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本土DRAM廠5月營收紛紛比4月成長，看似打破傳統淡季束縛，

但實際上是因為先前大廠紛紛減產，造成比較基期偏低；對業者

來說，真正的挑戰，要到下半年才能一決勝負。

集邦科技便認為，下半年因個人電腦代工廠商減少庫存量，

DRAM廠又提高產能利用率的影響，市場會有價格方面的壓力。

預估今年供應方面的位元成長率小於10%，需求方面的位元成長

率則是小於20%。

換句話說，在價格已有一波拉抬下，業者檯面下陸續降低減產數

量，並恢復產出，勢必會增加市場供給增加的壓力，成為壓抑價

格走勢的主因，屆時誰的成本最低、良率最高，又將成為勝出關

鍵。

DRAM現貨市場價格近期自高點拉回，但合約市場價格仍蠢蠢欲

動。台灣最大DRAM合約市場供應商南科（2408）副總經理兼發

言人白培霖昨（1）日表示，在大廠減產效應持續下，6月DDR2合

約價持續走俏，漲幅有機會達到一成，預期未來二到三個月價格

仍看漲，但第四季還很難說。

南科是近期最積極調漲DRAM合約價的業者，4月營收26.47億元

，較3月成長19.2%，是今年來的新高，且連兩個月走升。白培霖

透露，南科5月持續漲價15%左右，預期5月營收仍可延續成長態

勢。

白培霖指出，前波DRAM現貨價格急漲，但合約市場價格並未跟

上漲幅，加上合約市場仍有一定需求存在，是近期現貨價回跌，

但合約價仍有漲價空間的主因。

根據集邦科技（DRAMeXchange）報價，1Gb DDR2 DRAM晶片現

貨價目前約在1.25美元左右，同規格晶片合約價則在1.13美元附近

，兩者價差約達一成。

白培霖認為，目前消費性產品用DRAM、新興市場及中國大陸等

地需求都不弱，未來二至三個月合約價可望穩定攀升，只是目前

部分DRAM廠開始逐步增加產能，為第四季產品價格走勢添增變

數。

相較於DDR2第四季價格走勢仍不明朗，白培霖認為，在低電壓

（CULV）電腦帶動下，使最新款的低電壓DDR3晶片需求增強，

出貨狀況也比業者預期好，預估第三季DDR3就可能缺貨。

觸控應用當紅，面板廠如友達（2409）、群創（3481）與勝華

（2384）等藉由既有優勢而進入觸控面板製造，而彩色濾光片廠

達虹（8056）、和鑫（3049）因現有設備利於觸控面板生產，也

開始轉型往觸控面板發展，除了外掛式觸控面板外，也挾著集團

之力，分別協同友達和彩晶合作開發的內嵌式觸控面板。

觸控題材加持，達虹、和鑫、正達（3149）營運現轉機，今

年都有機會轉虧為盈，營收成長率逾20％。

根據研究機構集邦科技預測，由於蘋果iPhone熱銷、加上微

軟新版作業系統Windows7帶領激勵，除在手持裝置逐漸普及外，

PC方面則隨著Windows 7的出現而提高應用層面，包括筆記型電

腦、Netbook、整機一體電腦（AIO PC）、液晶監視器都已陸續出

現觸控應用。

估計台灣觸控面板產業今年產值將達到新台幣320億元（約

9.5億美元），年增率約36％，估計到了2012年整體觸控面板產值

將達到498億元，年複合成長率高達16.9％。

面板廠利用彩色濾光片產能開發觸控面板技術，濺鍍及黃光

均為高額資本投資製程，形成了一道資金門檻，且現有濾光片廠

設備折舊攤提認列已過半，具有成本競爭優勢。

而在集團力量方面，濾光片業者可藉由集團面板廠，例如和

鑫與彩晶、達虹與友達，合作開發系統端客戶，切入觸控面板供

