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茂德（5387）獲得銀行團30億元增貸，市場憂心恐不利市場正常

發展，DRAM現貨價格率先反應，1Gb DDRII有效測試顆粒（eTT

）再度失守1美元關卡，創元月下旬來新低。

根據集邦科技（DRAMeXchange）最新報價，1Gb DDRII有效測試

顆粒昨（17）日重挫5.06%，均價為0.94美元；品牌顆粒報價同步

走弱，跌幅超過2.5%，均價也跌破1美元大關。

受價格走跌影響，DRAM族群昨天走勢疲弱，力晶（5346）、南

科（2408）、茂德（5387）、華亞科（3474）都以跌停板作收；

下游模組廠走勢同步疲弱，威剛（3260）遭摜殺跌停收市，創見

（2451）跌幅也超過3%。

外資券商JP摩根也看衰產業後勢，將韓國海力士（Hynix）評等由

「中立」降為「低於大盤表現」。

DRAM業者認為，現貨價格再度回測1美元以下，主要是與農曆年

後補貨潮逐漸淡去有關，加上2月原本就是DRAM傳統淡季，一旦

補貨需求減弱，價格反彈走勢也受到阻礙。

除了產品價格回跌，茂德獲銀行團同意新增貸款30億元，雖然增

貸額度與公司預期有落差，但仍為公司營運帶來一線生機。由於

茂德全球市占率仍有近5%，市場憂心在市場機制未能有效調節下

，恐將不市場發展。

力晶指出，先前市場因為憂心德國奇夢達（Qimonda）宣布破產可

能造成的供給緊縮預期心理，導致暫時性買盤大量湧出，使價格

在農曆年前後大漲；如今通路端恢復合理補貨狀況，在淡季影響

下，價格也隨之回跌。

南科也認為，現貨價前波漲勢過快，由前波低點0.6美元附近大漲

至1.2美元，波段漲幅約一倍，急漲後的價格回測是合理現象。

至於合約價走勢，由於仍與現貨價有相當逆價差，研判這波現貨

價急速拉回，不至於影響合約價太多。

模組廠創見則指出，近期DRAM市場需求確實比前幾周淡，也讓

價格迅速回檔修正。不過，由於大廠的減產效應持續，研判價格

要再回測前波低點機率極低，DRAM價格底部可望逐步墊高。

2008年NAND Flash產業經過秩序重整，成本競爭力不佳的8吋

晶圓廠退出市場，以及暫緩12吋晶圓廠的擴建和資本支出進度後

，NAND Flash價格開始止跌反彈，然以2009年上半來看，由於仍

是產業淡季，以及全球經濟景況不佳之下，NAND Flash市場仍是

處於供過於求的情況，只能寄望下半年進入傳統旺季之後，供需

能轉為平衡，帶動價格進行另一波的反彈潮。

根據集邦科技報價統計，1月下旬MLC型的NAND Flash合約價

持續上揚，8吋晶圓廠大幅退役，然8Gb晶片主要都集中8吋晶圓

廠生產之故，8Gb晶片合約價大幅上漲，帶動4Gb和16Gb晶片合約

價也上揚。

集邦統計，2008年是NAND Flash市場大幅擴產的1年，其位元

成長率(bit growth)為132.1%，但2009年各廠節制資本支出之下，年

位元成長率只剩下65.4%，而在需求方面，原本寄望的固態硬碟(

SSD)市場起飛，可以帶動NAND Flash市場成長，且消化多於產能

，但目前來看固態硬碟市場仍小，2009年的NAND Flash位元需求

成長率只有77.5%。

記憶體模組廠表示，固態硬碟市場一定會起來，但與傳統硬

碟相比，固態硬碟是高單價市場，因此也要衡量消費者的荷包，

在全球經濟環境緊縮之下，固態硬碟市場只是延緩普及的速度，

不會就此消失，確定2009年上半不會普及，下半年可以再拼一拼

。

記憶體模組廠進一步表示，2008年經歷8吋晶圓廠退出NAND

Flash市場的生產行列之後，12吋晶圓廠也暫緩擴充的速度，對於

市場價格的具有正面的幫助，也可逐漸讓市場供需回復正常的水

準，2009年上半NAND Flash市場仍是處於供給過剩的情況，下半

年有機會逐漸改進。

NAND Flash（儲存型快閃記憶體）新年報價大反彈，根據集邦科

技（DRAMeXchange）昨（15）日最新報價，元月下旬合約價全

面勁揚，8Gb主流規格晶片最高漲幅高達四成，報價創下去年第

四季以來新高，均價來到1.82美元，有助創見、威剛、群聯等概

念股營運增溫。

集邦表示，這波價格大漲，主要是NAND Flash供應商陸續減產，

加上客戶在中國農曆年前補貨所致。根據報價，元月下旬NAND

Flash除一種規格晶片下跌約5%內外，其他全數走揚，4Gb與8Gb

主流規格晶片最大漲幅都超過33%，8Gb漲勢最高更達四成，是所

有類型晶片中漲幅最大。

