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受惠於人工智慧及雲端運算對高效能運算的強勁需求，2018年伺服器出貨量可望創下新高，也帶動伺服器DRAM強勁需求，但以目前三大DRAM廠產能布建情況來看，主流的伺服器DDR4明年將缺貨一整年，32GB DDR4模組價格可望漲逾300美元，南亞科（2408）直接受惠，明年上半年20奈米DDR4產能已全賣光。

DRAM價格今年漲了一整年，但2018年看來仍是DRAM市場大好年。在供給端來看，包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠明年的投資仍集中在1x/1y奈米的製程微縮，舊有廠內擠出空間新增的產能，只是用來填補製程升級後的產能自然減損。

但由需求面來看，雖然PC市場出貨量近幾年緩步下滑，但智慧型手機出貨量仍年年創下新高，而且三星明年推出的Galaxy S9將搭載6GB LPDDR4，將帶動智慧型手機行動式DRAM需求大幅成長。再者，人工智慧及雲端運算帶動伺服器出貨，亦導致伺服器DRAM持續吃緊，明年恐缺貨一整年，價格則將維持逐季上漲趨勢。

集邦科技表示，平均一座資料中心可容納約8,000至15,000個伺服器機架，而每個機架可搭載4台以上不同尺寸的伺服器，據估算將會消耗約1,000∼2,000萬GB的伺服器DRAM，約折合31∼62萬條32GB模組。

集邦表示，驅動伺服器DRAM需求動能的要素，除了英特爾與超微新伺服器平台轉換推波助瀾外，還有來自北美網路服務業者如Google、Amazon Web Service、Facebook、Microsoft Azure在新資料中心建案上的需求。伺服器DRAM明年的成長率持續居於各種DRAM規格之首且上看28.6％。

由於記憶體供給吃緊態勢尚未改變，2017年整體伺服器DRAM合約價將上揚近4成，明年第一季伺服器DRAM合約價將再漲5∼8％。在主流模組報價方面，一線廠32GB DDR4伺服器模組將來至300美元大關，二線廠更會高於此價格水位，使得明年第一季度價格將會維持在相對高點。

伺服器DRAM缺貨且價格看漲，南亞科第四季採用20奈米投產8Gb DDR4並陸續獲得客認證，明年將重返伺服器DRAM市場，除供貨給戴爾、惠與（HPE）、聯想、浪潮等伺服器大廠，也獲廣達、緯創等ODM廠下單，明年上半年伺服器DDR4產能已全數賣光。

集邦（TrendForce）昨（14）日出具報告，預估明年全球伺服器出貨量將成長5.5%，因英特爾和超微新服器平搭載記憶體容量大增， 連帶讓明年伺服器用的記憶體，尤其是伺服器用DRAM，將居大記憶體產器成長之首。

記憶體業者表示，在伺服器記憶體價格仍可在高檔支撐，也讓明年記憶體廠，尤其是DRAM產品，仍可維持穩健獲利的局面，台廠中的南亞科、華邦電和記憶體模組廠創見、威剛等，也可望持續繳出亮眼成績。

集邦旗下的記憶體儲存研究（DRAMeXchange）昨天出具報告指出，受到產業轉型、智慧型終端裝置普及率增加，特別是需要龐大資料進行運算與訓練的服務，甚至是虛擬化平台以及雲端儲存的帶動，對伺服器需求與日俱增。其中，資料中心的伺服器需求將成為整體伺服器市場出貨成長的關鍵，預估明年全球伺服器出貨量將成長5.5%。

主要供貨廠商仍集中在三大伺服器品牌惠普（HPE）、戴爾（Dell）與聯想（Lenovo），三大廠今年市占率分別為18%、17%與7%；2018年三大廠仍將維持在伺服器市場優勢，出貨市占率將達17%、16%、7%。

DRAMeXchange統計，伺服器搭載的容量提升驅動記憶體使用量，平均一座資料中心可容納約8,000至1萬5,000個伺服器機架，一個機架可搭載四台以上不同尺寸的伺服器，估算將消耗約10Mn GB至20Mn GB的伺服器用記憶體。預估在2020年前，全球七大網路資料中心仍有逾十座建案正在進行。

研調機構集邦科技記憶體儲存研究（DRAMeXchange）指出，消費性市場即將步入淡季，NANDFlash可能將結束強漲態勢，價格有走跌可能性。不過也將促使OEM廠開始加快導入高技術規格的SSD，明年下半年重迎旺季。

DRAMeXchange最新研究指出，2018年第一季在需求端面臨到傳統淡季的衝擊，預計智慧型手機、平板電腦裝置量需求將較2017年第四季下跌逾15％，而伺服器需求相對持平，整體位元需求量較2017年第四季呈現0∼5％下跌。

另一方面，NANDFlash供應商仍持續提升3DNANDFlash的產能及良率，位元產出成長亦較第四季高於5％，預期NANDFlash市場將進入供過於求態勢，2018年第一季固態硬碟、NANDFlash顆粒及記憶體晶圓（wafer）等合約價皆將翻轉走跌。

第四季在伺服器需求稍踩剎車的影響下，僅剩蘋果的需求動能較為顯著，而東芝晶圓報廢一事亦不如外傳嚴重，加上3DNAND的擴產腳步未停，致使市場更趨向供需平衡狀態，整體合約價以持平或小漲開出。

事實上，今年第四季三星、東芝、SK海力士及美光等四大記憶體原廠，都已經陸續將64層、72層堆疊的3DNANDFlash產能開給客戶，讓第四季3DNAND產能加速開出，另一大主要原因則維旺季拉貨潮結束，讓通路商開始清理庫存，讓NAND價格開始出現修正。

