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奇夢達(Qimonda)宣布出售華亞科股權給美光(Micron)，雖然不是這

波DRAM廠整併潮的終點，但至少是重要的里程碑，然弔詭的是

，DRAM價格不但未受到產業整併消息的激勵，多數人對於DRAM

價格後市，仍是呈現悲觀看法。各界認為，現在市場面臨金融風

暴所引發的消費市場信心不振問題，已不是供給面整合所能彌補

的，要挽救DRAM價格，除了奇夢達退出，還要所有的DRAM廠都

要加入減產行列，才能對抗虛弱至極點的清費者信心。

根據集邦科技預估，2008年全球DRAM市場的位元成長率(

bit growth)為67%，估計2009年的DRAM的位元成長率將下降至41%

，大幅下降26個百分點。DRAM廠分析，這樣的位元成長率是相

當低的水位，因為2008年各廠眼前的連活命錢都快湊不出來，根

本沒有資金可以擴產，因此2009年的資本支出絕對是縮減。

記憶體業者分析，在2009年的產能預估遽減下，依照過去DRAM

產業的供需歷史法則，都可享有一波不小的反彈，但現在大家的

認定可沒這麼樂觀，因為在位元成長率降到41%的同時，需求可

能也是差不多的水準，屆時供需之間的關係，可能是往下找到平

衡點，而非過去健康的產業供需下，是往上找到平衡點的。

記憶體業者認為，經過過去幾魁的盲目擴產，2009年可以見到供

給端的成長速度緩，絕對是產業的健康徵兆，但受到全球經濟環

境不佳的影響，終端需求也是同步往下，這是讓人對DRAM後市

頻頻搖頭的原因。

仔細推敲，DRAM產業現在面臨相當大的轉折點，有試圖在險中

求勝的意味，但要天時、地利、人和同步配合，才能讓DRAM市

場起死回生。

其一，奇夢達將華亞科賣給美光後，只是產能平行轉移，產能並

不會減少，但南亞科和華亞科同步要從溝槽式(Trench)製程轉為

堆疊式(Stack)製程技術，其實風險不小，只要有任何一環出錯，

就會重演過去DRAM製程轉換不順，影響產能供給。

其二，現在爾必達、力晶、茂德、海力士紛紛宣布減產，但

DRAM價格仍是在低檔區徘迴，各廠的虧損黑泂並沒有縮減，甚

至有擴大的風險，因此未來勢必有更多的DRAM廠加入減產的行

列，要挽救搖搖欲墜的DRAM行情，絕對要有全民減產的行動出

現。

再者，也是最重要的，就是全球經濟景氣要不再惡化，大家的消

費信心回籠，願意採購新的個人電腦(PC)，當此狀況來臨時，庫

存會逐漸有機會尋求到正確的平衡點。

上述多項條件要同步達成，或許DRAM產業供需就不會這麼悲觀

，但從眼前的情況來看，要上述條件同時發生，恐怕機率也不大

，看來要讓DRAM產業回春，可能還要再等一等。

美國記憶體晶片大廠美光（Micron）昨（2）日公布本年度第四季

（6至8月）財報，每股淨損0.45美元，虧損金額較市場預期更高

。分析師表示，美光財報恐為力晶、南科、茂德、華亞科等第三

季財報蒙上陰影，全年四大本土DRAM廠虧損總和達千億元，相

當一座12吋晶圓廠的投資金額。

DRAM業界也傳出，美光收購德商奇夢達（Qimonda）已進入最後

階段，兩家公司近日將對外宣布，將是此波DRAM市況不振衝擊

下，第一件業界併購案。

美光先前已與南科建立合作關係，收購奇夢達後，將華亞科一併

納入麾下，使「美光—奇夢達—南科—華亞科」聯盟勢力成形。美光

、奇夢達、南科今年第二季市占率分別位居第四、五與七名，結

合後，總市占率達約25.6%，與龍頭三星的25.9%處於伯仲之間，

頗具問鼎業界一哥的架勢。

分析師表示，台灣四大DRAM廠上半年年合計虧損已達540億元左

右，雖然力晶已開始醞釀減產，但其他業者仍無減產計畫，加上

龍頭廠韓國三星也不見真正減產動作，導致記憶體晶片價格持續

破底，業者營運慘澹。

集邦科技（DRAMeXchange）調查，近期1Gb DDRII DRAM 有效

測試（eTT）晶片顆粒已下探1.2美元的歷史新低，遠低於業者成

本價。

美光昨天公布的財報已反應當下市況不振衝擊，儘管單季營收僅

從上季的15億美元小幅滑落至14.5億美元，但虧損幅度擴大，由

2.36億美元增加至3.44億美元，每股淨損0.45美元，比分析師估計

的0.2美元還多一倍。

國內DRAM業者對於後市看法也相對保守，預期年底前市況仍處

於低檔，目前雖然業界已有減產風潮，但仍不足成為氣候，尤其

龍頭三星的動作，才是最關鍵因素

繼DRAM下旬合約價大跌16%後，9月下半月Flash合約價也呈現一

成以上的跌幅，由於目前市場景氣能見度不高，主要應用在消費

性電子產品的Flash短期價格仍不易跌深反彈，國內相關記憶體模

組廠本季在DRAM、Flash價格雙跌的情況下，營運壓力不小。

據集邦科技（DRAMeXchange）最新報價，9月下旬NAND Flash（