集邦分析，雖然市場對低容量NAND Flash需求已在遞減，但在供

應商將淘汰兩成的8吋廠產能後，造成過去多在8吋廠投產的4Gb

與8Gb主流規格產品供應量大減，進而帶動這兩種晶片漲幅超越

其他規格產品。

集邦預期，這波減產有效激勵低迷已久的NAND Flash價格揚升，

並預期在減產效應及客戶庫存水位較低下，農曆年前價格仍可望

持穩；只是本季仍處於傳統淡季，預估市場仍難逃供過於求的問

題。

威剛董事長陳立白認為，NAND Flash現貨價格自去年12月開始起

漲，此次合約價上漲並不讓人意外，也拉近了合約價與現貨價的

價差。

他認為，未來價格走勢關鍵仍在於龍頭韓國三星的策略，如果三

星節制出貨量，將有助未來行情走勢。

創見則認為，NAND Flash近期需求已穩定，合約價跟在現貨價之

後起漲，透露價格向上趨勢確立，創見已停止低價銷售產品，同

時持續調漲終端產品售價，預期漲價效應將有助公司營運。

DRAM現貨價格急漲，下游記憶體模組廠近期籌劃調漲模組售價

，包括創見（2451）、勁永（6145）、威剛（3260）等大廠，都

醞釀至少漲價一成，其中勁永、威剛在漲價帶動下，為營運轉虧

為盈帶來契機。

目前全台灣記憶體模組廠普遍虧損，僅創見仍處於獲利。法人預

期，隨著產品均價調升，有助虧損的模組廠領先上游晶片廠率先

轉盈，也宣示DRAM晶片廠減產的正面效益逐步浮現。

受惠產品漲價效應，記憶體模組廠昨天在台股大盤重挫5%下，走

勢相對突出，僅創見收黑，勁永則以平盤收市，威剛更逆勢收在

漲停。

根據集邦科技（DRAMeXchange）報價，今年以來，1Gb DDRII有

效測試（eTT）顆粒在短短一周內便大漲約兩成。DRAM現貨價格

自去年12月中旬後發動此波漲勢，現階段報價已回到1美元以上，

達1.03美元，與先前歷史低點相較，大漲近一倍。

記憶體模組廠去年12月營收便陸續反應DRAM價格回溫趨勢，創

見、勁永、威剛單月營收都比上月增加超過一成以上。

相較其他電子業者營收普遍走弱，記憶體模組廠營收表現相對亮

眼。

據了解，去年12月DRAM報價急漲時，記憶體模組廠考量漲價可

能壓抑原本就消費緊縮的市場買氣，只能「意思一下」向上微調

售價，但今年價格持續飆漲，讓業者決定放手漲價。

創見昨天證實，為配合DRAM顆粒漲價，該公司今年以來已陸續

調漲DRAM模組逾一成報價，但與晶片價格漲幅相較，創見此波

產品價格漲幅仍算落後。

創見透露，由於產品均價提升，創見本月迄今每天的營收額都比

前月高，該公司並不打算將產品落後的漲幅「一次漲足」，但若

上游晶片價格漲勢延續，未來仍會繼續漲價因應。

勁永也指出，該公司去年12月已微幅調高產品售價5%，而因漲價

效應顯現及公司年底大舉出清庫存，當月合併營收攀高至13.78億

元，月增達24%，預期去年第四季損益表現將可較前季至少持平

以上的表現。

勁永表示，考量近期晶片報價持續上揚，本月持續進行漲價，估

計幅度約在一成左右。

儘管本月營業天數受農曆年假期影響而減少約一周，但由於產品

均價提升，將以維持去年1 2月相當水準為目標。

三星、南科醞釀調漲DRAM報價10%，市場交易商集邦科技看好本

月上旬合約價將止跌反彈。集邦預期，在現貨價上漲動能帶動下

，已有數家DRAM廠意圖調漲元月上旬合約價至少0.5美元，由7.5

美元調高到8美元，平均漲幅約6%到7%。

歷經兩年鉅額虧損後，集邦也預測全球DRAM廠今年資本支出將

大幅縮減，預估再削減40%到50%。台灣DRAM廠目前尚未完全擬

定今年資本支出，不過力晶與瑞晶已將50奈米製程計畫遞延。南

亞與華亞科資本支出將維持一定規模。

DRAM需求露出曙光，韓國三星（Samsung）與南科（2408）感受

到客戶開始拉貨，近期將大幅調漲報價約10%；此外，三星也傳

將減產逾一成。由於本季DRAM廠持續減產，加上買盤回籠，市

場預料，元月上旬合約價將止跌反彈，並激勵現貨價挑戰1美元。

南科發言人白培霖昨（6）日表示，客戶拉貨開始轉趨積極，近期

公司已逐步調高售價，但客戶進貨意願不減，顯示客戶端庫存已

開始去化，公司計畫近日再調漲報價10%。

三星是全球最大DRAM製造商，在宣布調降今年資本支出後，昨

天市場再度傳出，三星近期將減產約10%，且調高合約價5%到

10%。

DRAM業者表示，三星DRAM全球市占率高達三成，三星若減產一

成，至少可降低全球3%以上的DRAM產出，對市場供、需會造成

極大的影響，現貨價挑戰1美元將不再是夢。

集邦科技網站昨晚DRAM最新現貨報價續揚，主流規格上漲0.87%

