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集邦科技（Trendforce）旗下DRAMeXchange昨（16）日表示，日商東芝日前廠區跳電，可望促成明年第一季儲存型快閃記憶體（NAND Flash）市場轉為短缺，配合中國農曆年補貨需求，有機會降低傳統淡季對業者的衝擊。

美光（Micron）NAND解決方案事業部亞洲區資深行銷經理葛玉中也認為，雖然三星、東芝、美光等一線大廠都有擴產計畫，但平板電腦需求開始起飛，預期明年市場供需穩定且健康。

看好市場發展，美光昨天宣布推出新型高容量快閃記憶體產品組合，解決過往NAND晶片面臨製程微縮的問題，延長NAND Flash產品壽命，可應用於企業伺服器、平板電腦、可攜式媒體播放器等多種電子消費品中。美光並規劃，新加坡新廠明年第二季投產。

集邦表示，雖然11月底下游客戶年終假期備貨高峰期已過，但一些記憶卡業者庫存水位明顯下降，本月初開始小量回補庫存，帶動NAND Flash合約價開始出現止跌回穩的跡象。

加上東芝本月初廠區跳電，讓市場產生短期供給減少的預期心理，開始進場回補庫存，都是帶動市場回春的助力。東芝內部預期，此次跳電影響該廠區明年1至2月產出量，減損幅度最多達20%。

集邦認為，隨著東芝跳電衝擊，加上其他供應商明年第一季沒有新增產出，屆時全球NAND晶片供給量減幅上看5%，帶動價格在明年元月中反彈。

集邦預期，後續價格續航力需視年終耶誕假期相關產品銷售、中國農曆年前客戶庫存回補需求，以及平板電腦與智慧型手機新機型上市狀況，若狀況佳，將能彌補記憶卡通路市場的淡季效應。NAND Flash族群昨天股價漲跌互見，群聯（8299）收平盤；勁永（6145）、威剛（3260）收黑；創見（2451）小漲0.3元。

集邦科技(Trendforce)旗下研究機構EnergyTrend表示，全球太陽能市場明(2011)年總產能預估在20-25GW(10億瓦)，需求約15 .5-20GW，供過於求陰影仍然存在。不過，美國持續推動貨幣寬鬆政策，將加深全球資金氾濫現象，為了替過多資金找出口，再生能源投資將是最佳選擇。

台股太陽能族群近期股價表現疲弱，主要在於明年度的展望偏空，已有多家外資和研究機構都陸續發佈偏空的報告。

此外，國內3大法人在五都選舉之後，儘管大幅買超台股，但是對於太陽能族群則是始終站在賣方，相關類股也成了法人的「提款機」。

就研究機構來說，昨日就有EnergyTrend和專業網站Solarbuzz同步發佈的報告，「供過於求」可說是兩者的「共識」。 EnergyTrend表示，以需求端來看，歐洲市場將呈現微幅下跌，至於中國、日本、美國等地則呈現上揚，因此明年的「總安裝量」將呈現溫和成長。

EnergyTrend評估，明年全球太陽能市場的成長幅度將低於20％，主要受到德國等主要市場下修補助額的影響，但未來的成長率將可維持在20-25％水準。

但其他研究機構看法不同的是，EnergyTrend針對美國的貨幣量化寬鬆政策，對於再生能源產業將有正面的幫助。EnergyTrend指出，全球金融風暴一度造成再生能源產業的停擺，但實際上的需求並未消失，因此隨著全球金融環境改善和貨幣寬鬆，2009年下半年到今年間，重新推動再生能源產業。

EnergyTrend表示，由於美國有意實施第3次的量化寬鬆政策，將加深全球資金泛濫的現象，為了替過多的資金部位尋求出口，再生能源產業的投資將是最佳的選擇。

科技市調機構顧能（Gartner）昨（13）日最新報告指出，今年全球半導體業營收可望創歷史新高，明年持續成長4.6%，但DRAM因價格持續探底，恐成為明年半導體業中，唯一衰退的領域。