儲存型快閃記憶體）合約價MLC（多層式儲存格）規格合約價格

全面下跌，在主流顆粒的部分，8Gb跌幅約12%、16Gb跌幅則約

10%。

儘管9月下旬DRAM、Flash合約價同步下跌逾一成，但威剛（3260

）、創見（2451）、勁永（6145）、至上（8112）、群聯（8299

）等相關模組通路商，昨（23）日股價仍逆勢大漲，主要原因是

反應DRAM減產效應的消息面。

受到歐美地區的消費力道轉弱的影響，NAND Flash第三季合約價

加速下跌，其中8月合約價跌幅高達二成的水準，9月跌幅亦超過

15%，第三季整體跌幅超過三成。

業界認為，Flash今年以來累計跌幅超過八成，低價效應將有助於

NAND Flash廠商在接下來的中國大陸10月初長假，感恩節到聖誕

節等歐美傳統銷售旺季來刺激市場買氣。

據了解，由於迄今NAND Flash供應商除了海力士（Hynix）將今年

的產出成長目標由90%到100%調降到50%到60%外，主要廠商對其

原先設定的2008年NAND Flash位元產出成長目標的變動不大，因

此集邦預期，今年NAND Flash年供給量成長率將由2007年的144%

微幅增加到146%，全年來看仍是供過於求。

由於記憶體景氣不佳，國內法人近期開始調降相關模組廠的獲利

目標。元大投顧最新研究報告即下修創見今、明兩年獲利預估

28%及34%。元大表示，DRAM市場的供應過剩狀況將持續至明年

第二季，因為韓國廠商積極擴充產能，但市場需求薄弱。至於

NAND Flash市場，考量高庫存水位和消費性電子產品需求不佳，

短期不會出現明顯反彈。

9月下旬DRAM合約價出爐，出乎市場預期重挫逾16%，最大跌幅

甚至將近兩成，創一年來最大跌幅，報價再度觸及歷史新低，並

預期10月持續看跌，上游晶片廠營運壓力仍未解除；台灣最大

DRAM合約市場供應商南科（2408）發言人白培霖坦言，市況確

實混沌不明，價格何時反彈，目前「還看不清楚」。

根據集邦科技報價，9月下旬512Mb與1Gb容量DDRII晶片同步重挫

，跌幅介於16.64%至19.2%，均價各為0.72美元與1.44美元，都是

DDRII問世以來最低價。近期DRAM價格大幅修正，以1Gb DDRII

晶片為例，最新均價與7月時價差已高達近四成。

上游晶片價格壓力持續，下游模組產品價格同步走跌。集邦調查

，9月下旬1GB與2GB DDRII模組價格也是破底，跌幅高達13.89%

至15.63%，均價分別為14.5美元及29美元的歷史新低價。

DRAM業者表示，在力晶（5346）、爾必達（Elpida）、海力士（

Hynix）等大廠陸續發動減產下，市場原研判買方為避免預期性產

出減少的影響，會加快拉貨速度，提振價格走勢，原預期這次合

約價跌幅約在5%至10%左右，但未料這次合約價竟大跌逾16%，令

業界傻眼。

儘管價格持續破底，但DRAM族群昨天在台股大漲帶動下，走勢

強勁，力晶、南科、華亞科（3474）、茂德（5387）等全數漲停

。業界認為，這次合約價大跌，主要與大廠面臨季底作帳，為避

免季報提列大筆庫存跌價損失，陸續開始出清存貨有關，但這也

會讓DRAM業者短期營運持續面臨壓力。

南科表示，目前合約客戶庫存量高出約兩周，供需失衡狀況並未

改善，加上市場銷售狀況不如預期，價格波動性仍大，該公司雖

然嚴格控制庫存水位，但營收、獲利難免還是會受到價格不振衝

擊，加上變數仍大，短期看不清楚價格何時能有強勁反彈力道。

集邦表示，儘管大廠陸續減產，但仍無法在短期內改善市況，加

上電腦代工廠持續砍價，造成DRAM合約價格持續下探。目前看

來，由於客戶端庫存仍高，價格下滑趨勢仍將延續，10月上旬

1GB DDRII價格可能持續向下修正到12至13美元。

DRAM報價跌破現金成本，引爆一波減產風潮，繼力晶和爾必達

(Elpida)宣布減產，海力士(Hynix)也宣布將包括清州M9廠和大陸無

錫HC1廠的8吋晶圓廠生產喊停，期望能防止公司營運進一步流血

，合計海力士、力晶、爾必達3家DRAM廠減產幅度約佔全球產能

6％。DRAM業者認為，各廠紛響應減產，絕對是DRAM產業邁向

供需平衡的好開始，但這樣的減產幅度還不夠，需要再有廠商減

產，因為供給下降的同時，其實終端需求也是同步減少。

隨著DRAM價格一再破底，DRAM廠持續面臨現金淨流出窘境，使

得各廠開始面臨減產的重要轉折點，期望能藉由壯士斷腕方式，

來保存在這波產業景氣大蕭條中，持續存活的機會點。回顧過去

DRAM產業發展歷程，往往都是各家業者肆無忌憚地擴產，受到

嚴重供過於求打擊後，在紛紛減產及縮小營運規模之後，DRAM

產業才再度邁向供需平衡。

這次DRAM產業面臨嚴苛考驗，繼力晶和爾必達宣布減產後，韓

系大廠海力士亦決定加速淘汰8吋晶圓廠，不僅是按照原訂計畫

關閉美國奧勒岡州Eugene的8吋晶圓廠，位於南韓清州(Cheongju)