觀察NANDFlash價格，其中TLCNAND的120GBSSD現貨價，在今年10月仍高達40美元，但是本周已經已跌到34美元，至於240GB的SSD，從今年10月的70美元，價格已經跌至64美元，業界甚至認為明年第一季仍有走跌可能性。

DRAMeXchange指出，隨著NANDFlash市場2018年第一季重新進入供過於求市況，並使得終端產品調整降價後，各大OEM廠採用較新技術的產品如UFS、PCIe介面SSD的意願將隨之提升，並將加速提升產品搭載容量，因此在2018下半年，隨著傳統旺季到來，NANDFlash有機會轉為供給緊縮的市況，上下半年將呈現不同的市場走勢。

集邦科技記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查顯示，第三季智慧 型手機市場逐漸復甦，開始進入旺季備料階段，對行動式DRAM需求增 加，帶動價格上揚走勢，市場總產值季增4.3％達64.78億美元。展望 第四季，受到行動式DRAM平均漲幅約10∼15％帶動，預估總營收成長 幅度將有機會超越第三季。

整體而言，第三季行動式DRAM市場以縮小區域別的價格差異與微調 高容量規格報價為主軸，報價平均漲幅落在5％以內，營收較第二季 成長4.3％。單就三大DRAM廠表現而言，以SK海力士表現最為亮眼， 營收季增30.7％。

從行動式DRAM的營收市占率來看，韓系業者三星及SK海力士仍是當 前寡占記憶體市場中的最大贏家，第三季市占合計達85.6％；其次為 美光集團，第三季營收市占約12.4％。

以各別廠商表現而言，三星率先開啟10奈米世代行動式DRAM量產， 並在今年專注於全產品線的製程轉進。受惠Android陣營旗艦機及蘋 果新機發表的帶動，第三季行動式DRAM的18奈米滲透率大舉提高，預 估全年占比將有接近50％的表現。透過製程的不斷精進所帶來的成本 效益以及價格持續上揚，三星集團在第三季整體營收表現上再創歷史 新高，但行動式DRAM的營收表現受到伺服器DRAM強勁需求的產能排擠 影響，較第二季呈現1.0％的微幅下滑，但仍可視為持平表現。

SK海力士在第三季行動式DRAM營收表現最佳，受惠於平均報價漲幅 高於三星及美光，加上旺季需求旺盛等利多加持，激勵營收表現繳出 30.7％的季增率。預估第四季行動式DRAM營收在價格持續上漲的帶動 下，表現將優於第三季，唯目前SK海力士在高容量eMCP供給上缺貨嚴 重，可能影響營收成長的幅度。

美光集團行動式DRAM受到先前華亞廠氣體汙染事件影響，第三季的 營收產值相較第二季衰退達13.0％，而以美光集團內部的營收比重來 看，行動式DRAM也從第二季的26％下降至20％。展望第四季，美光在 行動式DRAM報價漲幅居業界之冠，預期將逆轉第三季營收產值衰退的 劣勢。

在台灣業者表現上，同樣受惠於整體市場價格上揚的帶動，帶動南 亞科和華邦電在第三季的營收產值各別有8.6％及12.8％的成長表現 。以南亞科來說，2017年開始有新製程20奈米加入，且良率和占比都 將在下半年逐步提高，但目前主要用於生產利基型及伺服器DRAM，行 動式DRAM預期明年才會導入20奈米。華邦電行動式DRAM部份因後續製 程轉進狀況不明朗，目前仍靠價格上揚帶動獲利的增長。

受惠於智慧手機傳統旺季，行動式DRAM及NOR Flash出貨暢旺，晶 豪科（3006）9月營收9.77億元，月增32％，年增21％，前9月營收年 增也有17％；在多個利基助揚下，市場看好第4季營運會比第3季有更 出色的表現。

由於三大DRAM廠明年不會有大幅擴廠計畫，在產能增加有限下，預 估明年DRAM各項應用別產能仍全面趨緊。

市調機構集邦科技記憶體儲存研究（DRAMMeXchange）指出，第4季 價格估漲10∼15％，為DRAM各規格產品漲幅之冠，預期將帶動記憶體 多晶片模組MCP價格同步上漲，終結今年初來行動式DRAM價格低於標 準型DRAM的情況，帶動晶豪科獲利看好。

晶豪科另一利多，在於大陸京東方等面板廠開始量產OLED面板，將 帶動NOR Flash需求提升；京東方10月將開始量產並供貨華為，晶豪 科可望成為大陸OLED面板主要NOR Flash供應，武漢新芯、華虹NEC、 力晶等晶圓代工廠的產能奧援下，成為下半年唯一可大量供貨的業者 ，也拿下大陸手機大廠訂單，市佔率有一定的利基。

根據集邦科技旗下拓墣產業研究院最新統計，全球前10大IC設計業 者今年第三季營收排名與第二季排名一致，前三名依次為博通（Bro adcom）、高通（Qualcomm）、輝達（NVIDIA）。其中，聯發科第三 季營收與毛利率表現雖趨近財測高標，但相較2016年同期營收仍下滑 18.8％，是前10大IC設計公司中唯一連續兩季衰退幅度達二位數的業 者。

拓墣產業研究院分析師姚嘉洋指出，儘管聯發科推出Helio P23與 Helio P30產品因應中高階智慧型手機市場需求，然而，在高通的中 高階產品線皆導入14奈米製程，再加上客製化的Kryo處理器核心先後 導入Snapdragon 636與Snapdragon 660的情況下，不論是在價格與規 格都有相當的競爭力，導致高通與聯發科第三季營收呈現消長狀況， 聯發科在智慧型手機晶片出貨量的下滑，也造成其營收連續2個季度 都有二位數的衰退幅度。

