0960-550-797
LINE的ID:@ipo888 歡迎加入好友
集邦科技(未)公司新聞
根據集邦科技記憶體儲存研究DRAMeXchange調查顯示，固態硬碟（ SSD）市場受到第一季淡季效應的影響，導致OEM廠拉貨需求較去年第 四季明顯下滑，加上SSD供應商為促銷64/72層3D SSD新品，透過降價 以提高OEM廠導入意願。
第一季主流容量電腦終端（PC-Client）OEM SSD合約價均價，在S ATA介面SSD部分較前一季下跌3∼5％，PCIe介面SSD部分則下跌4∼6 ％。不過，SSD價格下跌，推升OEM廠採用速度，今年筆電SSD搭載率 突破5成。
展望第二季SSD市況，在各家64/72層3D NAND產能增加，但需求端 成長力道仍偏弱的情況下，SSD仍將小幅供過於求，DRAMeXchange預 期，第二季主流容量合約價將持續下滑。
DRAMeXchange研究協理陳玠瑋指出，去年SSD價格高漲，PC OEM大 廠2017年下半年的SSD採購量較原先規劃保守，使得2017年筆電SSD平 均搭載率僅達45％，低於原先預期。今年SSD價格反轉下跌後，將帶 動筆電SSD搭載率突破50％大關。此外，SSD合約價的走跌，也將帶動 OEM市場的SSD主流容量提升至256GB，至於512GB的規格，因今年價格 仍難以碰觸甜蜜點水準，預估將到2019年至2020年間才會成為主流。
從筆電SSD的介面發展趨勢來看，儘管PCIe介面SSD效能遠勝於SAT A III介面SSD， 然因整體性價比不如SATA III介面SSD，使得2017年 滲透率低於預期，滲透率僅達30％。SATA III仍為去年Client SSD市 場的主流規格。然而，今年在英特爾平台更廣泛支援PCIe介面SSD後 、3D NAND SSD技術成熟帶動的成本下降，以及SSD控制晶片廠陸續推 出更具性價比解決方案的帶動下，DRAMeXchange預期，2018年PCIeS SD滲透率有機會快速提升，可望挑戰50％水準。
此外，觀察3D SSD產品進度，今年第一季起SK海力士、威騰（WD） 與東芝陣營、美光、英特爾的64/72層SSD新產品已先後開始放量，預 估2018年Client SSD市場中，3D-TLC架構比重有機會突破70％水準。 未來值得注意的是，NAND Flash原廠目前正在開發單顆容量更大、成 本更具競爭力的3D-QLC Flash技術，預期最快於2018年下半年正式進 入量產階段。一旦此技術成熟後，SSD性價比將更上一層樓，取代HD D的速度將會加快。
第一季主流容量電腦終端（PC-Client）OEM SSD合約價均價，在S ATA介面SSD部分較前一季下跌3∼5％，PCIe介面SSD部分則下跌4∼6 ％。不過，SSD價格下跌，推升OEM廠採用速度，今年筆電SSD搭載率 突破5成。
展望第二季SSD市況，在各家64/72層3D NAND產能增加，但需求端 成長力道仍偏弱的情況下，SSD仍將小幅供過於求，DRAMeXchange預 期，第二季主流容量合約價將持續下滑。
DRAMeXchange研究協理陳玠瑋指出，去年SSD價格高漲，PC OEM大 廠2017年下半年的SSD採購量較原先規劃保守，使得2017年筆電SSD平 均搭載率僅達45％，低於原先預期。今年SSD價格反轉下跌後，將帶 動筆電SSD搭載率突破50％大關。此外，SSD合約價的走跌，也將帶動 OEM市場的SSD主流容量提升至256GB，至於512GB的規格，因今年價格 仍難以碰觸甜蜜點水準，預估將到2019年至2020年間才會成為主流。
從筆電SSD的介面發展趨勢來看，儘管PCIe介面SSD效能遠勝於SAT A III介面SSD， 然因整體性價比不如SATA III介面SSD，使得2017年 滲透率低於預期，滲透率僅達30％。SATA III仍為去年Client SSD市 場的主流規格。然而，今年在英特爾平台更廣泛支援PCIe介面SSD後 、3D NAND SSD技術成熟帶動的成本下降，以及SSD控制晶片廠陸續推 出更具性價比解決方案的帶動下，DRAMeXchange預期，2018年PCIeS SD滲透率有機會快速提升，可望挑戰50％水準。
此外，觀察3D SSD產品進度，今年第一季起SK海力士、威騰（WD） 與東芝陣營、美光、英特爾的64/72層SSD新產品已先後開始放量，預 估2018年Client SSD市場中，3D-TLC架構比重有機會突破70％水準。 未來值得注意的是，NAND Flash原廠目前正在開發單顆容量更大、成 本更具競爭力的3D-QLC Flash技術，預期最快於2018年下半年正式進 入量產階段。一旦此技術成熟後，SSD性價比將更上一層樓，取代HD D的速度將會加快。
集邦科技（TrendForce）發布調查統計，受智慧手機首季需求減緩影響，本季行動式記憶體漲幅收斂，估計產值成長也趨緩。台廠南亞科（2408）和華邦電市占仍小，估計不到5%，但南亞科20奈米製程效益本季持續發酵，預料在電競電腦和資料中心等領域將大有斬獲。
集邦旗下的儲存研究（DRAMeXchange）調查，去年第4季因智慧手機市場和北美資料中心需求強勁，主要記憶體供應商紛紛提高去年第4季行動式記憶體價格，平均約10%~15%，推升行動式記憶體產值攀升至80億美元，季增23.6%，再創歷史新高。
DRAMeXchange指出，去年年第4季行動式記憶體廠商營收以美光表現最突出，季增近六成；營收市占率方面，韓系兩大陣營三星及SK海力士合計市占率雖由前一季的85.6%下滑至82.5%，但仍大幅領先美系陣營。
至於台廠南亞科及華邦電去年第4季行動式記憶體營收表現，受限產品並非智慧手機主流搭載容量，表現平穩，兩者合併營收市占率低於5%。
集邦強調，本季行動式記憶體因全球智慧手機市場需求減緩，多數品牌廠調整生產計畫並延緩拉貨，連帶也讓本季行動式記憶體平均合約價漲幅較過去幾季收斂，估計漲幅約在3%，低於原預估的5%，預料本季行動式記憶體產值增幅也會同步收斂。
集邦表示，本季除行動式記憶體維持漲勢外，標準型DRAM本季漲幅也達5%，仍是本季漲幅較明顯的記憶體；另外，伺服器用DRAM在北美四大網路服務提供業者為首的資料中心拉貨動能需求仍強，本季價格漲幅也有3%~5%。
從DRAM產業整體產值來看，今年DRAM產業仍維持健康穩定，產值將達960億美元，還是比去年成長超過三成，DRAM相關供應商仍會繳出相當亮麗財報 。
集邦旗下的儲存研究（DRAMeXchange）調查，去年第4季因智慧手機市場和北美資料中心需求強勁，主要記憶體供應商紛紛提高去年第4季行動式記憶體價格，平均約10%~15%，推升行動式記憶體產值攀升至80億美元，季增23.6%，再創歷史新高。
DRAMeXchange指出，去年年第4季行動式記憶體廠商營收以美光表現最突出，季增近六成；營收市占率方面，韓系兩大陣營三星及SK海力士合計市占率雖由前一季的85.6%下滑至82.5%，但仍大幅領先美系陣營。
至於台廠南亞科及華邦電去年第4季行動式記憶體營收表現，受限產品並非智慧手機主流搭載容量，表現平穩，兩者合併營收市占率低於5%。
集邦強調，本季行動式記憶體因全球智慧手機市場需求減緩，多數品牌廠調整生產計畫並延緩拉貨，連帶也讓本季行動式記憶體平均合約價漲幅較過去幾季收斂，估計漲幅約在3%，低於原預估的5%，預料本季行動式記憶體產值增幅也會同步收斂。
集邦表示，本季除行動式記憶體維持漲勢外，標準型DRAM本季漲幅也達5%，仍是本季漲幅較明顯的記憶體；另外，伺服器用DRAM在北美四大網路服務提供業者為首的資料中心拉貨動能需求仍強，本季價格漲幅也有3%~5%。
從DRAM產業整體產值來看，今年DRAM產業仍維持健康穩定，產值將達960億美元，還是比去年成長超過三成，DRAM相關供應商仍會繳出相當亮麗財報 。
中國半導體及面板拚擴廠，上市設備廠盟立（2464）、帆宣、志聖、大量等營運暢旺，在手訂單能見度紛創新高紀錄。展望2018年因客戶持續擴廠，設備廠營收及獲利可望續創新高。
根據集邦科技最新研究報告指出，在半導體產業方面，高資本支出的晶圓廠建設專案備受業界關注，預估至2018年中國半導體市場產值將達人民幣1,767億元，年成長率為27.12％；面板則持續擴大在大尺寸及AMOLED等新廠建置，包括中國地區於未來三年（2018~2020年）將有六條10.5代線產能陸續開出，提供整體無塵室機電整合工程服務有龐大市場機會。
受惠於兩岸面板廠及半導體加碼投資，盟立訂單能見度達2020年。去年12月因年底入帳效應，單月合併營收站上13.86億元的歷史新高，月增15.5%，年增57.4%。第4季合併營收36.92億元，季增10.9%，年增55.9%。創下單月、單季及年度「三新高」的歷史紀錄。
