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太陽能矽晶圓廠達能（3686）訂今（20）日以每股50元上市掛牌

交易，成為繼中美晶（5483）、綠能（3519）後，第三家上市櫃

的太陽能矽晶圓廠，族群再添新生力軍，可望再匯集太陽能族投

資熱潮。

據了解，除達能外，後續還有碩禾（3691）、旭晶（3647）、旺

能（3599）、太極（4934）等將陸續掛牌，讓下半年太陽族群題

材源源不絕。

太陽能族群

經歷上周五大震盪後，

昨天再度止穩翻紅，尾盤並再度急拉大漲，昇陽科（3561）再站

上88元，收盤價88.1元，上漲2元；昱晶更在外資喊進下，站上96

元，上漲3.2元；生產太陽能逆變器的科風（3043），也大漲2.3元

，收65.3元；一度因除權息賣壓湧出的茂迪，尾盤也僅小跌0.5元

，收116元。

太陽能業對下半年景氣普遍看好，預期訂單滿載到第三季末無虞

。台灣太陽能電池龍頭廠茂迪認為，今年市場「不用擔心」；昱

晶也預期，今年公司總產出量可望超乎預期，有機會從原訂

750MW（百萬瓦）上修至800MW。

矽晶圓廠接單同步火熱，中美晶、綠能產能滿到年底，緊急擴產

因應。兩家公司都積極打造「1GW（10億瓦）」產能基地，迎接

市場需求熱潮。

達能目前股本14.76億元，今年第一季營收6.1億元、稅後純益0.77

億元、每股純益0.56元；尤其單季毛利率23%，傲視本土同業。

達能表示，目前太陽能矽晶圓市場非常熱，現有120MW（百萬瓦

）產線全數滿載，新產能將於9月開出，也都被客戶全數預購完。

達能規劃，明年底完成新建的二廠第一期180MW新產能建制，將

總產能提升至300MW，2011 至2013年再建立二廠第二期總量

220MW產線，目標2014年將總產能拉升至1GW（10億瓦），並發

展非晶矽薄膜太陽能電池等新業務。

集邦科技旗下研究部門EnergyTrend也認為，太陽能產業短期內仍

屬買方市場，市場的需求力道將直接影響產業的成長幅度，加上

有補助政策的歐洲市場，仍占有全球50%以上的市場，第三季全

球太陽能市場仍持續成長。

由於2012年之前供需穩定，集邦科技旗下研究部門DRAMe

Xchange預估，2011年DRAM廠將持續獲利，雖然明年DRAM的

ASP將下跌30％，但是隨著各家大廠製程轉進、成本下降，

DRAMeXchange預測，明年最具成本優勢的廠商，今年本業獲利

率（Operating Margin）將上看36％，明年則估達26％，而成本優

勢落後的廠商，預估下半年轉盈，明年本業獲利率在10％附近。

DRAMeXchange表示，下半年DRAM產業製程加速4x(40-49)奈

米轉進，產出增加將帶動價格下跌，然而價格下跌將刺激DRAM

搭載量趨勢往4GB以上，預估DRAM均價於今年第4季向下修正。

三星今年大幅提升其資本支出，使三星佔整體DRAM產業資

本支出比例由往年約25％大幅提升至41％，主要加重研發及廠房

設備投資，全部台系DRAM廠資本支出今年約佔整體產業34％。

今年第1季三星DRAM方面的營收約30億美元，市佔率達32％，在

資本支出增加、產能擴充及技術轉進下，預估三星DRAM營收市

佔率在今年下半年將突破35％，2011年將突破40％。

DRAMeXchange也預估，三星今年第4季將增加46奈米以及56

奈米投片至90％，2011年的Fab16將轉進35奈米，雖該市調機構並

沒點名三星是最具成本優勢的廠商，但是該市調機構預測最有成

本優勢的廠商，今年本業獲利率將達36％，明年也有26％水準。

而昨日拓墣產業研究所也指出，今年DRAM產業供需健康，

由於去年比較基期較低，因此預估今年產值將成長58％，其中有

兩大關鍵變數將會導致DRAM供應吃緊，一是浸潤式機台在今年

Q1出現嚴重的遲交狀況，預估此情形將會延續至Q2甚至下半年。

個人電腦及手機第三季下修出貨目標雜音四起，讓近期記憶體買

盤駐足觀望，DDR3 1Gb現貨價每顆跌到2.55美元，創今年新低。

集邦科技記憶體事業處副總楊雅欣昨（1）日表示，因DRAM擴產