輝達第三季的營收延續第二季成長氣勢，營收成長率同樣排名第一 ，主要成長引擎來自遊戲領域與資料中心。輝達遊戲領域從第二季1 1.33億美元，第三季成長至14.36億美元，年成長31.8％，季度成長 26.7％。資料中心第三季營收為4.72億美元，較第二季的4.13億美元 成長14.3％，較去年同期成長高達124.7％。

超微第三季表現同樣不俗，在新一代的Ryzen處理器與Vega繪圖晶 片陸續出貨的帶動下，使得產品的平均售價提升，市場的反應也相當 良好，第三季營收與淨利創下自2014年以來的單季新高，淨利為710 0萬美元，相較於2016年全年度淨虧損達4.97億美元，超微今年可望 逐漸擺脫虧損陰霾。

至於排名第一的博通與第二的高通，在博通發布官方聲明收購高通 之後，高通董事會已經透過明確拒絕博通的收購提案。依照過去博通 屢次成功的收購經驗來看，博通應會持續與高通董事會與重要股東溝 通，迫使高通董事會點頭出售。

倘若高通董事會同意讓博通收購，博通接下來仍將面臨各國政府反 壟斷審查的挑戰。其中，中國政府勢將全力阻擋博通完整收購高通事 業與產品線，但若要中國點頭此一收購案，高通勢將賣出部份資產給 中國企業，此舉也將有助中國半導體產業發展。

根據市調機構集邦科技記憶體儲存研究（DRAMexchange）調查，第三季全球DRAM產業營收表現再創新高，受惠傳統銷售旺季加上供給端成長有限，各類DRAM產品合約價普遍較前一季再上漲約5％。第四季因為進入DRAM市場傳統旺季，加上仍是供不應求市況，平均價格漲幅將落在10％左右，法人看好南亞科（2408）、華邦電（2344）將直接受惠。

從市場面觀察，第三季全球DRAM總營收達191.81億元，較上季再成長16.2％，整體產業仍處於供貨吃緊的狀態。DRAMeXchange研究協理吳雅婷指出，第四季DRAM價格平均漲幅將落在10％，其中，OEM廠已議定第四季合約價格較上季調漲約7％，就一線大廠訂價來看，4GBDDR4模組均價已達30.5美元。

從市場面來觀察，此波漲幅主要受到行動式DRAM接棒漲價帶動，配合DRAM供給吃緊的狀況延續，以及智慧型手機旗艦機種的旺季效應，以三星為首的DRAM廠決定調升行動式DRAM報價，而手機客戶為了備有足夠庫存也只能接受，因此行動式DRAM在第四季漲幅約有10∼20％，伺服器DRAM拉貨動能亦十分強勁，第四季度合約價繼續上漲6∼10％。

綜觀第三季DRAM市場表現，三星依然穩坐DRAM產業的龍頭，營收季增15.2％達87.90億美元，再度創下歷史新高。SK海力士營收季增22.5％達55.14億美元，成長動能顯著，兩大韓系業者的市占率合計高達74.5％。第三大廠美光集團營收季增13.0％達40.23億美元，市占率約21.0％。

由於SK海力士第三季平均銷售單價高於美光，導致兩者市占差距持續擴張。展望第四季，由於美光逆勢成為價格領導者，價格漲幅超越兩大韓系業者，預計將縮減與第二名的市占差距。

在台廠部分，南亞科第三季營收較前一季小幅成長5.3％達4.39億美元，主要是利基型DRAM價格上揚幅度不及國際大廠有較完整的產品線。然而隨著南亞科20奈米良率繼續提升，將會持續改善成本結構及增加獲利空間。

力晶科技第三季DRAM營收下滑3.6％達1.03億元，主因是替晶豪科、愛普等代工的獲利佳，排擠部分DRAM產能。華邦電第三季營收成長8.7％達1.77億美元，但由於後續製程轉進狀況不明，未來獲利狀況將完全受記憶體平均銷售單價提升的牽動。

美國ITC已針對201條款提出救濟措施方案，將等待美國總統川普的最後裁決，近期太陽能的需求走軟，本週除了最上游的料源多晶矽報價持平之外，其餘從矽晶圓、電池到模組都是呈現價跌走勢。尤其，單晶矽晶圓在大陸兩大龍頭廠大舉調降報價之下，幾乎已和多晶矽晶圓平價。

由於國內的太陽能矽晶圓廠幾乎都是多晶製程，而多晶的轉換效率仍是略低於單晶一籌，因此，面對單晶大廠的降價挑戰，下週恐怕也有下調價格的壓力。

法人指出，近期中國大陸需求趨緩，其餘地區也無明顯增溫，整體需求持續轉弱。但後續是否會有來自於美國總統川普針對ITC提出的救濟措施做出裁決之前之「拉貨潮」？則仍須進一步觀察。

研調單位集邦科技表示，多晶矽在本週價格平穩，但矽晶圓端則有明顯波動。其中，自從大陸十一連假結束以來，單晶電池片已經連續三週需求不足，為了維繫下游電池片廠家的利潤以及強化單晶電池片的市場競爭力，本週大陸兩家龍頭大廠都調降了單晶矽晶圓的價格，換算跌幅約6％，並帶動其他單晶矽晶圓廠家一併跌價。