盟立今年元月合併營收12.57億元，雖然月減9.3%，但年增48.7%，改寫元月單月業績的歷史新高紀錄。
同樣的情況也表現在帆宣、志聖及大量的業績上。帆宣元月營收17.76億元，月減13.5%，年增9%。志聖元月營收3.7億元，月減19.9%，年增21%。大量1月營收3.6億元，月增11.1%，年增73.7%。
帆宣近年來站穩高科技設備材料銷售、自動化供應系統、整合系統，以及客製化設備研發製造四大類市場領域。 其中，後起的客製化設備研發製造業務，業績逐年大幅成長，已成為占業績比重第一的項目。
間接搶進蘋果供應鏈的志聖，在蘋果新發表 iPhone 8 及即將上市的 iPhone X 新手機系列，均採用3D玻璃機殼以因應無線充電的需求。志聖開發出玻璃機殼的固化製程設備，去年完成交機，獲華碩及中國大陸 OPPO 供應鏈的採用，今年還有待交機的訂單。
對於今年的設備業市場景氣，志聖董事長梁茂生以「就是旺」來形容。他強調，設備業在「工業 4.0」自動化生產的浪頭上，市場景氣持續穩定向上衝，台中及廣州的生產線也塞爆。
大量表示，近二年客戶急單湧入，設備機台呈供不應求的熱況，原本45天的交期已經拉長到半年，2017營收大幅成長逾七成，展望2018也是好年，大量將在站穩PCB類機台市場後，積極跨足非PCB設備市場。
根據集邦科技最新研究報告指出，在半導體產業方面，高資本支出的晶圓廠建設專案備受業界關注，預估至2018年中國半導體市場產值將達人民幣1,767億元，年成長率為27.12％；面板則持續擴大在大尺寸及AMOLED等新廠建置，包括中國地區於未來三年（2018~2020年）將有六條10.5代線產能陸續開出，提供整體無塵室機電整合工程服務有龐大市場機會。
受惠於兩岸面板廠及半導體加碼投資，盟立訂單能見度達2020年。去年12月因年底入帳效應，單月合併營收站上13.86億元的歷史新高，月增15.5%，年增57.4%。第4季合併營收36.92億元，季增10.9%，年增55.9%。創下單月、單季及年度「三新高」的歷史紀錄。
盟立今年元月合併營收12.57億元，雖然月減9.3%，但年增48.7%，改寫元月單月業績的歷史新高紀錄。
同樣的情況也表現在帆宣、志聖及大量的業績上。帆宣元月營收17.76億元，月減13.5%，年增9%。志聖元月營收3.7億元，月減19.9%，年增21%。大量1月營收3.6億元，月增11.1%，年增73.7%。
帆宣近年來站穩高科技設備材料銷售、自動化供應系統、整合系統，以及客製化設備研發製造四大類市場領域。 其中，後起的客製化設備研發製造業務，業績逐年大幅成長，已成為占業績比重第一的項目。
間接搶進蘋果供應鏈的志聖，在蘋果新發表 iPhone 8 及即將上市的 iPhone X 新手機系列，均採用3D玻璃機殼以因應無線充電的需求。志聖開發出玻璃機殼的固化製程設備，去年完成交機，獲華碩及中國大陸 OPPO 供應鏈的採用，今年還有待交機的訂單。
對於今年的設備業市場景氣，志聖董事長梁茂生以「就是旺」來形容。他強調，設備業在「工業 4.0」自動化生產的浪頭上，市場景氣持續穩定向上衝，台中及廣州的生產線也塞爆。
大量表示，近二年客戶急單湧入，設備機台呈供不應求的熱況，原本45天的交期已經拉長到半年，2017營收大幅成長逾七成，展望2018也是好年，大量將在站穩PCB類機台市場後，積極跨足非PCB設備市場。
集邦科技昨（28）日發布報告表示，儲存型快閃記憶體（NAND Flash）隨主要供應商良率提升，去年第4季市場供需已趨平衡，因本季進入淡季，市場可能轉為小幅供過於求，價格面臨修正壓力。
這也是NAND Flash在連漲六季後，去年第4季在個人電腦應用端首季面臨價格下跌，本季則呈現全面性修正。
集邦科技旗下的記憶體儲存研究表示，去年第4季合約價僅嵌入式記憶體（eMMC）維持小幅上漲外，其他部分如伺服器/資料中心用的NAND Flash，合約價持平，甚至出現小跌走勢，整體NAND Flash市場趨於供需平衡。
集邦預估本季在淡季需求疲弱影響下，市場轉為小幅供過於求的狀態，供應商透過調降各產品合約價以刺激需求，預期各家NAND Flash廠的營收表現將受到衝擊，不過因64/72層的3D-NAND成本進一步優化，還是可維持獲利局面。
各大NAND Flasha供應商，以SK海力士表現最出色，去年第4位元出貨量季增16%。
這也是NAND Flash在連漲六季後，去年第4季在個人電腦應用端首季面臨價格下跌，本季則呈現全面性修正。
集邦科技旗下的記憶體儲存研究表示，去年第4季合約價僅嵌入式記憶體（eMMC）維持小幅上漲外，其他部分如伺服器/資料中心用的NAND Flash，合約價持平，甚至出現小跌走勢，整體NAND Flash市場趨於供需平衡。
集邦預估本季在淡季需求疲弱影響下，市場轉為小幅供過於求的狀態，供應商透過調降各產品合約價以刺激需求，預期各家NAND Flash廠的營收表現將受到衝擊，不過因64/72層的3D-NAND成本進一步優化，還是可維持獲利局面。
各大NAND Flasha供應商，以SK海力士表現最出色，去年第4位元出貨量季增16%。
根據集邦科技記憶體儲存研究DRAMexchange調查顯示，2017年第四季北美資料中心的需求持續強勁，即使DRAM原廠透過產品線調整，但仍無法有效紓解伺服器DRAM市場供給吃緊的狀況。伺服器DRAM受惠平均價格上漲，三大DRAM原廠三星、SK海力士、美光的伺服器DRAM營收均出現明顯成長動能。
集邦統計指出，去年第四季伺服器DRAM市場規格來到63.21億美元，較第三季成長13.9％，並創下新高紀錄。DRAMeXchange資深分析師劉家豪指出，進入2018年第一季在伺服器出貨動能不減的情況下，整體伺服器DRAM供不應求的市況依然持續，而伺服器DRAM模組的報價將會維持在高點。
受惠資料中心建案與高容量DRAM模組需求，2017年第四季三星伺服器DRAM營收表現格外亮眼，不僅位元出貨量較第三季度成長8％外，平均售價也往上調漲，營收較第三季上揚14.5％並來到29.19億美元，占整體市場約46.2％。三星現階段仍然會持續針對各家OEM/ODM廠調整供貨達成率，以期望滿足主要客戶需求進而提高獲利水平。
SK海力士同樣受惠於北美資料中心的強勁需求，對伺服器DRAM產品配置上更為積極，第四季整體伺服器DRAM產出比重已超過30％。其次，因新平台轉換而帶動高容量模組的需求，也讓SK海力士第四季營收較第三季大幅成長10.9％至19.88億美元，營業利益率也較第三季改善。2018年因伺服器DRAM需求將維持在高點，SK海力士將會逐季提高伺服器DRAM產出的比重，並且著重在新製程18奈米產品的轉進與滲透率的提升。
美光集團除了受到伺服器DRAM價格持續上漲以及製程微縮所帶來的成本效益，第四季伺服器DRAM位元出貨量較前一季成長外，平均銷售單價也有明顯地躍升，其伺服器DRAM產品營收成長17.2％，達到14.14億美元，市占來到22.4％水準。以產品面來看，美光在伺服器DRAM的比重仍然維持在近3成水位，現階段獲利的持續增長完全有賴於DRAM平均銷售單價的提升。
由於人工智慧及雲端運算需求強勁，資料中心建置動能持續成長，而英特爾推出的Purley平台已經開始放量出貨，超微EPYC處理器平台亦受到OEM大廠青睞及採用。由於新平台搭載的伺服器DRAM容量大幅提升，所以業界對今年伺服器DRAM需求看法樂觀，在供不應求情況下，價格可望維持逐季調漲動能。
集邦統計指出，去年第四季伺服器DRAM市場規格來到63.21億美元，較第三季成長13.9％，並創下新高紀錄。DRAMeXchange資深分析師劉家豪指出，進入2018年第一季在伺服器出貨動能不減的情況下，整體伺服器DRAM供不應求的市況依然持續，而伺服器DRAM模組的報價將會維持在高點。
受惠資料中心建案與高容量DRAM模組需求，2017年第四季三星伺服器DRAM營收表現格外亮眼，不僅位元出貨量較第三季度成長8％外，平均售價也往上調漲，營收較第三季上揚14.5％並來到29.19億美元，占整體市場約46.2％。三星現階段仍然會持續針對各家OEM/ODM廠調整供貨達成率，以期望滿足主要客戶需求進而提高獲利水平。
SK海力士同樣受惠於北美資料中心的強勁需求，對伺服器DRAM產品配置上更為積極，第四季整體伺服器DRAM產出比重已超過30％。其次，因新平台轉換而帶動高容量模組的需求，也讓SK海力士第四季營收較第三季大幅成長10.9％至19.88億美元，營業利益率也較第三季改善。2018年因伺服器DRAM需求將維持在高點，SK海力士將會逐季提高伺服器DRAM產出的比重，並且著重在新製程18奈米產品的轉進與滲透率的提升。
