集邦科技公司新聞| IPO贏家未上市股票交流網

集邦科技昨（2）日根據旗下研究機構DRAMeXchange觀察發布最新報告指出，英特爾（Intel）在元月底已迅速解決晶片瑕疵問題，並隨之推出全新的B3版本，預估晶片瑕疵問題對NB產業的影響期將縮小到只剩2-3周。

在NB代工廠迅速恢復產品供貨下，第2季可望浮現出貨遞延商機，全球NB出貨台數可望出現13.6％的季成長率，優於歷年同期水準。

而蘋果即將在舊金山舉行的記者會上正式發表iPad2，帶動平板電腦市場話題。國際研調機構顧能(Gartner)預估，今年全球平板電腦銷量上看6,478萬台。

集邦表示，雖然NB出貨受英特爾晶片瑕疵問題導致出貨遞延，不過2月NB代工廠本身就有工作天數不足因素影響，因此英特爾晶片瑕疵造成的衝擊，不如原來預期的大，預估全球NB（含小筆電）2月出貨可達1320萬台，月衰退12％。

集邦指出，在元月份NB出貨不如預期及2月英特爾晶片瑕疵影響下，部分NB出貨恐遞延至3、4月，預估3月NB出貨月增率將達到近30％，順利揮別首季出貨量季衰退11％的窘境。

不過，集邦指出，第2季在第1季訂單遞延帶動下，加上品牌廠海運比重提升，返校需求的產品須提早在第2季進行拉貨，因此預估第2季NB出貨（含小筆電）將有13.6％的季增率，優於2006-2010年平均季增率8％的水位，且增幅逾5個百分點。

研調機構認為，平板電腦雖不會取代筆記型電腦，但是的確對成熟市場的NB需求造成侵蝕作用，不過，新興市場仍會以筆電或小筆電做為第一台NB的選擇，平板電腦的侵蝕程度不高。

集邦指出，今年NB的成長動能主要來自於新興市場與商用市場的需求，近期公佈的財報中，惠普與戴爾皆在商用市場上有所斬獲，預期今年商用市場將可維持成長動能，而新興市場由於經濟成長帶動，第一台電腦的原生需求持續走揚，可望成減緩平板電腦對NB產業的衝擊力道。

不過，集邦看淡小筆電的前景，並在報告中釋出悲觀預期，預估今年小筆電全年出貨僅2680萬台，年衰退19.5％，而常規NB出貨則達1.92億台，年增率19.6％，全年含小筆電出貨達2.19億台，年增率下修至12.9％。

蘋果引爆平板電腦需求，各大PC品牌廠，以及手機廠商紛紛切入平板市場，顧能指出，平板需求將帶動國內零組件供應廠的出貨。顧能並預估，今年平板媒體的終端銷售量可達 6,478萬台，預估明年突破1億台，2013年上看1.5億台。

2月下旬DRAM合約價全面止穩，集邦科技上周公布的DRAM下旬合約價呈現止穩態勢，顆粒報價、模組報價已不再下跌，合約廠商的跌價風暴暫歇。

爾必達社長?本幸雄仍維持3月調漲合約價的預測，預估價格可望從2.1美元調高至2.3美元至2.5美元，4月至5月供需短缺的看法也沒有改變。

不過這次市場對DRAM漲價的反應冷淡，以往一旦DRAM廠商價格喊漲，即使財報處於赤字階段，DRAM類股多半有相當程度反映。

然這一波爾必達喊漲以來，DRAM顆粒廠股價不漲反跌，反映價格上漲的行情不再。

最近一周以來，合約大廠南科的股價已經大跌10.2％，華亞科股價也跌掉11.86％，力晶股價則下跌4.67％，華邦電股價也跌掉5.12％。

全球動態隨機存取記憶體（DRAM）大廠三星及爾必達自本月起將調漲DRAM價格，漲幅在9%到19%不等，業者強調，全球最大記憶體廠商三星加入漲價行列後，第二季DRAM漲幅將更明確。

爾必達是率先宣布3月調漲DRAM價格廠商，社長土反本幸雄日前表示，雖然今年標準型記憶體成長僅三成，但由於全球無新增產能，加上下游陸續回補庫存，爾必達決定3月起調漲價格，漲幅9.5%到19%。

全球最大記憶體廠三星也自本月起，針對二線個人電腦委託代工廠（OEM）調漲DRAM報價，DDR3 2GB模組從16.5美元漲到18美元，換算為DRAM顆粒，每顆報價漲幅近一成，至於一線PC廠，三星雖還未漲價，卻明白告知只能限量供應，預料很快漲價。