應鏈機會高，在今年下半年觸控營運將會明顯成長。

達虹5.6吋內嵌式觸控面板已經開始出貨，10.1吋以上的外掛

式觸控面板也打進了一線NB品牌供應鏈，預計今年下半年開始放

量出貨。

外資預估，觸控面板在今年第四季占達虹營收比重將達50％

，可望帶動達虹今年營收成長10％至20％、挑戰虧轉盈。和鑫開

發的觸控面板已經送樣給大陸客戶，估計到今年第四季在南科的5

代廠將有近3萬片產能投入電容式觸控面板與模組生產，並以

Netbook及智慧型手機為應用市場。

群創、和華映均自建觸控面板產能，不過鴻海集團更進一步

轉投資正達投入觸控面板ITO鍍膜領域。正達總經理江嘉斌表示，

觸控面板ITO鍍膜年總產能可達100萬平方米，目前正進行送樣認

證，預計本季底開始出貨，估計今年隨著ITO玻璃開始出貨，預計

第三季產能利用率提升到40％以上，公司可望轉虧為盈，預估今

年合併營收上看10億元，年成長超過40％。

集邦科技表示，由於蘋果iPhone熱銷、加上Windows7帶激勵，估

計台灣觸控面板產業今年產值320億元，年增率達到36%。但台灣

廠商多以生產小尺寸觸控螢幕相關產品為主，由於關鍵技術以及

專利掌握在日廠以及美系大廠手中，台灣廠商要跨入大尺吋觸控

螢幕領域，將有挑戰。

觸控類股昨（26）日在漲多回檔下，洋華（3622）完成填權後，

昨天跌停下殺451.5元，成交量4,604張，類股中和鑫（3049）、

勝華（2384）、原相（3227）等都以跌停作收，相關類股全面

長黑重挫。

集邦科技表示，台灣廠商主要切入點是觸控面板的下游的觸控面

板製造，例如洋華、介面光電、富晶通等是觸控面板組裝廠商。

此外，由於觸控面板多應用於液晶顯示器，LCD製造商例如友達

、群創與勝華等藉由LCD的優勢而進入觸控面板製造。

集邦科技表示，台灣原本就有不少觸控面板廠商，且用來搭配觸

控面板的LCD及下游系統整合產業完整，近期投入相關領域的資

訊廠商也逐漸增加，系統整合廠商為在原有產品增添觸控面板應

用，以轉投資方式進軍觸控面板。

屬於零組件的彩色濾光片、IC設計、擴散膜等廠商也開始進入觸

控面板產業，至於與觸控面板息息相關的LCD製造商，則希望藉

由內嵌觸控功能的顯示面板來提升產品附加價值。

統計台灣觸控面板產業，包括下游觸控面板組裝，中游的導電薄

膜、導電玻璃以及上游控制晶片等，去年全年產值達到230億元，

其中觸控面板組裝產值最大，占比達到94%。

北韓進行核子試爆演練，DRAM業與面板業者都認為，目前看不

出對市場供應有任何衝擊，除非北韓真的對南韓發動實質攻擊，

否則短期市場應不至於有太大的變動。

昨（26）日面板類股尾盤急殺，市場傳出韓國三星對友達與奇美

電的面板訂單可能抽單以及4月下游庫存備貨告一段落，引發市

場聯想，奇美電、友達、彩晶、群創等都在尾盤下殺。

彩晶公司指出，目前市場上確實是有雜音出現，但是彩晶還是產

能滿載，訂單沒有鬆動的跡象。市場上出現對漲價不認同的雜音

，或者是客戶端有抽單的聲音傳出，應該最快也要第三季看歐美

市場的狀況，才有可能真正產生影響，至少在這兩個月內沒有變

數。

奇美電說，韓元匯率波動會對面板產業有什麼影響，要看韓元對

美元以及新台幣對美元三者間變動。

根據集邦科技（DRAMeXchange）報價，與市場脈動最貼近的

DRAM現貨價近期並未顯著波動，昨天最新報價均呈現小跌，

1Gb DDRII有效測試顆粒（eTT）均價為1.24美元，跌幅約0.63%。