M9廠，以及大陸無錫HC1廠也將停止營運，至於其南韓仁川(

Icheon)M7廠，也將在9月底關閉。

DRAM廠表示，這次減產風潮雖不能達到立竿見影效果，但算是

好的開始，代表各界紛紛正視產業嚴重供過於求情況，若廠商再

硬撐生產下去，恐怕虧損金額只會越來越驚人，DRAM產業恐將

永遠無法逆轉。集邦科技則認為，估計這次3家DRAM廠減產產能

共佔全球產能5~6%，但要真正脫離DRAM谷底，預計還需要減少

約4.5萬~6萬片，因此，後續各廠減產計畫，對整個產業具關鍵性

影響。

記憶體業者則認為，這次面臨的是生存之戰，尤其是台DRAM廠

從2008年底到2009年初之間，需要清還債務不少，若是DRAM產

業再不進入止跌期，恐怕連生存機會都沒有。

記憶體業者減產效應不敵全球股市重挫，上游晶片製造商力晶

（5346）、茂德（5387）、南科（2408）、華亞科（3474）昨（

16）日全數跌停收市，南科、華亞科更跌破歷史新低；記憶體晶

片廠中，上半年唯一獲利的旺宏（2337）也應聲跌停並跌破面額

，使台股現階段上市櫃記憶體晶片廠中，沒有任何一家股價超過

10元的個股。

上游晶片廠股價重挫，下游模組業者同受波及，威剛（3260）、

創見（2451）、勁永（6145）等昨天同遭打落跌停鎖住，威剛、

勁永各以18元與4.71元同步寫下掛牌來新低。

晶圓代工指標股台積電（2330）、聯電（2303）走勢也不佳，聯

電一度跌破面額價，但終場翻回票面之上，每股下跌0.5元，收

10.1元；台積電尾盤也遭到摜殺，由紅翻黑，下跌0.7元，收51元

。

法人指出，半導體晶圓廠上半年業績普遍不佳，其中國內四大

DRAM廠上半年虧損合計逾540億元，加上記憶體晶片價格未見止

跌，業者現金部位告急，自然成為資金出脫標的，股價不僅跌破

面額，也都嚴重低於淨值。

再就晶圓代工雙雄來看，聯電因第四季營運仍有壓力，昨天也創

掛牌來新低；台積電因主要客戶面臨全球通膨，短期業績也很難

逆勢向上，昨天尾盤遭摜殺，透露市場信心仍不足。

值得注意的是，台積電規劃從8月13日至10月12日起買回額度2.83

億股內的庫藏股，但截至9月初最新公告為止，已買回2.78億股，

在庫藏股額度即將滿下，若外資持續倒貨，50元大關能否守住，

市場關切。

集邦科技（DRAMeXchange）認為，力晶、爾必達（Elpida）本月

初宣布將減產標準型記憶體，激勵上周1Gb DDRII 有效測試顆粒

晶片（eTT）一度走揚逾5%，但北京奧運後DRAM現貨價跌幅將近

兩成，力晶等減產效應所帶動的漲勢，仍不足以抵抗價格跌幅。

全球最大記憶卡業者新帝（Sandisk）營運不佳求售，昨（16）日

傳出日本記憶體晶片大廠東芝（Toshiba）有意成為新買家。東芝

現為國內記憶卡控制IC大廠群聯（8299）的大股東，一旦將全球

記憶卡龍頭新帝納入麾下，群聯往後IC出貨量可望同步成長，率

先受惠。

NAND Flash價格近期走勢不振，根據集邦科技（DRAMeXchange）

報價，NAND Flash合約價第三季以來，除了7月短暫出現持平或小

漲外，8月跌幅高達兩成，且9月持續低迷。

市況不振，新帝營運同受拖累，第二季本業每股虧損達0.1美元，

不但低於市場預估的每股獲利0.13美元，也較前季本業每股獲利

0.21美元嚴重衰退。市況慘烈，也讓新帝對本季營運持保守看法

，估計營收介於7.5億到8.5億美元間，與第二季相較幾乎是「零成

長」，同時預估本季報價平均跌幅超過15%。

新帝營運狀況不佳，近期陸續傳出有意出售傳聞，先前一度指向

將賣給硬碟大廠希捷（Seagate），全球記憶體龍頭韓國三星也曾

表態收購。新帝本月初也發表新聞稿坦承，過去以來持續與多家

合作對象洽談各種潛在業務機會，其中包括三星等業者都在名單

之內。

繼希捷、三星後，外電報導，東芝資深副總裁齊藤莊藏昨天在日

本舉辦的產業策略與科技論壇上也透露，該公司有意對新帝提出

併購邀約，以防同業搶先一步吃下新帝，也讓新帝的買家演變成

「三角關係」。不過，齊藤莊藏也透露，目前東芝尚未與新帝進

行任何具體談判。

業界認為，東芝現階段在NAND晶片製造領域市占率居全球第二

，一旦併購在下游成品排名第一的新帝，勢力版圖將進一步擴大

，同時在垂直整合上也向前邁進一大步，往後對NAND晶片控制IC

需求量也將同步增加，在台灣業者中，東芝是群聯大股東，過去

有長期合作經驗，未來東芝對群聯的釋單也將提升。

韓國記憶體晶片大廠海力士昨（10）日宣布本月起將減少NAND

Flash產量，幅度介於20%至30%；在此同時，日本NAND Flash大廠

東芝（Toshiba）也傳出「停止低價出貨」消息。近期DRAM與

NAND晶片大廠同步減產，下游模組廠創見（2451）、威剛（

3260）等將直接受惠。

NAND Flash價格近期走勢不振，根據集邦科技（DRAMeXchange

）報價，Nand Flash合約價第三季以來，除了7月短暫出現持平或