國內DRAM大廠目前還未表態跟進，不過業者透露，隨英特爾新晶片組重新調整出貨，加上個人電腦廠提升DRAM搭載率，DRAM價格確實應回到較合理價格，樂見三星和爾必達調漲DRAM售價。

國內知名DRAM市調機構集邦科技預測，隨著英特爾新平台Sandy Bridge本月正式出貨，加上64位元作業系統普及與記憶體較去年便宜甚多，預期個人電腦新主流規格單機將搭載4GB以上的DDR3 DRAM。

集邦科技預期，電腦系統廠在本季底和下季初將開始拉貨，提高庫存準備，到3月底以前DRAM價格有機會反彈20%至25%。

土反本幸雄也呼應集邦的調查，強調DRAM供需在3月將趨平衡，5月將缺貨。主要是下游庫存水位低，各DRAM今年資本支出保守，且轉移很多的產能生產快閃記憶體、行動用記憶體（Mobile DRAM）或高階伺服器用記憶體，不過，從市場應用端來看，今年行動用記憶體需求強勁，價格相對看俏。

全球第三大DRAM廠爾必達（916665）台灣存託憑證（TDR）昨（17）日公開申購截止，預計今天公布訂價；市場推估，總申購量可能達到9至10 萬張，超額認購約四倍，承銷價約在21元以內。

以此來看，爾必達上市價格將比台股DRAM族群股價高，預期在市場復甦帶動下，實際掛牌價格可望趨於預估值上緣，帶動族群比價效應。

爾必達TDR公開申購及詢價圈購已於昨天截止，到16日為止，公開申購為5.18萬張，超額申購1.73倍，據估計加計最後一天，可能達到9到10萬張以上，超額申購將達到四倍以上。

至於承銷價格，以爾必達原股昨天在日本收盤價日幣1,254元，以1股TDR表彰0.05股原股來推估計算，約折合新台幣22.07元，每股價格約落在21元以內，惟實際價格將於今天定價。

凱基證表示，爾必達TDR每單位發行價格將暫定在19.5至26元，惟實際發行價格將以訂價日前一、三、五個營業日的爾必達日本原股之平均股價擇一作為基準，折價幅度不超過5%。

以爾必達近五日收盤價來看，前一日均價計算後約新台幣22.07元、前三日均價約22.62元、前五日均價約22.387元。

法人認為，隨DRAM市況正谷底翻揚，爾必達TDR訂價應可達預期上緣，不僅將掀起台股DRAM族群比價效應，爾必達將以相關資金協助轉投資瑞晶研發中心，更攸關台灣新世代DRAM 技術發展。

DRAM族群昨天在台股震盪翻黑下，普遍走跌。南科收當日最低價17.6元、下跌0.75元；華亞科跌0.45元、收17.6元；力晶收6.62元、下跌0.1元。

近期DRAM業已普遍有「市場將落底反彈」的共識，爾必達預期，市場供需3月轉趨平衡，5月恐出現缺貨；南科也認為，目前看來價格「很明顯跌不下去了」，下游端也開始拉貨回補庫存，透露市場狀況已「否極泰來」，撥雲見日的時候到了。

據集邦報價，2月上旬標準型記憶體合約價持平開出，Gb與2Gb DDR3晶片均價各為0.88 、1.84美元終止去年第三季末以來「只跌不漲」的窘境，預期英特爾修正過的晶片組出貨後，有助帶動需求，刺激價格反彈。此外，爾必達位於日本廣島的12 吋廠，近九成都轉生產行動記憶體，未來對台灣標準型記憶體仰賴度大增。

相較2月上旬利基型記憶體合約價大漲，標準型記憶體走勢持平。集邦科技認為，2月上旬報價雖然持平，但已終止去年第三季末以來「只跌不漲」的窘境，預期英特爾修正過的晶片組出貨後，有助帶動需求，刺激價格反彈。

不僅合約價持平開出，現貨價在農曆年前後大漲的走勢也暫時告歇，2Gb DDR3有效測試顆粒（eTT）現貨價以小跌1%內，再度面臨2美元整數關卡保衛戰。

根據集邦科技報價，2月上旬標準型記憶體合約價持平開出，1Gb與2Gb DDR3晶片均價各為0.88、1.84美元。模組方面，2GB與4GB DDR3也都開平盤價，均價各為0.88、1.84美元。