力晶表示，南韓是全球最重要的DRAM生產基地，三星、海力士

（Hynix）兩大廠市占率便超過一半，但北韓核子試爆目前並未對

南韓DRAM廠造成實質的生產威脅，因此目前看不出影響市場的

狀況。

不過，由於北韓核子試爆造成南韓股、匯市衝擊，若韓元因此再

度大貶，相對提高南韓DRAM廠出口競爭優勢，這點則需要密切

觀察。

南科也指出，該公司認為，DRAM合約市場價格仍有漲價空間，

但主要因為晶片廠減產效應，並非北韓核子試爆的影響。

5月下旬NAND Flash（儲存型快閃記憶體）合約價出爐，5月下旬

合約價小幅下跌2％到6％，雖然5月以及6月為傳統淡季，但買、

賣雙方對價格看法差異，現貨市場出現多空膠著。

下游測試封裝廠則認為，NAND主要用在消費性產品上，第

三季是消費性電子產品傳統旺季，價格應該在第三季重新回到上

漲軌道。

集邦科技表示，5月下旬NAND Flash合約價部分主流MLC顆粒

的合約均價小幅下跌2％到6％，主要原因為部份供應商在季底效

應下，於5月下旬已開始進行部份高容量產品的促銷降價活動。隨

著第二季季底效應將近，部份NAND Flash供應商從5月中起，已開

始展開促銷活動，以降低其庫存水位，尤其是採用新製程技術的

高容量NAND Flash MLC顆粒，會比採用較成熟製程技術的低容量

NAND Flash顆粒價格優惠大。

記憶體封測廠表示，NAND Flash價格回到這種價位已經不易

，要在大幅上漲機率不高。

NAND Flash市況，土洋看法不同調。美國記憶卡大廠（SanDisk）

昨（20）日預期本季價格持穩向上，但台灣最大記憶卡控制IC業

者群聯（8299）則相對保守，估計5月營收將比4月下滑兩成左右

，獲利狀況也應不會如外界預期樂觀。

新帝與群聯分別是全球記憶卡成品應用及控制IC大廠，在產業非

常具指標性，雖然新帝看好市場發展，但出貨遍及全球各大記憶

體模組業者，洞悉多數下游客戶動態的群聯卻相對保守，為原本

市場預期本季淡季不淡的NAND市況添變數。

新帝財務長Judy Bruner指出，過去三年來，NAND Flash產能大舉

開出，造成價格急速下跌，供需秩序經過調整後，第一季價格開

始緩步走揚，預期本季將有更正面影響。

相較於新帝看法偏向正面，群聯則相對保守。群聯認為，由於前

波NAND Flash價格漲幅太大，近來市場買氣偏向觀望，近一周

NAND晶片價格開始出現回檔一成左右，也讓公司對於本季市場

趨勢看法轉趨保守。

群聯認為，市場買氣觀望已對5月營收造成衝擊，內部估計將比4

月衰退兩成左右，在此前提下，也希望市場不要對公司本季獲利

以「高標準」檢視，以免屆時財報出爐後產生落差。

根據集邦科技（DRAMeXchange）報價，近期NAND Flash現貨價

已由高點開始向下滑落，以16Gb MLC規格晶片為例，5月來均價

已由4.59美元下修至4.11美元附近。

合約市場方面，5月上旬各類晶片均價在持平到上揚12%的區間。

集邦認為，在流感、及價格先前漲多，客戶端採購態度轉趨觀望

，加上季底結帳效應等多重影響下，短期合約價將呈現盤整震盪

。

全球筆記型電腦（NB）走低價風，研究機構集邦科技（

DRAMeXchange）表示，觀察CULV（低電壓）CPU等相關零組件

供貨能量與速度，預估今年全球CULV平台的NB出貨規模達800萬

至1,000萬台，占傳統NB出貨約7%到9%，宏碁（2353）可望拿下