腳步積極，DRAM需求成長速度有限，DDR3合約價年底可能跌到

2美元，說不定會比DDR2更便宜。

集邦科技針對DRAM市況，提出與業者完全不同的看法，伴隨歐

債危債疑慮未除，恐不利DRAM族群未來股價表現。昨天DRAM類

股賣壓已提早湧現，除華邦電收紅外，南科（2408）、華亞科（

3474）、力晶（5346）、茂德（5387）均收黑。

不過，DRAM廠強調，目前供給面仍然吃緊，且企業換潮機下半

年引爆，DRAM後市不悲觀，仍堅持DDR3會守住2.5美元的論調。

根據集邦科技最新的DRAM報價，DDR3 1Gb eTT（有效測試晶圓

）每顆報價近日最低價來到2.55美元，價格持續下滑，相較上個

月初的近3美元，跌幅已達15%；DDR2 1Gb eTT，也逼近2美元，

報價來到2.1美元。

記憶體通路商透露，雖然目前DRAM供需還未失控，不過，市場

擔心第三季受歐債危機影響，可能會影響個人電腦及手機、數位

相機等相關資訊產品消費，DRAM 買盤追價意願不高，造成近期

DRAM價格持續小幅滑落。

包括IC通路商威健（3033）及晶圓測試的京元電（2449）均坦承

，近期PC端和手機端的拉貨及下單量，確有減緩的趨勢，使不少

廠商對第三季轉趨保守，增加備料的難度。

不過，威剛（3260）董事長陳立白則認為，歐債危機對DRAM衝

擊有限，他研判DRAM3價格應可撐住2.5美元。

他強調，短期來看，各廠還需要面對新設備交期拉長、先進製程

轉換學習取線克服等問題，市場增加產出有限。下半年隨iPad、

電子書、GPS等新應用帶動記憶體需求，DRAM 應該很快會上來

。

陳立白表示，目前整體DRAM需求並不差，儘管歐債風暴影響部

分庫存回補拉貨力道，但衝擊有限。威剛本季營運應可維持往年

同期相當水準、甚至好一些。

華亞科（3474）總經理高啟全也強調，歐債危機確定會造成消費

需求減弱，目前看來影響大多屬於消費性電子產品，企業端在微

軟的新作業軟體Widows 7的帶動下，換機需求相當強，他對下半

年DRAM合約價抱持樂觀態度。

研究機構集邦科技昨（27）日表示，市場將蘋果電腦（

Apple Inc.）iPad定義為平板電腦（Tablet PC），預估PC/NB品牌大

廠將相繼切入此市場，Tablet PC可望成為下一波PC市場成長動能

。

集邦科技指出，今年經濟較去年好轉，預期小筆電產品平均

單價（ASP）下滑，毛利偏低，PC/NB廠商將重心轉回常規筆電

，估今年小筆電出貨量達3,600萬台，年增27.2％。

儘管去年小筆電為PC市場成長一大助力，年出貨量達到2,800

萬台、年增率172％。但集邦認為，今年功能性較強的一般筆電成

長可期，小筆電成長動能將趨緩。集邦科技並估計，上半年iPad

出貨量可達170萬台，全年出貨量上看700-800萬台，成長力道強勁

。

集邦認為，Tablet PC有別於小筆電。有大量文書工作需求消

費者不會以沒有鍵盤的iPad為首選，仍舊選擇小筆電為主要工具

，但娛樂為訴求的消費者，只需要上網及簡單文書功能，Tablet

PC即可有效切合需求。

若iPad概念代表的Tablet PC支援多功運作（multi-tasking）及

Flash等功能，將拉近與小筆電差距，加上消費者良好使用經驗，

對小筆電衝擊將更顯著。

集邦預期，目前Tablet PC與小筆電客層重疊性不高，尚有所

區隔。但雲端運算概念興起，網路功能漸趨完備趨勢下，內含智

慧型手機概念與筆電功能的Tablet PC將創造另一波市場需求。

今年台北國際電腦展（Computex）包括Intel、宏碁、華碩等

均會有相關產品展出，預料將是展場另一重點。況且Google與美

國最大行動業者Verizon合作，計畫開發可與iPad抗衡的Tablet PC

，在大廠相繼投入下，不同陣營、架構互相競合，Tablet PC興起

可期。

集邦科技昨日指出，今年筆記型電腦出貨有機會首次突破2億

台關卡，較去年成長27.3％。其中，小筆電今年熱度雖消退，但仍

有27.8％的成長率，市場規模達3,630萬台；此外，傳統筆電預計

年增率27.2％，達到1.67億台。集邦看好，今年筆電將會是IT產業