小漲的局面外，8月跌幅高達兩成，且9月持續低迷。

分析師表示，海力士與東芝在NAND領域各居全球第二與第三，

兩家公司市占率超過龍頭韓國三星，隨兩大廠釋放減產與停止低

價出貨訊息，透露NAND Flash市況可能隨時變盤向上。

這也是繼DRAM業的力晶、爾必達（Elpida）之後，記憶體業者又

一積極提振市況的作法。DRAM與NAND晶片業者同步減產，產品

線橫跨兩大領域的模組業者率先受惠，威剛、創見昨天都指出，

目前仍處於獲利狀況，若兩大產品價格持續隨減產效益提升，將

更能帶動業績走勢。

外電報導，海力士昨天宣布本月起計劃關閉一條NAND Flash生產

線，估計將減少產能20%至30%。海力士上月底一度宣布，南韓清

州（Cheongju）一座NAND Flash新建廠房已開始投產，月產能達

到30萬顆，預計近期內可望擴產至50萬顆，一度引發市場憂心供

過於求壓力會大增，隨海力士調整策略為減產，昨天股價一度大

漲逾4.5%。

此外，市場也傳出日本NAND Flash大廠東芝即日起以「沒貨」為

由，停止在價格低檔繼續砍價出貨。東芝在台灣主要合作伙伴

群聯（8299）昨天表示：「有聽說。」該公司早已與東芝談妥供

貨合約，因此未受波及。受相關消息激勵，群聯昨天重回百元大

關，強攻漲停鎖住，上漲6.9元，收106元。

群聯表示，海力士等業者陸續傳出減產等訊息，對市況將有一定

程度的幫助，但最重要關鍵仍在於龍頭三星的態度，一旦三星也

加入減產行列，將更能改善市場供過於求的狀況。

DRAM記憶體價格直直落，全球最大DRAM現貨市場供應商力晶董

事長黃崇仁昨（8）日宣布，將減少10至15%的標準型DRAM投片

量，相當於每月近1.5萬片12吋晶圓產能，同時遞延新廠規劃時程

，藉此舒緩供過於求的市況，避免持續惡化。

他直言：「投入DRAM業17、18年來，今年市場是有史以來最差

的一年。」黃崇仁估計，減產可減少供給、帶動市況活絡，最快

明年中就能見到成效，屆時價格推升幅度會大過減產幅度。

力晶是此波DRAM價格重挫下，第一家宣布大規模減產的業者。

相較於力晶即將減產，國內其他DRAM廠仍採觀望態度，茂德、

南科、華亞科等都異口同聲指出：「目前沒有減產打算！」

DRAM價格近期已達「破底價」，根據集邦科技（DRAMeXchange

）報價，1Gb DDRII有效測試顆粒（eTT）均價在1.3美元左右，約

僅剩去年同期3.8美元的三分之一左右，業者營運跌落谷底，僅國

內力晶、南科、茂德、華亞科四家DRAM廠，上半年虧損合計就超

過540億元。

黃崇仁表示，DRAM目前市場機制已不健康，業界原預期奧運過

後市況會回春，未料卻持續下跌，頗讓人意外。

黃崇仁說，力晶生產成本已是同業中最低的，但仍沒辦法賺錢。

以業界目前生產1Gb DDRII顆粒成本約2.3至2.4美元來看，現在的

價格，即使導入最先進的50奈米製程也沒辦法獲利，唯有減產，

才能讓市況自谷底翻揚。

黃崇仁指出，如果一個產業連用最先進製程、最便宜成本生產都

還賠錢，就代表產業模式已出現問題。DRAM是全球半導體業的

重要領域，他身為世界半導體產業協會與台灣半導體產業協會理

事長，不能坐視這樣狀況持續惡化，因此力晶要「跳出來做減產

的第一棒、開第一槍」，希望藉此讓業界重視整個產業機制惡化

的問題。

黃崇仁說，目前產業最大問題，就是「市場無法消化那麼多的

DRAM產出」；他估計，目前供過於求幅度約在5%至10%，導致買

氣觀望，價格一路下跌，價格跌幅遠大於供過於求的幅度。

力晶這次減產，尚未告知合作夥伴日商爾必達（Elpida），因此將

以力晶自有的12吋廠先做，估計在總月產能約13萬片中、約10%至

15%轉做利基型記憶體或代工驅動IC，預計一年內將旗下三成產能

生產非標準型記憶體。至於旗下P4、P5兩座新廠以及與爾必達合

資的瑞晶擴產計畫，也都將延後。

集邦科技（DRAMeXchange）昨（26）日最新報告指出，下半年

NAND Flash市場受次貸風暴衝擊，整體旺季需求可能不如往年，

預估第三季末以後才會回溫。

近期NAND Flash呈現旺季不旺，8月下旬合約價走勢同步疲弱，

僅SLC規格力守平盤，MLC規格則普遍走跌，其中8Gb與16Gb容量

跌幅都在一成以上，最大跌幅更超過13%。

統計NAND Flash近期價格走勢，除4、5月一度彈升外，5月下旬起

跌勢陸續展開。以8Gb容量MLC規格晶片為例，均價已由5月上旬

的3.38美元下探近期的1.9美元，波段跌幅超過四成，也使得業者

營運蒙受壓力。

集邦表示，由於主流NAND Flash價格自去年第三季中期高點迄今

跌幅已達80%以上，預期低價效應有助刺激中國大陸10月初長假

，以及感恩節到聖誕節等歐美傳統銷售旺季的買氣，估計第四季

市場可望由目前供過於求轉為供需較平衡的狀況，價格也有機會

隨旺季備貨需求回溫並小幅反彈。

集邦預估，今年全球NAND Flash市場需求量成長率將由去年的