其中五成以上市占率。

由於使用Atom處理器的小筆電（Netbook）持續熱賣，壓縮處理器

大廠英特爾的毛利率，集邦科技表示，英特爾為改善影響獲利及

營收表現，因此力推CULV處理器，率先響應的宏碁、華碩

（2317）、微星（2377）等，今年上半年已有相關產品上市，其

中以宏碁產品線較完整。

宏碁將採用CULV處理器的NB產品線命名為Timeline，產品尺寸在

13.3吋至15.6吋，價格約在699美元至899美元間。

集邦科技表示，目前已上市的Timeline為13.3吋及14吋，分別由英

業達（2356）及緯創（3231）代工，若含計畫第三季上市的15.6

吋，今年出貨目標為500萬至600萬台，但出貨目標達成的情況，

還需視零組件供應的情況而定。

與宏碁在NB市場短兵相接的惠普（HP）、戴爾（Dell），在CULV

產品推出時程落後宏碁將近一季，集邦科技表示，惠普以及戴爾

考量CULV產品與原有產品線定位重疊，因此作法不如宏碁快速且

彈性，恐怕只能搶占第四季銷售旺季，也使宏碁在CULV市場搶得

先機。集邦科技估計，第二季全球NB出貨量較首季成長10%到

15%，第三季因旺季效應可望持續成長，但成長幅度需視6月新機

陸續推出後，消費市場的買氣而定。

集邦科技（DRAMeXchange）第一季全球DRAM廠排名出爐，韓

國三星、海力士（Hynix）仍穩居前兩大廠，韓系業者總市占率也

因同業減產而大舉向五成大關邁進，創近年來新高；台廠總市占

率則由前季的11.8%增加至13.6%，在產業重要性同步提升。

台灣業者中，第一季營收市占率排名以華亞科（3474）居第五排

名最佳。前十大廠中，第七至第十名都在台灣，依序為瑞晶、南

科（2408）、力晶（5346）與華邦（2344）。

去年第四季市占率仍在前十名內的茂德（5387），第一季市占從

前季的3.1%降至1.7%，被擠出前十大。

集邦指出，受減產效應影響，全球DRAM廠第一季總營收較去年

第四季衰退約22%。

全球記憶體晶片龍頭韓國三星昨（11）日表示，今年全球DRAM

出貨量年增率約僅10%至15%，遠低於預期。投信法人認為，在市

場供給成長有限下，伴隨微軟新作業系統Windows 7上市後帶來的

需求潮，將有助持續推升DRAM價格走勢。

根據集邦科技（DRAMeXchange）最新報價，1Gb DDRII有效測試

顆粒（eTT）價格昨天小漲0.29%，均價為1.34美元，持續改寫去

年第三季末以來新高，5月以來漲幅已近一成，已讓力晶（5346）

、瑞晶等大廠轉為現金流入。

外電報導，三星在接受媒體訪問時透露，今年全球DRAM出貨量

年增率僅10%至15%；NAND晶片年增率則在25%至30%。三星並預

期，今年全球個人電腦（PC）出貨量將年減5%左右，手機出貨量

則將年減6%至9%。

三星在去年第四季的法說會時曾預估，今年全球DRAM市場出貨

量年增率將達45%左右，如今大幅下修至10%至15%；業界認為，

由於各大DRAM廠今年都縮小資本支出，新增加的產出，多半靠

製程提升至50奈米所貢獻，並無實質新增產能，在新機台所費不

貲下，自然抑制產出量急縮。

而在微軟Windows 7即將問世，配合新作業系統對多媒體等應用增

加，所需的DRAM也將提升，將有助需求放大。以Windows 7的「

XP模式」為例，建議搭載DRAM容量便達2GB，若要使操作更順

暢，更要達3GB以上的容量，在需求量可能增加、但供給量有限