當中成長性較高的產品。

集邦昨日發佈最新筆電報告，指出筆電取代桌上型電腦速度

加快，目前筆電已經佔整體PC市場62.3％，遠超過桌上型電腦，

今年筆電全球市場規模上看2.03億台。

集邦指出，英特爾與AMD相繼推出新平台，筆電品牌廠將對

應推出多元化產品，以搭配新款作業系統與處理器。英特爾

Calpella平台上市，今年廠商將推出多款新機種，宏碁已宣佈推出

採用Calpella平台的標準電壓輕薄筆電，此外，小筆電新一代處理

器Pine Trail上市，品牌廠也對應推出小筆電新機種。

此外，集邦指出，2008年全球金融風暴凍結企業IT資本支出

，預料今年下半年將有機會重新啟動，可望帶動商用機種出貨成

長。集邦指出，全球經濟環境改善，且有Windows 7助攻，2004年

以來壓抑的企業換機需求今年可望爆發。

集邦表示，過去三年惠普靠著消費與商用機種雙強的實力，

穩住全球最大筆電品牌的位置，不過商用機種近年因企業預算凍

結而式微，再加上去年小筆電崛起，驅動筆電出貨大幅成長，在

此態勢下，以消費機種見長的宏碁，藉由小筆電大幅成長，拉近

與惠普的距離。

不過，今年在商用換機潮的預期下，各家品牌廠開始積極著

墨商用市場，包括宏碁與華碩均計畫在大型企業標案市場與中小

企業市場推出產品，確保今年維持足夠的成長動能。

DRAM產業受到產能開出有現，且目前毫無新廠建置之下，

DRAM廠將終結前波連3年虧損衝擊，進入獲利的正向循環。集邦

科技預估，未來2 年僅三星、南科有新產能開出，加上晶圓代工廠

、DRAM廠爭奪浸潤式機台設備，拖延產能開出，DRAM廠今年可

望終結連3年虧損，進入另一個連續3年獲利正向循環。

集邦科技觀察過去10年DRAM廠獲利概況，根據分析，DRAM

產業過去10幾年來，幾乎每3年為一景氣循環周期，以DRAM廠的

營業獲利率分析，2001至2003年DRAM產業連續3年虧損，2004至

2006年轉為連續3年獲利，2007至2009年又落入連續3年虧損的循

環，今年 DRAM廠終於擺脫連3年虧損，進入獲利循環期。

由於全球經濟景氣復甦，Window 7帶動消費者、企業換機潮

，加上資本支出成長有限，製程轉進出現瓶頸， DRAM可望再走

向正向循環，未來3年連續獲利可期。

集邦科技也認為，DRAM新廠房蓋好到設備移入，需要2至3

年的時間，未來2年新增的產能，除了三星新增的4萬片以及南科

的1.5萬片外，未來2年難有大幅新增產能。

此外在製程轉進上也有利於抑制產能。集邦科技，認為50奈

米以下製程皆需使用浸潤式機台，除DRAM產業外，其餘半導體

廠商如台積電、聯電亦需使用到浸潤式機台，目前浸潤式機台供

應商ASML市佔率高達9成以上，在滿單的狀況下，各DRAM廠商

拿到浸潤式機台時間大多具不確定性，DRAM 廠在製程轉進速度

受限於機台取得時程而可能延後.。

DRAM廠商在2008年第四季在金融風暴衝擊下，虧損大幅擴

大，面臨了營運資金短缺及無力償還債務的危機，為求生存，各

DRAM廠商皆大幅降低2009年資本支出。今年資本支出在DRAM廠

商連續3年虧損下，能投入的金額也將有限，目前DRAM廠商計劃

今年資本支出為83.6億美金，雖已較去年成長93％然而與DRAM廠

商歷史資本支出相較，仍屬較低水位。預計未來3年DRAM廠商在

獲利狀況下，資本支出將會穩健成長。

全球一線主要DRAM大廠全力轉進DDR3領域，近2周市場更

傳出爾必達、三星兩家大廠準備停產DDR2，全力轉進主流市場

，由於DDR2目前在通路市占率仍高達7成，是現貨市場主流，受

到供應量銳減衝擊，DDR2第2季恐將奇貨可居，漲勢將超過

DDR3，有效支撐DRAM價格。

根據集邦科技（DRAMeXchange）昨（18）日公布的現貨價

格，1Gb DDR2有效測試顆粒價格單日大漲4.39％，均價落在2.71

美元，創2年多來新高，同規格品牌顆粒價格也上漲3.97％，均

價落在2.72美元；DDR3漲勢雖落後DDR2，但是單日現貨漲幅也

在0.54％至2.14％之間，價格接近3美元。

近2周DRAM市場相繼傳出三星以及爾必達將停產DDR2的消