美光集團除了受到伺服器DRAM價格持續上漲以及製程微縮所帶來的成本效益，第四季伺服器DRAM位元出貨量較前一季成長外，平均銷售單價也有明顯地躍升，其伺服器DRAM產品營收成長17.2％，達到14.14億美元，市占來到22.4％水準。以產品面來看，美光在伺服器DRAM的比重仍然維持在近3成水位，現階段獲利的持續增長完全有賴於DRAM平均銷售單價的提升。
由於人工智慧及雲端運算需求強勁，資料中心建置動能持續成長，而英特爾推出的Purley平台已經開始放量出貨，超微EPYC處理器平台亦受到OEM大廠青睞及採用。由於新平台搭載的伺服器DRAM容量大幅提升，所以業界對今年伺服器DRAM需求看法樂觀，在供不應求情況下，價格可望維持逐季調漲動能。
集邦科技（TrendForce）記憶體儲存研究（DRAMeXchange）指出， DRAM與NAND Flash等記憶體產品，目前都處於第一季各產品別的議價 時刻，但由於去（2017）年底中國大陸發改委員會出於對三星在記憶 體價格持續調漲感到不滿，因而約談該公司的變數下，可能將對記憶 體價格走勢帶來變數，預期行動式記憶體漲幅將較為收斂。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷指出，從每單位容量來看，2017年D RAM價格上漲超過四成，同期NAND的價格上漲幅度也逼近四成水位。 該事件的起因正為中國智慧型手機業者商無法承受記憶體持續漲價， 因此向中國發改委投訴，希望能夠抑制後續以三星為首的記憶體廠商 價格漲勢，並且清查其是否有壟斷的疑慮。
展望今年上半年，因原廠對產能計畫趨於保守，實質新產能開出將 落於下半年，導致上半年供給仍然受限，整體市場仍然吃緊；雖然市 場傳出中國發改委介入價格制定的消息，但對於價格漲幅並不會有太 大的影響，不過自去年第三季度起，隨著北美資料中心建案而供貨吃 緊進而帶動漲幅，整體備貨動能超出預期，因此預期在今年上半年伺 服器記憶體價格仍然會延續漲價的走勢。
TrendForce認為，因為中國發改委的介入，對今年第一季行動式記 憶體價格恐怕造成實質的負面影響。在中國智慧型手機出貨疲弱的大 環境影響下，雖然整體DRAM仍呈現供貨吃緊的狀態，但以三星為首、 率先調整對中國智慧型手機廠商的報價，行動式記憶體的漲幅已較先 前收斂，從原先的5％的季成長縮小為約3％。
由於中國在近年內已成為記憶體產出的最大出海口，不管是內陸或 是外銷，透過中國所購買的記憶體比重持續增加，因此官方的介入恐 怕對價格產生實際的變化。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷指出，從每單位容量來看，2017年D RAM價格上漲超過四成，同期NAND的價格上漲幅度也逼近四成水位。 該事件的起因正為中國智慧型手機業者商無法承受記憶體持續漲價， 因此向中國發改委投訴，希望能夠抑制後續以三星為首的記憶體廠商 價格漲勢，並且清查其是否有壟斷的疑慮。
展望今年上半年，因原廠對產能計畫趨於保守，實質新產能開出將 落於下半年，導致上半年供給仍然受限，整體市場仍然吃緊；雖然市 場傳出中國發改委介入價格制定的消息，但對於價格漲幅並不會有太 大的影響，不過自去年第三季度起，隨著北美資料中心建案而供貨吃 緊進而帶動漲幅，整體備貨動能超出預期，因此預期在今年上半年伺 服器記憶體價格仍然會延續漲價的走勢。
TrendForce認為，因為中國發改委的介入，對今年第一季行動式記 憶體價格恐怕造成實質的負面影響。在中國智慧型手機出貨疲弱的大 環境影響下，雖然整體DRAM仍呈現供貨吃緊的狀態，但以三星為首、 率先調整對中國智慧型手機廠商的報價，行動式記憶體的漲幅已較先 前收斂，從原先的5％的季成長縮小為約3％。
由於中國在近年內已成為記憶體產出的最大出海口，不管是內陸或 是外銷，透過中國所購買的記憶體比重持續增加，因此官方的介入恐 怕對價格產生實際的變化。
中國半導體發展風起雲湧，在市場、國安等考量下，記憶體成為中 國重點發展項目。根據市場研究機構集邦科技最新報告指出，隨著中 國挾帶著龐大的資金與地方政府的資源進軍半導體中的記憶體領域， 包含晉華電子、合肥長鑫、紫光集團在內的三大陣營已成形，利基型 DRAM及NAND Flash是布局重點。
集邦表示，紫光透過併購或爭取技術母廠授權的策略多失敗收場， 但中國大陸積極吸收專業人才，無論是台灣地區的建廠人才，或是日 韓的技術人才等，皆為大陸半導體廠的目標，並且從技術授權轉為自 主研發，處處可見大陸進軍記憶體的強烈決心。
大陸DRAM產業目前已有晉華電子、合肥長鑫等兩大陣營。晉華電子 專注利基型DRAM的開發，主攻消費型電子市場，技術合作夥伴是聯電 ，希望憑藉著大陸本有的龐大內需市場壯大自身產能，甚至在補貼政 策下，預估最快2018年底可能將擾亂國際大廠在中國市場的銷售策略 ，並且有機會取得技術矽智財（IP）走向國際市場。
相較於晉華電子避開國際大廠的主力產品，合肥長鑫直搗國際大廠 最核心的行動式DRAM產品。行動式DRAM已是記憶體類別中占比最高的 產品，其省電技術要求極高，開發難度相當高。然而，中國品牌手機 出貨已占全球逾4成，倘若LPDDR4能順利量產並配合補貼政策，大陸 官方進口取代的策略即可完成部分階段性任務。
觀察大陸在NAND Flash領域的發展，以紫光集團旗下的長江存儲為 最快成軍的開發廠商，初期也將以大陸內需市場的布局為主。由於長 江存儲開發早期技術力不足，難以與一線大廠相抗衡，預估其初期產 品會以卡碟類為大宗。隨著長江存儲技術發展來到64/96層才有機會 進軍固態硬碟（SSD）市場，但此市場技術競爭相當激烈，沒有中國 政府的支持，短期會難以在成本上取得優勢，利用中國內需市場壯大 自己將是紫光集團未來可行的策略。
而武漢新芯隨著長江存儲的成立後，將專注於NOR Flash的開發， 雖然長江存儲的NAND Flash試產線暫放在武漢新芯，但隨著長江存儲 於武漢未來城基地建構完成後，未來也將各自獨立。
集邦指出，以目前現況來看，中國發展記憶體的策略能否成功，未 來的3∼5年將是極其重要的關鍵期，特別是強化矽智財的布局，中國 政府以及廠商未來必須憑藉內需市場、優秀的開發能力，以及具國際 水準的產能，取得與國際廠商最有利的談判籌碼，才有機會立足全球 並占有一席之地。
集邦表示，紫光透過併購或爭取技術母廠授權的策略多失敗收場， 但中國大陸積極吸收專業人才，無論是台灣地區的建廠人才，或是日 韓的技術人才等，皆為大陸半導體廠的目標，並且從技術授權轉為自 主研發，處處可見大陸進軍記憶體的強烈決心。
大陸DRAM產業目前已有晉華電子、合肥長鑫等兩大陣營。晉華電子 專注利基型DRAM的開發，主攻消費型電子市場，技術合作夥伴是聯電 ，希望憑藉著大陸本有的龐大內需市場壯大自身產能，甚至在補貼政 策下，預估最快2018年底可能將擾亂國際大廠在中國市場的銷售策略 ，並且有機會取得技術矽智財（IP）走向國際市場。
相較於晉華電子避開國際大廠的主力產品，合肥長鑫直搗國際大廠 最核心的行動式DRAM產品。行動式DRAM已是記憶體類別中占比最高的 產品，其省電技術要求極高，開發難度相當高。然而，中國品牌手機 出貨已占全球逾4成，倘若LPDDR4能順利量產並配合補貼政策，大陸 官方進口取代的策略即可完成部分階段性任務。
觀察大陸在NAND Flash領域的發展，以紫光集團旗下的長江存儲為 最快成軍的開發廠商，初期也將以大陸內需市場的布局為主。由於長 江存儲開發早期技術力不足，難以與一線大廠相抗衡，預估其初期產 品會以卡碟類為大宗。隨著長江存儲技術發展來到64/96層才有機會 進軍固態硬碟（SSD）市場，但此市場技術競爭相當激烈，沒有中國 政府的支持，短期會難以在成本上取得優勢，利用中國內需市場壯大 自己將是紫光集團未來可行的策略。
而武漢新芯隨著長江存儲的成立後，將專注於NOR Flash的開發， 雖然長江存儲的NAND Flash試產線暫放在武漢新芯，但隨著長江存儲 於武漢未來城基地建構完成後，未來也將各自獨立。
集邦指出，以目前現況來看，中國發展記憶體的策略能否成功，未 來的3∼5年將是極其重要的關鍵期，特別是強化矽智財的布局，中國 政府以及廠商未來必須憑藉內需市場、優秀的開發能力，以及具國際 水準的產能，取得與國際廠商最有利的談判籌碼，才有機會立足全球 並占有一席之地。
