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調研機構集邦科技分析，6月NAND Flash合約價已上揚，7月續增溫，主因手機與平板電腦等裝置業者於第3季進入旺季，拉貨力道會逐季往上，記憶體模組族群熱門認購權證火紅。

Apple將在第三季推出iPhone 6、iPad新產品，業界傳聞蘋果新產品內建記憶體或SSD固態硬碟容量將大幅拉高，因此擴大採購30nm以下先進製程NAND Flash晶片。威剛(3260)指出，蘋果若推出大容量 iPhone 6，將導致NAND Flash市場供給嚴重吃緊，第3季NAND晶片價格看漲。業界預估，NAND Flash第三季合約價可能上漲10到20％。國內模組廠威剛及群聯(8299)，因庫存水位較高，庫存可望隨NAND價格逐步墊高，獲得較高利潤。

如看好個股後市，可挑選相關認購權證操作，如連結威剛的國票V Z(713274)、國票WN(713407)；連結群聯國票WE(713322)、國票WX(713808)，都是目前處於價平至價外5％左右長天期權證，槓桿約3∼5倍左右。

太陽能產業7月受到美國反傾銷初判前的觀望氣氛影響，營運表現恐怕持續黯淡。

研調機構集邦科技昨（16）日表示，近期太陽能市場價格下滑，部分報價甚至跌破業者的損益平衡點，代工價格也來到近期最低點。

外界預期，矽晶圓與電池業者近期的獲利壓力頗大，不排除出現由盈轉虧或虧損擴大情形。反傾銷初判結果將於7月24日公布，太陽能台廠6月下旬業績已受到衝擊。

法人指出，7月現貨價格已比6月下滑約一成。太陽能業者近期自嘲，「明明是大熱天，卻比冬天還冷」。

太陽能股王碩禾（3691）昨天跌幅較深，達2.98%；矽晶圓廠中美晶、綠能，及電池廠新日光、昱晶、昇陽科等也收黑；茂迪與益通則持續上漲。

集邦科技研究經理胥嘉政表示，在多晶矽晶圓方面，最低價格跌破每片0.9美元關卡，來到0.88美元，已低於廠商生產成本。多晶高效電池產品目前報價落在每瓦約0.35美元。

由於進入需求旺季，供貨吃緊，根據最新的7月上旬NAND Flash合約價統計，增幅約在持平至1%左右。研調機構集邦科技昨（16）日表示，上旬漲幅不明顯，是因業者價格大多尚未談定，預計下旬的價格增幅大於上旬表現。

NAND Flash市場在今年初還因供過於求，讓市場氣氛偏向保守，但市況於第2季開始翻轉，價格逐漸上揚，先前NAND Flash控制晶片廠群聯（8299）董事長潘健成即表達對於第3季NAND Flash市況的樂觀看法，認為NAND Flash供應會有點吃緊。外界預期，下半年包括群聯、威剛、創見等有望受惠。6月NAND Flash合約價已上揚，7月持續增溫，主要是因為手機與平板電腦等裝置業者於第3季進入旺季，集邦科技指出，拉貨力道會逐季往上。

太陽能矽晶圓大廠中美晶（5483）總經理徐秀蘭昨（13）日表示，美國對台太陽能反傾銷稅率預定7月下旬裁定稅率，買盤趨於觀望，讓台系太陽能矽晶圓及電池廠7月將遭遇亂流，營收面臨下滑壓力，但中美晶看好後市拉貨動能轉強，本月太陽能矽晶圓仍將全能生產。

美國對太陽能反傾銷調查初判結果出爐前，近期太陽能市場觀望氣氛濃厚，根據集邦科技近期最新報價，多晶矽到模組產品持續下跌，太陽能矽晶圓也跌破1美元。

徐秀蘭強調，近期市場確實呈現觀望，矽晶圓及電池報價呈現下滑，但因台廠多半集中於高效晶片及高轉換率電池，價格下滑幅度有限，加上各廠有節制接單，不盲目殺價，預料在對台稅率裁定後，買盤將進場，價格甚至可望止跌上揚。