息，國內下游模組業者指出，爾必達已經通知DDR2的客戶，最後

一批貨出去之後，就會轉進DDR3，相關客戶均已經接獲通知，而

三星雖然也有此想法，但是還處於考慮階段，且比較優先採取的

做法是減產，而不是馬上停產，然無論是停產或是減產，均會衝

擊DDR2在現貨市場的供應量。

模組業者指出，雖然DDR3已經躍居主流，但是DDR2在現貨

市場占有率仍有7成，在合約市場也有2成市占率，目前不會有廠

商要增產 DDR2，通路需求仍有，但是供應量瞬間減少之下，

DDR2第2季的漲勢恐會超過DDR3，從最近DDR2漲勢超過DDR3的

情況來看，可略窺一、二。

不過模組業者表示，目前DDR2和DDR3都是處於缺貨情況

，在料源的掌握上相對困難，預期整個第2季都是緊俏的狀態，價

格欲小不易。

根據計算，現貨市場供應主力的力晶預計在3月將DDR3提升

至70％，換算之後相當於DDR2單月將減少3,000萬顆至4,000萬顆

；而三星如果停產，單月恐怕也有4,000萬顆的供應量縮減；另爾

必達正式停產之後，業界臆測，爾必達在日本境內的工廠雖不生

產DDR2，但是卻有機會委外給海外工廠生產，畢竟短時間之內

仍有DDR2的需求。

DRAM市況再度醞釀多頭走勢，主角由前波領漲的DDR2轉至DDR3

。

現貨市場DDR3均價大漲近4%，創近二個月來單日最大漲幅，有助

力晶（534）、創見（2451）、威剛（3260）等與現貨市場走勢高

度相關業者營運。

投信法人指出，台股記憶體族群南科（2408）、華亞科（3474）

、力晶等上周走勢強勁，反應市場熱度。

農曆年後DDR3走勢呈現「跌多漲少」格局，隨DDR3逐步成為主

流，價格轉強更具指標性，本周是否能帶領族群再度上攻，值得

關注。

根據集邦科技（DRAMeXchange）報價，1Gb DDR3有效測試顆粒

（eTT）上周五（12日）大漲近4%，創近二個多月來單日最大漲

幅，均價為2.75美元；品牌顆粒報價同步上揚逾2%，均價為2.89

美元。

DDR2現貨價格也維持小漲格局，與DDR3同步呈現多頭走勢，美

國美光（Micron）率先表態，12日ADR股價氣勢如虹，正常盤收市

上漲1.63%至9.96美元，盤後續揚1.81%，一舉收復10美元整數大關

，收10.15美元，創近一個月來新高。

現階段台灣DRAM業者多對今年景氣持正向看法。力晶預期本季

獲利將持續增加，營運狀況轉強；南科也預期，第二季後市場需

求一片看好，後市爆發力值得期待。

記憶體模組廠同步看好市況，威剛預期，今年營收可望延續去年

強勁走勢，持續向上攀升；創見也認為，今年市況平順，將全力

拓展市占，延續去年賺回一個股本高檔獲利佳績。

景氣多頭氣氛濃厚，全球半導體聯盟（GSA）明（16）日也將首

度來台舉行記憶體研討會，全球DRAM與NAND Flash龍頭三星社長

權五鉉與NOR Flash一哥恆憶（Numonyx）技術長暨副總裁Edward

Doller等都將來台，兩大龍頭廠對產業景氣看法頗受關注。

GSA規劃，這次首度在台灣舉行記憶體研討會，以「結合記憶體

及邏輯IC達到更佳系統效能」為主軸。權五鉉、Edward Doller等人

都將發表專題演講；台灣鈺創（5351）、旺宏（2337）等記憶體

相關廠商也將與會。

3月上旬DRAM合約價昨（10）日出爐，DDR2以持平開出，部分

DDR3規格則小幅上揚，透露市況淡季不淡。

根據集邦科技（DRAMeXchnage）昨天最新報價，3月上旬1Gb

DDR2晶片合約價以持平價的2.31美元開出，2GB DDR2模組價格

也維持40美元平盤價位。1Gb DDR3晶片最高漲幅約5%，均價2.5

美元，2GB DDR3模組價格最大漲幅約4.5%，均價43美元。

集邦表示，DRAM價於去年第四季大漲後，即使本季邁入淡季，

電腦系統廠的DRAM需求仍維持與去年第四季相同水準，尤其部

分電腦系統廠預備庫存，計畫拉高DDR3搭載比重至六成，也使

DDR3供貨維持緊俏，價格淡季有撐。

業者對市況走勢普遍樂觀，力晶（5234）、南科（2408）、華亞

科（3474）、瑞晶等，都已布局先進製程迎接後市。其中南科68