到0.92美元，Flash（快閃記憶體）也同步大漲。

DRAM、Flash價格持續看漲，對力晶（5346）、茂德（5387）、

南科、華亞科（3474）等DRAM廠，以及及創見（2451）、勁永

（6145）、威剛（3260）等模組廠股價有助漲效果，華亞科昨天

受外資喊進激勵，股價強鎖漲停作收，終場上漲0.56元、收8.63元

，南科、力晶亦有5%左右的漲幅，茂德因整併進度沌混，終場下

跌0.03元、收2.4元。

分析師指出，現貨價若站回1美元，對DRAM廠將是一大利多，以

目前國內DRAM主流70奈米製程計算，每顆DRAM晶圓製造成本

約1.3美元，65奈米成本更低，若現貨回升至1美元，廠商現金流

出窘境將大幅降低。

外電報導，金融服務公司Lazard Capital Markets分析師Daniel Amir在

最新報告指出，三星考慮調高DRAM售價5%到10%，原因是目前行

情已接近三星的測試和封裝成本。

爾必達、力晶、瑞晶、茂德合體　全球營收市佔率將逾23%　挑

戰三星龍頭地位

據彭博資訊(Bloomberg)報導，日本DRAM大廠爾必達(Elpida)上週宣

布和台廠力晶(Powerchip)、瑞晶(Rexchip)、茂德(ProMos)等展開合

併談判，以2008年第3季來看，若爾必達、力晶、瑞晶、茂德能夠

合體，其佔全球DRAM市場營收約23.9%比重，和三星電子29.4%的

市佔相比，差距僅在伯仲之間。

上述4家公司合併訊息，激勵爾必達29日早盤股價一度大漲近13%

，漲幅創下7週新高，最後以585日圓作收。台系茂德、力晶也分

別出現小漲局面。

26日爾必達社長?本幸雄(Yukio Sakamoto)接受彭博專訪，透露相關

合併談判已經開始，但未說明更多細節。報導指出，目前DRAM

市場年銷售額約288億美元，這4家業者一旦成功合體，將是1999

年DRAM產業以來規模最大的整併案，可望挑戰三星電子(

Samsung Electronics)的市佔龍頭地位。

東京券商Retela Crea研究部門主管Yoku Ihara認為，倘若爾必達能

糾結同業形成1股新勢力對抗三星，記憶體產業將出現2大門派壁

壘分明，屆時價格競爭過度的現象可望獲得紓解。爾必達可以提

出較優惠的價格，吸引三星的主顧客琵琶別抱。

由於DRAM價格崩盤，台灣主要記憶體業者深受打擊，已創下連

續6季的虧損記錄。以2008年第3季來看，合計爾必達、力晶、瑞

晶、茂德占全球DRAM市場營收約23.9%比重，和三星電子29.4%的

市佔相比，差距僅在伯仲之間。

集邦科技指出，標準型DRAM價格在2008年之內共下跌61%，來到

歷史新低點。根據12月瑞銀(UBS)估計，價格暴跌將導致全球

DRAM市場2009年營收僅達249億美元。

值得注意的是，12月初向台灣政府提出紓困申請的茂德發言人26

日透露，茂德目前也正和美光(Micron)就技術合作進行會商。

DRAM廠為美化帳面，年底前展開清庫存動作，導致上周DRAM現

貨價再度破底，主流規格DDR Ⅱ1GB現貨行情跌破0.6美元、本周

恐進一步下探0.5美元關卡。目前市場買氣疲弱不堪、聖誕假期需

求也落空，業界悲觀預期，庫存調節時間將再延長，明年上半年

需求回復存有一定難度。

不過，業者也表示，隨著月底做帳結束，現貨市場的跌價壓力將

獲得紓緩，短期內價格應不致於再大跌，但整體現貨市場庫存水

位依然呈現高檔的狀況，確實會影響景氣復甦時間延後。

根據集邦科技網站上最新行情報價，上周五（12日）DDRⅡ1Gb

Ett下跌0.66%、報0.59美元；DDRⅡ512Gb下跌0.6%、報0.33美元

，雙雙創下歷史新低。

現價續破底、拖累合約價格也大跌。交易商集邦表示，12月上旬

合約價平均跌幅落在10% 左右，第四季開始以來計下跌37%，超

過第三季34%的平均跌幅。分析師表示，PC OEM廠沒有補貨需求

，加上聖誕檔期需求急凍，且隨著明年第一季傳統淡季持續逼近

，本月下旬合約價不排除有繼續下探的可能。

價格跌跌不休、加上廠商大舉減少產出，國內DRAM廠11月營收

單月平均衰退三至五成，本月價格持續下滑、業者產出更形萎縮

，市場預期廠商12營收將再減少一至二成左右。

反應基本面不佳，上周五力晶（5346）、南科（2408）、華亞科

（3474）股價均遭摜殺至跌停，僅茂德（5387）挾向政府提出紓

困申請、營運具轉機，逆勢收紅，茂德終場上漲0.08元、收1.49元

，成交量爆出13萬餘張的天量。

DRAM廠茂德科技董事會決議結束竹科8吋呃營運，以及處皆部分