徐秀蘭說，中美晶及台系相關電池廠7月營收將因買盤觀望，造成營收下滑，但這是屬於短暫現象。她認為，美國對大陸提出新雙反，是為防堵轉單的漏洞，美方顧及自己利益，以及三二法則，對台反傾銷稅率應會輕於大陸，且未來出貨美國太陽能模組所用的矽晶圓或電池要有在台證明，情況未必對台不利。她對太陽能後市抱持樂觀，主因美國今年太陽能裝置需求可能超乎預估的6GW至7GW，而且美國不太可能全部防堵大陸及台灣矽晶圓和電池而不用。

7月底美國對太陽能反傾銷調查初判結果出爐前，太陽能市場觀望氣氛濃厚，從多晶矽到模組產品的最新報價大多持續下跌。

研調機構集邦科技昨（9）日表示，目前看好後市的業者持續生產，反之則控制庫存水位。

太陽能族群近期受短期利空影響，業績與股價同步下探，僅中美晶（5483）、碩禾與達能6月業績比5月上揚，其他如昱晶、新日光、茂迪、太極、昇陽科、益通、綠能、國碩等，均較5月衰退。

昨日類股股價多收黑，僅中美晶與國碩小漲。

集邦指出，6月太陽能電池廠產能利用率持續下滑，拖累業者營收表現，7月市場需求仍然清淡。客戶端近期釋單意願薄弱，業者面臨不小的庫存壓力。

在矽晶圓方面，集邦表示，近期業者出貨狀況不佳，部分廠商庫存水位已將近一個月，連帶影響交易價格。高效多晶矽晶圓成交價格已跌破每片1美元關卡，苦撐每片0.98美元的底限。

集邦研究經理胥嘉政也提到，除了價格下滑之外，近期多晶矽業者積極要求客戶履約，也對矽晶圓業者帶來另一層壓力。

依照集邦最新報價，多晶矽價格已滑落到每公斤20.411美元，多晶矽晶圓價格持續下滑，來到每片0.974美元，跌幅約0.2%；電池則受到美國新雙反情勢不明影響，價格跌破每瓦0.36美元關卡，來到每瓦0.359美元。

DRAM拉貨潮啟動，上周五（4日）4Gb DDR3現貨價再度刷寫歷史新高，預料將推升華亞科（3474）、南科等相關類股業績。

華亞科、南科、華邦等DRAM族群預定今日公布6月營收，華亞科因良率拉升，加上次級品計價於季底認列，預料仍可維持在歷史新高水準；南科和華邦也可望繳出不錯成績單。

IC通路商透露，受上游晶片商導入20及25奈米製程不順影響，市場供貨短缺，加上通路商及PC OEM廠持續回補庫存，帶動DRAM現貨價買盤強勁。

根據集邦科技旗下DRAMeXchange報價，DRAM現貨價本月初以來持續呈現穩步上揚格局，上周五現貨均價站上4.31美元，超過去年SK海力士無錫廠失火後創下的4.26美元，改寫歷史新高。

集邦預估，本季DRAM漲勢已定，將從7月開始發酵，預估DRAM模組合約價格將向31至32美元邁進，8月高點可能突破33美元，下半年報價都維持漲勢，反映供貨吃緊。

法人指出，目前國內以華亞科擁有最大的標準型DRAM產出量，將是此波DRAM漲價最大的受惠廠商，DRAM模組廠如威剛、創見和宇瞻等，也連帶受惠。

此外，相關利基型記憶體IC設計公司如晶豪科、鈺創，以及封測廠力成、華東、南茂、矽格等，也會搭上此波DRAM缺貨熱潮，整個族群下半年營運都相當樂觀。

根據市場研究機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，DRAM大廠持續將產能從標準型DRAM轉移至行動記憶體(MobileD RAM)，下半年已有供貨吃緊的跡象。由於OEM廠庫存水位低，合約價及現貨價間價差又逼近20％，因此預估第3季合約價將可續漲5∼10％。