集邦科技（TrendForce）昨（21）日發布最新「中國半導體產業深度分析」報告，大陸挾龐大資金與地方政府資源搶進記憶體，讓晉華電子、合肥睿力與紫光集團的三大記憶體陣營已成形，南亞科（2408）、威剛等DRAM業者認為，DRAM學習曲線長，短期還不會對市場構成威脅。
集邦指出，大陸發展記憶體產業，儘管紫光集團與美光洽談技術合作無疾而終，但積極吸收台灣、日本、美國等地人才，展現進軍記憶體的強烈決心。
集邦強調，大陸發展記憶體的策略已逐步收斂，除最早布局的紫光集團，包括福建晉華、合肥睿力等，形成三大陣營。
其中晉華專注利基型記憶體的開發，主攻消費型電子市場，有望憑藉著大陸龐大內需市場以壯大自身產能，預估最快2018年底問鼎大陸市場，並藉由取得技術矽智財（IP）走向國際市場。
集邦指出，大陸發展記憶體產業，儘管紫光集團與美光洽談技術合作無疾而終，但積極吸收台灣、日本、美國等地人才，展現進軍記憶體的強烈決心。
集邦強調，大陸發展記憶體的策略已逐步收斂，除最早布局的紫光集團，包括福建晉華、合肥睿力等，形成三大陣營。
其中晉華專注利基型記憶體的開發，主攻消費型電子市場，有望憑藉著大陸龐大內需市場以壯大自身產能，預估最快2018年底問鼎大陸市場，並藉由取得技術矽智財（IP）走向國際市場。
中國大陸LED晶片龍頭廠三安光電和華燦光電近日陸續調降部分晶片價格，持續長達一年半的LED晶片漲價周期正式結束。集邦認為，本波LED晶片供不應求已反轉，預計明年將恢復供需平衡。
TrendForceLED研究（LEDinside）認為，明年LED晶片市場將恢復供需平衡，但隨著LED晶片大廠新產能持續投放，未來兩年不排除再出現供過於求情形。
LED晶片價格已持續一年半居高不下，經過本波調整，價格有望進入穩定或小幅調整的平台期。
若以2吋磊晶片產能計算，三安、華燦、澳洋順昌分別淨增加130萬片、100萬片與83萬片，是大陸前三大LED晶片廠。
隨著2017年底新增產能逐漸開出，LED晶片市場供需逐漸恢復平衡，三安、華燦等業者決定，近期針對競爭較激烈的照明和顯示用晶片調整價格。
LEDinside首席分析師王飛表示，2015年大陸LED晶片價格大跌，加速全球LED晶片訂單向大陸轉移，也使大陸廠商2016年訂單劇增，紛紛擴大資本支出來因應。
與全球其他區域廠商逐漸減少投資，甚至退出LED產業相比。大陸廠商對LED產業的投入仍然積極。2017年主要的MOCVD設備擴產即來自大陸廠商三安光電、華燦光電及澳洋順昌。
TrendForceLED研究（LEDinside）認為，明年LED晶片市場將恢復供需平衡，但隨著LED晶片大廠新產能持續投放，未來兩年不排除再出現供過於求情形。
LED晶片價格已持續一年半居高不下，經過本波調整，價格有望進入穩定或小幅調整的平台期。
若以2吋磊晶片產能計算，三安、華燦、澳洋順昌分別淨增加130萬片、100萬片與83萬片，是大陸前三大LED晶片廠。
隨著2017年底新增產能逐漸開出，LED晶片市場供需逐漸恢復平衡，三安、華燦等業者決定，近期針對競爭較激烈的照明和顯示用晶片調整價格。
LEDinside首席分析師王飛表示，2015年大陸LED晶片價格大跌，加速全球LED晶片訂單向大陸轉移，也使大陸廠商2016年訂單劇增，紛紛擴大資本支出來因應。
與全球其他區域廠商逐漸減少投資，甚至退出LED產業相比。大陸廠商對LED產業的投入仍然積極。2017年主要的MOCVD設備擴產即來自大陸廠商三安光電、華燦光電及澳洋順昌。
受惠於人工智慧及雲端運算對高效能運算的強勁需求，2018年伺服器出貨量可望創下新高，也帶動伺服器DRAM強勁需求，但以目前三大DRAM廠產能布建情況來看，主流的伺服器DDR4明年將缺貨一整年，32GB DDR4模組價格可望漲逾300美元，南亞科（2408）直接受惠，明年上半年20奈米DDR4產能已全賣光。
DRAM價格今年漲了一整年，但2018年看來仍是DRAM市場大好年。在供給端來看，包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠明年的投資仍集中在1x/1y奈米的製程微縮，舊有廠內擠出空間新增的產能，只是用來填補製程升級後的產能自然減損。
但由需求面來看，雖然PC市場出貨量近幾年緩步下滑，但智慧型手機出貨量仍年年創下新高，而且三星明年推出的Galaxy S9將搭載6GB LPDDR4，將帶動智慧型手機行動式DRAM需求大幅成長。再者，人工智慧及雲端運算帶動伺服器出貨，亦導致伺服器DRAM持續吃緊，明年恐缺貨一整年，價格則將維持逐季上漲趨勢。
集邦科技表示，平均一座資料中心可容納約8,000至15,000個伺服器機架，而每個機架可搭載4台以上不同尺寸的伺服器，據估算將會消耗約1,000∼2,000萬GB的伺服器DRAM，約折合31∼62萬條32GB模組。
集邦表示，驅動伺服器DRAM需求動能的要素，除了英特爾與超微新伺服器平台轉換推波助瀾外，還有來自北美網路服務業者如Google、Amazon Web Service、Facebook、Microsoft Azure在新資料中心建案上的需求。伺服器DRAM明年的成長率持續居於各種DRAM規格之首且上看28.6％。
由於記憶體供給吃緊態勢尚未改變，2017年整體伺服器DRAM合約價將上揚近4成，明年第一季伺服器DRAM合約價將再漲5∼8％。在主流模組報價方面，一線廠32GB DDR4伺服器模組將來至300美元大關，二線廠更會高於此價格水位，使得明年第一季度價格將會維持在相對高點。
伺服器DRAM缺貨且價格看漲，南亞科第四季採用20奈米投產8Gb DDR4並陸續獲得客認證，明年將重返伺服器DRAM市場，除供貨給戴爾、惠與（HPE）、聯想、浪潮等伺服器大廠，也獲廣達、緯創等ODM廠下單，明年上半年伺服器DDR4產能已全數賣光。
DRAM價格今年漲了一整年，但2018年看來仍是DRAM市場大好年。在供給端來看，包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠明年的投資仍集中在1x/1y奈米的製程微縮，舊有廠內擠出空間新增的產能，只是用來填補製程升級後的產能自然減損。
但由需求面來看，雖然PC市場出貨量近幾年緩步下滑，但智慧型手機出貨量仍年年創下新高，而且三星明年推出的Galaxy S9將搭載6GB LPDDR4，將帶動智慧型手機行動式DRAM需求大幅成長。再者，人工智慧及雲端運算帶動伺服器出貨，亦導致伺服器DRAM持續吃緊，明年恐缺貨一整年，價格則將維持逐季上漲趨勢。
集邦科技表示，平均一座資料中心可容納約8,000至15,000個伺服器機架，而每個機架可搭載4台以上不同尺寸的伺服器，據估算將會消耗約1,000∼2,000萬GB的伺服器DRAM，約折合31∼62萬條32GB模組。
集邦表示，驅動伺服器DRAM需求動能的要素，除了英特爾與超微新伺服器平台轉換推波助瀾外，還有來自北美網路服務業者如Google、Amazon Web Service、Facebook、Microsoft Azure在新資料中心建案上的需求。伺服器DRAM明年的成長率持續居於各種DRAM規格之首且上看28.6％。
由於記憶體供給吃緊態勢尚未改變，2017年整體伺服器DRAM合約價將上揚近4成，明年第一季伺服器DRAM合約價將再漲5∼8％。在主流模組報價方面，一線廠32GB DDR4伺服器模組將來至300美元大關，二線廠更會高於此價格水位，使得明年第一季度價格將會維持在相對高點。
伺服器DRAM缺貨且價格看漲，南亞科第四季採用20奈米投產8Gb DDR4並陸續獲得客認證，明年將重返伺服器DRAM市場，除供貨給戴爾、惠與（HPE）、聯想、浪潮等伺服器大廠，也獲廣達、緯創等ODM廠下單，明年上半年伺服器DDR4產能已全數賣光。
集邦（TrendForce）昨（14）日出具報告，預估明年全球伺服器出貨量將成長5.5%，因英特爾和超微新服器平搭載記憶體容量大增， 連帶讓明年伺服器用的記憶體，尤其是伺服器用DRAM，將居大記憶體產器成長之首。
記憶體業者表示，在伺服器記憶體價格仍可在高檔支撐，也讓明年記憶體廠，尤其是DRAM產品，仍可維持穩健獲利的局面，台廠中的南亞科、華邦電和記憶體模組廠創見、威剛等，也可望持續繳出亮眼成績。
集邦旗下的記憶體儲存研究（DRAMeXchange）昨天出具報告指出，受到產業轉型、智慧型終端裝置普及率增加，特別是需要龐大資料進行運算與訓練的服務，甚至是虛擬化平台以及雲端儲存的帶動，對伺服器需求與日俱增。其中，資料中心的伺服器需求將成為整體伺服器市場出貨成長的關鍵，預估明年全球伺服器出貨量將成長5.5%。
主要供貨廠商仍集中在三大伺服器品牌惠普（HPE）、戴爾（Dell）與聯想（Lenovo），三大廠今年市占率分別為18%、17%與7%；2018年三大廠仍將維持在伺服器市場優勢，出貨市占率將達17%、16%、7%。