顧能對DRAM業看法偏向保守，預期在晶片價格一路修正下，也將拖累第四季半導體營收成長率恐出現六季以來首度負成長。

顧能表示，今年記憶體是全球半導體市場成長最為強勁的部門，預估成長幅度可達49.8% ，但明年個人電腦（PC）市場需求可能比預期弱，加上DRAM價格持續疲走跌，估計明年全球DRAM廠營收將比今年衰退15.6%，是明年全球半導體業唯一衰退的領域。

根據集邦科技（Trendforce）旗下DRAMeXchange報價，繼現貨市場價格一路破底後，12月上旬1Gb DDR3晶片合約價也大跌10.66%，均價下探今年最低點1.09美元；累計今年跌幅高達51.55%，價格等於「腰斬」。受市場持續低迷影響，DRAM族群昨天普遍弱勢。

DDR3 1Gb報價 瀕1美元保衛戰 IEK預測，台DRAM廠明年進入負向循環

DRAM合約價持續走跌，根據集邦科技上周五開出的12月上旬合約價，DDR3 1Gb顆粒報價大跌10.66％，報價介於1.03美元∼1.16美元，均價僅1.09美元，1美元關卡可說是岌岌可危，雖然12月上旬跌幅小於11月下旬的13％，但由於累計跌幅驚人，本季合約廠商將持續繳出虧損財報。

然而DRAM類股似乎出現利空鈍化，顆粒廠華亞科上周五盤中亮燈漲停，力晶、華邦電終場上漲2.76％至3.96％，下游模組廠更因為全球第二大 NAND型快閃記憶體廠東芝(Toshiba)跳電，將影響約20％的產出，激勵NAND將進入供需平衡的聯想，多檔記憶體模組股亮燈漲停，類股表現更甚於上游顆粒廠。

然而DRAM價格重挫趨勢未變，根據集邦科技最新開出的12月上旬合約價，DDR3 1Gb顆粒合約價持續下跌10.66％，均價僅1.09美元，續創波段新低紀錄，而模組方面，DDR3 2GB模組也重挫9.09％，均價僅 20美元，低標報價已經跌破20美元。

根據工研院IEK的預測，在價格持續下跌之下，明年台灣的DRAM廠將進入另一波負向循環，龍頭大廠三星經過兩個季度的調整，市占率已經從31.3％向上突破達到40％，獲得壓倒性的勝利，反觀台灣廠商因裝機速度不如預期，製程轉進速度不如南韓大廠，明年將面臨嚴苛挑戰，恐怕又會進入虧損、減產、財務惡化的負向循環。

此外，IEK也統計，設備大廠ASML生產的1950G/Hi機台是跨入50奈米以下的必備機台，根據IEK的計算，三星擁有的機台數最為龐大，達30台，海力士居次為21台，美光陣營、爾必達陣營分別為15台、1 3台。

受到各品牌大廠陸續推出智慧型手機、平板電腦激勵，高密度連接板(HDI)提前2季就出現下游廠商搶訂產能盛況，業界更預估到明年首季之前，供不應求狀況紓緩不了多少，昨日激勵燿華(2367)、華通(2313)、金像電(2368)等股亮燈漲停。

雖然各家廠商積極擴產，但是業者指出，由於高階HDI板在3階以上就有相當大難度，除了對位的製程相當難之下，因多次電鍍、多次鑽孔吃掉不少產能，因此不僅產能不易開出，良率提升也相當不容易，一季提升2個至3個百分點的良率，就已經相當出色。

HDI大廠加碼積極擴產，由於電子產品更要求輕薄短小，帶動高階 HDI板需求，然因可以大量供應的廠家不多，HDI板不僅交期拉長，下游廠商在2季之前將相繼Book產能。健鼎表示，高階HDI板的交期從過去的2周延長至3周到1個月，在往年淡季時段，很少出現這種狀況，客戶也在2季之前就開始洽談這一季所需要的產能，供應的狀況相當緊繃，預估在明年第1季之前，緊繃的狀況紓緩不了多少。