由於DRAM大廠持續將產能移至Mobile DRAM，加上部份DRAM廠轉進 25奈米１製程良率偏低，及20奈米製程轉進有延宕的情形下，下半年已有供貨吃緊的跡象。以需求端來觀察，由於OEM廠庫存水位普遍不高，採購策略上除了希望原廠提供的顆粒外，亦向記憶體模組廠尋求更多的支援，DRAM市場已經醞釀第3季合約價格上漲的氛圍。

目前4GB DDR3模組現貨報價約在36美元間，但5月份合約均價在30 .5美元，其價差逼近20％，第3季因為是傳統旺季，合約價格往現貨價格貼近是必然的趨勢，預計第3季合約價格仍有5∼10％的上漲空間。法人表示，標準型DRAM價格上漲，除了有利於華亞科第3季營收及獲利續創歷史新高，DRAM營收占比高的模組廠如威剛、品安等也將直接受惠。

集邦表示，近期的標準型DRAM價格持續攀升的主要因素，還是在於供給端的供貨減少。DRAM已經轉為賣方市場，各廠的生產策略已成為影響價格的重要因素，如三星策略著重於每個DRAM產品領域的主導地位與市占增長，Mobile DRAM仍維持穩定的投片比重，伺服器與繪圖用DRAM需求不惡，即使標準型DRAM毛利優於其他產品，但受制於產品比重策略下產出也無法再擴大。

SK海力士無錫廠大火後良率無法有效提升，今年主力在提升Mobil e DRAM產能，讓標準型DRAM供應持續吃緊。美光則基於自身策略關係，首先在去年新加坡Tech廠產能全數轉進NAND Flash製品，廣島廠則專注Mobile DRAM生產，華亞科與台灣美光則持續提升伺服器用DRAM 的產出量，標準型DRAM的產出比重仍未現明顯增長。

集邦表示，標準型DRAM是現階段毛利最高的產品，但各DRAM廠在自身策略考量下並未躁進大幅增加標準型DRAM的產出量，反而更加著重於Mobile DRAM與伺服器用DRAM的產出調配，標準型DRAM的產出受到控制下，無論在價格與毛利都維持豐碩的報酬。今年的DRAM市況仍將呈現高成長的態勢，再創另一波產業總產值的高峰。

美國商務部對中國大陸太陽能電池與模組產品的「反補貼」初裁於昨(4)日宣布，一般的稅率落在26.89％，高出市場的預估值，凸顯美、中雙方的對立局勢持續升高。不過，業界普遍認為此次反補貼初裁與台廠無關，後續效應影響也不太明顯，使得昨日太陽能族群的股價也是相當「淡定」，漲跌幅在1％∼-2％之間。

研調單位集邦科技認為，此次初判的稅率相較於前一次(2012年) 可說更為嚴厲，若以新稅率來看，從大陸輸往美國的太陽能模組，相較於台灣已沒有成本優勢，如果算進反傾銷稅率，則對於台灣模組輸往美國來說，可望因而受惠。

不過集邦也警示，此次反補貼初判可視為7月底反傾銷初判的風向球。從這次結果來看，美國政府似乎採納CASM的說法，因此原本對反傾銷初判較為樂觀的台灣業者也轉趨保守。也就是說，雖然台灣模組輸美可望受惠，但後續的反傾銷初判，台廠面對的反傾銷稅率，恐怕也會高於預期許多。

事實上，業界認為，此次新雙反的反補貼初判，似乎透露出美國與大陸間的濃濃火藥味，尤其在美國控告大陸多位軍官涉及竊取機密，及大陸宣布禁止企業採用Win8和美國企業諮詢公司之後，「新雙反」也成為另一個觀察指標。

DRAM產業進入寡占結構後，市場從去年開始進入全面獲利的狀況。全球市場研究機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，2014年第1季DRAM產值再度攀升至99.4億美元，較上季成長2％，已逼近百億美元規模。而各DRAM廠獲利穩定成長，普遍來看均創3年來新高。