下，有助推升價格走勢。

DRAM廠目前對後市普遍抱持正向看法。南科（2408）認為，

DRAM價格可望在第二、三季逐步轉好，有助本業營運狀況，不

過第四季目前「還無法預測」。南科今年產出年增率估計約37%

，將視產業狀況調整。

力晶日前公布季報時曾表示，近期DRAM現貨價站穩1.2美元以上

，已使力晶現金開始流入，因此上季在減產效應下，虧損縮減，

若本季價格持續走揚，對其現金流出壓力將大幅減輕。

隨著各國政府禁用白熾燈的時間表陸續公佈，LED產業研究機構

LEDinside預估全球整體照明產品的更新效應，將在2010年至

2012年間逐漸發酵，估計至2012年，LED照明領域年複合成長率

可達33%，隨著LED發光效率的提升以及成本的下降，未來LED照

明的普及率會提升，將逐漸切入室內照明以及路燈照明等領域。

LED產業研究機構LEDinside主編林昌明表示，相較於其他節能燈

泡出貨量不如預期，高單價的LED燈在2008年出貨量也隨著白熾

燈泡同步成長，主要原因除基期相對較低外，LED 燈泡也提前取

代部份的傳統光源。

由於LED光源具有指向性，且演色性佳，因此提前切入在商場中

投射用途PAR燈市場，LED色彩可作多種變化，儘管價格不便宜

，但應用於建築景觀照明市場接受度非常高。雖然LED在照明領

域的滲透率逐漸增加，但仍以商用空間的照明用途居多，高昂的

成本仍是目前LED進入照明領域的最大障礙，隨著LED發光效率

的提升，以及成本的下降，LED將在2010年後逐漸切入室內照明

領域以及戶外的路燈市場，LEDinside估計至2012年，LED照明規

模可達13億美元左右，年複合成長率高達33%。

DRAM現貨價再度強漲，昨（23）日均價攀升到1.26美元近七個多

月新高，兩天來漲幅逾一成，擺脫長期價格打底階段，在模組廠

威剛（3260）、創見（2451）率先轉盈之餘，上游晶片廠力晶

（5346）、南科（2408）等也朝賺錢之路邁進。

根據集邦科技報價，1Gb DDRII有效測試顆粒（eTT）昨天再度大

漲4.47%，均價1.26美元，突破整理價格區間束縛。

此波DRAM價格從3月底重回1美元大關後，波段漲幅已超過兩成

。

DRAM現貨價一舉突破前波壓力區間束縛，產業結構鏈也跟著活

絡起來，下游模組廠在第一季在庫存價格與實際價格最高價差高

達一倍下，威剛（3260）、創見（2451）等已率先轉盈，本季獲

利可望更上一層樓。

本季以來DRAM現貨價格持續強勢，下游模組廠獲利豐碩之際，

上游晶片廠也可望朝轉盈之路邁進。日本記憶體大廠爾必達

（Elpida）便透露，若價格順利向上攀升，最快6月就能擺脫虧損

陰霾。

基本面好轉也帶動市場投資人信心，全球第二大DRAM廠韓國海

力士（Hynix）昨天便宣布公司債權人已同意一項注資1.3兆韓元

（9.62億美元）的計畫。

當地分析師認為，此次注資實際金額遠高於市場預期，市場可能

會有正面解讀，若DRAM價格持續回升，海力士有可能在第三季

出現獲利。

DRAM通路業者表示，由於上游晶片廠已停止低價出售DRAM，導

致市場買盤積極進場補貨，拉高庫存，是這波帶動價格上漲的原

動力。由於晶片廠大舉減產後，現階段供給量實在偏低，且終端

庫存也所剩無幾，在這波漲勢還有推升的空間。

集邦科技表示，由於現階段占現貨市場供給達六成的爾必達及力

晶已停止低價出貨，在供給大減下，DRAM現貨價格最快6月便可