中科12圓測試機台，後段封測廠力成科技與南茂集團可望承接茂

德測試機台。據業界人士指出，茂德主要係以出售機台方式抵銷

封測廠應付帳款。值得注意的是，茂德將會尋求新投資夥伴進駐

，同業以爾必達(Elpida)和力晶的可能性較高，未來茂德的外包策

略將會有調整，對封測產業生態造成改變。

根據集邦科技報價，512MB容量的DDR2價格已下滑至每顆不到30

美分，相當於封測費，每顆晶粒根本沒有賺頭，甚至還會倒賠。

在現金捉襟見肘下，茂德應付帳款壓力沈重。而該公司主要的後

段封測供應商為力成和南茂，據了解，為了抵債，茂德董事會祭

出處分機台大動作。用晶圓或機台來抵債是近月來DRAM廠為降

低現金壓力而作的變通策略，茂德近期也曾將晶圓出售給金士頓

(Kingston)用來抵力成封測費用。

儘管茂德出售測試機台，但對封測廠營運景響並不大，更談不上

受惠。由於茂德營運困難。但對封測廠衝擊有限。南茂表示，過

去茂德佔營收比重曾經高達30%以上，但自2008年第3季比重已降

至20%以下，預料第4季比重還會下滑。泰林對茂德營收也同步下

滑，12月接單已趨近0。

力成目前透過金士頓間接為茂德DRAM晶圓進行代工，即使茂德

訂單減少，金士頓將取得其他DRAM廠晶圓給力成封測，因此對

力成營運影響不大。

另外，茂德將測試機台出售預予南茂和力成，部分法人認為，2家

封測廠可望承接茂德測試訂單而受惠。然以茂德目前營運艱困的

情況來看，封測廠是否真能增加測試訂單還在未定之天，後

仍有待觀際。

業界人士認為，值得注意的是，茂德為了加現金部位，將出售部

分中科12吋晶圓廠測試機台，除了出售機台變換現金外，將會再

找新投資夥伴進駐茂德，以爾必達和力晶的可能性較高，這將響

未來茂德外包策略，連帶封測產業生態也會有所變化，這是未來

觀察的重點。

業界人士分析，倘若茂德向爾必達靠攏，則力成或轉投資的晶圓

測試廠晶兆今將會是最大受惠者，一旦力晶接納茂德，由於力晶

擁有晶圓測試機台，目前產能閒置，因此勢必以填滿自家產能為

優先，另對封裝和成品測試而言，則力晶轉投資的後段封測廠日

月鴻將是主要受惠者，而南茂集團須與力晶重新商談產能配置事

宜。

DRAM合約再跌1成，台灣DRAM廠恐怕無法苦撐下去，政府的態

度將攸關台灣DRAM產業的生死。經濟部長尹啟銘10日在立法院

表示，政府針對目前DRAM產業危機已有對策與相關配套，但為

避免影響股價，政府不會公開相關作法。

茂德龐大的財務負擔，目前已向經濟部工業局提出紓困申請，希

望政府協助，經濟部長尹啟銘10日益立法院經濟委員會答詢時表

示，經濟部已經進行相關措施，不但方向確定也有整體配套，只

是政府救DRAM的作法，恐會造成股價劇烈波動，因此經濟部無

法對外說明政府到底要採取什麼措施。經濟部尤其不會針對茂德

或任何1家DRAM公司目前的危機，做任何說明。

尹啟銘表示，經濟部很重視DRAM產業問題，也積極與DRAM台廠

負責人談過，並分別就短期及中期產業競爭力未來作法進行討論

。但台灣DRAM廠問題相當複雜，除經濟部之外，也要跨部會協

商整合相關政工具，當然也不排除動用國發基金紿予DRAM必要

的投資。

經濟部官員目前均避談尹啟銘口中的方案是什麼，負責處理

DRAM危機的經濟部常次施顏祥也拒絕對媒體透露任何鍋節與政

策措施。相關官員表示，DRAM廠的危機政府很清楚，施顏祥也

密集和尹啟銘研商對策。因此，尹啟銘也對DRAM情勢應有充分

掌握。日前經建會主委暨國發基金管理會召集人陳添枝表示，政

府將協助DRAM整併，並提升自有技術，以度過這次難關。希望

能化解DRAM廠現在客整，而且避免同樣的危機再度發生。

只是政府到底要怎麼做，現階段仍是在「只能做，說」的大原則

下進行。至於宏碁集團創辦人施振榮說不要救沒有希望的DRAM

產業，是否會對政策帶來影響？恐怕要而相關作法政式宣布後，

外界才得以評論政府最後決定究竟是一場恩典，或是災難。

集邦科技（DRAMeXchange）昨（8）日公布12月上旬DRAM與

NAND Flash合約價，都重挫超過一成，雙雙下探歷史新低。其

中1Gb DDRII DRAM均價失守1美元大關；32Gb MLC NAND Flash跌

幅更達兩成以上。集邦預期買氣不佳，12月下旬兩大記憶體報價

不排除繼續下探。

法人認，DRAM與NAND Flash合約價聯袂重挫，透露市況仍未走

出谷底，價格仍未止跌，力晶、南科等上游晶片廠，以及創見、

威剛等下游模組廠，營運壓力仍大。

根據集邦報價，12月上旬512Mb與1Gb DDRII同步走跌，跌幅分