今年第1季DRAM產值再度攀升至99.4億美元，逼近百億美元規模。三大DRAM廠中，韓國SK海力士(SK Hynix)自無錫廠火災後浴火重生，表現最為亮眼，而其它廠商也都有不錯的表現，堪稱DRAM產業狀況極佳的一年，預估2014年DRAM產值可望來到455億美元，較2013年成長30％。

由各DRAM廠的營運情況來看，龍頭大廠三星算是最早進入25奈米製程的DRAM廠，現階段良率已進入成熟階段，今年上半年產出可望突破 50％，下一代23奈米甚至21奈米製程接近開發完成，有機會於下半年開始導入量產。受到第1季DRAM均價下降影響，營收較上季衰退7％，但由於成本結構領先同業，第1季的三星半導體營業利益仍成長至21 ％。

第2大廠SK海力士今年第1季無錫廠已完全恢復商轉，新購機台亦順勢從38奈米提升至29奈米製程，加上第4季因火災導致基期較低的關係，第1季營收大幅成長近21％，營業利益率來到28％，而近期正式投片量產25奈米製程，下半年將逐步提昇產出量。

第3大廠美光仍以穩健的經營方式固守DRAM市場，營收雖維持持平，但因產品比重調整關係，獲利依然成長當中，營業利益率約在21％，現階段技術方面仍以30奈米製程為主。原爾必達廠將在下半年大幅轉進25奈米製程，原採用美光技術的工廠則在第4季直接導入20奈米製程試產，量產時間點將落在明年上半年，產品規劃上將著重於行動式記憶體及伺服器用記憶體等毛利較高的產品。

在台灣廠商部份，南科轉型為生產利基型記憶體為主的DRAM廠後，仍有部份產能生產標準型記憶體，在第1季獲利上有著不錯的表現，雖然營收下滑8％，整體營業利益大幅攀升至34％。

華邦電受惠於利基型記憶體與小容量行動式記憶體銷售暢旺，整體營收較上季成長6.2％，今年更將擴大資本支出，除了投片提升至4萬片外，46奈米製程的轉進也是重點，生產成本降低讓營業利益成長至 25％。

力晶科技第1季DRAM營收較上季成長42％，其主因來自於P1+P2廠日前移入一台浸潤式機台，挪移部份產能生產標準型記憶體所致，未來將視市場狀況機動調整代工與標準型記憶體的生產比重。

雖然4月DRAM現貨價因供給吃緊而上漲，但合約價仍未見到上漲行情，因此DRAM廠南科(2408)、華亞科(3474)的4月營收意外較3月衰退，主要是受到出貨量減少影響。

至於華邦電(2344)則因為出貨增加且子公司新唐(4919)營收成長，4月營收月增6.3％達31.7億元，改寫35個月來新高。

受到韓系DRAM廠製程不順，導致市場供不應求，4Gb DDR3晶片現貨價格自4月中旬的3.67美元，上漲至5月初的3.96美元，漲幅達7.9％，4月合約價走勢則持平開出，4GB DDR3模組均價維持在30.5美元，折算晶片價格約在3.5∼3.6美元左右。

由於4月DRAM合約價格未跟隨現貨價格上漲，南科4月因出貨量下降，營收月減2.2％達36.87億元，較去年同期也減少23.2％。華亞科4 月同樣因出貨量減少，營收64.62億元，較3月下滑7.5％，但較去年同期仍大幅成長87.6％。

華邦電受惠於利基型DRAM出貨增加，以及新唐4月營收月增13.5％達6.21億元，昨日公告包括新唐在內的合併營收達31.7億元，月增率達6.3％，較去年同期亦成長5.8％，改寫35個月來新高。

集邦科技表示，從需求面分析，隨著微軟終正Windows XP更新，第 2季筆記型電腦市場淡季不淡，全球筆電出貨呈現3.4％的季成長，其中前八大OEM品牌出貨成長更高達7.3％。

另一方面，OEM廠也試圖尋找新藍海，如Google主導的Chromebook ，標榜著低價與雲端應用的結合，主打輕應用的商務市場與教育市場，尤其以三星與宏碁最為積極。Chromebook的興起，創造出有別於原先筆電市場之外的新需求，導致DRAM整體產能可能更加吃緊。