DRAMeXchange統計，伺服器搭載的容量提升驅動記憶體使用量，平均一座資料中心可容納約8,000至1萬5,000個伺服器機架，一個機架可搭載四台以上不同尺寸的伺服器，估算將消耗約10Mn GB至20Mn GB的伺服器用記憶體。預估在2020年前，全球七大網路資料中心仍有逾十座建案正在進行。
記憶體業者表示，在伺服器記憶體價格仍可在高檔支撐，也讓明年記憶體廠，尤其是DRAM產品，仍可維持穩健獲利的局面，台廠中的南亞科、華邦電和記憶體模組廠創見、威剛等，也可望持續繳出亮眼成績。
集邦旗下的記憶體儲存研究（DRAMeXchange）昨天出具報告指出，受到產業轉型、智慧型終端裝置普及率增加，特別是需要龐大資料進行運算與訓練的服務，甚至是虛擬化平台以及雲端儲存的帶動，對伺服器需求與日俱增。其中，資料中心的伺服器需求將成為整體伺服器市場出貨成長的關鍵，預估明年全球伺服器出貨量將成長5.5%。
主要供貨廠商仍集中在三大伺服器品牌惠普（HPE）、戴爾（Dell）與聯想（Lenovo），三大廠今年市占率分別為18%、17%與7%；2018年三大廠仍將維持在伺服器市場優勢，出貨市占率將達17%、16%、7%。
DRAMeXchange統計，伺服器搭載的容量提升驅動記憶體使用量，平均一座資料中心可容納約8,000至1萬5,000個伺服器機架，一個機架可搭載四台以上不同尺寸的伺服器，估算將消耗約10Mn GB至20Mn GB的伺服器用記憶體。預估在2020年前，全球七大網路資料中心仍有逾十座建案正在進行。
研調機構集邦科技記憶體儲存研究（DRAMeXchange）指出，消費性市場即將步入淡季，NANDFlash可能將結束強漲態勢，價格有走跌可能性。不過也將促使OEM廠開始加快導入高技術規格的SSD，明年下半年重迎旺季。
DRAMeXchange最新研究指出，2018年第一季在需求端面臨到傳統淡季的衝擊，預計智慧型手機、平板電腦裝置量需求將較2017年第四季下跌逾15％，而伺服器需求相對持平，整體位元需求量較2017年第四季呈現0∼5％下跌。
另一方面，NANDFlash供應商仍持續提升3DNANDFlash的產能及良率，位元產出成長亦較第四季高於5％，預期NANDFlash市場將進入供過於求態勢，2018年第一季固態硬碟、NANDFlash顆粒及記憶體晶圓（wafer）等合約價皆將翻轉走跌。
第四季在伺服器需求稍踩剎車的影響下，僅剩蘋果的需求動能較為顯著，而東芝晶圓報廢一事亦不如外傳嚴重，加上3DNAND的擴產腳步未停，致使市場更趨向供需平衡狀態，整體合約價以持平或小漲開出。
事實上，今年第四季三星、東芝、SK海力士及美光等四大記憶體原廠，都已經陸續將64層、72層堆疊的3DNANDFlash產能開給客戶，讓第四季3DNAND產能加速開出，另一大主要原因則維旺季拉貨潮結束，讓通路商開始清理庫存，讓NAND價格開始出現修正。
觀察NANDFlash價格，其中TLCNAND的120GBSSD現貨價，在今年10月仍高達40美元，但是本周已經已跌到34美元，至於240GB的SSD，從今年10月的70美元，價格已經跌至64美元，業界甚至認為明年第一季仍有走跌可能性。
DRAMeXchange指出，隨著NANDFlash市場2018年第一季重新進入供過於求市況，並使得終端產品調整降價後，各大OEM廠採用較新技術的產品如UFS、PCIe介面SSD的意願將隨之提升，並將加速提升產品搭載容量，因此在2018下半年，隨著傳統旺季到來，NANDFlash有機會轉為供給緊縮的市況，上下半年將呈現不同的市場走勢。
DRAMeXchange最新研究指出，2018年第一季在需求端面臨到傳統淡季的衝擊，預計智慧型手機、平板電腦裝置量需求將較2017年第四季下跌逾15％，而伺服器需求相對持平，整體位元需求量較2017年第四季呈現0∼5％下跌。
另一方面，NANDFlash供應商仍持續提升3DNANDFlash的產能及良率，位元產出成長亦較第四季高於5％，預期NANDFlash市場將進入供過於求態勢，2018年第一季固態硬碟、NANDFlash顆粒及記憶體晶圓（wafer）等合約價皆將翻轉走跌。
第四季在伺服器需求稍踩剎車的影響下，僅剩蘋果的需求動能較為顯著，而東芝晶圓報廢一事亦不如外傳嚴重，加上3DNAND的擴產腳步未停，致使市場更趨向供需平衡狀態，整體合約價以持平或小漲開出。
事實上，今年第四季三星、東芝、SK海力士及美光等四大記憶體原廠，都已經陸續將64層、72層堆疊的3DNANDFlash產能開給客戶，讓第四季3DNAND產能加速開出，另一大主要原因則維旺季拉貨潮結束，讓通路商開始清理庫存，讓NAND價格開始出現修正。
觀察NANDFlash價格，其中TLCNAND的120GBSSD現貨價，在今年10月仍高達40美元，但是本周已經已跌到34美元，至於240GB的SSD，從今年10月的70美元，價格已經跌至64美元，業界甚至認為明年第一季仍有走跌可能性。
DRAMeXchange指出，隨著NANDFlash市場2018年第一季重新進入供過於求市況，並使得終端產品調整降價後，各大OEM廠採用較新技術的產品如UFS、PCIe介面SSD的意願將隨之提升，並將加速提升產品搭載容量，因此在2018下半年，隨著傳統旺季到來，NANDFlash有機會轉為供給緊縮的市況，上下半年將呈現不同的市場走勢。
集邦科技記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查顯示，第三季智慧 型手機市場逐漸復甦，開始進入旺季備料階段，對行動式DRAM需求增 加，帶動價格上揚走勢，市場總產值季增4.3％達64.78億美元。展望 第四季，受到行動式DRAM平均漲幅約10∼15％帶動，預估總營收成長 幅度將有機會超越第三季。
整體而言，第三季行動式DRAM市場以縮小區域別的價格差異與微調 高容量規格報價為主軸，報價平均漲幅落在5％以內，營收較第二季 成長4.3％。單就三大DRAM廠表現而言，以SK海力士表現最為亮眼， 營收季增30.7％。
從行動式DRAM的營收市占率來看，韓系業者三星及SK海力士仍是當 前寡占記憶體市場中的最大贏家，第三季市占合計達85.6％；其次為 美光集團，第三季營收市占約12.4％。
以各別廠商表現而言，三星率先開啟10奈米世代行動式DRAM量產， 並在今年專注於全產品線的製程轉進。受惠Android陣營旗艦機及蘋 果新機發表的帶動，第三季行動式DRAM的18奈米滲透率大舉提高，預 估全年占比將有接近50％的表現。透過製程的不斷精進所帶來的成本 效益以及價格持續上揚，三星集團在第三季整體營收表現上再創歷史 新高，但行動式DRAM的營收表現受到伺服器DRAM強勁需求的產能排擠 影響，較第二季呈現1.0％的微幅下滑，但仍可視為持平表現。
SK海力士在第三季行動式DRAM營收表現最佳，受惠於平均報價漲幅 高於三星及美光，加上旺季需求旺盛等利多加持，激勵營收表現繳出 30.7％的季增率。預估第四季行動式DRAM營收在價格持續上漲的帶動 下，表現將優於第三季，唯目前SK海力士在高容量eMCP供給上缺貨嚴 重，可能影響營收成長的幅度。
美光集團行動式DRAM受到先前華亞廠氣體汙染事件影響，第三季的 營收產值相較第二季衰退達13.0％，而以美光集團內部的營收比重來 看，行動式DRAM也從第二季的26％下降至20％。展望第四季，美光在 行動式DRAM報價漲幅居業界之冠，預期將逆轉第三季營收產值衰退的 劣勢。
在台灣業者表現上，同樣受惠於整體市場價格上揚的帶動，帶動南 亞科和華邦電在第三季的營收產值各別有8.6％及12.8％的成長表現 。以南亞科來說，2017年開始有新製程20奈米加入，且良率和占比都 將在下半年逐步提高，但目前主要用於生產利基型及伺服器DRAM，行 動式DRAM預期明年才會導入20奈米。華邦電行動式DRAM部份因後續製 程轉進狀況不明朗，目前仍靠價格上揚帶動獲利的增長。
整體而言，第三季行動式DRAM市場以縮小區域別的價格差異與微調 高容量規格報價為主軸，報價平均漲幅落在5％以內，營收較第二季 成長4.3％。單就三大DRAM廠表現而言，以SK海力士表現最為亮眼， 營收季增30.7％。
從行動式DRAM的營收市占率來看，韓系業者三星及SK海力士仍是當 前寡占記憶體市場中的最大贏家，第三季市占合計達85.6％；其次為 美光集團，第三季營收市占約12.4％。