奈米良率趨於穩定，已有DDR3產品，50奈米1b DDR2則完成認證

，2Gb DDR3送樣中。預計第二季時，68與50奈米投片比重各達

五成。集邦指出，以目前供需狀況來看，第二季價格下跌空間不

大，DRAM廠在經歷長久虧損後，台系廠商隨成本下降，全年營

利率將持續往上，今年可望持續維持全年每季度都獲利的狀況。

在現貨價方面，集邦預期，隨DRAM廠積極轉進DDR3，但現貨市

場對DDR2需求仍強下，DDR2短線價格已大幅揚升；預期下半年

DDR2轉為利基型商品應用後，價格可望穩定在2美元到2.5美元，

不排除挑戰3美元整數價位。

3月上旬DRAM合約價昨（10）日開出，受到大廠將產能轉往

DDR3，且南科（2408）堅持高價，導致DDR3與DDR2同步呈現缺

貨走勢。集邦科技昨日公布的3月上旬合約價，DDR3上漲4％至

5％，DDR2也呈現持平走勢，淡季價格順利調漲。

集邦科技也估計，三星今年營益率可望維持30％，台系廠商

季獲利也可望逐季走高。

DRAM大廠歷經長時間虧損，今年在沒有新廠加入量產，累

積已久的換機潮爆發，DRAM報價持續傳出好消息。集邦科技昨

日公布的3月上旬合約價，DDR3漲幅介於4.55％至5.08％，DDR2

也持平開出，價格均維持在高檔。

集邦科技表示，DRAM價格於去年第4季大幅上漲30％（季增

），即使進入淡季，電腦系統廠的DRAM需求仍維持相當於去年第

4季的需求量，部份為庫存預備，而在電腦系統廠大幅拉高DDR3

的比例，從去年第4季約40％到今年首季目標60％，也使DDR3供

貨維持緊俏，DRAM廠蘊釀再調漲DDR3合約價。

南科指出，3月調漲合約價是勢在必行，估計合約價漲幅在

6％至9％，DDR2價格也開始跌深反彈，有機會看到價格反彈至4

月。

至於現貨價方面，由於DRAM廠積極轉進DDR3，而現貨需求

仍在DDR2，使DDR2近期需求強勁，價格由2.1美元上升至2.5美

元，預期DDR2在下半年轉為利基型商品應用後，價格將維持穩

定在2美元到2.5美元，若有缺貨現象發生，則可能上漲至3美元。

由於今年沒有新廠加入營運，DRAM廠僅靠製程微縮提升產

能，在營收增加、固定成本下滑之下，今年DRAM廠獲利頗受市

場關注。集邦科技就預估，今年三星的營益率（Operating Margin

）可望維持30％以上，台系廠商隨著成本降低，本業表現也會持

續推升。

仁寶總經理陳瑞聰點名，DDR3是目前NB產業中最缺貨的零

組件之一，由於DDR2與DDR3正進行世代交替，DDR3成為系統廠

主流機種，DDR2則是現貨市場主流，然因製程轉換產能驟減，缺

貨狀況何時紓解仍無法預期。

DRAM產業在規格上正進行DDR2與DDR3主流交替，DDR3已

經逐漸躍居主流，引導各家DRAM大廠挹注產能，然在產能移轉之

下，DDR2在通路上將面臨缺貨的情況。根據業者分析，以現貨市

場為主力的力晶（5346），3月份光是DDR2的產出就會減少3,000

萬顆至4,000萬顆，供應量銳減，3月起DDR2就會呈現缺貨狀態。

DRAM今年缺貨幾乎已是產業界共識，但缺貨的時間點卻提前

至淡季，狀況並不常見。南科副總經理白培霖表示，客戶擔憂下

半年會拿不到貨，因此準備庫存的態度相當積極，在各廠商積極

備料帶動需求，DRAM的景氣比預期好，南科預計在3月調高合約

價，估漲幅將達6％至9％，以反映訂單需求。

更細部來看，DRAM廠商轉產能的動作，也將導致即將退出

主流的DDR2甚至更早缺貨。

記憶體模組廠勁永表示，DDR2產出將大幅減少，但部分通路

市場需求仍在，3月DDR2將會面臨缺貨，從近期現貨價格止跌回

升可見一斑。

根據顆粒廠商估計，力晶去年12月DDR3單月出貨量就達1,500

萬顆，依照力晶規劃3月DDR3比重將佔整體出貨70％至75％計算

，光是3月力晶因產能轉向DDR3，DDR2的供應量就會銳減3,000萬

顆至4,000萬顆，但是通路對DDR2仍有一定程度需求，因此現貨市

場在3 月就會出現DDR2缺貨的情況。

南科在日前媒體餐會上也表示，DDR2已止跌反彈，這一波價

格反彈的力道可望持續至4月。

今年DRAM產業由於沒有新廠加入營運，全靠提升製程增加產