在多晶矽晶圓方面，各家廠商導入鑽石線切片之後，產能依舊吃緊，反而帶動傳統的砂漿片需求轉佳。然而，受到單晶產品降價的競爭影響，本週多晶矽晶圓恐怕也有降價壓力。

從電池端來看，受單晶矽晶圓的跌價，單晶電池片也由龍頭廠帶頭下殺價格，單週跌幅約在3％，使得報價也和多晶電池片相同。如此一來，不僅對於多晶電池片廠有壓，其他的單晶電池片廠同樣蒙受壓力。

DRAM供不應求短期難解，全球DRAM製造龍頭南韓三星半導體通知通路商，計畫明年第1季再調漲DRAM報價，漲幅3~5%，其中以行動式DRAM漲幅較大，這也說明三星在採取節制性增產下，仍不願放棄持續拉升DRAM獲利，推升集團獲利表現，有助破除讓近期市場擔心三星可能會擴產，打亂DRAM產業秩序的疑慮。

國內DRAM大廠也強調，目前主要大廠包括三星、美光和SK海力士等，仍以升級製程作為提高DRAM產出的主要方向，預料即使三星調升部分產線，增加的DRAM產出仍無法滿足市場需求，預料明年DRAM還是處於供貨短缺，產業還是會相當健康的一年。

三星和SK海力士目前主宰全球逾75%的DRAM市場，因此二大廠的發展策略，也成為關注焦點。近期市調機構認為，三星在連續多季高獲利下，手中現金充裕，可能調整部分產線，增產DRAM。

記憶體通路商表示，三星增產DRAM仍主要著眼小量提升。由於三星仍通知明年第1季仍將調漲DRAM合約價，雖然漲幅較本季收斂，約上漲3~5%，但也很清楚反映三星不想打破現有DRAM供需失衡，讓價格失序。

業者分析，雖然中國大陸傾國家之力全力發展記憶體，但目前三大廠包括三星、SK海力士及美光全力防堵，美光甚至動用美中台等檢調單位進行調查，防止營業祕密和矽智財遭竊，已達到恫嚇效果，中國大陸短期難在DRAM領域難以突圖，三大廠不可能此時自廢武功，犧牲DRAM獲利，減少未來在3D 儲存型快閃記憶體（NAND Flash）即將面臨的激烈戰火。

記憶體通路商強調，三星明年計劃再調漲DRAM合約價，將創下史上漲勢最長且漲幅最大的紀錄，主因來自各項應用相當強勁，尤其資料中心對伺服器需求增幅相當大，大舉排擠行動式記憶體DRAM產能，三星因而在本季調漲行動式DRAM報價10~15%，而在蘋果新機iPhoneX預購優於期，加上中國大陸品牌手機廠機海也齊發，再者智慧汽車、AI（人工智慧），對要求高頻運算的DRAM需求有增無減，都讓DRAM成為當前最火紅的半導體元件。

【記者鐘惠玲/台北報導】DRAM市場現階段仍呈現供需稍有吃緊的榮景，包括三星、美光、SK海力士、與南亞科、華邦電等業者都受惠。不過，研調機構集邦科技示警，傳出三星方面考慮擴大DRAM產能，這可能改變目前供給緊俏的局面。

由於DRAM廠近兩年來產能擴張的幅度有限，加上製程轉換過程具有難度，DRAM供給量成長幅度明顯較往年放緩。

今年封測代工營收日月光居冠拓墣預估，年增6.4％達52.07億美元，艾克爾、長電科技分居2、3名

集邦科技旗下拓墣產業研究院指出，2017年行動通訊電子產品需求量上升，帶動高輸入輸出（I/O）數與高整合度先進封裝滲透率，同時也提升市場對於封測產品質、量的要求，全球IC封測產值擺脫2016年微幅下滑狀況，2017年產值年成長2.2％達517.3億美元，其中專業封測代工（OSAT）占約整體產值的52.5％。

拓墣預估，在專業封測代工的部分，2017年全球前10大專業封測代工廠商營收排名與2016年並無太大差異，前3大廠依次為日月光、艾克爾（Amkor）、長電科技，且市占率均達1成以上。

拓墣預估日月光今年營收可年增6.4％達52.07億美元，市占率維持在接近2成的19.2％；艾克爾今年營收可望年增4.3％達40.63億美元，市占率達15.0％；至於長電科技今年營收將大幅成長12.5％達32.33億美元，市占率達11.9％。

拓墣也預估排名第4的矽品今年營收仍可年增2.2％達26.84億美元，市占率達9.9％。排名第5的力成則受惠於高效能運算（HPC）應用與大量資料存儲記憶體需求提升，透過強化與美光的合作，及併購美光日本封測廠，年營收可望大幅成長26.3％達18.93億美元，市占率約達7.0％。

觀察2017年全球封測產業，隨著全球產業整合及競爭加劇，中國企業可選擇的併購標的大幅減少，使得2017年中國國內資本進行海外併購難度增加。因此，中國IC封測業者將發展焦點，從藉由海外併購取得高階封裝技術及市占率，轉而著力在開發扇出型晶圓級封裝（Fan-Out）及系統級封裝（SiP）等先進封裝技術，並積極通過客戶認證向市場宣示自身技術來維持競爭力。

中國封測廠商在高階封裝技術如覆晶封裝（FlipChip）、晶圓凸塊（Bumping）等，以及包括扇入型或扇出型晶圓級封裝、2.5D及SiP等先進封裝的產能持續開出，以及因企業併購帶來的營收認列帶動下，包含長電科技、天水華天、通富微電等廠商，2017年的年營收多維持雙位數成長表現，表現優於全球IC封測產業水平。