健鼎分析，這一波產能吃緊主要是因為，智慧型手機、平板電腦大量新產品在此時推出，今年主要推動的廠商是蘋果電腦，到第4季則是擴散到多家廠商，成為高階HDI板產能不足的主要原因，而以現階段來看，智慧型手機的需求還是最為突出強勁。

華通則表示，Any-Layer的景氣還是相當暢旺，到明年第1季狀況看起來仍相當不錯，不過因為傳統板仍有淡季效應，一來一往之下，明年首季還是有機會優於往年。

根據集邦科技統計，明年平板電腦的市場規模將上看5,000萬台水準，而智慧型手機市場明年則上看4億支以上，是明年最火紅的兩項新產品。

DDR3 1Gb現貨價昨日又呈現重挫走勢，集邦科技旗下研究部門DRA MeXchange預估，由於產出增加，需求卻疲弱，導致DRAM廠不斷降價求售，本季DRAM合約價將重挫40％，以本季累計跌幅已達30％計算，集邦暗示12月將再下跌約10％。

由於台系廠商因成本結構無法快速下降，2011年將面臨寒冬。而三星因進入35奈米製程，明年即使價格持續破底，也不會繳出赤字財報。

DRAM價格因不斷挫低，買方採購縮手，導致跌勢有加速趕底味道。 DRAMeXchange表示，第4季以來，由於DRAM廠產出持續增加，電腦系統廠需求卻逐月減弱，市場超額供給持續擴大，以致DRAM廠不斷以降價策略，銷售出超額供給的顆粒，今年第4季至今，合約價跌幅已超過30％，預計DDR3 1Gb合約價第4季跌幅將上看40％，以11月下旬合約價約1.22美元計算，倘若12月再挫10％，則DDR3 1Gb顆粒報價將面臨1美元保衛戰。

至於現貨市場也呈現價跌量縮走勢，DDR3 1Gb有效測試顆粒均價本月中至今下跌約5％至1.32美元，DDR2 1Gb顆粒均價在供給有限下，走勢相對平穩，但仍小幅下滑至1.44美元。近期由於部份台系廠良率不佳，現貨市場出現不少良率低或是時脈不到 1333Mhz的DDR3顆粒，使低良率1Gb ett顆粒單價已接近1美元價位。

朝鮮半島緊張情勢升溫，市場對DRAM報價止穩有所預期，然而DRA M現貨價卻相當不賞臉，僅止穩半個交易日，昨日晚間6點最後一盤現貨報價開出，仍舊呈現下跌走勢。

根據集邦科技報價顯示，除DDR2 1Gb有效測試顆粒報價小漲0.4％之外，其餘全數下跌開出，DDR3 1Gb品牌顆粒下挫0.6％，均價為1. 32美元。

不過集中市場上個股的股價反應，較DRAM現貨價熱烈，尤其以DRA M模組類股表現最為強勢，低價股更是活蹦亂跳，包括勁永、承啟、品安、商丞股價以漲停收市，DRAM顆粒廠開高走低，僅維持紅盤收市，表現相對遜於模組類股。

至於價格方面，昨日上午DRAM現貨價的確受到消息面激勵，一度呈現止穩走勢，但是價格止穩僅曇花一現，昨日下午2點以及6點開出的現貨報價，相繼走跌，特別是6點之後的現貨報價中，DDR3 1Gb品牌顆粒價格介於1.27美元至1.45美元，均價雖為1.32美元，低價的部分卻續創新低，僅1.27美元，直逼國際一線大廠的成本價位。

業界也坦言，除非南北韓戰線延長，或是真的直接攻擊三星，否則以目前的供需狀況來看，還是呈現產能大於需求的狀態，股價激情很快會恢復平靜。

外資法人則是趁著DRAM族群幾乎已經跌無可跌之際，著手回補持股，昨日外資法人同步買超南科、華亞科、茂德，張數分別為7,586張、3,416張、133張，反向調節力晶、華邦電持股。

另外，主管機關也同意力晶撤銷6.5億股至8億股現金增資參與發行海外存託憑證(GDR)計畫，市場臆測主要還是因為產業氣氛不佳， DRAM現貨價屢創今年新低，增加募資難度，衝擊力晶的籌資規劃。