別為11.32%及13.83%，均價各為0.44美元及0.94美元，同寫歷史新

低。下游記憶體模組報價同步下滑，1GB及2GB DRAM模組跌幅

約9.52%至11.11%，均價各為8.5美元及18美元。

集邦表示，因DRAM廠目前背負著十分沈重的庫存壓力，且明年

第一季進入傳統淡季，預期12月下旬DRAM報價可能繼續下探。

南科也坦承目前DRAM市場銷售確實不甚理想，包括感恩節與耶

誕節傳統旺季效應，今年都宣告落空，但目前DRAM價格已處於

「非常不合理」的價位。

集邦科技（DRAMeXchange）最新研究報告指出，受全球金融風

暴影響消費電子需求，明年NAND Flash出貨位元量將呈現衰退，

由今年的125%下降至93%。這是近年來NAND Flash首度年成長率

低於100%，也使創見（2451）、威剛（3260）、群聯（8299）等

概念股營運面臨考驗。

投信法人指出，NAND Flash價格低迷，儘管業者陸續保守擴產，

但本季以來跌勢仍未停歇，以32Gb及16Gb MLC規格晶片為例，本

季迄今跌幅都超過兩成，相關業者庫存跌價損失壓力不小，若明

年整體市場萎縮，業者可能面臨「蠟燭兩頭燒」的窘境。

集邦分析，由於NAND Flash的四個主要應用：手機、數位相機、

隨身碟、MP3／PMP產業成長趨勢呈現下滑。以手機為例，近年

第四季相對於第三季手機出貨成長都是兩位數百分比，但今年第

四季恐僅能有個位數百分比的成長，明年市況也偏向保守，都影

響到NAND Flash銷售狀況，

集邦認為，明年MP3／PMP市場成長性將呈現持平，更是使

NAND Flash位元出貨成長率萎縮的原因，預估明年NAND Flash的

出貨位元量將會衰退，由今年的125%下降至93%，達55,373百萬

位元。

業者對明年NAND Flash狀況也趨於保守。創見董事長束崇萬便認

為，由於NAND Flash市場普遍集中在消費性電子領域，若明年終

端需求持續壓縮，即使NAND Flash廠商同步減產，也不易有明顯

改善供過於求的狀況。

此外，被市場譽為「殺手級產品」的固態硬碟（SSD）與傳統硬

碟仍有約八倍左右價差，仍不易大量導入市場，因此創見對明年

NAND Flash市場看法比DRAM悲觀，但創見會持續開發獲利較佳

的策略性產品市場，降低衝擊。

群聯也認為，近期NAND Flash受制上游晶片廠年底庫存作帳壓力

，以及整體消費市場萎縮影響，市場價格行情混亂，使得下游庫

存跌價損失壓力增加，該公司將持續貫徹高周轉率的出貨方式，

降低跌價衝擊。

記憶體交易商集邦科技昨（12）日大膽預測，DRAM廠減產總量

將於明年元月達到最高，預計明年第一季底供過於求狀況會開始

紓緩，快則明年第二季、慢則明年下半年DRAM均價將回復至

1.5-2.0美元／1Gb。

目前國內DRAM廠70奈米製程1Gb規格，每顆製造成本約在2.7美

元附近，本季開始轉入65奈米、明年初再進入65 奈米微縮製程，

每顆成本可望降低三成，配合明年下半年價格反彈，DRAM廠重

返獲利出現契機。

不過，受制市場需求極為疲弱，現貨、合約價格仍在破底邊緣，

DRAM類股昨日持續重挫，南科（2408）、茂德（5387）跌幅超

過6%，力晶（5346）、華亞科（3474）也同步收黑。

集邦科技指出，DRAM產業進入「減產或退出」的關鍵調整期，

目前價格已跌至大部份DRAM廠商現金成本以下，且DRAM廠商

虧損時間已達一年半，廠商經營已陷入困境，本季均價可能下跌

20%-30%，若低價持續到明年第一季，在情勢持續惡化下，很可

能有至少二家DRAM廠被迫退出市場。

業界對本季價格悲觀，並表示，第四季PC OEM廠及通路商都急欲

消化手中庫存，加上市場需求急凍，DRAM廠銷貨壓力大增，庫

存也隨之升高。預期在明年元月前，價格都難以強勢反彈。

集邦說，自今年9月開始一連串減產行動，將在明年元月的減產總

量達到最高，明年第一季底會供過於求狀況會開始舒緩，價格有

機會在明年第二季底或第三季，隨著PC OEM廠需求上升而回升。

根據集邦的統計，以今年第二季的平均月投片量為基準，今年第

三季平均月投片量 (12吋約當)，較僅小幅下降1.8%，第四季與第

二季高點比，平均月投片量約下降17%，明年第一季約下降20%。

DRAM廠商減產效應本月可望發酵，產業景氣有機會「融冰」。

分析師表示，明年1Gb全年均價若站上1.6美元，對成本結構良好

的DRAM廠商而言，成本有機會下降到1.8美元以下，虧損大幅降

低，營運現金壓力將會大減。