此外，中國當地設立的新晶圓廠產能將陸續開出，根據中國企業發布的產能規畫，估計2018年底前，中國大陸12吋晶圓每月產能可新增16.2萬片，為現有產能1.8倍，預計將為2018年中國封測產業注入一股強心針。

市場傳出東芝記憶體（TMC）NAND Flash晶圓廠受到駭客入侵導致 10萬片產能損失，但市調機構集邦科技記憶體儲存研究（DRAMeXcha nge）指出，經調查與確認後，東芝確實在產線上遭遇到一些問題， 並致使整體產出量較原先預期少，但影響程度絕對遠低於外界所謠傳 接近10萬片的規模，且工廠產線亦未出現停擺。對於東芝客戶而言， 在第4季議價時所承諾的交貨數量也沒有受到直接衝擊。

與東芝記憶體合作緊密的群聯表示，日本NAND Flash原廠的晶圓供 應更為吃緊情況，其實已發生一段時間，群聯已掌握所有狀況，亦備 好充裕庫存，足以因應長期合作客戶需求，對群聯營運不造成影響。

DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋指出，東芝NAND Flash產能出現 大幅損失純屬謠言，只是在產線上遭遇到一些問題，但不論對於第4 季或是明年第1季的供需市況，並不會產生任何劇烈影響。對於現貨 市場而言，消息傳出後並沒有導致任何模組廠停止報價及出貨，預估 東芝在解決產線問題後，能立即降低或敉平事件所產生的影響。

陳玠瑋表示，集邦對於市場後續看法仍不變，即NAND Flash第4季 供貨雖然仍短缺，但供貨缺口將小於第3季，市場將轉趨供需平衡。

觀察明年供需狀況，儘管iPhone X買氣可能延續到2018年第1季， 但因為其他終端產品銷售預期將受傳統淡季效應影響，再加上各家良 率持續提升，帶動3D NAND產能不斷開出，因此，明年上半年可能轉 趨供需平衡，甚至不排除出現小幅供過於求的可能，整體供需狀況要 到明年下半年進入銷售旺季，才有機會再次出現供貨吃緊狀況。

集邦科技昨（29）日在2018集邦拓墣大預測研討會中，發布預估18:9全螢幕在智慧型手機市場的滲透率，將從今年的9.6%，大幅攀升至2018年的36.2%。這對於群創（3481）、友達及華映、彩晶等中小尺寸面板廠，均可望同步受惠。

集邦拓墣表示，面板產業趨勢跟消費性電子產品市場可說是牽一髮而動全身，蘋果剛發表的iPhone X系列產品將是推升OLED比重攀高的最大功臣，預估OLED在整體智慧型手機的搭載率，將從2017年的28%穩健成長至2018年的33%。然而，要比少量的OLED，更全面且迅速拓展的首推18:9全螢幕，預估期在智慧型手機市場的滲透率，今年的9.6%大幅攀升至2018年的36.2%，並一口氣涵蓋高階、中階、甚或是入門產品。

群創行動產品事業群總經理楊弘文表示，因應這一波小中尺寸供不應求熱況，群創2018年首季僅有小量的新產品開出，遠遠無法滿足市場需求。因此，群創決定加碼除將竹南6代廠改為IPS製程，並增加月產手機面板2萬至4萬片的產能，但這波新產品預估要到2019年才能開出。確立群創中小尺寸面板訂單，滿到明年底的熱況。

由於品牌廠全螢幕手機出貨目標落後，友達指出，客戶全都轉向全螢幕手機面板，需求十分強勁，下單量大增，同步帶動手機面板價格持續看漲。

包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠陸續召開明年產能規劃年 度戰略會議，由於明年增加的產能都是來自於技術製程微縮，以及在 現有廠房想辦法擠出新產能，因此整體產能增幅十分有限。根據集邦 科技調查，明年DRAM產業供給年增率僅19.6％並低於需求成長率，全 年仍供給吃緊。業界看好DRAM價格明年持續看漲，南亞科（2408）及 華邦電（2344）獲利將大躍進。

市調單位表示，隨著時序已近第四季，三大DRAM廠已陸續召開針對 明年產能規劃的年度戰略會議，根據調查，2018年各DRAM廠的資本支 出計畫皆傾向保守，意味著產能擴張甚至技術轉進都將趨緩，除了欲 將價格維持在今年下半年的水準，持續且穩定的獲利也將是明年首要 目標。

集邦預估，2018年全球DRAM產業的供給年成長率為19.6％，維持在 近年來的相對低點，但2018年整體DRAM需求年成長率預計將達20.6％ ，供給吃緊的態勢將延續。模組業者則認為，DRAM價格明年持續看漲 ，且是標準型DRAM、伺服器DRAM、行動式DRAM、利基型DRAM等全面漲 價的一年。

DRAMeXchange研究協理吳雅婷指出，從需求端來看，智慧型手機D RAM容量的升級，以及伺服器及資料中心的強勁需求，皆拉升了2018 年需求的成長；就供給面來看，在DRAM產業產能吃緊下，興建新工廠 滿足市場需求已經是必要的決策，然而，興建一座12吋廠動輒需要1 年的時間，加上機台移入與試產，產能開出時間將會落在2019年。從 目前三大DRAM廠的產能規劃來看，預計2018年各家新增投片量僅約5 ∼7％，這些新增產能皆來自現有工廠產能的重新規劃與製程轉進。

龍頭大廠三星DRAM產能增加的空間已相當有限，其每月平均投片量 約39萬片12吋晶圓，目前僅有Line17以及部份Line15空間可以增加產 能。在新廠計畫方面，三星屬意於平澤興建第2座12吋廠，此工廠將 會以 DRAM 為主力產品，但產能開出時間會在2019年之後。