以各別廠商表現而言，三星率先開啟10奈米世代行動式DRAM量產， 並在今年專注於全產品線的製程轉進。受惠Android陣營旗艦機及蘋 果新機發表的帶動，第三季行動式DRAM的18奈米滲透率大舉提高，預 估全年占比將有接近50％的表現。透過製程的不斷精進所帶來的成本 效益以及價格持續上揚，三星集團在第三季整體營收表現上再創歷史 新高，但行動式DRAM的營收表現受到伺服器DRAM強勁需求的產能排擠 影響，較第二季呈現1.0％的微幅下滑，但仍可視為持平表現。
SK海力士在第三季行動式DRAM營收表現最佳，受惠於平均報價漲幅 高於三星及美光，加上旺季需求旺盛等利多加持，激勵營收表現繳出 30.7％的季增率。預估第四季行動式DRAM營收在價格持續上漲的帶動 下，表現將優於第三季，唯目前SK海力士在高容量eMCP供給上缺貨嚴 重，可能影響營收成長的幅度。
美光集團行動式DRAM受到先前華亞廠氣體汙染事件影響，第三季的 營收產值相較第二季衰退達13.0％，而以美光集團內部的營收比重來 看，行動式DRAM也從第二季的26％下降至20％。展望第四季，美光在 行動式DRAM報價漲幅居業界之冠，預期將逆轉第三季營收產值衰退的 劣勢。
在台灣業者表現上，同樣受惠於整體市場價格上揚的帶動，帶動南 亞科和華邦電在第三季的營收產值各別有8.6％及12.8％的成長表現 。以南亞科來說，2017年開始有新製程20奈米加入，且良率和占比都 將在下半年逐步提高，但目前主要用於生產利基型及伺服器DRAM，行 動式DRAM預期明年才會導入20奈米。華邦電行動式DRAM部份因後續製 程轉進狀況不明朗，目前仍靠價格上揚帶動獲利的增長。
受惠於智慧手機傳統旺季，行動式DRAM及NOR Flash出貨暢旺，晶 豪科（3006）9月營收9.77億元，月增32％，年增21％，前9月營收年 增也有17％；在多個利基助揚下，市場看好第4季營運會比第3季有更 出色的表現。
由於三大DRAM廠明年不會有大幅擴廠計畫，在產能增加有限下，預 估明年DRAM各項應用別產能仍全面趨緊。
市調機構集邦科技記憶體儲存研究（DRAMMeXchange）指出，第4季 價格估漲10∼15％，為DRAM各規格產品漲幅之冠，預期將帶動記憶體 多晶片模組MCP價格同步上漲，終結今年初來行動式DRAM價格低於標 準型DRAM的情況，帶動晶豪科獲利看好。
晶豪科另一利多，在於大陸京東方等面板廠開始量產OLED面板，將 帶動NOR Flash需求提升；京東方10月將開始量產並供貨華為，晶豪 科可望成為大陸OLED面板主要NOR Flash供應，武漢新芯、華虹NEC、 力晶等晶圓代工廠的產能奧援下，成為下半年唯一可大量供貨的業者 ，也拿下大陸手機大廠訂單，市佔率有一定的利基。
由於三大DRAM廠明年不會有大幅擴廠計畫，在產能增加有限下，預 估明年DRAM各項應用別產能仍全面趨緊。
市調機構集邦科技記憶體儲存研究（DRAMMeXchange）指出，第4季 價格估漲10∼15％，為DRAM各規格產品漲幅之冠，預期將帶動記憶體 多晶片模組MCP價格同步上漲，終結今年初來行動式DRAM價格低於標 準型DRAM的情況，帶動晶豪科獲利看好。
晶豪科另一利多，在於大陸京東方等面板廠開始量產OLED面板，將 帶動NOR Flash需求提升；京東方10月將開始量產並供貨華為，晶豪 科可望成為大陸OLED面板主要NOR Flash供應，武漢新芯、華虹NEC、 力晶等晶圓代工廠的產能奧援下，成為下半年唯一可大量供貨的業者 ，也拿下大陸手機大廠訂單，市佔率有一定的利基。
根據集邦科技旗下拓墣產業研究院最新統計，全球前10大IC設計業 者今年第三季營收排名與第二季排名一致，前三名依次為博通（Bro adcom）、高通（Qualcomm）、輝達（NVIDIA）。其中，聯發科第三 季營收與毛利率表現雖趨近財測高標，但相較2016年同期營收仍下滑 18.8％，是前10大IC設計公司中唯一連續兩季衰退幅度達二位數的業 者。
拓墣產業研究院分析師姚嘉洋指出，儘管聯發科推出Helio P23與 Helio P30產品因應中高階智慧型手機市場需求，然而，在高通的中 高階產品線皆導入14奈米製程，再加上客製化的Kryo處理器核心先後 導入Snapdragon 636與Snapdragon 660的情況下，不論是在價格與規 格都有相當的競爭力，導致高通與聯發科第三季營收呈現消長狀況， 聯發科在智慧型手機晶片出貨量的下滑，也造成其營收連續2個季度 都有二位數的衰退幅度。
輝達第三季的營收延續第二季成長氣勢，營收成長率同樣排名第一 ，主要成長引擎來自遊戲領域與資料中心。輝達遊戲領域從第二季1 1.33億美元，第三季成長至14.36億美元，年成長31.8％，季度成長 26.7％。資料中心第三季營收為4.72億美元，較第二季的4.13億美元 成長14.3％，較去年同期成長高達124.7％。
超微第三季表現同樣不俗，在新一代的Ryzen處理器與Vega繪圖晶 片陸續出貨的帶動下，使得產品的平均售價提升，市場的反應也相當 良好，第三季營收與淨利創下自2014年以來的單季新高，淨利為710 0萬美元，相較於2016年全年度淨虧損達4.97億美元，超微今年可望 逐漸擺脫虧損陰霾。
至於排名第一的博通與第二的高通，在博通發布官方聲明收購高通 之後，高通董事會已經透過明確拒絕博通的收購提案。依照過去博通 屢次成功的收購經驗來看，博通應會持續與高通董事會與重要股東溝 通，迫使高通董事會點頭出售。
倘若高通董事會同意讓博通收購，博通接下來仍將面臨各國政府反 壟斷審查的挑戰。其中，中國政府勢將全力阻擋博通完整收購高通事 業與產品線，但若要中國點頭此一收購案，高通勢將賣出部份資產給 中國企業，此舉也將有助中國半導體產業發展。
拓墣產業研究院分析師姚嘉洋指出，儘管聯發科推出Helio P23與 Helio P30產品因應中高階智慧型手機市場需求，然而，在高通的中 高階產品線皆導入14奈米製程，再加上客製化的Kryo處理器核心先後 導入Snapdragon 636與Snapdragon 660的情況下，不論是在價格與規 格都有相當的競爭力，導致高通與聯發科第三季營收呈現消長狀況， 聯發科在智慧型手機晶片出貨量的下滑，也造成其營收連續2個季度 都有二位數的衰退幅度。
輝達第三季的營收延續第二季成長氣勢，營收成長率同樣排名第一 ，主要成長引擎來自遊戲領域與資料中心。輝達遊戲領域從第二季1 1.33億美元，第三季成長至14.36億美元，年成長31.8％，季度成長 26.7％。資料中心第三季營收為4.72億美元，較第二季的4.13億美元 成長14.3％，較去年同期成長高達124.7％。
超微第三季表現同樣不俗，在新一代的Ryzen處理器與Vega繪圖晶 片陸續出貨的帶動下，使得產品的平均售價提升，市場的反應也相當 良好，第三季營收與淨利創下自2014年以來的單季新高，淨利為710 0萬美元，相較於2016年全年度淨虧損達4.97億美元，超微今年可望 逐漸擺脫虧損陰霾。
至於排名第一的博通與第二的高通，在博通發布官方聲明收購高通 之後，高通董事會已經透過明確拒絕博通的收購提案。依照過去博通 屢次成功的收購經驗來看，博通應會持續與高通董事會與重要股東溝 通，迫使高通董事會點頭出售。
倘若高通董事會同意讓博通收購，博通接下來仍將面臨各國政府反 壟斷審查的挑戰。其中，中國政府勢將全力阻擋博通完整收購高通事 業與產品線，但若要中國點頭此一收購案，高通勢將賣出部份資產給 中國企業，此舉也將有助中國半導體產業發展。
根據市調機構集邦科技記憶體儲存研究（DRAMexchange）調查，第三季全球DRAM產業營收表現再創新高，受惠傳統銷售旺季加上供給端成長有限，各類DRAM產品合約價普遍較前一季再上漲約5％。第四季因為進入DRAM市場傳統旺季，加上仍是供不應求市況，平均價格漲幅將落在10％左右，法人看好南亞科（2408）、華邦電（2344）將直接受惠。
從市場面觀察，第三季全球DRAM總營收達191.81億元，較上季再成長16.2％，整體產業仍處於供貨吃緊的狀態。DRAMeXchange研究協理吳雅婷指出，第四季DRAM價格平均漲幅將落在10％，其中，OEM廠已議定第四季合約價格較上季調漲約7％，就一線大廠訂價來看，4GBDDR4模組均價已達30.5美元。
從市場面來觀察，此波漲幅主要受到行動式DRAM接棒漲價帶動，配合DRAM供給吃緊的狀況延續，以及智慧型手機旗艦機種的旺季效應，以三星為首的DRAM廠決定調升行動式DRAM報價，而手機客戶為了備有足夠庫存也只能接受，因此行動式DRAM在第四季漲幅約有10∼20％，伺服器DRAM拉貨動能亦十分強勁，第四季度合約價繼續上漲6∼10％。