回升到1.5美元，並帶動合約市場價格也將跟進補漲，屆時將有部

分DRAM廠邁入轉盈。

受惠價格強彈，DRAM族群昨天再度發動漲勢，力晶、南科、華

亞科（3474）、華邦電（2342）、茂德（5387）都以漲停版收

市。

DRAM廠大富減產效益發酵，加上庫存水位降低，集邦科技昨日

晚間最新出爐的DRAM現貨價呈現勁揚走勢流規格大幅上漲6.16%

，報價突破1.2美元盤整區達1.21美元，與合約價差距擴大至28.7%

，合約價上漲趨勢幾已確立。

集邦科技的DRAM現貨報價一日更新三次，至昨日晚間6點最後一

次更新為止，現貨價格單日大漲6.16%，主流規格DDR2 1GB eTT

顆粒報價介於1.22美元至1.12美元，平均報價落在1.21美元，已經

突破盤整區，其餘規格的報價也全面呈現上揚走勢，1.2美元據估

計，已經達到龍頭大廠三星電子的現金成本。

而根據本月21日出?的合約價顯示，每夥價格達0.94美元，現貨價

、合約價價差擴大至2成以上，現貨價走勢可望引導合約價走高。

DRAM廠指出，DRAM的固定成本約占6成至7成，價格影廠商營運

甚鉅，各家廠商的成本結構不同，1.2美元至1.5美元應該可以陸

續讓DRAM廠脫離貼現金的窘境，現金流出的速度也可望放緩。

記憶體大廠持續減產，加上市場需求逐漸增溫，DRAM、Flash（

快閃記憶體）現貨價昨（14）日同步上漲，且均創下近月來波段

新高；業界預期，近日將開出的合約價將受激勵上揚，有助減緩

國內DRAM廠現金流出速度，模組廠的庫存回沖利益也持續攀升

。

根據集邦科技交易網站上的最新報價，DRAM主流規格DDR2 1GB

ett（有效測試顆粒）現貨價，每顆價格回升至1.06美元、DDR2

512MB ett顆粒價亦站回0.46美元；三星Flash記憶體32GB MLC（多

層單元規格）價格也分別漲到8.71美元，創近月新高。

DRAM業者表示，國內外DRAM廠持續減產，市場先前庫存大減，

且近期亞太地區市場需求強勁，通路商、系統商為免下半年旺季

供貨時斷炊，近期逐漸增備庫存，帶動現貨行情走高。

在國內廠家，力晶（5346）、南科（2408）、華亞科（3474）、

茂德（5387）目前仍處於減產狀態，力晶、茂德減產幅度超過五

成，南科、華亞科估計減產約二成。

國外廠商方面，包括南韓三星（Samsung）與海力士（Hynix）、

日本爾必達（Elpida）、美國美光（Micron）等，在不堪長期虧損

、現金流出下，目前平均減產一到二成。

中國大陸的家電、PC下鄉政策，帶動亞太地區對記憶體需求轉強

，激勵現貨價格近期向上走揚，系統廠也擴大備貨下單，帶動合

約價格開始上調，海力士、南科等合約大廠，目前傳出下旬合約

價仍有調升空間。

蘋果開始為下半年新款iPhone大舉備料，激勵儲存型快閃記憶體

（NAND Flash）近三個交易日大漲20%，16G主流規格從3.8美元

上揚至4.58美元。國內創見（2451）、群聯（8299）等相關業者

可望成為此波快閃記憶體價格上揚最大受惠者。

近期DRAM、Flash現貨行情呈現雙漲，創見、威剛（3260）等模

組廠去年底備有大量低價庫存，首季可望有可觀回沖收益。

投信法人表示，威剛、創見等首季獲利將優於市場預期，記憶體

後市行情看漲，第二、三季營運也不看淡。

去年底開始，韓國三星、海力士及日本東芝進行減產，市場供給

逐漸減少，但隨消費性電子產品旺季需求展開，快閃記憶體價格