能，白培霖預估，即使每家廠商製程微縮的技術順利，總產能也

僅會增加40％，然需求成長卻達45％，供需的狀況較預期為佳。

根據集邦科技統計，DDR2　1GB現貨價農曆年之後就出現反

彈氣勢，從2.2美元一路上漲，漲幅一度拉大至7％，然DDR3現貨

均價卻呈現下跌，均價起跌點為2.88美元。

記憶體（DRAM）補貨潮號角響起，DDR2現貨價打破傳統淡季束

縛率先表態，農曆年後上漲近7%，創近一個多月新高。相關大廠

如力晶、茂德、威剛等可望受惠，但科技大廠可能得要擔心，資

訊產品供應鏈下半年會出現缺貨潮。

威剛董事長陳立白指出，電子大廠都在談缺工，其實缺工問題不

大，缺貨才是下半年大難題。主要是筆記型與桌上型電腦等產品

會面臨這個問題。

根據集邦科技（DRAMeXchange）26日的報價，1Gb DDR2有效測

試顆粒（eTT）上漲逾2%，均價2.35美元，創近一個多月新高。

在買氣熱絡帶動下，DDR2現貨價從農曆年後一路上漲，1Gb

DDR2現貨價波段漲幅已達6.81%

業界認為，上游晶片廠將產能大量轉進生產DDR3後，DDR2供應

受到擠壓，本季傳統淡季價格不像往年大幅走跌，反而上揚，後

續可能出現缺貨潮。

陳立白指出，第二季起DRAM市場會出現供應缺口，下半年缺口

可能擴大到一成以上。就DDR2與DDR3來看，DDR2會先缺，

DDR3則在之後成為主流，需求量也將大增。

威剛去年營收348億元，稅後純益達21.32億元、創歷史新高，每

股純益10.53元。陳立白預期，今年營運逐季走揚，全年營收可望

超越2006年的440億元，再創新高，較去年成長三成。威剛2月26

日股價上漲0.2元、收78.8元。

力晶董事長黃崇仁表示，力晶本季獲利會比去年第四季更好；由

於DRAM廠僅能透過新製程轉換增加產出，但並沒有新增產能，

全年市場供應趨緊，明顯時間點將在第三季下半季至第四季。力

晶26日股價下跌0.04元、收3.74元。

目前主力產品為DDR2的茂德透露，近期市場需求不錯，自行研

發的72奈米技術已接近量產，將帶動營運向上。

<>

受到DRAM產業景氣轉佳，以及DDR3價格站上每顆3美元，

市場對DRAM大廠2010年的獲利期待升高，繼日前外資券商大和

總研預估南科（2408）今年每股盈餘上看6.3元後，市場傳出力

晶（5346）今年在成本優勢之下，今年每股盈餘有機會上看逾3元

，雙雙終結連續10季虧損。

集邦科技最新報告指出，PC OEM廠商紛紛轉進DDR3平台，

帶動需求大增，近一個月以來，DDR3現貨價累積漲幅超過20％

，目前已站上3美元，DRAM淡季不淡，DDR3本月合約價也有調

漲的空間，以目前的價格來看，無論是甚麼製程，都已經進入

DRAM廠的獲利階段。

目前市場上已經浮現DRAM廠的獲利預估值，除了南科日前

有大和總研樂觀預估今年每股獲利上看6.3元之外，力晶也因

DDR3出貨量超過 1,500萬顆，市場亦樂觀看待其獲利。力晶月出

貨量約8,000萬顆至1億顆，成本價約每顆1.7美元，以平均價格2.5

美元計算，相當於每顆獲利 0.8美元，一年的獲利就超過300億元

。

大和總研針對南科獲利預估，該外資券商預估，南科2010年

的位元成長率將可達87％，且當2010年中南科全能量產時，生產

1GB的成本可望降至每顆1.5美元，因此2010年獲利將上看212億元

，每股盈餘達6.3元，該券商還調高南科目標價至30元。若今年南

科、力晶順利轉虧為盈，等於終結連續10季虧損的窘境。

受惠微軟作業系統Windows 7滲透率持續提升，及電腦系統廠

大幅拉高DDR3機種比重，DRAM廠DDR3新產能已陸續開出，但因

後段封測產能提升速度較慢，集邦科技預估，今年上半年DDR3封

測產能吃緊情況更加嚴重，且可能因此影響到DDR3的供貨量。包

括力成（6239）、福懋科（8131）、華東（8110）等記憶體封測

廠，已加速佈建新產能，以因應客戶強勁需求。

去年筆記型電腦（NB）出貨成長大幅上升，集邦科技將去年

第4季NB出貨成長率，從原本的季增率8.7％上調至11.9％，去年

整體NB 出貨規模將可達1.6億台，較2008年成長23.5％。同時，集