綜觀第三季DRAM市場表現，三星依然穩坐DRAM產業的龍頭，營收季增15.2％達87.90億美元，再度創下歷史新高。SK海力士營收季增22.5％達55.14億美元，成長動能顯著，兩大韓系業者的市占率合計高達74.5％。第三大廠美光集團營收季增13.0％達40.23億美元，市占率約21.0％。
由於SK海力士第三季平均銷售單價高於美光，導致兩者市占差距持續擴張。展望第四季，由於美光逆勢成為價格領導者，價格漲幅超越兩大韓系業者，預計將縮減與第二名的市占差距。
在台廠部分，南亞科第三季營收較前一季小幅成長5.3％達4.39億美元，主要是利基型DRAM價格上揚幅度不及國際大廠有較完整的產品線。然而隨著南亞科20奈米良率繼續提升，將會持續改善成本結構及增加獲利空間。
力晶科技第三季DRAM營收下滑3.6％達1.03億元，主因是替晶豪科、愛普等代工的獲利佳，排擠部分DRAM產能。華邦電第三季營收成長8.7％達1.77億美元，但由於後續製程轉進狀況不明，未來獲利狀況將完全受記憶體平均銷售單價提升的牽動。
從市場面觀察，第三季全球DRAM總營收達191.81億元，較上季再成長16.2％，整體產業仍處於供貨吃緊的狀態。DRAMeXchange研究協理吳雅婷指出，第四季DRAM價格平均漲幅將落在10％，其中，OEM廠已議定第四季合約價格較上季調漲約7％，就一線大廠訂價來看，4GBDDR4模組均價已達30.5美元。
從市場面來觀察，此波漲幅主要受到行動式DRAM接棒漲價帶動，配合DRAM供給吃緊的狀況延續，以及智慧型手機旗艦機種的旺季效應，以三星為首的DRAM廠決定調升行動式DRAM報價，而手機客戶為了備有足夠庫存也只能接受，因此行動式DRAM在第四季漲幅約有10∼20％，伺服器DRAM拉貨動能亦十分強勁，第四季度合約價繼續上漲6∼10％。
綜觀第三季DRAM市場表現，三星依然穩坐DRAM產業的龍頭，營收季增15.2％達87.90億美元，再度創下歷史新高。SK海力士營收季增22.5％達55.14億美元，成長動能顯著，兩大韓系業者的市占率合計高達74.5％。第三大廠美光集團營收季增13.0％達40.23億美元，市占率約21.0％。
由於SK海力士第三季平均銷售單價高於美光，導致兩者市占差距持續擴張。展望第四季，由於美光逆勢成為價格領導者，價格漲幅超越兩大韓系業者，預計將縮減與第二名的市占差距。
在台廠部分，南亞科第三季營收較前一季小幅成長5.3％達4.39億美元，主要是利基型DRAM價格上揚幅度不及國際大廠有較完整的產品線。然而隨著南亞科20奈米良率繼續提升，將會持續改善成本結構及增加獲利空間。
力晶科技第三季DRAM營收下滑3.6％達1.03億元，主因是替晶豪科、愛普等代工的獲利佳，排擠部分DRAM產能。華邦電第三季營收成長8.7％達1.77億美元，但由於後續製程轉進狀況不明，未來獲利狀況將完全受記憶體平均銷售單價提升的牽動。
美國ITC已針對201條款提出救濟措施方案，將等待美國總統川普的最後裁決，近期太陽能的需求走軟，本週除了最上游的料源多晶矽報價持平之外，其餘從矽晶圓、電池到模組都是呈現價跌走勢。尤其，單晶矽晶圓在大陸兩大龍頭廠大舉調降報價之下，幾乎已和多晶矽晶圓平價。
由於國內的太陽能矽晶圓廠幾乎都是多晶製程，而多晶的轉換效率仍是略低於單晶一籌，因此，面對單晶大廠的降價挑戰，下週恐怕也有下調價格的壓力。
法人指出，近期中國大陸需求趨緩，其餘地區也無明顯增溫，整體需求持續轉弱。但後續是否會有來自於美國總統川普針對ITC提出的救濟措施做出裁決之前之「拉貨潮」？則仍須進一步觀察。
研調單位集邦科技表示，多晶矽在本週價格平穩，但矽晶圓端則有明顯波動。其中，自從大陸十一連假結束以來，單晶電池片已經連續三週需求不足，為了維繫下游電池片廠家的利潤以及強化單晶電池片的市場競爭力，本週大陸兩家龍頭大廠都調降了單晶矽晶圓的價格，換算跌幅約6％，並帶動其他單晶矽晶圓廠家一併跌價。
在多晶矽晶圓方面，各家廠商導入鑽石線切片之後，產能依舊吃緊，反而帶動傳統的砂漿片需求轉佳。然而，受到單晶產品降價的競爭影響，本週多晶矽晶圓恐怕也有降價壓力。
從電池端來看，受單晶矽晶圓的跌價，單晶電池片也由龍頭廠帶頭下殺價格，單週跌幅約在3％，使得報價也和多晶電池片相同。如此一來，不僅對於多晶電池片廠有壓，其他的單晶電池片廠同樣蒙受壓力。
由於國內的太陽能矽晶圓廠幾乎都是多晶製程，而多晶的轉換效率仍是略低於單晶一籌，因此，面對單晶大廠的降價挑戰，下週恐怕也有下調價格的壓力。
法人指出，近期中國大陸需求趨緩，其餘地區也無明顯增溫，整體需求持續轉弱。但後續是否會有來自於美國總統川普針對ITC提出的救濟措施做出裁決之前之「拉貨潮」？則仍須進一步觀察。
研調單位集邦科技表示，多晶矽在本週價格平穩，但矽晶圓端則有明顯波動。其中，自從大陸十一連假結束以來，單晶電池片已經連續三週需求不足，為了維繫下游電池片廠家的利潤以及強化單晶電池片的市場競爭力，本週大陸兩家龍頭大廠都調降了單晶矽晶圓的價格，換算跌幅約6％，並帶動其他單晶矽晶圓廠家一併跌價。
在多晶矽晶圓方面，各家廠商導入鑽石線切片之後，產能依舊吃緊，反而帶動傳統的砂漿片需求轉佳。然而，受到單晶產品降價的競爭影響，本週多晶矽晶圓恐怕也有降價壓力。
從電池端來看，受單晶矽晶圓的跌價，單晶電池片也由龍頭廠帶頭下殺價格，單週跌幅約在3％，使得報價也和多晶電池片相同。如此一來，不僅對於多晶電池片廠有壓，其他的單晶電池片廠同樣蒙受壓力。
DRAM供不應求短期難解，全球DRAM製造龍頭南韓三星半導體通知通路商，計畫明年第1季再調漲DRAM報價，漲幅3~5%，其中以行動式DRAM漲幅較大，這也說明三星在採取節制性增產下，仍不願放棄持續拉升DRAM獲利，推升集團獲利表現，有助破除讓近期市場擔心三星可能會擴產，打亂DRAM產業秩序的疑慮。
國內DRAM大廠也強調，目前主要大廠包括三星、美光和SK海力士等，仍以升級製程作為提高DRAM產出的主要方向，預料即使三星調升部分產線，增加的DRAM產出仍無法滿足市場需求，預料明年DRAM還是處於供貨短缺，產業還是會相當健康的一年。
三星和SK海力士目前主宰全球逾75%的DRAM市場，因此二大廠的發展策略，也成為關注焦點。近期市調機構認為，三星在連續多季高獲利下，手中現金充裕，可能調整部分產線，增產DRAM。
記憶體通路商表示，三星增產DRAM仍主要著眼小量提升。由於三星仍通知明年第1季仍將調漲DRAM合約價，雖然漲幅較本季收斂，約上漲3~5%，但也很清楚反映三星不想打破現有DRAM供需失衡，讓價格失序。
業者分析，雖然中國大陸傾國家之力全力發展記憶體，但目前三大廠包括三星、SK海力士及美光全力防堵，美光甚至動用美中台等檢調單位進行調查，防止營業祕密和矽智財遭竊，已達到恫嚇效果，中國大陸短期難在DRAM領域難以突圖，三大廠不可能此時自廢武功，犧牲DRAM獲利，減少未來在3D 儲存型快閃記憶體（NAND Flash）即將面臨的激烈戰火。
記憶體通路商強調，三星明年計劃再調漲DRAM合約價，將創下史上漲勢最長且漲幅最大的紀錄，主因來自各項應用相當強勁，尤其資料中心對伺服器需求增幅相當大，大舉排擠行動式記憶體DRAM產能，三星因而在本季調漲行動式DRAM報價10~15%，而在蘋果新機iPhoneX預購優於期，加上中國大陸品牌手機廠機海也齊發，再者智慧汽車、AI（人工智慧），對要求高頻運算的DRAM需求有增無減，都讓DRAM成為當前最火紅的半導體元件。
【記者鐘惠玲/台北報導】DRAM市場現階段仍呈現供需稍有吃緊的榮景，包括三星、美光、SK海力士、與南亞科、華邦電等業者都受惠。不過，研調機構集邦科技示警，傳出三星方面考慮擴大DRAM產能，這可能改變目前供給緊俏的局面。
由於DRAM廠近兩年來產能擴張的幅度有限，加上製程轉換過程具有難度，DRAM供給量成長幅度明顯較往年放緩。
國內DRAM大廠也強調，目前主要大廠包括三星、美光和SK海力士等，仍以升級製程作為提高DRAM產出的主要方向，預料即使三星調升部分產線，增加的DRAM產出仍無法滿足市場需求，預料明年DRAM還是處於供貨短缺，產業還是會相當健康的一年。
三星和SK海力士目前主宰全球逾75%的DRAM市場，因此二大廠的發展策略，也成為關注焦點。近期市調機構認為，三星在連續多季高獲利下，手中現金充裕，可能調整部分產線，增產DRAM。
記憶體通路商表示，三星增產DRAM仍主要著眼小量提升。由於三星仍通知明年第1季仍將調漲DRAM合約價，雖然漲幅較本季收斂，約上漲3~5%，但也很清楚反映三星不想打破現有DRAM供需失衡，讓價格失序。