國內DRAM廠商明年農曆年前手中可轉換公司債一一到期，加上

DRAM價格低迷，現金壓力越來越大；但多家DRAM廠商及交易商

預期，明年首季DRAM價格有機會止穩、且逐步向上反彈，明年

全年1Gb規格均價可望較今年彈升六成以上。

國內DRAM廠目前以力晶生產成本最具競爭力，力晶已由70奈米

製程轉入65奈米，明年初將進一步升級至相當於50奈米製程的65

奈米微縮製程，增加20%的產出及減少20%到 30%的成本，配合價

格止跌反彈，力晶明年有機會由虧轉盈。

美光（Micron）上周五股價上漲2.28%，領先國內DRAM廠站穩季

線之上，預料在美光股價帶頭下，配合減產效益發酵，為國內

DRAM類股帶來正面消息。

2007年DRAM市場全年處於供過於求，DRAM全年均價跌幅達54%

，今年受到金融風暴引發全球消費緊縮影響，DRAM全年均價更

將超過六成。目前主流規格DDRII 1Gb現貨價格在1美元附近徘徊

，短線雖不致破底，但價格已嚴重超跌。

國內DRAM廠及交易商集邦等業界人士指出，DRAM廠的減產效應

有助明年第一季價格開始止穩，第二季有機會見到1Gb價格反彈

至1.65美元。

事實上，繼今年9月力晶、爾必達（Elpida）以及海力士（Hynix）

宣布12吋減產、8吋停產後，其他原本宣稱無計劃減產的廠商也陸

續在10月宣布減產。其中華亞科在美光確定入主後，11月開始減

產20%，以準備技術轉換。

南科也暫停三廠二期的擴產計劃，轉而先於三廠一期廠區內進行3

萬片產能的技術轉換，南科本月開始產能將逐步下降，預計明年1

月產能降至零，2月開始轉進美光技術。

集邦表示，預計11月各大DRAM廠減產合計將達12.5萬的12吋產能

，大約占全球12吋晶圓廠總投片量10%，加上9月減產數量，截至

年底全球DRAM總產能減產達16%以上。

國際金融風暴衝擊全球消費者信心，導致NAND Flash（儲存型快

閃記憶體）供過於求缺口持續擴大，根據集邦科技最新統計，第

三季全球NAND Flash位元出貨較上一季成長25%，但價格卻下跌

30%，韓國三星、海力士及日本東芝前三大廠上季的Flash營收均

較前季衰退超過一成。

就營收市占率來看，三星單季仍以11.38億美元營收、超過四成市

占率穩居全球最大NAND Flash廠；東芝第三季市占率亦增加至

26%以上、排名第三；海力士受限產出減少，市占率下滑到15%以

下屈居第三。美光與英特爾營收則分居四、五名，市占率為7.8%

與5.6%。

根據集邦統計，第三季全球NAND Flash品牌廠商整體營收27.66億

美元，較第二季的31.11億美元下跌11.1%。

集邦表示，第三季NAND Flash品牌廠營收未見起色，持續受全球

經濟狀況不佳的衝擊，終端市場對消費性電子產品需求衰退，導

致NAND Flash不論在平均銷售價格與營收均呈下跌走勢，需求面

的不振，也使NAND Flash供過於求缺口持續擴大，第三季位元出

貨較上一季成長達25%，但平均價格卻下跌約30%。

集邦表示，三星第三季出貨量增加25%以上，原先預期的季節性

旺季備貨需求受全球性經濟衝擊影響轉趨平緩，需求面不振，也

導致NAND Flash平均銷售價格下跌30%以上，市占率與上一季相

若仍居於龍頭地位。

不過，東芝第三季出貨量增加，使市占率較上一季增加2.1%；至

於海力士第三季出貨量下修14%，導致營收下跌20%，連帶市占

率減少1.5%。

DRAM產業在巨幅虧損的籠罩下，已成為半導體產業的不毛之地

，主流DDR2價格跌破現金成本後，DRAM廠是賣越多DDR2晶片

就賠越多，然利基型的DDR晶片卻是鹹魚大翻身，512Mb的DDR

售價在一個月內大漲達30%；DRAM廠認為，雖然生產DDR仍是虧

錢，但至少不會再現金流出(Cash Out)，因此DDR成為DRAM廠積

極守護的小天地，但各廠最怕是韓系大廠又調撥產能到DDR，讓

好不容易上漲的價格再度崩盤。

根據集邦科技的報價，從10月初以來，512Mb容量的DDR晶片價

格在不到1個月的時間，從1顆0.95美元漲到1.25美元，漲幅高達

30%。然相較於主流規格的DDR2晶片價格持續下挫，面臨跌破現

金成本的窘境，DDR幾乎上演鹹魚大翻身，比主流規格的DDR2晶

片更快脫離谷底。

DRAM廠表示，以同樣是512Mb容量的DRAM晶片來看，DDR晶片

的售價是DDR2晶片的2.5倍，512Mb DDR2晶片價格不到0.5美元，

但DDR價格近1個月已漲到1.2美元，雖然現在生產DDR和DDR2晶