近期出現大漲走勢。

蘋果向來是Flash需求最大的廠商之一，蘋果推出新款iPhone，激

勵Flash出現波段漲勢。

消息指出，全球最大模組商金士頓鑑於蘋果將於夏天推出改版的

iPhone，且主要搶攻中國大陸市場，近期已開始大舉建立快閃記

憶體部位。

其他模組業者也指出，蘋果似已包下三星近四成產能，導致近期

市場供貨開始短缺。

此外，大陸山寨版智慧型手機也將開始量產，亦將帶動快閃記憶

體需求，以每台手機搭載16G記憶體計算，需求不在蘋果正版手

機之下。

集邦科技表示，由於部分NAND Flash供應商第二季起將持續調整

其全球供貨策略，主要是調高系統廠商客戶供貨的比重，但降低

對記憶卡及UFD客戶的供貨比重，在供應商減少供貨量給某一些

客戶情況下，使主流顆粒16Gb與32Gb MLC（多層次儲存格）顆粒

現貨價格上漲。

集邦科技認為，上游供應商目前傾向不增加NAND Flash第二季晶

圓產出量，以維持價格的穩定；市場預期，部分下游相關NAND

Flash應用系統大廠已開始逐漸準備第三季終端產品出貨所需的元

件，且中國大陸電子產品下鄉政策效應以及山寨機的需求仍然存

在，有利價格支撐。

根據台灣工銀證券法人預估，受惠開春以來記憶體價格上漲，創

見等首季每股獲利應有2元以上水準；群聯受惠毛利率重回兩位數

，季報亦將讓市場驚豔。

儘管力晶（5346）董事長黃崇仁喊出「4月起市場將很難買到

DRAM！」，但DRAM現貨價格昨（2）日卻下跌2.48%，創近一個

月來最大跌幅。

根據集邦科技（DRAMeXchange）昨天晚盤最新報價，1Gb DDRII

有效測試顆粒（eTT）下跌2.48%，均價為1.02美元，再度面臨1美

元大關保衛戰。

品牌顆粒均價則率先失守1美元價位，均價為0.94美元至0.98美元

，跌幅超過1.4%。

DRAM現貨價格本波自3月中旬的0.78美元附近起漲，昨天下跌

2.48%，是近一個月來最大跌幅。現階段DRAM價格遠低於DRAM

廠生產成本。

投信法人指出，台灣記憶體公司（TMC）公布合作伙伴及架構後

，市場買氣可能轉趨觀望，加上此波DRAM價格漲幅已近四成，

漲多壓回是合理現象。

DRAM相關業者對於市場走勢普遍正向，力晶、海力士（Hynix）

、三星等陸續看多市場趨勢。

不過，全球最大記憶體模組廠金士頓（Kingston）亞太業務行銷副

總裁陳思軻認為，近期DRAM市況確實比1、2個月前稍微好一點

，價格確實有「底部逐步墊高」的態勢，但要市場全面復甦，還

需要一點時間。

TMC召集人宣明智也認為，景氣見仁見智，以目前國內外的情況

，長期來看，景氣幾時恢復，不是那麼快速出現的狀況，他從之

前到現在都維持如此的看法。

業者表示，經歷長期不景氣，各廠紛紛大規模減產，以減少虧損

及現金流出，而在供給減少下，產品價格回升已是共識；只是終

端市場需求能否回溫，將影響DRAM價格後續表現。

DRAM景氣冷颼颼，全球DRAM相繼減產及大幅縮減資本支出，研

究機構集邦科技昨（31）日下修今年全球DRAM位元成長率至

2.43%，比2008年的66%、2007的95%，均呈大幅縮減。

集邦認為，位元成長率降至2.43%，再加上庫存水位持續降低，預

期下半年有機會帶動DDR2的顆粒價格上揚至1.2美元至1.5美元。

集邦科技原估，今年全球DRAM位元成長率約17.82%，但在各家

DRAM大廠持續減產，及現金部位嚴重吃緊下，重新調降今年