隨著DRAM產業的寡占市場架構形成，劇烈的削價競爭已不復見。集邦科技預估今年DRAM市況將延續去年的高成長態勢，再現另一波總產值高峰。

市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，PC市場第2季淡季不淡，DRAM供需轉趨健康，迎向下半年旺季，4月下旬合約價持平開出。在NAND Flash部份，供應商為了避免利潤被壓縮，不再願意降價來刺激銷售，4月下旬NAND Flash合約價也是持平開出，業者期待6月OEM廠拉貨潮啟動後，將改善市況供過於求壓力。

DRAM市場今年起呈現交投清淡的走勢，無論現貨商或模組廠多維持較低的庫存水位，大廠逐步將產能從標準型記憶體轉向行動式記憶體，供貨吃緊讓現貨市場底部價格確立。其中4Gb DDR3顆粒價格從4月中的3.67美元，至5月初上漲至3.96美元，漲幅達7.9％，牽動合約價格走勢，4月下旬合約價持平開出，均價維持在30.5美元。

集邦科技表示，三星去年將產出比重都放置在行動式記憶體上，目標標準型記憶體供貨多以OEM 廠為主；而SK海力士則調整產品比重，拉高行動式記憶體並降低標準型記憶體的產出量。美光新加坡Tech廠全數轉進NAND Flash產品，與台灣美光增加行動式記憶體的產出，讓後續合約價已呈現欲跌不易的市場氛圍，力守下半年30美元關卡可能性高。

在NAND Flash市場部份，模組廠對後市銷售表現看法保守，加上記憶卡和隨身碟零售價格持續下跌，中國五一假期前的拉貨動能呈現低迷的情況。近期NAND Flash供應商為了避免利潤被壓縮，在價格談判態度轉趨強硬，不再願意降價來刺激銷售，在交易清淡的市況下，4 月下旬NAND Flash顆粒合約價持平開出。

從需求端的變化來觀察，隨著新款iPhone 6與各家廠牌新機種可望於第3季陸續上市，在中國4G LTE智慧型手機潮帶動下，今年下半年智慧型手機的出貨量將較今年上半年成長接近20％。

在平板電腦方面，第3季起除了新款iPad將問世外，其他廠牌高中低階的2014年新機種也多規畫在開學潮與中國十一長假前來搶攻市場，因此下半年平板電腦的出貨量更可較上半年成長約40％，顯示今年在經濟狀況持穩之際，多數業者也對於下半年的旺季效應有明顯的企圖心。

第3季行動裝置新機種上市潮將帶動eMMC與eMCP等相關嵌入式NAND Flash產品的需求自第2季季末開始加溫，有望改善NAND Flash市況供過於求的情形。

DRAM價格大漲之際，儲存型快閃記憶體（NAND Flash）報價跌幅也顯著收斂，甚至出現持平走勢，透露記憶體景氣全面轉好。NAND價格回穩，群聯（8299）、慧榮等業者都將受惠。

根據集邦科技調查，第1季NAND顆粒合約均價受市場供過於求影響，單季跌幅高達16%至18%，但4月上旬合約價逐步露出曙光，僅持平或小跌約1%，預期NAND Flash環境在第3季將呈現較健康的供需平衡，價格於下半年有機會回穩。

集邦表示， 模組端對五一假期銷售需求保守看待，加上庫存仍充足，造成4月上旬NAND Flash採購意願偏低。同時在供應端，NAND Flash廠商庫存去化壓力趨緩，讓利空間變少。供需面拉鋸之下，4月上旬NAND Flash顆粒合約價在持平與微幅下跌1%之間。

集邦強調，第2季各種行動裝置出貨量處於低檔，導致NAND Flash市況偏弱，包含蘋果與三星等主要品牌，與中國品牌的智慧型手機與平板電腦新機上市潮，將從第3季開始發酵，因此嵌入式記憶體（eMMC）與多層次封裝晶片（eMCP）等相關備貨需求，預計將從6月啟動。

