才會較具規模，對今年市況影響也不大。