集邦認為，前波DDR3晶片現貨價大漲逾20%，拉大與合約市場價差，是讓合約價終止連跌數月的最大支撐。預期在英特爾2月中開始供應修正過後的晶片組，帶動需求回籠下，有助後續合約價反彈。

現貨市場方面，農曆前後大漲的走勢雖然告一段落，但未見大幅下跌，預期小幅下跌的步調，可舒緩前波價格大漲後的觀望氣氛並刺激買氣，隨著2月上旬合約價格開出，落底訊號確定，有助現貨顆粒價格同步持穩。

DRAM族群昨天普遍收紅，台灣為大合約市場供應商南科（2408）上漲0.4元、收18.1元；華亞科、力晶漲幅都約3%，僅茂德（5387）收黑。

DRAM經過去年第4季的殺戮戰場，廝殺結果出爐，昨（8）日集邦科技公布去年第4季各大廠市佔率調查，三星半導體單季市佔率持續拉升至40.7％，穩居全球龍頭；前五大廠僅三星、海力士市佔率提升，營收、市佔率衰退幅度以爾必達居冠。

DRAM價格暴跌引導台、韓DRAM廠走向不同方向，台系廠商加快轉出標準型DRAM腳步，而韓系兩大廠三星、海力士市佔率則持續走升，獨霸DRAM市場的地位更加鞏固。根據集邦科技昨日公布的第4季全球市佔率調查，前三大廠分別為三星、海力士、爾必達，三星持續以超過40％市佔穩居全球第一。

集邦科技表示，由於DRAM價格第4季跌幅劇烈，除了美系及韓系DRAM廠商仍繳出獲利的財報外，其餘DRAM廠皆處於虧損狀態，DRAM廠亦紛紛對未來資本支出轉趨保守，2011年DRAM廠於DRAM資本支出大降43％，由去年的120億美元降至68億美元。

全球排名前五大廠，僅三星、海力士單季市佔率呈現上升趨勢。集邦分析，三星由於製程轉進速度優於其他同業，更率先導入35nm（奈米）) 製程，預計年底35nm製程的產出量可以超過50％，市占率有望進一步提升。海力士市佔率由上季之19.8％上升至21.9％，主因為海力士提升行動型 DRAM及伺服器應用 DRAM產品比重，降低標準型DRAM比重，即使第4季DRAM價格下滑幅度甚劇，海力士DRAM營收僅衰退11.5％，衰退幅度最輕。

日系廠商爾必達方面亦受到DRAM價格下滑影響，去年第4季營收與第3季相比下降約32.2％，衰退幅度居全球DRAM廠之冠，市佔率也由16.1％下降至13.6％，由於力晶已決定產出的標準型DRAM將全數交由爾必達銷售，第2季營收成長動能大增。在技術轉進上，目前45nm製程轉換順利，子公司瑞晶目前良率已達91％，38nm製程更預計於中國農曆年後投片，將提升成本競爭力。

在DRAM價格跌過頭，廠商陷入虧損之際，全球第三大DRAM廠爾必達率先釋出漲價風向球，雖然三星、海力士兩大一線廠尚未跟進，不過在英特爾正式推出新的平台Sandy Bridge，以及64位元作業系統普及、記憶體價格低廉等因素，新主流規格搭載的DRAM將從4GB起跳，不僅DRAM廠對價格上漲引頸企盼，市調機構也認為，DRAM合約價可望在第2季前上漲逾2成。

在爾必達率先喊漲之後，市調機構集邦科技對合約價走勢也有翻多看法。集邦科技表示，1月上旬合約價已接近底部價位，DDR3 2GB均價約17美元，而低價成交價約在16美元價位左右，跌幅從先前動輒10％的下跌幅度縮小至5％至6％，而1月下旬合約價，目前DRAM原廠與 OEM間正洽談中，價格將呈現持平或微幅下跌走勢。

現貨市場方面，今年1月以來DDR2與DDR3皆呈現持穩的價格走勢，DDR3 1Gb約在0.84美元，而DDR2則在1.35美元上下。由於先前市場價格持續下跌，模組廠及市場通路皆保守因應，維持低庫存水位，隨著中國新年將近，將會有機會帶動一波補貨潮，帶動價格上揚。

由於DRAM產業總是在景氣回升之際，帶動廠商大舉擴產，進入下一階段製程微縮，再引導下一次崩盤的循環，但經歷2007至2009年，長達3年的虧損，市場僅回?1年，DRAM廠又面臨虧損困境，集邦科技認為，在此次下跌趨勢中，無政府紓困力量介入，DRAM廠將節制資本支出，市場機制將使競爭力落後的廠商更快速調整的腳步，讓產業回歸正向的發展。