集邦科技旗下DRAMeXchange昨(17)日發佈最新調查報告指出，明年第1季筆電市場，受惠英特爾發表Huron River新作業平台，除將刺激新機買氣外，也可能推動舊平台降價促銷，加上中國農曆年需求，預期今年第4季部分買氣將遞延至明年第1季，帶動明年首季 NB市場淡季不淡，出貨季減幅度約1.4％。

DRAMeXchange表示，NB產業10月出貨月減5.7％，出貨量約1,730萬台，展望第4季，在庫存水位轉趨健康，歐洲市場逐漸回溫情況下， NB成長動能將可維持微幅成長態勢。預估NB產業第4季季增率約2.1％，年減0.4％，出貨量約5,030萬台。DRAMeXchange並維持今年全年出貨約1.93億台預估值，年增率20.8％。

DRAMeXchange進一步認為，明年第1季Intel將發表新作業平台Hur on River，效能提升至四核心Sandy Bridge CPU，新平台推出將帶動一波購機潮，加上今年中國市場在全球PC市場占比可達近2成市佔，中國農曆年效應將更強勁影響，帶動明年第1季NB出貨優以往的季減 5-10％，僅下滑約1.4％。

此外，針對平板電腦影響上，DRAMeXchange分析，iPad截至第3季銷售已達約750萬台，各家大廠皆有意願切入此一電腦大戰，但是否與iPad挾著軟體優勢相互匹敵，將是未來觀察重點。

DRAMeXchange指出，今年iPad將有95％以上市占，整體平板電腦出貨規模約1,520萬台，2011年整體平板電腦百家爭鳴態勢下，預期約有5,130萬台市場規模。由於蘋果iOS平台仍具有優勢，加上非iPad族群明年下半年才會大量出貨，iPad將仍有近80％市占率。

根據集邦科技旗下研究機構DRAMeXchange調查，隨著智慧型手機的熱賣，與iPad所帶動平板電腦蓬勃發展，智慧型手機與平板電腦銷售金額、整體出貨量，在2011年可望有倍數以上成長。

新興的手持式行動裝置對於輕薄設計、電池續航力、系統效能與內存的需求日益提高，集邦科技認為新興的手持式裝置，將帶動帶動內建式NAND Flash產品例如MCP、eMMC、e-SSD等的需求量，成為2011年 NAND Flash需求的重要支撐，內建式NAND Flash比重將首次超過記憶卡、隨身碟。

集邦科技統計，內建式NAND Flash的比重將在今年達到40％，預估 2011年將大幅提升至63％水準，首次超越記憶卡與隨身碟的比重，並且一舉突破至6成以上，同時此一趨勢確立後，系統產品重要性將持續增加。系統產品的比重提升與多元化發展，將能夠有效地降低波動劇烈的記憶卡與隨身碟市場所帶來的衝擊，並且能夠分散系統風險與提升庫存去化能力。

11月上旬DRAM合約價，比10月下旬再下跌近8%，延續破底走勢。集邦科技預估，本季DRAM價格跌幅恐逾三成，力晶（5346）、南科等DRAM廠本季營運不樂觀。

受價格持續破底衝擊，DRAM族群昨天股價普遍不振。力晶、南科、華亞科等都收黑；僅茂德力守平盤之上收市。

根據集邦科技調查，11月上旬1Gb DDR2及DDR3顆粒合約均價同步滑落至1.41美元，較10月下旬下跌7.97%；2GB DDR3模組合約均價滑落至25美元，也較10月下旬下跌7.41%。

集邦科技預期，第四季DRAM廠因產出持續增加，價格恐將進一步走跌，今年底前2GB DDR3模組合約價格恐將滑落至20美元，比第三季下跌逾三成，各DRAM廠本季營運恐怕又都陷入虧損局面。