集邦預期，NAND Flash第3季需求位元成長率，將較第2季成長16%。

市場昨（17）日傳出，全球第三大DRAM廠南韓SK海力士無錫廠機台發生問題，導致對OEM廠商DRAM供貨可能大減，昨天晚間DRAM現貨價最高漲幅逾7%，24小時內漲逾9%，有助南科（2408）、華亞科等業者營運。

SK海力士無錫廠機台出狀況的相關消息尚未獲得公司證實，業界評估相關傳聞可能性低，但坦言近期DRAM供給確實出現吃緊，相關消息使得原本擔心拿不到貨的通路進場掃貨，造成昨日晚間DRAM現貨報價大漲。

受市場供應吃緊影響，DRAM現貨價格近期呈現盤堅格局，前天晚間約漲約2%，昨天受到SK海力士相關傳聞影響，現貨價格出現暴漲。

根據集邦科技昨天晚間最新報價，DDR3 2Gb顆粒現貨均價在最後一盤大漲4.84%至7.11%，價格為2.1美元至2.275美元，而DDR3 4Gb顆粒現貨均價則上漲1.48%，來到3.762美元。換句話說，現貨價一天內最高漲幅超過9%。市場昨日於盤中傳出，SK海力士因二台曝光機台設定參數有問題，近期對OEM客戶出貨可能減半供應，模組商有意因此調漲報價。

法人分析，本周起DRAM現貨價格呈現上漲，主要是受惠於大陸五一拉貨潮，加上SK海力士傳聞在短時間難以查證，導致昨日價格波動較大。

儘管相關傳言尚未獲得證實，但昨已在台股DRAM族群掀起旋風，華亞科爆出近11萬張大量，攻上漲停板26.2元收市；南科、華邦電也都漲逾3%。這三家台廠將於下周舉行法說，法人聚焦財報之餘，也會關切市況。

DRAM業界昨(17)日傳出韓系DRAM廠因製程轉換不穩定，4月及5月無法正常供貨滿足OEM廠需求消息。在庫存水位不足情況下，已提高 DRAM模組收購價格，現貨市場價格直接反應疑慮，2Gb DDR3晶片現貨價大漲7.1％達2.28美元，4Gb DDR3晶片價格也上漲1.5％至3.76美元。

法人表示，不論SK海力士或其它DRAM廠是否有製程不穩定的問題，標準型DRAM價格昨日全面性上漲，當然代表市場供給量已經不足以因應需求，2Gb DDR3晶片價格一日內大漲7.1％，擁有龐大標準型DRAM 產能的華亞科(3474)將成最大受惠者，DRAM出貨比重高的模組廠如威剛(3260)、品安(8088)等則有機會大賺漲價機會財。

DRAM業界昨日傳出，由於韓系DRAM大廠SK海力士的光罩掃描製程不穩定，導致4月出貨量較原訂目標減半，但第2季因為進入OEM廠備貨旺季，在供不應求情況下，標準型DRAM價格看漲。

不過，集邦科技指出，經多方查證，SK海力士曝光設備出狀況一事純屬謠言，DRAM價格昨日大幅上漲，主要是五一前備貨需求增加，以及部份供應商先進製程推進不順所刺激。

但OEM廠採購人員表示，SK海力士原本4月要給OEM廠的標準型DRAM 數量，已通知只能滿足一半需求，所以包括戴爾、惠普等OEM廠採購人員，昨日上午緊急與金士頓、威剛等模組廠召開線上會議，討論是否有足夠貨源可以滿足需求。金士頓昨日已決定取消所有DRAM模組價格折讓，並將視供給及需求狀況調整價格。

而綜合各方說法來看，惟一的共同點，就是三大DRAM廠在進入製程至20奈米世代，的確遇到了不少問題，所以實際的產出的確沒有原先預估的多。

模組業者分析，三大DRAM廠多數產能均移轉生產行動裝置所需的M obile DRAM，標準型DRAM投片量持續下降，一旦DRAM廠產能無法如期開出，市場供需就會立即出現供給缺口，價格自然隨即走高。目前看來，第2季中旬前價格上漲趨勢已經明確，預估4GB DDR3模組將由目前的31∼32美元，至5月中前上漲至35美元左右，換算4Gb DDR3晶片顆粒價格約可上看4∼4.1美元。