力晶（5346）昨（11）日宣布，正式量產40奈米DDR3 2Gb顆

粒，加上從瑞晶方面取得的產能，今年首季力晶DDR3 2Gb顆粒將

大量交貨，較原訂時程提前一季，在製程順利推進之下，力晶、

瑞晶（4932）成為台灣量產40奈米顆粒的第一領先群，下半年全

面轉進40奈米世代，並在第4季試投30奈米。

力晶董事長黃崇仁表示，雖在去年第4季才導入浸潤式曝光機

，但試產40奈米製程技術進展十分順利，由於良率爬升快速，公

司已決定大量投片生產40奈米2Gb DRAM，並繼續在本季引進浸潤

式曝光機，擴大40奈米產能，逐季增加2Gb DDR3 DRAM出貨，下

半年將全面轉進40奈米世代，並於第4季投入30奈米製程。

黃崇仁也表示，從1月起，力晶開始依協議向瑞晶採購2Gb

DDR3 DRAM，將可有效滿足主力客戶的2Gb產品需求，力晶的

DRAM業務在本季將可加速跨入2Gb主流市場，依供需狀況研判，

DRAM市場將在第1季落底，未來景氣可望隨下游需求回升而加

溫。

在力晶正式跨足40奈米世代之下，台系DRAM廠的製程加速

升級，南科、華亞科順利轉進50奈米製程，目前南科投片量每月

5萬片，華亞科每月13萬片，生產良率貼近美光的良率。

力晶雖然轉進速度較慢，但卻從63奈米跳攻45奈米，遽聞初

期良率約70％至80％，經過一段學習曲線之後，力晶才決定大量

投片量產，較原訂時間提前1季。

根據集邦科技報價，DDR3 1Gb有效測試顆粒價格不到1美元

，僅0.84美元，已經瀕臨材料成本，但是DDR3 2Gb顆粒還有1.62

美元，品牌顆粒則還有1.82美元，引導各家DRAM廠競相轉進2Gb

產品。

儘管各大廠樂觀看待DRAM產業第1季後走勢，但1月上旬

DRAM合約價仍呈現加速趕底，集邦科技昨（11）日開出的1月上

旬合約價持續重挫，DDR3 1Gb與DDR3 2Gb品牌顆粒分別大跌

6.19％、6.7％，報價為0.91美元、1.81美元，DDR3 2GB模組則跌

破20美元，報17美元。

DRAM現貨價昨日呈現持穩走勢，但是合約價卻持續走跌，

根據集邦科技昨日開出的1月上旬合約價顯示，DDR3 1Gb以及

DDR3 2Gb品牌顆粒分別大跌6.17％、6.7％，報價已經下挫至0.91

美元、1.81美元，雖然跌幅已略見縮小，但是跌勢還是相當驚人

，本月下旬DRAM 廠將陸續召開法說會，市場預期去年第4季將會

持續虧損，DRAM產業去年財報虧損百億元的窘境恐再現。

至於模組價格方面，DDR3 4GB與DDR3 2GB模組價格也同下

跌超過逾5％，分別報價34美元、17美元。

DRAM廠指出，目前新機種均搭載DDR3 2Gb產品，可確定是

目前的主流。

集邦科技（Trendforce）旗下DRAMeXchange昨（16）日表示，日商東芝日前廠區跳電，可望促成明年第一季儲存型快閃記憶體（NAND Flash）市場轉為短缺，配合中國農曆年補貨需求，有機會降低傳統淡季對業者的衝擊。

美光（Micron）NAND解決方案事業部亞洲區資深行銷經理葛玉中也認為，雖然三星、東芝、美光等一線大廠都有擴產計畫，但平板電腦需求開始起飛，預期明年市場供需穩定且健康。

看好市場發展，美光昨天宣布推出新型高容量快閃記憶體產品組合，解決過往NAND晶片面臨製程微縮的問題，延長NAND Flash產品壽命，可應用於企業伺服器、平板電腦、可攜式媒體播放器等多種電子消費品中。美光並規劃，新加坡新廠明年第二季投產。

集邦表示，雖然11月底下游客戶年終假期備貨高峰期已過，但一些記憶卡業者庫存水位明顯下降，本月初開始小量回補庫存，帶動NAND Flash合約價開始出現止跌回穩的跡象。