邦科技也調整2010年整體PC出貨規模至3.15億台，預估較去年成

長13.1％，其中NB出貨成長將可較今年大幅成長22.5％，將成為

PC出貨的重要動能。

集邦科技表示，受到終端需求回溫、中國PC市場需求持續擴

大、及英特爾將推出桌上型與筆記型電腦新平台等因素帶動，預

計今年首季NB出貨量僅較去年第4季下降10％以內，遠較歷年來單

季跌幅15％至20％表現好，而今年第3季旺季單季成長甚至有可能

突破30％。

但在PC需求強勁復甦下，零組件產能回復情況卻相對保守，

去年下半年包括光碟機、記憶體、繪圖晶片、被動元件等，均出

現供貨吃緊或缺貨消息，而在英特爾及超微等兩大處理器大廠，

全面轉進DDR3世代後，DRAM廠也加速DDR3產能開出，但因後

段封測廠的擴產速度較慢，集邦科技因此預估，DDR3封測產能

將嚴重吃緊。

集邦科技指出，電腦系統廠將在今年第1季大幅拉高DDR3機

種比重，約上看6成甚至7成，使DDR3在今年首季正式成為主流，

而在今年第1季，全球DDR3佔全部標準型DRAM產出量比重，可

望達到55％，顯示DRAM廠也跟隨系統廠快速增加DDR3產能。

但封測廠去年第4季雖已下單採購DDR3測試機台，但因接單

到出貨的前置時間需要3至4個月，加上裝機及測試時間，可能要

到今年第2季中下旬，測試產能才有辦法大量開出。所以，上游

DRAM廠雖增加DDR3供給量，無奈後段封測產能無法因應，恐將

導致上半年DDR3供不應求情況。

美國記憶體晶片大廠美光（Micron）昨（23）日公布2010會計年

度第一季（9至11月）財報轉虧為盈，且優於分析師預期，成為

繼三星、海力士（Hynix）、爾必達（Elpida）之後，又一家賺錢

的記憶體晶片大廠。

國際記憶體晶片大廠單季陸續開始賺錢，透露市況走出谷底。就

台灣業者來看，瑞晶、華亞科、力晶等業者，也可望跟上大廠腳

步，陸續繳出單季獲利的成績單。

不過，台灣業者對本季能否獲利仍保密到家。力晶表示，力晶與

瑞晶都已邁入單月轉盈狀態，但無法透露本季是否獲利；南科、

華亞科也都指出，「財報出爐後就會見真章」。

分析師表示，美股那斯達克、費城半導體指數聯袂改寫今年新高

，配合艾克爾（Amkor）、美光、英飛凌等國際半導體重量級業

者先後捎來財報利多，台股電子族群可望重掌盤面多頭兵符，啟

動資金行情。

美光財報報捷，激勵台灣記憶體族群昨天全面大漲。同屬美光集

團的南科、華亞科、福懋科走勢突出，南科、福懋科都收漲停，

華亞科則爆出逾10萬張歷史天量，激勵力晶、華邦電、創見、威

剛等類股都大漲收市。

DRAM 現貨價昨天也同步上漲呼應。根據集邦科技（

DRAMeXchange）昨天晚間報價，1Gb DDR2有效測試顆粒（eTT

）均價上漲5.17%至2.44美元；1Gb DDR3上漲1.29%，均價2.51美

元。12月下旬合約價則持平開出，1Gb DDR2與DDR3均價各為

2.38及2.25美元。

電動車採用鋰電池的趨勢愈來愈明確，不過卻也隱藏另一大挑戰

，就是來自於鋰礦的稀有，及鋰電池的產能不足。

根據集邦科技所蒐集的資料研判，全球能用於鋰電池生產的鋰礦

資源是十分稀少的，全球庫存量僅1,590萬公噸，其中能開採的僅

約半數。

集邦科技直言，若電動車持續發展，將引爆電池材料缺乏的危機

。

集邦科技表示，假設一輛電動車需要100公斤的磷酸鋰鐵正極材料

，需要耗用原料碳酸鋰30公斤左右，換算成鋰礦後大約需要5公斤

，以去年全球鋰礦僅產出 3.5萬公噸來算，全數拿來用於生產鋰電

池，也僅能夠供應約700萬輛電動車使用，對照中國大陸今年汽車

銷量1,300萬輛，顯然鋰礦的不足，將是電動車發展的大危機。各

國政府已開始警覺到能源需求，將影響稀有礦產資源分配的問題

。

中國政府開始限制稀有礦產的出口；最大鋰礦蘊藏國玻利維亞政

府，也開始與日本、法國、韓國等國的多家公司進行談判，以聯

合開發鋰礦資源。

對於發展電動車產業來說，現階段鋰礦資源的存量應該是足以應

付能源的需求，然而開採鋰礦的產能卻有待提升，才足以支持未

來幾年內會快速增加的電動車鋰電池需求。