研調機構集邦科技昨（1）日表示，由於第1季是傳統淡季，3月下旬DRAM合約價小幅下跌，與2月下旬相較，跌幅約1.56%，估計4月的跌幅可能會加大。

集邦預估，第2季標準型DRAM價格可能會比第1季下跌10%至15%，3月下旬的主流模組產品成交均價約31.5美元，第2季可能回到SK海力士無錫廠受災前的水準，約27至28美元。

行動記憶體方面，第2季整體跌幅可能在5%以內，甚至因為出貨旺季效應帶動，部分產品規格的價位還會上揚。

集邦指出，第1季大部分DRAM客戶皆以整季為基礎來洽談合約價，僅少數客戶需於3月議定合約價，整體來看，合約價緩步下滑的趨勢不變。

同時，DRAM市場在寡占結構形成後，削價競爭態勢趨緩，DRAM廠與PC OEM廠更講求長期配合的關係，合約價議定的頻率，從之前的二周一次，漸漸轉為每月一次，甚至每季一次。

集邦指出，行動記憶體取代標準型記憶體，成為出貨量最大宗，因此DRAM廠的產品結構調整，將影響未來獲利程度。

科技市調機構集邦科技昨（24）日指出，農曆年過後迄今，DRAM現貨市場交投清淡，主流晶片DDR3 4Gb 有效測試（eTT）晶片價格，農曆年後迄今跌幅達13%，預估今年全年DRAM價格將緩步走跌。

南科（2408）、華亞科等DRAM廠對DRAM報價走跌抱持中性看法，認為晶片降價是很合理的狀況，隨著產品組合與製程微縮效益發酵，兩家公司對今年營運仍樂觀看待。

集邦研究協理吳雅婷表示，由於處於傳統PC出貨淡季，加上英特爾新晶片組Boardwell將遞延至今年第4季發表，且微軟新作業平台Win 8.1無法拉抬PC出貨，PC OEM廠對下半年能否有旺季效應多持保留態度。

研調機構集邦科技調查顯示，主要系統OEM客戶淡季需求疲弱而持續砍單，儲存型快閃記憶體（NAND Flash）供應商必須以積極價格策略來減輕庫存壓力，導致2月NAND Flash顆粒合約價較1月下滑將近14%。

儘管市場供過於求聲浪不斷，但快閃記憶體控制晶片大廠群聯（8299）董事長潘健成日前指出，NAND Flash應用範圍變廣，搭載容量也逐漸增加，因此不需要太過擔心需求。

集邦認為，今年上半在終端需求保守看淡的情況下，NAND Flash市況將有較明顯供過於求的現象，價格也呈走跌情勢，需求疲弱格局將持續到第3季進入OEM系統出貨旺季之前。

從供給面來說，集邦指出，三星與東芝目前暫緩上半年產能擴張計畫，雖然三星西安廠將於第1季正式開始運轉，但初期階段仍需提升生產與良率，加上3D NAND Flash的客戶認證流程時間更久，估計今年對市場供需影響不大。

另外，東芝的第五半導體廠第2階段將在今年第3季完工，第4季起試產先進製程產品與3D NAND Flash。而SK海力士因無錫廠火災，將原本NAND Flash產線轉做DRAM，在無錫廠復工後，借調產線將恢復生產NAND Flash，預計SK海力士NAND Flash產能在第2季將可回到災前水準。

同時，美光新加坡廠DRAM移轉至NAND Flash的作業也告一段落，規劃自第2季開始將全產能生產NAND Flash。

集邦估計，NAND Flash第1季的供給位元較去年第4季僅將成長6%。從需求端來看，集邦認為，目前OEM需求顯得疲弱，因此上半年沒有明顯動能刺激NAND Flash終端需求。