加上東芝本月初廠區跳電，讓市場產生短期供給減少的預期心理，開始進場回補庫存，都是帶動市場回春的助力。東芝內部預期，此次跳電影響該廠區明年1至2月產出量，減損幅度最多達20%。

集邦認為，隨著東芝跳電衝擊，加上其他供應商明年第一季沒有新增產出，屆時全球NAND晶片供給量減幅上看5%，帶動價格在明年元月中反彈。

集邦預期，後續價格續航力需視年終耶誕假期相關產品銷售、中國農曆年前客戶庫存回補需求，以及平板電腦與智慧型手機新機型上市狀況，若狀況佳，將能彌補記憶卡通路市場的淡季效應。NAND Flash族群昨天股價漲跌互見，群聯（8299）收平盤；勁永（6145）、威剛（3260）收黑；創見（2451）小漲0.3元。

集邦科技(Trendforce)旗下研究機構EnergyTrend表示，全球太陽能市場明(2011)年總產能預估在20-25GW(10億瓦)，需求約15 .5-20GW，供過於求陰影仍然存在。不過，美國持續推動貨幣寬鬆政策，將加深全球資金氾濫現象，為了替過多資金找出口，再生能源投資將是最佳選擇。

台股太陽能族群近期股價表現疲弱，主要在於明年度的展望偏空，已有多家外資和研究機構都陸續發佈偏空的報告。

此外，國內3大法人在五都選舉之後，儘管大幅買超台股，但是對於太陽能族群則是始終站在賣方，相關類股也成了法人的「提款機」。

就研究機構來說，昨日就有EnergyTrend和專業網站Solarbuzz同步發佈的報告，「供過於求」可說是兩者的「共識」。 EnergyTrend表示，以需求端來看，歐洲市場將呈現微幅下跌，至於中國、日本、美國等地則呈現上揚，因此明年的「總安裝量」將呈現溫和成長。

EnergyTrend評估，明年全球太陽能市場的成長幅度將低於20％，主要受到德國等主要市場下修補助額的影響，但未來的成長率將可維持在20-25％水準。

但其他研究機構看法不同的是，EnergyTrend針對美國的貨幣量化寬鬆政策，對於再生能源產業將有正面的幫助。EnergyTrend指出，全球金融風暴一度造成再生能源產業的停擺，但實際上的需求並未消失，因此隨著全球金融環境改善和貨幣寬鬆，2009年下半年到今年間，重新推動再生能源產業。

EnergyTrend表示，由於美國有意實施第3次的量化寬鬆政策，將加深全球資金泛濫的現象，為了替過多的資金部位尋求出口，再生能源產業的投資將是最佳的選擇。

科技市調機構顧能（Gartner）昨（13）日最新報告指出，今年全球半導體業營收可望創歷史新高，明年持續成長4.6%，但DRAM因價格持續探底，恐成為明年半導體業中，唯一衰退的領域。

顧能對DRAM業看法偏向保守，預期在晶片價格一路修正下，也將拖累第四季半導體營收成長率恐出現六季以來首度負成長。

顧能表示，今年記憶體是全球半導體市場成長最為強勁的部門，預估成長幅度可達49.8% ，但明年個人電腦（PC）市場需求可能比預期弱，加上DRAM價格持續疲走跌，估計明年全球DRAM廠營收將比今年衰退15.6%，是明年全球半導體業唯一衰退的領域。

根據集邦科技（Trendforce）旗下DRAMeXchange報價，繼現貨市場價格一路破底後，12月上旬1Gb DDR3晶片合約價也大跌10.66%，均價下探今年最低點1.09美元；累計今年跌幅高達51.55%，價格等於「腰斬」。受市場持續低迷影響，DRAM族群昨天普遍弱勢。

DDR3 1Gb報價 瀕1美元保衛戰 IEK預測，台DRAM廠明年進入負向循環

DRAM合約價持續走跌，根據集邦科技上周五開出的12月上旬合約價，DDR3 1Gb顆粒報價大跌10.66％，報價介於1.03美元∼1.16美元，均價僅1.09美元，1美元關卡可說是岌岌可危，雖然12月上旬跌幅小於11月下旬的13％，但由於累計跌幅驚人，本季合約廠商將持續繳出虧損財報。

然而DRAM類股似乎出現利空鈍化，顆粒廠華亞科上周五盤中亮燈漲停，力晶、華邦電終場上漲2.76％至3.96％，下游模組廠更因為全球第二大 NAND型快閃記憶體廠東芝(Toshiba)跳電，將影響約20％的產出，激勵NAND將進入供需平衡的聯想，多檔記憶體模組股亮燈漲停，類股表現更甚於上游顆粒廠。