DRAM位元成長率至2.43%。

集邦說，DRAM廠商因顆粒價格持下滑及手頭資金壓力，將持續

減產保持現金水位，此舉導致產能運用率低，並大幅降低今年位

元成長率。

集邦科技調查，2月的DRAM顆粒出貨量約在6.87億顆（1Gb約當

量），比去年9月時高峰的8.67億顆（1Gb約當量）下修21%。

研究機構集邦科技 (DRAMeXchange)表示，由於中國市場回補庫存

以及白牌、山寨手機等急單效應，3月上旬儲存型快閃記憶體 (

NAND Flash)平均合約價呈現持平或部份小漲的情況，但NAND

Flash相關廠商恐在季底調降庫存水位，預期 NAND Flash價格短期

內持穩。

集邦表示，近期NAND Flash下游客戶有接獲急單需求的正面 消息

，但3月份的季底結帳效應也會使NAND Flash相關廠商調低庫存

的水位，而壓抑採購需求，另外客戶也會希望供應商能回饋一點

新製程技術升級的成本下降效益，因此3月份在這些正負因素的交

相影響下，預期短期內NAND Flash 價格將可能會呈現相對持穩的

狀況。NAND Flash市場價格這一波的上漲從去年年底開始，起因

於上游各供應商陸續停止部份8吋廠的生產以及調降12吋廠的產能

利用率，因而在供給量持續下降的條件下NAND Flash主流顆粒

16Gb MLC的合約均價近三個月上漲約91%。集邦表示，這一波的

價格上漲使上游供應商暫時解除虧損生產的危機，並得以有足夠

的資金能繼續營運晶圓廠的生產作業，下游部分記憶卡和隨身碟

業者也間接受益於這波價格的上漲，在逐漸去化掉先前以較低成

本所購入的NAND Flash顆粒和記憶卡之後，近兩個月的營收都有明

顯的走揚。

NAND Flash產業日前也出現急單效應，雖然NAND Flash價格在上

游減產的效應帶動下，也逐步展開反彈，但下游通路商備貨上仍

是有疑慮，因此很多訂單都是乾到最後一刻出現急單效應，整體

來看，NAND Flash市場2009年供給面的位元成長率由2008年

132.8%高峰降低到至63.5，只要終端剄求維持正常水準，估計

2009年價格不會太差。

集邦估計，受到全球金融風暴重擊，使得經濟前景不確定，因此

2009年NAND Flash產業的資本支出將較2008年減少58.9%，NAND

Flash產業的位元成長率，將由2008年的高度成長132.8%，降低到

63.5%，數字整整砍了一半。

記憶體模組廠認為，2009年1、2月NAND Flash產品的需求八錯，

尤其是隨身碟的需求更是大幅升溫，農曆過年之前，手機用的小

型記憶卡microSD更呈現大缺貨，整個情況來看，NAND Flash市場

已經走出最黑暗的谷底，而之前下游通路都不敢備庫存，現在態

度也是謹慎中帶小心，因此也出現有急單狀態。

記憶體模組廠進一步認為，NAND Flash大廠包括三星電子(

Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)都逐漸減產，也

淘汰效率不佳的8吋晶圓廠後，大家都策略都是朝獲利目標邁進，

盲目殺價的時期已經過去，只要終端需求沒有太差，NAND Flash

格可以持盈保泰。

研究機構集邦科技(DRAMeXchange)針對NAND Flash(儲存型快閃記

憶體)產業最新分析出爐，估計今年整體產業資本支出較去年減少

58.9%，近期內急單效應可望激勵短期價格反彈，但產業供過於求

的情況要等到下半年才會好轉。