國內DRAM大廠南科則強調，DRAM價格經9、10兩個月大跌後，11、12月跌勢將趨緩，預估本季跌幅約二成。

力晶則認為，目前市場最大問題是「需求沒出來」。考量同業陸續開始轉移產能生產非標準型記憶體產品，年底前通路庫存消化完畢後，加上各廠減產效益浮現，明年第一季價格可望開始回穩。

DRAM價格持續破底，已衝擊到南科正在辦理6億股現增案，南科現增價16.5元，但繼前日跌破現價後，南科昨天股價持續下跌以16.3元收盤，下跌0.15元。

南科則強調台塑集團決定力挺現增案，原股東未認部分，將由台塑集團全數吃下，籌資無虞。

除南科外，日商爾必達（Elpida）也計劃來台發行台灣存託憑證（TDR），爾必達的代工、技術合作夥伴茂德（5387 ）、力晶（5346）均有籌資計畫，其中，力晶決議將重新申請發行上限8億股的海外存託憑證（GDR）；茂德的募資計畫則尚未公布。

分析師表示，本季DRAM價格重挫，又加上爾必達將來台募資，是否牽動台系DRAM廠的增資計畫，仍有待觀察。

固態硬碟(SSD)市場是NAND型快閃記憶體高度關注的新產品，雖然市場規模遲遲沒有起飛，然集邦科技預估，在大容量檔案傳輸需求提升之下，若價格壓低至可接受的範圍之內，明(2011)年出貨量將可大增150％，上看1,500萬台，對今年異常冷淡的NAND Flash市場，可望產生推波助瀾效果。

集邦科技表示，固態硬碟一直以來為各家NAND Flash廠商所寄予厚望的產品，主要是固態硬碟對於NAND Flash的使用量來說，是一般內建式應用產品、隨身碟與記憶卡的數倍之多，固態硬碟將可大量消化 NAND Flash產能。此外，固態硬碟的傳輸速度為傳統硬碟的2倍以上，也兼具省電、抗震動的特點，未來在高畫質影音，與大容量檔案傳輸的需求將大幅提升之下，固態硬碟的需求將會因價格的下滑而攀升。

不過集邦科技也分析，2009年與2010年NAND Flash價格維持高檔的情況下，固態硬碟的價格下降空間有限，因此過去一、二年，除了高階伺服器市場、工業及軍用市場，與高階的商用筆電市場外，一般消費型固態硬碟仍然停留在零售的桌機組裝市場，容量以32GB、40GB的低容量為主，主力推廣的廠商將宣傳重點放在，低容量固態硬碟當作系統程式執行的區塊，而大容量的檔案儲存在傳統硬碟，以推廣產品。

隨著NAND Flash廠商在今年第4季將陸續轉進2x奈米製程，預估明年在2xnm產品在良率與比重將持續提升下，NAND Flash的成本下降優勢，將可望反映在固態硬碟產品的售價上，價格下降將有效提升消費者購買的意願。

集邦科技表示，固態硬碟在系統產品的滲透率也有機會攀升，同時配合零售市場潛在的購買力，集邦科技預估2011年固態硬碟的出貨量將可望較今年成長150％以上，達到將近1,500萬台的規模。

台灣國際太陽能光電展（PV Taiwan）登場前夕，科技市調機構集邦科技昨（19）日再澆冷水，認為在德國持續削減補貼下，明年太陽能市場將供過於求，過剩產能可達兩成。