然而DRAM價格重挫趨勢未變，根據集邦科技最新開出的12月上旬合約價，DDR3 1Gb顆粒合約價持續下跌10.66％，均價僅1.09美元，續創波段新低紀錄，而模組方面，DDR3 2GB模組也重挫9.09％，均價僅 20美元，低標報價已經跌破20美元。

根據工研院IEK的預測，在價格持續下跌之下，明年台灣的DRAM廠將進入另一波負向循環，龍頭大廠三星經過兩個季度的調整，市占率已經從31.3％向上突破達到40％，獲得壓倒性的勝利，反觀台灣廠商因裝機速度不如預期，製程轉進速度不如南韓大廠，明年將面臨嚴苛挑戰，恐怕又會進入虧損、減產、財務惡化的負向循環。

此外，IEK也統計，設備大廠ASML生產的1950G/Hi機台是跨入50奈米以下的必備機台，根據IEK的計算，三星擁有的機台數最為龐大，達30台，海力士居次為21台，美光陣營、爾必達陣營分別為15台、1 3台。

受到各品牌大廠陸續推出智慧型手機、平板電腦激勵，高密度連接板(HDI)提前2季就出現下游廠商搶訂產能盛況，業界更預估到明年首季之前，供不應求狀況紓緩不了多少，昨日激勵燿華(2367)、華通(2313)、金像電(2368)等股亮燈漲停。

雖然各家廠商積極擴產，但是業者指出，由於高階HDI板在3階以上就有相當大難度，除了對位的製程相當難之下，因多次電鍍、多次鑽孔吃掉不少產能，因此不僅產能不易開出，良率提升也相當不容易，一季提升2個至3個百分點的良率，就已經相當出色。

HDI大廠加碼積極擴產，由於電子產品更要求輕薄短小，帶動高階 HDI板需求，然因可以大量供應的廠家不多，HDI板不僅交期拉長，下游廠商在2季之前將相繼Book產能。健鼎表示，高階HDI板的交期從過去的2周延長至3周到1個月，在往年淡季時段，很少出現這種狀況，客戶也在2季之前就開始洽談這一季所需要的產能，供應的狀況相當緊繃，預估在明年第1季之前，緊繃的狀況紓緩不了多少。

健鼎分析，這一波產能吃緊主要是因為，智慧型手機、平板電腦大量新產品在此時推出，今年主要推動的廠商是蘋果電腦，到第4季則是擴散到多家廠商，成為高階HDI板產能不足的主要原因，而以現階段來看，智慧型手機的需求還是最為突出強勁。

華通則表示，Any-Layer的景氣還是相當暢旺，到明年第1季狀況看起來仍相當不錯，不過因為傳統板仍有淡季效應，一來一往之下，明年首季還是有機會優於往年。

根據集邦科技統計，明年平板電腦的市場規模將上看5,000萬台水準，而智慧型手機市場明年則上看4億支以上，是明年最火紅的兩項新產品。

DDR3 1Gb現貨價昨日又呈現重挫走勢，集邦科技旗下研究部門DRA MeXchange預估，由於產出增加，需求卻疲弱，導致DRAM廠不斷降價求售，本季DRAM合約價將重挫40％，以本季累計跌幅已達30％計算，集邦暗示12月將再下跌約10％。

由於台系廠商因成本結構無法快速下降，2011年將面臨寒冬。而三星因進入35奈米製程，明年即使價格持續破底，也不會繳出赤字財報。

DRAM價格因不斷挫低，買方採購縮手，導致跌勢有加速趕底味道。 DRAMeXchange表示，第4季以來，由於DRAM廠產出持續增加，電腦系統廠需求卻逐月減弱，市場超額供給持續擴大，以致DRAM廠不斷以降價策略，銷售出超額供給的顆粒，今年第4季至今，合約價跌幅已超過30％，預計DDR3 1Gb合約價第4季跌幅將上看40％，以11月下旬合約價約1.22美元計算，倘若12月再挫10％，則DDR3 1Gb顆粒報價將面臨1美元保衛戰。

至於現貨市場也呈現價跌量縮走勢，DDR3 1Gb有效測試顆粒均價本月中至今下跌約5％至1.32美元，DDR2 1Gb顆粒均價在供給有限下，走勢相對平穩，但仍小幅下滑至1.44美元。近期由於部份台系廠良率不佳，現貨市場出現不少良率低或是時脈不到 1333Mhz的DDR3顆粒，使低良率1Gb ett顆粒單價已接近1美元價位。