片同樣是虧錢，但至少生產DDR不會導致營運進一步Cash Out，

讓許多現在「現金為王」的DRAM廠，更加地珍惜DDR產能。

DRAM廠進一步表示，DDR價格能早一步脫離底部區域，主要是

因為在DDR2崛起成為主流之後，全球DDR所佔的產能已經相當小

，各廠都以DDR2為主戰場，僅挪小部分、甚至是幾千片的產能

來生產DDR晶片，在供給縮小，但需求仍存在的情況下，DDR晶

片在眼前的DRAM不毛之地中，提前走出谷底。

目前DRAM廠在70奈米、60奈米或50奈米等先進製程技術是，優

先生產主流規格的DDR2晶片，DDR晶片仍是停留在舊製程，如

0.11奈米或90奈米製程上，因此DDR雖然售價較高，但生產成本

也相對較DDR2高，然整體來看，DDR的毛利仍是優於DDR2。

DRAM廠認為，也不是每一家下游廠，都有能力賣DDR晶片，現

在DDR晶片只用在一些舊款的個人電腦(PC)、伺服器上，通常是

在利基型產品終端通路強的客戶，才會有採購需求，但這塊的毛

利率就相對較高。

台系廠商認為，DDR晶片價格漲上來後，最怕韓系大廠再調撥

DRAM產能來生產，只要隨便再多投幾千片的產能，整個市場又

會被打爛，因此各廠的策略都是默默的生產這塊，不希望DDR市

場成為大家注目的焦點，至少在DDR2血流成河之際，有塊不會

受傷太重的避風港。

繼力晶、茂德之後，南科、華亞科也宣布減產，減產幅度高達

20%，目前全球DRAM廠合計減產幅度已有15%以上，不過集邦科

技認為，廠商減產幅度還不夠，未來勢必減產30%以上，且20%以

上的長期性產能退出市場，才有助明年產業復甦。

DRAM交易商集邦科技表示，目前DRAM市場供過於求幅度超過

10%，再加上廠商手中的庫存，DRAM廠必須減產30%以上才能讓

供需逐步回到平衡。不過，即便是高達30%以上的減產，若在一

季價格短期回穩後，若廠商又恢復全線生產，市場將又回復到供

過於求的狀況。

分析師指出，目前全球DRAM廠第三季12吋月投片量平均124萬片

，不過預估在未來三個月內，月投片量至少要降到100萬片，才能

消耗庫存，且在需求成長減緩下，明年DRAM供給成長也必須降到

30%以下，方有助於整體產業復甦。

國內自力晶在9月喊出減產10%以上後，茂德也計劃年底前停止8吋

廠運轉，估計將因此減少產出15%，南科、華亞科昨天也宣布減

產20%，若再加上日本爾必達減產15%、韓國海力士減產20%，及

韓國三星今年位元成長減少10%，目前全球DRAM廠的減產幅度

已超過15%。

不過，對於目前廠商減產的進度，集邦認為還不夠。集邦表示，

以9月來看，模組廠、現貨市場等其他買方平均庫存達一個月，

在消耗庫存並減少DRAM採購量下，DRAM廠於9、10月的產出無

法全數銷售，庫存將拉高。另一方面，在全球經濟不景氣下，個

人電腦DRAM搭載量主流已達2GB以上，需求量成長將大幅減弱。

集邦科技指出，DRAM產能必須有20%以上長期性的退出、新產能

增加減緩、50奈米轉進延後，才有機會再回到供需平衡的情況，

DRAM價格也才有可能回到廠商總成本以上。但經過這樣的調整

，短期內仍難以期待DRAM廠回到獲利狀態，一切將視產能退出

的狀況而定。

集邦認為，未來DRAM產能變化仍有幾個觀察重點須注意，包括

美光（Micron）確定拿下奇夢達（Qimonda）在華亞科的股權後，

華亞科在6個月後全數轉為美光技術，8個月後全面停止供貨給奇

夢達。預估華亞科在未來半年，每月產能將有20%做技術轉換.，

而每月產能減少2.5萬片左右。另外，奇夢達在出脫華亞科後，

其德國、美國廠的產能規劃以及華邦電的代工產能，總計近10萬

片的12吋月產能，是市場供給變化的一大變數。

集邦科技表示，面對資金水位下降、市場籌資難度增加以及進入

50奈米世代挑戰，DRAM廠必須以自身技術降低製造成本，來追

求市佔率成長並維持競爭力，預估明年DRAM的位元成長率41%，

比今年的67%，大富縮減26%。其中，DDR3於PC主機的搭載率僅

約30%。

由於市場供過於求與DRAM廠的大幅擴產導致DDR2顆粒價格嚴重

下跌，加上第四季PC銷售成績不如預期，DRAM顆粒庫存水位攀

升，價格頻頻破底。

集邦科技認為，儘管DDR2的價格已經遠低於變動的成本，但是

，對DRAM廠而言，DDR3的開發，仍然是下一場戰爭的必要關

鍵。

DRAM市況不佳，全球DRAM龍頭韓國三星宣布下修今年銷售成長

預估，幅度高達一成。三星並預言，DRAM市況「短期難見起色

」

，預估到明年下半年前都很難好轉。

本土DRAM廠第三季法說會下周起跑，21日由力晶領頭，南科、