SK海力士也面臨到產能不足的問題，SK海力士的M10廠由於較老舊 轉進18奈米製程將產生較大的晶圓損失（wafer lost），因此考量經 濟效益，已將部份產能轉去晶圓代工領域。M14廠投片規劃也高於今 年初的計畫，預計年底可達8萬片，然而在新增產能空間有限的情況 下，SK海力士也決議在無錫興建第2座12吋廠，預計最快開出產能時 間將落在2019年。

美光集團日本廣島廠與台灣桃園廠（原華亞科）產能都已經來到滿 載水位，僅有台灣台中廠（原瑞晶）的A2廠區產能可利用，評估仍有 60∼70％的空間可供利用，預估可提升約3∼4萬片產能。美光集團目 前尚未有興建新晶圓廠計畫。

根據市調機構集邦科技記憶儲存研究DRAMeXchange最新全球記憶體 模組廠排名調查，由於2016年標準型DRAM價格持續下滑，與DIY電腦 市場規模逐步收斂，2016年全球DRAM模組市場總銷售額約69.42億美 元，較2015年衰退約12.11％。

2016年由於上半年DRAM原廠產出供過於求，4GB DRAM模組均價最低 來到12.5美元，所幸第2季後全球智慧型手機市場對於行動式DRAM需 求大增，才扭轉標準型DRAM產出過多的窘況，使得後續價格一路攀升 。

然而，2016年的標準型DRAM合約均價依然較2015年衰退34％，現貨 價格跌幅又較合約價格更為劇烈，模組廠自然首當其衝，多數模組廠 的營收表現呈現衰退走勢，能夠收斂跌勢已經實屬不易，能夠逆勢成 長的廠商則多為尋找到市場新藍海的贏家。

DRAMeXchange統計，2016年全球前五大記憶體模組廠已占整體銷售 額87％，前十名囊括全球模組市場中93％的營業額，大者恆大已是模 組廠的趨勢。金士頓依然蟬聯2016年全球DRAM模組廠的龍頭寶座，儘 管受到去年DRAM價格下跌逾3成的影響，但在提升合約市場比重與擴 大DRAM相關產品線帶來的綜效下，營收僅衰退6.7％。

如金士頓手機用eMCP產品在中國大陸二線廠已經有相當的比重，今 年目標直指一線大廠；另外，去年開始針對消費型電子市場銷售利基 型記憶體，至今也有不少斬獲。

記憶科技仍是2016年大陸第一大的模組廠，全球排名第三，雖然同 樣受到去年DRAM價格下跌衝擊，營收衰退39.11％，但在聯想的協助 、同時配合上新產品如eMCP與擴大伺服器用記憶體比重等規畫下，預 估未來仍有可觀的成長空間。

威剛則是去年少數逆勢成長的公司，加上電競市場比重與庫存採購 調整得宜，使得威剛在2016年下半年搶得不少成本上的優勢，穩坐台 系模組廠營收第一的位置。

近年來，現貨市場規模持續萎縮，模組廠必須尋找新市場作為維持 營收的新藍海，如金士頓2015年主打智慧型手機領域，2016年強攻利 基型記憶體市場。其他廠商也積極抓住新市場脈動，像是威剛與十銓 就搶攻電競DRAM模組領域，至於記憶科技已經著手布局伺服器用DRA M市場，取得在激烈競爭中的新契機。

受到智慧型手機搭載OLED面板及採用整合觸控功能面板驅動IC（TDDI）等新趨勢，帶動手機內建NORFlash的強勁需求，但因供給端下半年新增產能開出十分有限，導NORFlash缺貨問題嚴重，在第三季順利調漲價格2成幅度後，第四季價格將再漲1∼2成，包括華邦電（2344）、旺宏（2337）、晶豪科（3006）將直接受惠。

根據集邦科技研究，智慧型手機搭載OLED面板，或是採用TDDI方案，都需要外掛NORFlash來儲存程式碼，加上物聯網裝置也都採用NORFlash，因此帶動NORFlash需求快速成長，但下半年全球產能成長有限，NORFlash的每月投片僅約8.8萬片左右，高度客製化與產能不易擴張，第三季市況仍是供不應求，價格因此大漲2成幅度。

全球NORFlash已有多年未見擴產動作，賽普拉斯（Cypress）等國際大廠已經逐步淡出NORFlash市場，轉向專注在車用和工規的市場，而國際大廠出售8吋廠的動作也將影響整體NORFlash市場的供應，市場傳出美光在縮減8吋產能後並未同步擴充12吋產能，導致下半年供貨吃緊。至於大陸兆易創新併購ISSI日前驚傳破局，但產品線由NORFlash轉向3DNAND與DRAM發展的方向並未改變。

台灣業者為了爭搶NORFlash商機，今年下半年有小幅擴產計畫，但對於整體供給量的挹注卻是杯水車薪。以華邦電來說，NORFlash月投片量預計由4.3萬∼4.4萬片，至年底提升至4.8萬片，但低於市場預期的5萬片規模。旺宏方面雖計畫減資後再增資，不過年底前NORFlash月產能投片增幅也低於5,000片。

晶豪科是下半年拿到最多NORFlash產能的業者，除了在武漢新芯的投片量放大數千片規模，第四季也將開始擴大在華虹及力晶的投片量。相較於其它供應商的產能擴充情況十分有限的情況下，晶豪科供貨量大幅成長，已成為大陸手機廠採用OLED面板及TDDI方案時的主要NORFlash供應商。