朝鮮半島緊張情勢升溫，市場對DRAM報價止穩有所預期，然而DRA M現貨價卻相當不賞臉，僅止穩半個交易日，昨日晚間6點最後一盤現貨報價開出，仍舊呈現下跌走勢。

根據集邦科技報價顯示，除DDR2 1Gb有效測試顆粒報價小漲0.4％之外，其餘全數下跌開出，DDR3 1Gb品牌顆粒下挫0.6％，均價為1. 32美元。

不過集中市場上個股的股價反應，較DRAM現貨價熱烈，尤其以DRA M模組類股表現最為強勢，低價股更是活蹦亂跳，包括勁永、承啟、品安、商丞股價以漲停收市，DRAM顆粒廠開高走低，僅維持紅盤收市，表現相對遜於模組類股。

至於價格方面，昨日上午DRAM現貨價的確受到消息面激勵，一度呈現止穩走勢，但是價格止穩僅曇花一現，昨日下午2點以及6點開出的現貨報價，相繼走跌，特別是6點之後的現貨報價中，DDR3 1Gb品牌顆粒價格介於1.27美元至1.45美元，均價雖為1.32美元，低價的部分卻續創新低，僅1.27美元，直逼國際一線大廠的成本價位。

業界也坦言，除非南北韓戰線延長，或是真的直接攻擊三星，否則以目前的供需狀況來看，還是呈現產能大於需求的狀態，股價激情很快會恢復平靜。

外資法人則是趁著DRAM族群幾乎已經跌無可跌之際，著手回補持股，昨日外資法人同步買超南科、華亞科、茂德，張數分別為7,586張、3,416張、133張，反向調節力晶、華邦電持股。

另外，主管機關也同意力晶撤銷6.5億股至8億股現金增資參與發行海外存託憑證(GDR)計畫，市場臆測主要還是因為產業氣氛不佳， DRAM現貨價屢創今年新低，增加募資難度，衝擊力晶的籌資規劃。

集邦科技旗下DRAMeXchange昨(17)日發佈最新調查報告指出，明年第1季筆電市場，受惠英特爾發表Huron River新作業平台，除將刺激新機買氣外，也可能推動舊平台降價促銷，加上中國農曆年需求，預期今年第4季部分買氣將遞延至明年第1季，帶動明年首季 NB市場淡季不淡，出貨季減幅度約1.4％。

DRAMeXchange表示，NB產業10月出貨月減5.7％，出貨量約1,730萬台，展望第4季，在庫存水位轉趨健康，歐洲市場逐漸回溫情況下， NB成長動能將可維持微幅成長態勢。預估NB產業第4季季增率約2.1％，年減0.4％，出貨量約5,030萬台。DRAMeXchange並維持今年全年出貨約1.93億台預估值，年增率20.8％。

DRAMeXchange進一步認為，明年第1季Intel將發表新作業平台Hur on River，效能提升至四核心Sandy Bridge CPU，新平台推出將帶動一波購機潮，加上今年中國市場在全球PC市場占比可達近2成市佔，中國農曆年效應將更強勁影響，帶動明年第1季NB出貨優以往的季減 5-10％，僅下滑約1.4％。

此外，針對平板電腦影響上，DRAMeXchange分析，iPad截至第3季銷售已達約750萬台，各家大廠皆有意願切入此一電腦大戰，但是否與iPad挾著軟體優勢相互匹敵，將是未來觀察重點。

DRAMeXchange指出，今年iPad將有95％以上市占，整體平板電腦出貨規模約1,520萬台，2011年整體平板電腦百家爭鳴態勢下，預期約有5,130萬台市場規模。由於蘋果iOS平台仍具有優勢，加上非iPad族群明年下半年才會大量出貨，iPad將仍有近80％市占率。

根據集邦科技旗下研究機構DRAMeXchange調查，隨著智慧型手機的熱賣，與iPad所帶動平板電腦蓬勃發展，智慧型手機與平板電腦銷售金額、整體出貨量，在2011年可望有倍數以上成長。

新興的手持式行動裝置對於輕薄設計、電池續航力、系統效能與內存的需求日益提高，集邦科技認為新興的手持式裝置，將帶動帶動內建式NAND Flash產品例如MCP、eMMC、e-SSD等的需求量，成為2011年 NAND Flash需求的重要支撐，內建式NAND Flash比重將首次超過記憶卡、隨身碟。