華亞科22日接棒演出，隨三星看淡市況，也為本土DRAM廠法說

行情蒙上陰影。

分析師表示，三星是記憶體業公認「最強悍」的業者，力晶、爾

必達（Elpida）等國際大廠之前先後宣布減產，三星維持高姿態不

願跟進，誓言「產出目標不變」，到如今仍難逃市況不振衝擊，

宣布下修今年出貨成長目標，DRAM市場狀況之糟，可見一斑。

DRAM價格持續探底，10月上旬合約價跌幅在5%至8%，1Gb DDRII

顆粒均價在1.5美元，預期10月下旬跌勢仍將延續；現貨市場方面

，1Gb DDRII有效測試（eTT）顆粒均價下探1.14美元，也是破底

價格。

本土四大DRAM廠力晶、南科、華亞科與茂德上半年虧損合計超

過500億元，儘管製程微縮腳步不曾停歇，但成本降低腳步遠不及

價格崩跌速度，在產品價格遠低於變動成本下，市場預期四大

DRAM廠第三季業績仍是「滿江紅」，且有虧損持續擴大危機。

華爾街日報報導，三星投資者公關部門副總裁Chu Woo Sik表示，

「目前還沒到DRAM市況最糟的時候」。他直言，三星並不預期

DRAM市場需求短期能回籠。三星也調降今年DRAM銷售成長率預

估，由原預期的100%降至90%。三星認為，明年下半年以前，市

況難以好轉。

本土業者也對短期市況看法保守，力晶董事長黃崇仁曾表示「當

下以最先進製程技術生產都無法獲利，產業結構已有嚴重問題」

；業者直言，雖然價格一路走跌，但何時是底部仍無法預測，至

少今年底前市況無法好轉。

集邦科技（DRAMeXchange）也認為，長期虧損下，DRAM廠經營

將面對更艱鉅的挑戰，預估明年全球DRAM位元成長率為41%，相

較今年的67%，下降達26個百分點，面對明年資金水位下降、市

場籌資難度增加以及進入50奈米世代的挑戰，DRAM廠必須以自

身技術降低製造成本，追求市占率成長並維持競爭力。

台積電股價跌落到歷史低檔區，外資看法分岐，其中包括花旗、

瑞銀在內的部分外資看法開始翻多，認為下檔空間有限，給予買

進評等；不過高盛證券科技分析師呂東風認為，台積電股價雖已

反應庫存升高對公司造成的不利影響 ，但尚未反應信用危機帶來

的終端消費下滑，建議投人等待更好的買點。

呂東風表示，他最近剛結束拜訪香港和新加坡法人行程，他發現

，目前長線基金大都將投資重點放在資產負債表穩健的大型權值

股，其中有三分之二的長線基金以較高比例持有（overweight）台

積電，剩下的三分之一則維持與MSCI台灣相等權重的持股水位，

另外，避險基金也停止放空，開始尋找買進時機。

所謂長線基金，是指以買進股票為策略的基金，投資時間較長，

持股時間多久由基金公司決定，一般為三至六個月以上；而避險

基金的操作策略較靈活，可用多項策略，包括放空在內。

花旗環球亞太首席半導體分析師陸行之上周調升台積電股價，認

為晶圓庫存比率已經下滑，加上美國封測設備廠的支出金額降至

與景氣低等時期相符，因此調升台積電評等至「買進」；瑞銀證

券也認為，台積電是晶圓代工中族群唯一「買進」的個股，認為

其12吋廠的領先優勢，將持續獲利，股價已經在歷史低檔區，下

檔空間不大，目標價60元，較台積電昨（13）日收盤價46.65元，

高出一截。

不過，呂東風指出，也有一些外資法人擔心，台積電現在只將景

氣走緩的庫存升高壓力反應進股價中，卻尚未將信用危機惡化所

產生的終端消費進一步下滑反應進去，第四季營運結果低於預期

的風險仍在，他還是建議投資人，先對台積電持觀望態度，等待

更好的買點。

【記者周志恆／台北報導】全球DRAM廠因應這波產業寒冬，近

期相繼宣布減產，或大舉削減明年資本支出、抑制新產能的開出

，有鑑於明年DRAM廠新產能成長有限，集邦預估，明年全球

DRAM位元成長率（bit growth）為41%，低於今年的67% 。

集邦科技（DRAMeXchange）分析師楊雅欣昨（13）日表示，

RAM廠在長期虧損下，經營將更艱鉅。面對2009年資金水位下降

、市場籌資難度增加，以及進入50奈米世代挑戰，DRAM廠必須

以自身技術降低製造成本，來追求市占率並維持競爭力。預估到

2009年底，桌上型電腦的DRAM單機搭載量為2.7GB ；筆記型電腦

則達到2.74GB；而新世代商品迷你電腦也將有1.3GB的搭載容量。

造成明年全球DRAM位元成長率大幅下降，主要是全球DRAM廠大

砍明年資本支出，韓國海力士與美國美光明年已確定大舉縮減資

本支出，日本爾必達雖然預計明年資本支出約1,200億元日圓，與

今年度相當，但主要是用於轉入65奈米微縮及50 奈米製程之用。