集邦先前指出，NORFlash產能增加有限，加上機台移入與試產等，實際產出最快也要等到明年下半年才會陸續開出，由此來看，未來數個季度NORFlash供貨吃緊的狀況不變。由於OLED、TDDI、物聯網等三大產品對於NORFlash產品需求屬新興領域，加上原有NORFlash基本盤市場未減，今年來看短期供需失衡難解，而近期市場傳出，NORFlash在第三季大漲2成後，第四季續漲1∼2成，將有助於華邦電、旺宏、晶豪科的營收及獲利表現。

集邦科技記憶體儲存研究DRAMeXchange調查顯示，第二季全球智慧型手機市場買氣雖然低迷，但相較第一季高庫存水位，第二季已明顯收斂並開始重啟拉貨。整體而言，第二季行動式DRAM總產值季增14.8％，三大DRAM廠以三星、美光表現最為亮眼。

第三季行動式DRAM整體營收表現，DRAMeXchange預估，隨下半年智慧型手機市場回溫，第三季合約價格續漲，呈小幅上漲趨勢，行動式DRAM季度營收總產值將持續上揚。

集邦統計，第二季全球行動式DRAM總產值達62.1億美元、季增14.8％，其中以龍頭大廠三星表現最好，行動式DRAM營收季增20.7％達38.17億元，市占率高達61.5％；第二大廠SK海力士營收季增4.3％達13.50億元；第三大廠美光營收季增11.6％達9.25億美元，前三大廠掌握全球98％的行動式DRAM市場。至於台灣供應商南亞科、華邦電第二季營收則呈現衰退。

台灣業者在行動式DRAM的表現不佳。以南亞科表現來看，第二季中低階行動市場上對於主流記憶體eMCP的供給仍緊缺，但因低容量NANDFlash全球供料不足影響下，南亞科單顆行動式DRAM出貨表現不如預期成長，加上南亞科營運策略轉向較高獲利的消費性電子用利基型DRAM，第二季行動式DRAM營收表現上較上一季度衰退。

華邦電行動式DRAM受客戶轉型影響，第二季營收季減3.6％，第三季進入傳統旺季，營收有望回升。

下半年進入消費型PC產業出貨旺季，品牌廠與代工廠皆釋出筆記型電腦出貨將增溫的成長訊號，惟受到零組件報價漲風未歇，加上繪圖DRAM傳出供貨吃緊影響，業內人士預估，包括宏碁、華碩、微星及技嘉等PC業者，在積極搶料備貨之際，下半年端出的中高階及電競新品價格，將反映成本而有所調漲。

DRAM合約價強勁上漲力道未止，集邦科技指出，4GBDRAM模組的合約均價今年首季已季增近4成、達24美元，第2季再上揚逾1成來到27美元；7月持續上漲4.6％、站上28美元以上，預期下半年價格仍將繼續上漲。

PCDRAM價格漲、NANDFlash也供貨吃緊，業內人士表示，今年第2季受虛擬貨幣飆漲帶動的「挖礦潮」所累，讓中高階顯示卡供貨再陷緊繃，加上市場傳出繪圖卡用DRAM也供不應求，8月報價上漲至少3成，從6.5美元調升到8美元，預期未來2∼3個月將持續上揚。

業者擔心繪圖用DRAM短缺的情況，不僅影響下半年盒裝顯卡及桌機市場出貨，所有內建獨立顯卡的電競系列或高階筆電機款，恐都將受累。據了解微星及技嘉兩大一線板卡廠，8月的顯卡出貨已受到缺料影響走緩，對於9月表現內部看法也轉趨保守。

面對接下來的假期銷售旺季，與中國十一長假、雙十一等，品牌廠開始進入拉貨高峰潮。針對零組件漲價及缺料情況，華碩執行長沈振來在上一季法說會時即釋出備料十分充足、可因應下半年出貨的樂觀消息，宏碁則在設定今年將聚焦電競全系列機款目標後，積極強化與供應商的溝通和合作關係，但求出貨順暢。

業內人士預期，下半年品牌廠新款產品價格仍有調漲壓力，至於零組件供需不平衡情況則恐在第3季底、第4季後更加白熱化。

人工智慧及雲端運算帶動資料中心建置浪潮，英特爾新一代Purley伺服器平台7月以來出貨逐月放量，超微EYPC伺服器處理器開案量也同步大增，第3季以來伺服器DRAM模組賣翻天，市場嚴重供不應求，合約價亦順利調漲，在20奈米製程主攻伺服器DRAM的南亞科（2408）、專攻伺服器DRAM模組市場的宜鼎（5289）將直接受惠。

由於今年以來DRAM供應吃緊態勢持續，伺服器DRAM合約價今年上半年已大漲逾4成幅度，第3季因為進入伺服器出貨旺季，伺服器DRAM價格又再漲近1成，32GB模組價格已調漲至260美元以上，而且第4季價格還會再漲。在此情況下，業界預估伺服器DRAM合約價今年全年價格漲幅將上看5成。

今年下半年正好是英特爾及超微推出伺服器新平台的時間點。英特爾Purley平台已經開始出貨，因為新平台支援人工智慧及機器學習運算，而且加強雲端運算及網路傳輸效能，業界認為將帶動3年一次的強勁伺服器換機需求。超微EPYC伺服器處理器也開始放量出貨，受惠國際大廠青睞，開案量持續增加當中。