151%稍微減少到141%；供給部分，年成長率將由去年的144%略

增至146%，全年看來仍呈現供過於求。建商搶地 南港概念股鍍

金

茂德上半年財報昨（20）日出爐，第二季稅後淨損56.22億元，累

計上半年稅後淨損136.74億元，每股淨損2.05元。統計力晶、南科

、華亞科與茂德四大DRAM廠第二季合計虧損高達235億元，上半

年合計虧損超過542億元，幾乎賠掉半座先進12吋晶圓廠的投資金

額。

茂德第二季虧損金額較第一季減少三成，每股虧損0.84元。相較南

科第二季大虧72.99億元、力晶虧損72.33億元，茂德第二季虧損明

顯較少。茂德累計上半年營收171.52億元，毛損率55.33%，每股虧

損2.05元，還是四大DRAM廠中每股虧損最少的。

此外，茂德私募發行5.67億股有價證券引進南韓DRAM大廠海力士

技術及資金的奧援，可望本月底前完成。茂德已與海力士敲定每

股6元的私募價，海力士藉此次私募取得茂德8.59%股權，並挹注

約35億元，同時移轉54奈米技術製程予茂德。

茂德最快明年下半年量產54奈米DRAM，將是國內首家切入50奈

米世代製程的廠商，可有效降低成本、提升競爭力。

另外，茂德計劃發行總額約新台幣167億元的GDR及ECB兩項海外

募資案，目前也正緊鑼密鼓進行中，預計近期可完成定價，今年

底前可望有200億元資金挹注。

至於海力士在取得茂德8.59%股權後，將成為茂德第二大法人股東

，僅次於茂矽持股的13%，聯電以不到8%股權仍居第三大股東。

投信法人認為，三大股東穩定持有茂德，有助茂德股權更為堅固

。

不過，投信法人仍擔心，受北京奧運影響，中國大陸第三季旺季

需求不若往年強勁，延緩了DRAM價格反彈時點，加上南韓三星

、海力士兩大DRAM廠50奈米製程產品開始投產，現貨價格近期

恐會回測前波低點，且拖累合約價格走跌，DRAM廠第三季虧損

恐會又擴大。

集邦科技指出，9月中國大陸市場需求應會回籠，卻又將面臨歐

洲市場8月需求下降，且通路商仍保有高於一個月的庫存水位，第

三、四季現貨市場實際需求難有好的表現。

集邦科技預估，8月上旬合約價下跌5%，預計下旬合約價將再續

跌5%，今年底前，合約價有可能回探至年初DDRⅡ667 1GB均價

16美元與DDRⅡ667 2GB均價32美元的低點位置。

市場擔憂DRAM廠第三季虧損恐又會再擴大，茂德昨天終場股價

下跌0.06元、收在4.59元；力晶亦下跌0.15元、收6.5元，華亞科

小跌0.05元、收13.5元，僅南科小幅收紅，終場上漲0.1元、收在

10.95元。

產能供給過剩、加上今年市場需求不振，NAND Flash（儲存型快

閃記憶體）近期合約價出現重挫，從6月至8月上旬止，跌幅逼近

四成，目前市場普遍預期下旬合約價仍有5%到10%的跌幅，後勢

仍不樂觀，投信法人認為，國內群聯（8299）、創見（2451）、

威剛（3260）、勁永（6145）、至上（8112）、友尚（2403）等

Flash相關廠商，營運壓力仍在。

根據集邦科技指出，NAND Flash從6至8月上旬為止，合約價格已

下跌36%，主要原因是目前市場對NAND Flash需求仍然低迷，短

線雖有國際大廠調降產能成長目標來激勵價格止跌反彈，但後勢

仍不明朗，預料最快本季末才有機會回溫。

值得注意的是，不僅快閃記憶體跌幅超乎預期，近期DRAM現貨

價也轉趨疲弱，市場傳出部分模組廠已不耐久候，手中存貨開始

鬆動，本季將降低庫存動作，在DRAM、Flash價格雙跌下，相關

廠商本季營運壓力恐增強。

集邦統計，以16Gb MLC平均合約價格來看，6月上旬平均合約價

格為5.06美元，7月上旬平均合約價格為4.02美元，但8月上旬卻

下修至3.24美元，6至8月平均合約價格下跌幅度高達36%。

集邦分析表示，目前NAND Flash下游業者仍多處於等待北京奧運

過後白牌市場補貨需求回復中；另外，暑假過後的歐美及新興市

場買氣雖有機會逐漸回籠，但市場對第四季市場能見度仍低，導

致多數下游廠商對於現階段備貨採取保守觀望或延遲採購的態度

。

業界認為，第二季甫結束，上游廠商採取彈性供貨策略，造成目

前下游廠商處於高庫存狀態，廠商不得以調降庫存，導致市場買

氣縮手。

台灣電子大廠第二季法說會今（23）日由力晶（5346）、南科

（2408）、華亞科（3474）等三家DRAM廠率先登場。受制DRAM

價格持續不振影響，法人圈預期業者財報都是「滿江紅」；不過

，業者對景氣看法，尤其是大陸奧運過後是否會重新帶動白牌市

場需求，進而激勵價格走勢，將是法說會上重要觀察指標。

法人預期，在製程技術與良率同步提升下，DRAM廠上季虧損狀

況會比首季改善，幅度約在10%到20%。儘管業者難逃持續虧損

壓力，DRAM族群昨（22）日卻全數逆勢走揚，有利空出盡的味

道。

而在DRAM廠法說會前，集邦科技（DRAMeXchange）昨天率先