集邦科技統計，內建式NAND Flash的比重將在今年達到40％，預估 2011年將大幅提升至63％水準，首次超越記憶卡與隨身碟的比重，並且一舉突破至6成以上，同時此一趨勢確立後，系統產品重要性將持續增加。系統產品的比重提升與多元化發展，將能夠有效地降低波動劇烈的記憶卡與隨身碟市場所帶來的衝擊，並且能夠分散系統風險與提升庫存去化能力。

11月上旬DRAM合約價，比10月下旬再下跌近8%，延續破底走勢。集邦科技預估，本季DRAM價格跌幅恐逾三成，力晶（5346）、南科等DRAM廠本季營運不樂觀。

受價格持續破底衝擊，DRAM族群昨天股價普遍不振。力晶、南科、華亞科等都收黑；僅茂德力守平盤之上收市。

根據集邦科技調查，11月上旬1Gb DDR2及DDR3顆粒合約均價同步滑落至1.41美元，較10月下旬下跌7.97%；2GB DDR3模組合約均價滑落至25美元，也較10月下旬下跌7.41%。

集邦科技預期，第四季DRAM廠因產出持續增加，價格恐將進一步走跌，今年底前2GB DDR3模組合約價格恐將滑落至20美元，比第三季下跌逾三成，各DRAM廠本季營運恐怕又都陷入虧損局面。

國內DRAM大廠南科則強調，DRAM價格經9、10兩個月大跌後，11、12月跌勢將趨緩，預估本季跌幅約二成。

力晶則認為，目前市場最大問題是「需求沒出來」。考量同業陸續開始轉移產能生產非標準型記憶體產品，年底前通路庫存消化完畢後，加上各廠減產效益浮現，明年第一季價格可望開始回穩。

DRAM價格持續破底，已衝擊到南科正在辦理6億股現增案，南科現增價16.5元，但繼前日跌破現價後，南科昨天股價持續下跌以16.3元收盤，下跌0.15元。

南科則強調台塑集團決定力挺現增案，原股東未認部分，將由台塑集團全數吃下，籌資無虞。

除南科外，日商爾必達（Elpida）也計劃來台發行台灣存託憑證（TDR），爾必達的代工、技術合作夥伴茂德（5387 ）、力晶（5346）均有籌資計畫，其中，力晶決議將重新申請發行上限8億股的海外存託憑證（GDR）；茂德的募資計畫則尚未公布。

分析師表示，本季DRAM價格重挫，又加上爾必達將來台募資，是否牽動台系DRAM廠的增資計畫，仍有待觀察。

固態硬碟(SSD)市場是NAND型快閃記憶體高度關注的新產品，雖然市場規模遲遲沒有起飛，然集邦科技預估，在大容量檔案傳輸需求提升之下，若價格壓低至可接受的範圍之內，明(2011)年出貨量將可大增150％，上看1,500萬台，對今年異常冷淡的NAND Flash市場，可望產生推波助瀾效果。

集邦科技表示，固態硬碟一直以來為各家NAND Flash廠商所寄予厚望的產品，主要是固態硬碟對於NAND Flash的使用量來說，是一般內建式應用產品、隨身碟與記憶卡的數倍之多，固態硬碟將可大量消化 NAND Flash產能。此外，固態硬碟的傳輸速度為傳統硬碟的2倍以上，也兼具省電、抗震動的特點，未來在高畫質影音，與大容量檔案傳輸的需求將大幅提升之下，固態硬碟的需求將會因價格的下滑而攀升。

不過集邦科技也分析，2009年與2010年NAND Flash價格維持高檔的情況下，固態硬碟的價格下降空間有限，因此過去一、二年，除了高階伺服器市場、工業及軍用市場，與高階的商用筆電市場外，一般消費型固態硬碟仍然停留在零售的桌機組裝市場，容量以32GB、40GB的低容量為主，主力推廣的廠商將宣傳重點放在，低容量固態硬碟當作系統程式執行的區塊，而大容量的檔案儲存在傳統硬碟，以推廣產品。

隨著NAND Flash廠商在今年第4季將陸續轉進2x奈米製程，預估明年在2xnm產品在良率與比重將持續提升下，NAND Flash的成本下降優勢，將可望反映在固態硬碟產品的售價上，價格下降將有效提升消費者購買的意願。

集邦科技表示，固態硬碟在系統產品的滲透率也有機會攀升，同時配合零售市場潛在的購買力，集邦科技預估2011年固態硬碟的出貨量將可望較今年成長150％以上，達到將近1,500萬台的規模。