近期太陽能市場保守氣氛瀰漫，但昱晶（3514）、新日光（3576）、綠能（3519）等業者仍強調，年底前狀況無虞，明年第一季狀況雖不明朗，但也沒必要太悲觀。

PV Taiwan明天將舉行展前記者會，SEMI台灣太陽光電委員會主席、宇通董事長蔡進耀及新日光董事長林坤禧等業者將出席，並發表景氣看法，是解讀後市重要方向球。

集邦科技昨天發出市況預警報告，明年德國削減補貼，是讓市場供過於求疑慮加深。

DRAM現貨價格昨（12）日跌幅收斂，DDR31Gb有效測試顆 粒價格甚至出現暫時止穩的情況，然無論是DDR31Gb或是 DDR21Gb現貨價均已經失守2美元大關。DDR31Gb價格隨著新 產能加入，報價僅1.74美元，雖然尚無跌破成本之虞，不過因為集邦科技預估季底將下探1.5美元，台系廠商恐怕即將面臨成本保 衛戰。業者分析，雖然各家大廠加速製程轉進，但是，終端需求卻未如預期，導致DRAM的現貨價、合約價出現齊跌走勢，整個第3 季的合約價格大跌23％，光是9月就跌掉15％，第4季反彈無望的跡象愈來愈明顯。集邦科技預估，本季底DDR31Gb報價恐將下探每顆1.5美元價位，DRAM大廠也將面臨來勢洶洶的成本保衛戰。一般猜測，國內廠商的成本價約在1.5-1.7美元的範圍，等於第4季就跌到成本價附近，且以ASP來看，第4季的價格又會低於 第3季，如果第3季台系廠商都不易獲利，第4季續虧的機率將升 高。

隨著USB 3.0的應用將在主控端（Host）與裝置端（Device）技術逐漸成熟、晶片與連接器等配套零件價格因競爭激烈而有效下降、處理器廠商英特爾與超微（AMD）大力支援的情況下，集邦科技預估，USB 3.0將在2011年成為新一代主流的傳輸介面，取代USB 2.0效應將逐漸發酵。

以技術面分析，USB 3.0介面能夠透過2對SDP線達到訊號雙向傳輸，最大也能夠提供約900毫安培的電力，同時在電源管理上採取智慧型設定，能夠在待機時間切斷電力。而 USB 3.0的頻寬理論值較USB2.0的頻寬高出約10倍，傳輸速率也較USB 2.0快上約5倍以上，因此對於未來高畫質影音需求以及大容量檔案傳輸均能夠大幅降低傳輸時間。

根據調查，隨著台系主控端晶片組廠商積極以價格戰切入市場，與Renesas降價的情況看來，明年的新機種將多半搭載USB 3.0的介面。同時間英特爾也在今年宣布將USB 3.0納入主機板的參考設計（Reference Design），在處理器廠商大力推廣的情況之下，明年在Host端的成熟與滲透率可望大幅提升。

研調機構集邦科技指出，今年第4季市場銷售回溫，預估筆記 型電腦代工廠出貨量將比前季小幅成長2％至3％，單季突破5,000 萬台，全年筆電出貨上看1.9億台。此外，集邦也預期，受惠英特 爾推出新處理器，及大陸農曆年買氣拉升，看好明年第1季筆電需求將淡季不淡。筆電廠商上周公布9月營收以及當月出貨，根據集邦科技統 計，9月筆電代工廠出貨量優於預期，帶動第3季筆電出貨比前季成長3％，整體出貨量達4,930萬台。今年第3季筆電廠商出貨開低走高，7月份受6月提前拉貨影響，出貨量大幅下滑，不過，隨之而來的8、9月出貨則逐月走高 。筆電代工業者指出，由於海運比重提高，通路提前為第4季旺季備貨，導致9月出貨表現優於市場預期。集邦進一步指出，第3季庫存已明顯去化，再加上區域銷售逐漸回穩，包括歐洲市場逐步走出債信危機，出貨動能回升，而 大陸則有十一長假帶動的買氣，第4季旺季需求仍有一定的水準。集邦預估，第4季筆電代工廠出貨仍可望比第3季小幅成長2％ 至3％，上看5,000萬台，推估全年筆電出貨約1.9億台。

集邦科技（TrendForce）昨（11）日最新研究報告指出，太陽能 廠第三季營運可望維持高檔，但本季受傳統淡季等因素影響，太 陽能電池報價看跌，跌幅約8%至12%，恐拖累上游矽晶圓價格同 步向下修正。

集邦表示，第三季太陽能電池均價維持在每瓦約1.43美元，各廠 產能利用率維持高檔，使第三季財報維持在相同的高檔。

由於2011上半年的市場需求力道衰退，以及目前歐洲地區氣候正 面臨嚴寒的雙重影響下，本季太陽能電池報價將回檔修正，估計 每瓦均價約在1.21至1.26美元，比第三季下滑8%至12%。