公布7月下旬合約價，1Gb DDRII顆粒以持平價2.37美元開出。累

計DRAM合約價自4月落底後，5月呈現反彈，迄今已由4月的1.81

美元上漲至2.37美元，波段漲幅超過三成。

在現貨市場方面，受大陸舉辦奧運期間施行「嚴打」策略，壓抑

內地白牌市場需求，DRAM現貨價格走勢與合約價相異，呈不漲

反跌趨勢，也壓抑合約價走勢。因此大陸市場需求是否能在奧運

後回籠，將是觀察重點。

受全球經濟不景氣影響，業者認為今年旺季效應恐不如往年，對

下半年景氣持較保守看法，但整體需求仍會呈現成長，本季價格

有機會力守平盤，廠商虧損不致於再擴大。

DRAM業者坦言，目前全球整體經濟環境的確不佳，但只要價格

不要再暴跌，至少能稍微舒緩前波大賠壓力，再配合先進製程良

率提升、成本進一步降低，仍有機會在逆勢中取得優勢。

力晶表示，雖然電子業受高油價與通膨壓力造成消費萎縮，但

DRAM業與PC業連結性高，今年PC業市況相較其他消費性產品好

，只要PC撐得住，DRAM狀況就不會太差。

集邦科技(DRAMeXchange)表示，2008上半年NAND Flash主流顆粒

8Gb和16Gb的平均價格分別往下掉了37.5和39%，價格滑落的主要

成因仍在於上半年整體市場呈現供給過剩的狀態，而就需求面而

言，手機、數位相機淡季已過，集邦估算，記憶卡下半年的出貨

量可望較上半年成長近三成，可望提升對Nand flash的消耗量。

集邦表示，耗用NAND Flash產能超過四成的記憶卡，因為手機和

數位相機市場上半年處於淡季，出貨規模分別較去年下半年減少

4.4和6.1%，且在供給面方面，NAND Flash上游廠商在5x nm製程良

率趨成熟且12吋廠的產能持續開出的狀況下，上半年的NAND

Flash產出比去年下半年增加將近50%位元成長率，在此情形下，

NAND Flash顆粒和記憶卡的價格上半年均呈現持續往下的狀況。

而展望下半年Nand flash價格走勢，集邦表示，過去半年價格的持

續走軟，銷售記憶卡的品牌業者多半將各自通路的存貨天數壓低

在一周之內，由於第二季的 道統淡季已過，接下來逐漸要進入道

統的銷售旺季，九月的返校需求開始至十一、二月歐美地區的感

恩與耶誕購物熱潮，這一波市場需求的好壞將是影響NAND Flash

上下游廠商今年的營收和獲利能否成長的關鍵所在。

而根據集邦科技對手機和數位相機市場出貨的估算，下半年手機

市場的出貨規模會比上半年成長10%，約可達到6.57億支的水準，

數位相機下半年出貨規模將比上半年成長近26%，可達7590萬台

的水準，再加上一些記憶卡的應用裝置如PDA、 GPS、 DV和

Game Console等，總計可以為記憶卡下半年的市場需求增加近28%

，約有一億片的成長量。

儘管下半年記憶卡幾項主要應用的出貨成長是可預期的，然集邦

表示，NAND Flash顆粒未來價格的漲跌仍與上游廠商的產能調控

息息相關。倘若上游廠商出貨給下游業者的方法得宜，則當旺季

需求來臨時，因為目前記憶卡品牌業者的通路庫存天數尚低，將

會有一波旺季備貨的效應出現，屆時價格將會反轉向上，至於可

以持續多久則端視上游廠商的供貨策略而定。

DRAMeXchabge（集邦科技）預期，DRAM現貨市場近期呈現需求

與供給同步量縮態勢，短期DRAM現貨價將呈現盤整走勢，向下

修正幅度有限，第3季可望緩步盤堅，預估1Gb DDR2顆粒價格第

3季可望上漲10~15%，價格高點將落在8、9月。

下旬合約價漲2~5%

至於合約市場方面，集邦指出，DRAM製造廠普遍表示無法滿足

買方定單需求，因此6月下旬合約價將續漲2~5%。不過，個人電

腦代工廠客戶則持不同看法，認為6月適逢部分DRAM廠財報季底

，有機會成交較低的合約價。

第3季隨著傳統旺季來臨，DRAM合約價可望攀升，集邦科技認為

1GB模組合約價將維持在21~25美元，高於目前的均價21.5美元，

2GB合約價則將維持在40~46美元區間。

DRAM現貨市場，一周以來市況冷清，成交量維持低檔。在需求

與供給兩端都維持量縮的趨勢，因此價格雖小幅滑落。1Gb

DDR2 ETT（有效測試顆粒）仍維持在2.1美元附近，預計近期現

貨價格將小幅盤整，向下修正幅度相當有限，對第3季現貨價格

依舊維持緩步盤堅的看法。

DRAM廠對後市樂觀

相對於集邦，DRAM廠對於價格反彈則較為樂觀，包括力晶（

5346）、威剛（3260）、創見（2454）等都認為，下半年價格有

機會上看3美元，距離目前價位上漲幅度有2~3成。

6月上旬DRAM合約價出爐，平均漲幅約在3%，跟5月的漲幅比較

，本次漲幅明顯縮水，業界都認為，由於6月底是半年報清庫存，

因此價格會有壓力，下半月合約價可能會維持平盤附近，頂多也

是微幅調整，待7月起才會恢復上漲走勢。

7月將有一波漲勢

根據DRAMeXchange報價，1GB、2GB DDR2模組平均漲幅約在

2.38%，1GB模組平均價格在21.5美元、2GB模組43美元，換算