業者分析，雖然中國大陸傾國家之力全力發展記憶體，但目前三大廠包括三星、SK海力士及美光全力防堵，美光甚至動用美中台等檢調單位進行調查，防止營業祕密和矽智財遭竊，已達到恫嚇效果，中國大陸短期難在DRAM領域難以突圖，三大廠不可能此時自廢武功，犧牲DRAM獲利，減少未來在3D 儲存型快閃記憶體（NAND Flash）即將面臨的激烈戰火。
記憶體通路商強調，三星明年計劃再調漲DRAM合約價，將創下史上漲勢最長且漲幅最大的紀錄，主因來自各項應用相當強勁，尤其資料中心對伺服器需求增幅相當大，大舉排擠行動式記憶體DRAM產能，三星因而在本季調漲行動式DRAM報價10~15%，而在蘋果新機iPhoneX預購優於期，加上中國大陸品牌手機廠機海也齊發，再者智慧汽車、AI（人工智慧），對要求高頻運算的DRAM需求有增無減，都讓DRAM成為當前最火紅的半導體元件。
【記者鐘惠玲/台北報導】DRAM市場現階段仍呈現供需稍有吃緊的榮景，包括三星、美光、SK海力士、與南亞科、華邦電等業者都受惠。不過，研調機構集邦科技示警，傳出三星方面考慮擴大DRAM產能，這可能改變目前供給緊俏的局面。
由於DRAM廠近兩年來產能擴張的幅度有限，加上製程轉換過程具有難度，DRAM供給量成長幅度明顯較往年放緩。
今年封測代工營收日月光居冠拓墣預估，年增6.4％達52.07億美元，艾克爾、長電科技分居2、3名
集邦科技旗下拓墣產業研究院指出，2017年行動通訊電子產品需求量上升，帶動高輸入輸出（I/O）數與高整合度先進封裝滲透率，同時也提升市場對於封測產品質、量的要求，全球IC封測產值擺脫2016年微幅下滑狀況，2017年產值年成長2.2％達517.3億美元，其中專業封測代工（OSAT）占約整體產值的52.5％。
拓墣預估，在專業封測代工的部分，2017年全球前10大專業封測代工廠商營收排名與2016年並無太大差異，前3大廠依次為日月光、艾克爾（Amkor）、長電科技，且市占率均達1成以上。
拓墣預估日月光今年營收可年增6.4％達52.07億美元，市占率維持在接近2成的19.2％；艾克爾今年營收可望年增4.3％達40.63億美元，市占率達15.0％；至於長電科技今年營收將大幅成長12.5％達32.33億美元，市占率達11.9％。
拓墣也預估排名第4的矽品今年營收仍可年增2.2％達26.84億美元，市占率達9.9％。排名第5的力成則受惠於高效能運算（HPC）應用與大量資料存儲記憶體需求提升，透過強化與美光的合作，及併購美光日本封測廠，年營收可望大幅成長26.3％達18.93億美元，市占率約達7.0％。
觀察2017年全球封測產業，隨著全球產業整合及競爭加劇，中國企業可選擇的併購標的大幅減少，使得2017年中國國內資本進行海外併購難度增加。因此，中國IC封測業者將發展焦點，從藉由海外併購取得高階封裝技術及市占率，轉而著力在開發扇出型晶圓級封裝（Fan-Out）及系統級封裝（SiP）等先進封裝技術，並積極通過客戶認證向市場宣示自身技術來維持競爭力。
中國封測廠商在高階封裝技術如覆晶封裝（FlipChip）、晶圓凸塊（Bumping）等，以及包括扇入型或扇出型晶圓級封裝、2.5D及SiP等先進封裝的產能持續開出，以及因企業併購帶來的營收認列帶動下，包含長電科技、天水華天、通富微電等廠商，2017年的年營收多維持雙位數成長表現，表現優於全球IC封測產業水平。
此外，中國當地設立的新晶圓廠產能將陸續開出，根據中國企業發布的產能規畫，估計2018年底前，中國大陸12吋晶圓每月產能可新增16.2萬片，為現有產能1.8倍，預計將為2018年中國封測產業注入一股強心針。
集邦科技旗下拓墣產業研究院指出，2017年行動通訊電子產品需求量上升，帶動高輸入輸出（I/O）數與高整合度先進封裝滲透率，同時也提升市場對於封測產品質、量的要求，全球IC封測產值擺脫2016年微幅下滑狀況，2017年產值年成長2.2％達517.3億美元，其中專業封測代工（OSAT）占約整體產值的52.5％。
拓墣預估，在專業封測代工的部分，2017年全球前10大專業封測代工廠商營收排名與2016年並無太大差異，前3大廠依次為日月光、艾克爾（Amkor）、長電科技，且市占率均達1成以上。
拓墣預估日月光今年營收可年增6.4％達52.07億美元，市占率維持在接近2成的19.2％；艾克爾今年營收可望年增4.3％達40.63億美元，市占率達15.0％；至於長電科技今年營收將大幅成長12.5％達32.33億美元，市占率達11.9％。
拓墣也預估排名第4的矽品今年營收仍可年增2.2％達26.84億美元，市占率達9.9％。排名第5的力成則受惠於高效能運算（HPC）應用與大量資料存儲記憶體需求提升，透過強化與美光的合作，及併購美光日本封測廠，年營收可望大幅成長26.3％達18.93億美元，市占率約達7.0％。
觀察2017年全球封測產業，隨著全球產業整合及競爭加劇，中國企業可選擇的併購標的大幅減少，使得2017年中國國內資本進行海外併購難度增加。因此，中國IC封測業者將發展焦點，從藉由海外併購取得高階封裝技術及市占率，轉而著力在開發扇出型晶圓級封裝（Fan-Out）及系統級封裝（SiP）等先進封裝技術，並積極通過客戶認證向市場宣示自身技術來維持競爭力。
中國封測廠商在高階封裝技術如覆晶封裝（FlipChip）、晶圓凸塊（Bumping）等，以及包括扇入型或扇出型晶圓級封裝、2.5D及SiP等先進封裝的產能持續開出，以及因企業併購帶來的營收認列帶動下，包含長電科技、天水華天、通富微電等廠商，2017年的年營收多維持雙位數成長表現，表現優於全球IC封測產業水平。
此外，中國當地設立的新晶圓廠產能將陸續開出，根據中國企業發布的產能規畫，估計2018年底前，中國大陸12吋晶圓每月產能可新增16.2萬片，為現有產能1.8倍，預計將為2018年中國封測產業注入一股強心針。
市場傳出東芝記憶體（TMC）NAND Flash晶圓廠受到駭客入侵導致 10萬片產能損失，但市調機構集邦科技記憶體儲存研究（DRAMeXcha nge）指出，經調查與確認後，東芝確實在產線上遭遇到一些問題， 並致使整體產出量較原先預期少，但影響程度絕對遠低於外界所謠傳 接近10萬片的規模，且工廠產線亦未出現停擺。對於東芝客戶而言， 在第4季議價時所承諾的交貨數量也沒有受到直接衝擊。
與東芝記憶體合作緊密的群聯表示，日本NAND Flash原廠的晶圓供 應更為吃緊情況，其實已發生一段時間，群聯已掌握所有狀況，亦備 好充裕庫存，足以因應長期合作客戶需求，對群聯營運不造成影響。
DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋指出，東芝NAND Flash產能出現 大幅損失純屬謠言，只是在產線上遭遇到一些問題，但不論對於第4 季或是明年第1季的供需市況，並不會產生任何劇烈影響。對於現貨 市場而言，消息傳出後並沒有導致任何模組廠停止報價及出貨，預估 東芝在解決產線問題後，能立即降低或敉平事件所產生的影響。
陳玠瑋表示，集邦對於市場後續看法仍不變，即NAND Flash第4季 供貨雖然仍短缺，但供貨缺口將小於第3季，市場將轉趨供需平衡。
觀察明年供需狀況，儘管iPhone X買氣可能延續到2018年第1季， 但因為其他終端產品銷售預期將受傳統淡季效應影響，再加上各家良 率持續提升，帶動3D NAND產能不斷開出，因此，明年上半年可能轉 趨供需平衡，甚至不排除出現小幅供過於求的可能，整體供需狀況要 到明年下半年進入銷售旺季，才有機會再次出現供貨吃緊狀況。
與東芝記憶體合作緊密的群聯表示，日本NAND Flash原廠的晶圓供 應更為吃緊情況，其實已發生一段時間，群聯已掌握所有狀況，亦備 好充裕庫存，足以因應長期合作客戶需求，對群聯營運不造成影響。
DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋指出，東芝NAND Flash產能出現 大幅損失純屬謠言，只是在產線上遭遇到一些問題，但不論對於第4 季或是明年第1季的供需市況，並不會產生任何劇烈影響。對於現貨 市場而言，消息傳出後並沒有導致任何模組廠停止報價及出貨，預估 東芝在解決產線問題後，能立即降低或敉平事件所產生的影響。
陳玠瑋表示，集邦對於市場後續看法仍不變，即NAND Flash第4季 供貨雖然仍短缺，但供貨缺口將小於第3季，市場將轉趨供需平衡。
觀察明年供需狀況，儘管iPhone X買氣可能延續到2018年第1季， 但因為其他終端產品銷售預期將受傳統淡季效應影響，再加上各家良 率持續提升，帶動3D NAND產能不斷開出，因此，明年上半年可能轉 趨供需平衡，甚至不排除出現小幅供過於求的可能，整體供需狀況要 到明年下半年進入銷售旺季，才有機會再次出現供貨吃緊狀況。
與我聯繫