集邦認為，目前太陽能電池價格變動，僅限於太陽能電池廠與模 組廠間的交易，上游矽晶圓報價仍然持平，並未因下游客戶交易 價格下滑而鬆動。不過，一旦太陽能電池交易價格下滑的壓力增 加，太陽能電池廠將會反映成本，迫使晶圓和多晶矽價格向下修 正。

儘管市場預期第4季DRAM價格將呈現緩跌姿態，但是集邦科技昨日開出的9月下旬合約價持續走跌，DDR3 1Gb顆粒合約價大跌5.83％，均價一舉跌破2美元到1.97美元，引發業者震撼。

法人認為，隨著新產能開出，DDR3 1Gb報價1個月內大跌15％，第3季獲利的DRAM廠恐將寥寥可數。在合約價持續走跌之下，除了力晶自信表示第3季持續獲利之外，南科、華亞科由虧轉盈的預期恐將落空。

集邦科技昨日開出9月下旬合約價，除主流的DDR3 1Gb價格持續走跌以外，DDR2 1Gb顆粒價格也大跌6.01％，加上9月上半旬跌幅2.87％，即將退出主流的DDR2 1Gb價格也跌掉8.88％，均價為每顆1.91美元。至於在模組價格方面，DDR2 2GB、DDR3 2GB報價分別為33美元、34美元，跌幅介於5.71％至5.56％。

目前國內各家大廠均處於製程轉換階段，南科、華亞科轉進50奈米，力晶則轉進63奈米製程，然因各家廠商製程轉換速度與良率不同，因此業界認為目前 DRAM產業並沒有供給過剩的問題，產能的開出仍受到拖延，力晶董事長黃崇仁就認為，第4季價格最多再跌15％至18％，這一波跌幅合計約3 成，價格跌得已經夠了，加上目前庫存並不高，應該會刺激系統廠商搭載更高容量DRAM。

黃崇仁認為，第4季位元出貨量成長仍有各位數百分比的成長，下半年PC與NB出貨量低於預期，但是最近各家PC與NB製造商出貨已經在逐漸提升中，DRAM目前的狀況應該是需求不振的問題，而不是供給量的問題。

集邦科技（Trendforce）旗下研究部門DRAMeXchange調查，9月上旬主流NAND Flash合約均價受到季底效應影響，下跌約5％至10％；而DRAM合約價9月上旬也呈現下挫走勢，受到終端需求不佳衝擊，DRAM、NAND型快閃記憶體價格齊跌。DRAMeXchange預估，第4季NAND價格仍持續看跌。

DRAMeXchange表示，目前記憶卡及UFD客戶在零售市場的需求，依然平淡且加上季底結帳將近，在庫存水位偏高下，一些客戶對中國市場由中秋節到10月黃金週的長假庫存回補意願並不高，部份供應商因其記憶卡及UFD的客戶比率較高，在季底效應影響，便以較大幅度的降價手段，希望能提振記憶卡客戶的採購需求。

然而，部分供應商因其系統產品客戶比率較高，在旺季備貨訂單的穩定挹注，定價策略則得以採取持穩或小跌的方式，來因應季底效應的影響，目前各家NAND Flash供應商因其客戶結構及掌握長單狀況的不同，在定價策略上也有所差異。

DRAMeXchange也分析，第4季影響NAND價格的多空因素，部份供應商接獲的系統產品訂單仍可持續到11月初，供應商期望10 月中下旬中國長假結束，及下游客戶的庫存水位下降後，年終銷售旺季的備貨需求可望回溫。第4季 NAND Flash位元產出量，將供應商的新2x奈米製程技術，及TLC產品的比重提高並持續增加，搭配高NAND Flash容量的智慧型手機及平板電腦上市效應，可望提高第4季市場需求量，

不過，全球個別市場復甦步調不一，可能削弱傳統第4季旺季買氣，年終及季底結帳降庫存效應等等，預期第4季旺季效應將在10月備貨高峰期過後開始回軟，使第4季NAND價格呈現緩跌趨勢。