DRAM顆粒價格，漲幅2.65~3.01%，平均漲幅2.77%，1G顆粒平均

單價2.31美元。

不過，在較低容量的512MB模組，受到低價電腦盛行的激勵，漲

幅在4.55~5%，平均漲幅4.76%，平均單價11美元。

南科全球行銷業務副總白培霖日前表示，6月因DRAM廠季底作帳

等因素，合約價漲幅將受到壓抑，幅度將縮減至個位數，不過，7

月起旺季效益來臨，將有助帶動合約價一波新的漲勢。

他認為，今年PC市場兩個特色就是低價、大記憶體容量，PC銷售

受狀況受大環境通膨等因素影響，還有不確定性，但低價電腦的

普及，增加DRAM的需求量，而每單位電腦裝載的DRAM容量增加

，都有助帶動DRAM成長，目前市場主流模組為2GB，預期全年每

台PC平均搭載量會超過2GB。

目前價格持續看漲，有利DRAM廠營運持續增溫，但由於本季來

價格漲幅已達15~20%，已有PC品牌廠轉向模組廠採購，加上6月

因DRAM廠季底作帳等因素影響，上下游都在控制庫存，研判6月

漲幅恐受壓抑。

創見董事長束崇萬認為，由於DRAM價格實在很低，現在PC廠對

DRAM用量都相當寬鬆，去年每台PC平均記憶體用量約1.6~1.7GB

，目前2GB已是主流，預期今年全年平均用量上看2.5GB，對於市

場庫存消化相當正面。

5月下旬DRAM合約價昨（20）日出爐，延續前波上漲行情，最高

漲幅逾5%，報價創近半年來新高。這是近來合約價連續第三度調

漲，但DRAM業者預期漲幅「還不夠」，台灣最大DRAM合約市場

供應商南科更直言，目前市況缺貨嚴重，未來DRAM價格還有四至

五成的上漲空間。

DRAM價格淡季逆勢走揚，南科、茂德、力晶等晶片製造商率先

受惠，下游模組廠威剛、創見、勁永等，也將同沾雨露，有助擺

脫前波業績低檔陰霾。

根據集邦科技（DRAMeXchange）昨天出爐的5月下旬合約價，

512Mb與1Gb DDRII顆粒同步走揚，報價同創近半年來新高。其中

，512Mb容量漲幅介於3.1%至5.6%，均價為1.13美元；1Gb規格則

上漲3.15%至5.56%，均價為2.25美元，並同步推升1GB模組價格走

揚，均價由前次報價20美元上揚至21美元。

根據集邦調查，這已是DRAM合約價近期以來第三次調漲。集邦

分析，刺激價格走揚的原因，主要來自電腦OEM大廠為迎接傳統

旺季建立庫存，在現階段DRAM價格仍在相對低檔下，買盤積極

介入導致，預期短期內DRAM價格漲勢仍將延續。

此外，DRAM合約價在淡季反轉，主要是供給面產生變化，尤其

全球DRAM廠經歷前波鉅額虧損後，產出增加相對保守，舉例來

說，第一季海力士（Hynix）的位元成長率僅5%，奇夢達

(Qimonda)位元銷售率甚至為負9%，價格起漲訊號確定後，市場買

方進而提早拉高庫存，也拉高了市場需求。

DRAM業者也對價格後市相當看好。南科指出，目前市場需求相

當強勁，伴隨供給吃緊，該公司近期合約報價至少上漲5%，目標

漲幅可達10%左右，缺貨狀況也將延續，以南科為例，僅能滿足

客戶需求的七成至九成不等。

南科認為，此波DRAM價格漲勢仍將延續，依該公司判斷，現階

段價格漲幅仍不足以反應當下缺貨嚴重的情形；就趨勢來看，

1Gb DDRII合約價至少有上看3美元的能耐，換句話說，未來

DRAM價格還有四至五成的上漲空間。

海力士產能受創 茂德等受惠 無錫廠停電逾15小時，衝擊DRAM供

給超乎預期。

韓國記憶體晶片大廠海力士（Hynix）昨（20）日證實，大陸無錫

廠前天因停電造成產線停擺，已在昨天凌晨恢復產能。海力士無

錫廠停電到恢復供電超過15小時，超乎傳言中的4至6小時，業界

研判對DRAM市場供給的衝擊恐比原先預期大，且這段期間內，

海力士勢必會更倚賴合作伙伴茂德的支援，台灣DRAM業者更有

受惠空間。

海力士表示，這次停電從前天上午11時30分開始，該公司已在昨

天凌晨2時50分重新啟動產能，估計產線全數恢復運轉，至少需

要兩天的準備時間，損失金額則在1,800萬美元左右。

這次海力士發生跳電的廠區，有一座月產能5萬片的8吋廠，主要

生產消費型DRAM、DDR及SDRAM，另一座12吋廠月產能約10萬

片，主要生產標準型DRAM。

業界指出，依DRAM廠運作的經驗，一旦停電超過兩小時，將造

成生產中的晶圓片受損，影響可及約一星期產能。而海力士工廠

停電到恢復供電超過15小時，時間大於先前傳出的4至6小時，

必使得供給更緊俏，並推升DRAM價格持續上揚。

DRAM現貨市場報價昨天上午已受海力士停電影響，近期走勢波

動不大的1Gb DDRII有效測試顆粒（eTT）早盤上漲逾3%，晚盤持

續上漲1.21%，均價重新站回2美元大關。

集邦科技（DRAMeXchange）指出，DRAM現貨市場前波交易清

淡，1Gb DDRII價格一度出現1.96美元的低價，在海力士停電事故

後，現貨市場買盤陸續進場接貨，透露此事件已讓下游端擔心供

給更加吃緊，因此加快補貨力道。