根據集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查，去年第4 季全球DRAM產出雖受到SK海力士無錫廠大火影響而稍有略減，但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價勁揚，因此去年第4季全球DRAM產值再度攀高至約97.48億美元，季增4.8％並連續5季創下新高。

集邦科技研究協理吳雅婷表示，就去年第4季合約價格走勢觀察，由於9月SK海力士受祝融波及而影響當下出貨，4GB DDR3模組合約均價最高來到34美元價位，較火災發生前上漲約2成，供貨不足下主要 PC OEM廠紛紛轉向三星及美光要求緊急供貨，亦是這波價格上漲受惠最多的廠商。

由前3大廠的市占率變化來看，三星維持原先策略，標準型DRAM比重進一步提升，並意圖持續擴大Mobile DRAM對外採購比重。由於三星的25奈米已經順利量產出貨，相較於SK海力士的29奈米、美光的3 0奈米，顯然成本結構領先同業水準，在2014年平均銷售單價可能緩跌的前提下，三星的營業利益仍舊可以維持20％水位，無疑為產業獲利最高的廠商，市占率亦高達39.1％。

美光合併爾必達後，市占率衝高至28.7％，正式超越SK海力士成為第2大廠。美光2014年目標為逐漸導入爾必達技術為主的20奈米，預計正式量產時程約落在第4季，若站在標準型DRAM的角度觀察，美光的產出比率將占總產業的三分之一強，對該市場影響力將大增。

SK海力士受無錫廠大火影響，市占率已降至23.8％，但該公司傾全力恢復產出，預計產能流失的衝擊可望在今年首季全面回復。

在台灣業者部份，南科、華邦電、力晶等均積極進行製程微縮以維持競爭力，南科今年將全數轉進30奈米製程，投片量已達總產能8成；力晶雖已轉型為代工廠，但今年也將開始轉進20奈米；華邦電除提升月投片量至3.8萬片，46奈米製程轉進比重亦是今年的重點，生產成本降低將有助今年獲利表現。

集邦指出，SK海力士無錫廠的復工狀況將直接牽動未來價格走勢，由於每年首季將是需求淡季，加上3大廠產出均增加，價格將呈現緩跌態勢，而跌幅將隨著旺季來臨而趨緩。由於DRAM廠已不再盲目擴產，預估2014年的DRAM總產值可望進一步提升，並在後20奈米時代來臨之前為各DRAM廠帶來穩定的獲利。

研調機構集邦科技昨（23）日公布2月太陽能現貨價格持續上漲，中美太陽能貿易戰至今，並未造成產業端明顯砍單的現象，推估最快3月起台廠業績才會受到影響。

太陽能族群昨天表現漲跌互見，僅碩禾（3691）因一度市場傳言可能遭競爭對手控告，導致股價重挫至跌停、收544元；碩禾強調，至今沒有接獲任何相關消息。法人也評估傳言可能性低。其他如國碩、達能、新日光與昇陽科等個股也收黑；茂迪與中美晶則收紅。

集邦科技指出，台系矽晶圓業者目前產能利用率維持滿載，且2月訂單還有客戶追加。在電池廠方面，受到2月工作天數較少影響，營收可能下滑。

外電報導，記憶體大廠美光旗下爾必達（Elpida）將投入800億日圓（約新台幣231億元），擴增日本廣島廠行動記憶體二成產能。集邦科技認為，這顯示出受惠於記憶體價格回升，相關廠商可能再掀起產能競賽。

目前包括華亞科（3474）、南科與華邦電等均投入行動記憶體發展，若產能競賽再起，未來市況的供需變化與產品價格，可能影響其相關業績。

外電報導，爾必達將投入約800億日圓，用以擴增廣島廠的行動記憶體產能，這是爾必達歷經破產重整與被美光收購等事件，近三年來首度出現擴產動作。

集邦表示，目前廣島廠除極少部分產能，幾乎都用以生產行動記憶體，月產能約10萬片，擴產二成就等於擴增到12萬片。另外還有美光台灣（原瑞晶），大約也有月產能2萬多片。