終端市場需求疲弱，PC暨NB大廠公佈的7月營收普遍都低於市場預期

，產業景氣是否落底？成為市場最關注的事情，不過，PC、NB景氣落

底似乎還有一段路要走，集邦科技（TRENDFORCE）旗下研究部門DRAMeXchange表示，歐美市場仍不見復甦跡象，各大品牌廠的砍單

效應仍在持續發酵，因此將第3季NB出貨量，由季增率12.8％下調降

至低於5％。

集邦科技表示，PC整體產業情況尚未明朗，以全球主要消費地區

來看，美國經濟仍然疲軟不振，歐洲則未見復甦跡象，中國市場方面

，儘管比歐美市場表現相對強勁，但與市場預期的表現僅持平，在全

球終端消費不如年前預估的情況下，各大廠未維持正常庫存水準，紛

紛進行砍單，集邦科技也調降第3季全球NB（包含Netbook）出貨量，

初估約少於1.95億台，若以較悲觀的營況來看，估計整體PC市場上下

半年的出貨比重可能下探至5:5。

目前多數品牌及代工廠仍持保守態度，靜待8月底需求浮現，儘管

法人預期宏碁8月出貨量月增率可望達到70％，但集邦科技認為，這僅

是因個別廠家的拉貨策略不同，宏碁選擇先鋪貨到通路上架，但實際情

況還需視通路商的終端銷售表現而定。

從零組件來看，集邦科技旗下研究部門EnergyTrend表示，由於電池

與筆電出貨連動深，不排除也會因而大受影響，以一台筆電平均需要7

顆到8顆的電池言之，加上台灣電池廠多以生產筆電電池為主，若今年

台灣筆電電池廠表現不若去年亮眼，估計，今年第3季電池廠營運表現

與第2季持平或微幅上揚，第4季能見度則較不明確，除非第4季出現關

鍵零組件缺貨的訊息，否則很難改變產業的情景。

展望明年，EMS廠加入NB市場，使價格競爭加劇，集邦科技表示

，目前已見國際品牌大廠釋單給EMS廠，儘管單量不大，但估計明年

會加速釋單，國內NB ODM大廠及EMS角力的結果，恐使整體NB產業

毛利率下滑，同時EMS大廠憑藉優異的垂直整合能力，也將迅速擴大

市場占有率。

英特爾（Intel）攜手台灣ODM筆電廠，明年全力投入發展平

板電腦！英特爾台灣分公司總經理陳立生昨（4）日表示，小筆電

的全球銷量並未趨緩，2年來，累計出貨總量已經超過 5,000萬台

，目前市售平板電腦只有蘋果iPad一款，平板電腦的出貨動能還

有待觀察，不過，眼見競爭對手力拱平板電腦，英特爾也絕對不

會錯失這個機會，預定明年推出適用於平板電腦的低耗電CPU，

並將與台灣所有ODM大廠合作。

陳立生昨日出席威邁思電信與華碩聯合舉辦的EeePC 1001PG

小筆電發表會，對於整體筆電市場的發展現況及趨勢，提出英特

爾最新看法，市場人士分析表示，由於目前市售小筆電大多採用

Intel的Atom 處理器，而平板電腦首發機種－蘋果iPad則使用自家

設計安謀（ARM）架構A4處理器，這場小筆電與平板電腦的市場

卡位戰，也從小筆電、平板電腦的終端出貨消長，延燒至上游處

理器的角力賽。

儘管集邦最新趨勢報告顯示，第3季時、全球消費者有轉回購

買常規筆電現象，加上平板電腦搶攻部分小筆電市占，預估小筆

電的成長動能將更加趨緩，但陳立生觀察認為，並不覺得小筆電

成長有趨緩現象，且全球累計出貨已超過5,000萬台。不過，陳立

生強調，英特爾也會全力發展平板電腦，並且會與台灣所有ODM

大廠合作，目前與英特爾合作的ODM大廠包括廣達、仁寶、緯創

等，明年就會有搭載英特爾低耗電CPU的平板電腦上市。