就報價來看，下游端已有1Gb DDRII底部價格為2美元的共識，隨

第三季的返校需求逐漸浮現，加上DRAM廠有效控制資本支出與

擴張產能，價格走勢仍將趨於正向。

海力士昨天股價受無錫廠停電消息面衝擊，下跌逾3%，但台灣

DRAM廠因屬相對受惠一方，昨天在大盤大跌逾200點下，力晶、

茂德都收紅，相對抗跌；南科、華亞科則收小黑。

DRAM（動態隨機存取記憶體）大廠海力士（Hynix）旗下合資廠

HNSL中國無錫廠傳出跳電逾15小時，集邦科技昨表示，一旦停電

超過2小時，將造成生產中的晶圓片受損，影響約1星期產能。

另外，DRAM合約價格在5月上旬成功調漲10%後，5月下旬DRAM

廠普遍傾向再調漲5~10%。

DRAM續漲5~10%

對於周一HNSL跳電事件對全球DRAM市場的影響，集邦科技也指

出，因HNSL立即啟動緊急供電系統，工廠產能應不致於有太嚴重

的影響。

目前海力士的無錫合資廠HNSL有1座8吋廠，月產能約5萬片，主

要生產消費型DRAM、DDR及SDRAM，另1座12吋廠月產能約10萬

片，主要生產標準型DRAM，依DRAM廠運作的經驗，若停電逾2

小時，將造成生產中的晶圓片受損，影響約1星期產能。

另外，在DRAM合約市場方面也傳來利多訊息，集邦科技說，由

於目前合約價皆在洽談中，在5月上旬DRAM廠成功調漲10%後，

一些買方即鎖定談定的價格維持1個月， 對於5月下旬仍需議價的

客戶，DRAM廠普遍傾向繼續調漲5~10%。

受此利多消息，DRAM個股昨天股價逆勢不跌，集邦科技表示，

以主流的DDR2 1GB的模組來看，自3月初至4月下旬價格從17.5美

元拉至目前議價中的21美元，漲幅約20%，漲幅最大，而2GB的模

組也有10%的漲幅。

集邦分析師進一步表示，DRAM合約價在淡季反轉，主要是供給

面產生變化，第1季海力士僅有5%位元成長率，而奇夢達

（Qimonda）位元銷售率甚至為負9%，價格起漲訊號確定後，市

場買方進而提早拉高庫存也拉高了市場的需求。

DRAM現貨與合約價本月以來同步上漲，在全球各大廠擴產腳步

減緩效應，以及大陸中芯退出DRAM生產後，業者普遍看好第二

季的價格走勢，儘管第二季國內DRAM製造廠南科(2408)、華亞科

(3474)、力晶 (5346)、茂德 (5387)轉虧為盈的機會不高，但隨第三

季進入電子業傳統旺季，DRAM業的春天似已到來。

力晶、南科、華亞科3家上周舉行法說會，第一季合計虧逾200億

元，創下產業史上的新高，原本應該是前景黯淡的一族，不過，

DRAM價格卻在此時反彈走揚，反而出現翻轉契機，以上周類股

的走勢表現觀察，為搶產業景氣谷底的低點，內外資法人的買盤

明顯增溫，成為強勢族群。

事實上，DRAM股真的翻身嗎？以DRAM報價來看，目前

DDR2 1Gb eTT的現貨價雖已回升至2美元，但距離廠商的製造成

本還有一段路要走，換言之，即使至本季底，業者還是預估，要

轉虧為盈的機會不高。

南科表示，就目前與電腦OEM客戶的談判來看，預估4至5月的

DRAM合約價還有10%以上的調漲空間，主要就是1Gb供不應求，

而5月上旬現也看好可再有雙位數的漲幅再漲，不過，因為之前跌

太多，所以即使到季底的漲幅，仍不足以讓DRAM 廠獲利，下半

年的機會較大。

南科、力晶均看好下半年的DRAM行情，綜合看好的原因有三：

一是DRAM產業的投資減緩現象，自去年以來至今，全球各大廠

都減少資本支出，此效應推估將反應到下半年，供給面的成長有

限；二是今年全年位元成長率超過65%以上的公司不多，意指新

增產能的速度也減緩；三是NAND Flash價格大漲，對DRAM產能

的排擠效應再現，包括三星、海力士仍會將產能調配至獲利較多

的NAND Flash上，同樣對DRAM業的供給減緩有利。

記憶體專業市調機構集邦科技 (DRAMeXchange)也大膽預測，

DRAM合約價6月正式起漲，主要的立論點在於今年以來，已有幾

家大廠的產能開出不如預期，形同減產效果。

集邦表示，從供給端分析，近兩個月，某韓系廠商6x奈米製程良

率不如預期，使位元季成長率 (QoQ bit growth rate)減緩。再者，華

亞科積極轉進70奈米，短期產出將下降。今年下半年，由於長期

的虧損，使DRAM廠產能擴增計劃暫緩，包括台系廠茂德，力晶

，瑞晶及南科下半年都不會增加投片量。有幾家廠商都有減產的

規劃，使下半年DRAM成長力道大減，DR2價格可望上漲30%

(512Mb從0.9至1.25美元，而1Gb 從1.96至2.5美元)。

在需求方面，由於桌上型電腦出貨狀況進入下半年的旺季，應可

如預期穩定成長。此外，目前筆記型電腦搭配模組多為1GB與2GB

之各種組合 (在顆粒上多採用1Gb顆粒、512Mb顆粒則多用於512MB

模組)，多安裝於新興市場機種。目前位元出貨量 (1Gb晶片約當量

計算)DRAM 廠1GB模組出貨量佔GB比率約6成, 而2GB模組出貨約至

少3成以上。