集邦科技記憶體儲存研究DRAMeXchange分析師劉家豪指出，由於伺服器DRAM平均搭載容量的提升，整體高容量伺服器模組如32GBRDIMM與64GBLRDIMM的使用需求在上半年陸續浮現，使得伺服器DRAM的獲利水準均大幅拉升。下半年隨著英特爾Purley平台產品線的導入，DDR42666MHz的模組將會更有效的滲透市場，預期今年整體伺服器DRAM市場在供需上會持續維持吃緊態勢。

模組業者指出，三大DRAM廠下半年有提高伺服器DRAM產能，以因應英特爾及超微新平台推出後帶動的強勁需求，尤其是伺服器DRAM主流容量提升到32GB及64GB，加上價格連續3季調漲，已經成為獲利最好的產品線。

南亞科7月合併營收42.97億元，較去年同期大增32.1％，累計前7個月合併營收291.53億元，較去年同期大增29.1％。南亞科在伺服器DRAM市場著墨多年，20奈米投片中亦有可用在伺服器的DDR4，預計第4季20奈米投片量可達3萬片，DDR4/LPDDR4產品將進入量產，而且在第4季達到成本交叉，將大幅提振獲利能力。

宜鼎主攻伺服器記憶體模組市場，主要伺服器大廠都是宜鼎客戶，今年以來DDR42666MHz模組出貨量持續放大，加上搭載宜鼎的ServerDOM等開機碟，可望與英特爾及超微新平台共同搭載出貨。宜鼎7月合併營收5.56億元創歷史新高，較去年同期大增43.3％，累計今年前7個月合併營收35.94億元，年增率高達42.2％優於市場預期。

智慧手機面板下半年開始主攻18：9尺寸發展，也同步帶動面板暨驅動IC變革，其中驅動IC廠敦泰（3545）搶先進攻18:9面板尺寸有成，現正攜手陸面板廠京東方、天馬火速量產，敦泰月營收將可望逐月走高到年底。

集邦科技（Trendforce）表示，以下半年各家將推出的高階新機為例，為了改善消費者的使用感受，各大品牌廠紛紛推出18：9全屏幕的規格，期盼藉此刺激市場買氣，一掃上半年的低壓買氣。

供應鏈指出，下半年18：9的TDDI訂單幾乎都由敦泰及新思（Synaptics）瓜分，現在敦泰已經接獲多家陸廠訂單，並開始陸續出貨，目前出貨狀況超乎市場預期，推估敦泰本季TDDI出貨量至少超過2,000萬套水準，等同於今年上半年出貨總和，且從本月起出貨量將逐月走高，訂單一路滿到年底。

據了解，原先法人推估本季營收可望季增2成左右水準，但現在出貨狀況已經優於預期，預期8月合併營收可望上看11億元，本季合併營收則可望小幅上修至季增20∼25％左右。敦泰不評論法人預估財務數字。

法人分析指出，敦泰優勢在於面板減光罩製程自先前率先獲得京東方認證，現在逐步擴及到大陸面板廠天馬，及台灣中小尺寸面板廠彩晶等。法人表示，今年下半年敦泰將以HD畫質為出貨主力，主攻中高階智慧手機市場。

展望第三季全球智慧型手機，TrendForce表示，除了受惠於蘋果即將發表的三款新機帶動市場買氣外，Android陣營也將於第三季陸續推出高屏占比的18：9全屏幕新機，盼藉此刺激消費，搶攻市占版圖。相較於第二季，第三季生產總數預估將接近3.4億支，季度成長率將有5％的表現。

觀察中國品牌製造商第三季生產總量表現，TrendForce預估，受惠於各品牌的旗艦機種帶動，將會有接近10％的季成長空間，生產總量約為1.8億支。

受惠手機和筆電廠備貨需求強勁，集邦昨（21）日出具報告，預估儲存型快閃記憶體（NAND Flash）今年全年都會缺貨，本季價格持續看漲，包括威剛（3260 ）、群聯、創見、宇瞻和廣穎等將是成果豐碩的一年。

集邦旗下記憶體儲存研究機構（DRAMeXchange）昨天出具報告指出，第2季整體NAND Flash市況持續受到供貨吃緊的影響，即使是傳統NAND Flash的淡季，各產品線合約價平均仍有3~10%的季增幅度。

DRAMeXchange預估，本季智慧型手機與平板電腦內的嵌入式快閃記憶體（eMMC）、UFS以及固態硬碟（SSD）合約價將持續小漲。主因NAND在平面製程 （2D NAND）面臨微縮限制，NAND Flash原廠紛紛轉進垂直堆疊製程（3D╱Vertical-NAND），但在轉換期間所帶來的產能損失，已持續造成整體供需失衡，使合約價持續上揚，預計今年整年將處於供不應求的狀態，預期要到2018年隨著各原廠在64╱72層3D-NAND製程成熟後，缺貨才會紓解。

因本季各項終端需求的旺季備貨效應逐漸發酵，特別是來自於智慧型手機龍頭廠商的新機拉貨需求格外強勢，加上企業端SSD出貨量將因資料中心需求而快速攀升，本季NAND Flash供貨吃緊的情況仍難以改善，NAND Flash族群的營收和營業利益都會持續表現亮眼。

集邦也完成各大NAND Flash原廠第2季營運統計，三星仍是表現最亮眼的記憶體大廠，季增11.6%，市占率達35.6%。

另一韓廠SK海力士反而季減0.7%，主因第2季中國大陸智慧型手機需求不如預期，導致位元出貨量季減6%。

成為各家標售的東芝半導體，上季仍受惠價格優勢，季增0.5%。

威騰因併購晟碟（SanDisk），業務整合集中火力，上季營收季增8.6%、年增更達70%，表現出色。