鋰電池廠生產線投資金額龐大，且產能有限，也是極大的挑戰。

以全球唯一有量產電動車電池實際出貨經驗的台灣能元科技為例

，就算將明年將量產的新生產線納入，鋰電池月產能最高可達

1,200萬顆，也不過只能滿足2,400輛至3,000輛電動車所需，連供

應台灣一家車廠一個月的新車銷售需求都還不夠。

此外，研發中的鋅電池電動車技術，宣稱能降低電動車對電池容

量的需求，若能順利推展，有機會改善目前電動車所面臨的成本

窘境，也對成本居高不下的鋰電池帶來嚴重威脅。鋅電動車，其

實是利用鋅氧化過程會產生電的原理發電帶動車輛。

由於鋅並非稀有金屬，成本遠低於鋰金屬，且鋅氧化後可以經過

回收還原，再次利用，發展潛力不容小覷。

鋅電動車的製作，類似燃料電池車概念，利用鋅氧化產生電，儲

存於電池，再經由電池放電，驅動馬達、帶動車輛。

目前普遍被應用在汽車上的鉛酸電池，是發展最久、技術最成熟

，且成本最低，但是深度放電會大幅減短壽命、體積重量過大等

缺點，並不適合用於作為電動車的動力電池。

此外，鉛酸電池還有材質容易造成環境汙染等困擾。

搭載於油電混合動力（Hybrid）車上的鎳氫電池，大幅改善鉛酸電

池的缺點，較適合作為動力電池。

然而鎳氫電池自行放電的缺點，電力儲存時間不足，加上充放電

循環壽命較短，仍無法作為電動車主要動力電池。

近年最夯的鋰離子電池（鋰電池），最為人所熟知的優點，是不

像一般充電電池有惱人的記憶效應，且重量較輕，被大量運用在

3C電子產品上。

鋰電池被看好是電動車電力儲存的最佳選擇方案。目前全球電池

業者在鋰電池材質的發展上，主要又可以「鋰鈷」、「鋰錳」、

「鋰鈷鎳（鋰三元相）」、「磷酸鋰鐵」等種類，各自配方不同

，適用於不同的領域。

其中又以鋰錳與磷酸鋰鐵兩類鋰電池，是目前用以發展車用動力

電池的主流。

鋰錳電池擁15年以上的經驗優勢，獲得電動車廠的信賴，已搶得

動力電池市場的入場券，這也是其他配方電池現階段難以超越的

鴻溝。

包括已量產上市的寶馬Mini E、美國Tesla Roadster、裕隆開發的

Luxgen EV+等電動車，搭載的都是台灣能元科技的「鋰錳電池」

模組。

使用迄今，零事故的成績，成為能元爭取其他車廠電動車生意的

最佳保障。

後起之秀的磷酸鋰鐵電池，主要材料之一的鐵，並非稀有金屬，

未來量產後有成本較低的優勢，且安全性較高、工作溫度範圍大

（攝氏負45度至70度），較符合車用需求，外界看好將是未來動

力電池主流。

不過電池業者提醒，受到專利權的制約，目前磷酸鋰鐵電池是「

最貴」的鋰電池，並不符合電動車想降低成本以達到普及化的需

求。

此外，集邦科技指出，鋰電池正極材料商在製程中，能否讓材料

達到配方的最佳「均勻度」，更是所有鋰電池能否發揮最大效應

的關鍵。

目前大陸有多達二、三十家鋰電池業者，但每家產能頂多在20至

60公噸間，顯少有突破百公噸的規模，除因為投資金額龐大外，

材料均勻性確保不易，更是關鍵。

摩根士丹利證券昨（17）日指出，快閃記憶體（NAND Flash）明

年上半年將有20%至25%的跌價壓力，跌價庫存損失將使群聯（

8299）明年的毛利率降至12%，因此群聯股價要下跌三成，才具

有投資價值，目標價180元，投資評等為「劣於大盤」。

根據集邦（Dramexchange）最新報價，主流8G-MLC的NAND Flash

昨報價為3.91美元，比起季初的5.6美元，跌幅29%。16G-MLC報

價為4.59美元，比起季初5.45美元，跌幅15%。

儘管市場認為群聯將受惠USB3.0，但摩根士丹利科技產業分析師

蘇厚合直言，英特爾最少要等到後年，才會把USB3.0內建至南橋

晶片，屆時供應鏈才會實際受惠，現在就反映USB3.0利多，太過

樂觀，因為群聯馬上要面臨的是NAND Flash明年再跌價兩成以上

的壓力。

蘇厚合指出，群聯超過90%以上的營收均與NAND Flash相關，報

價下滑時，將產生三大衝擊。首先，群聯有營收下滑、獲利跟著

減少的壓力。

摩根士丹利預估，群聯本季、下季的營收各為69億元、59億元；

每股稅後純益（EPS）分別為3.09元、2.2元，獲利季減28%。

摩根士丹利指出，以模組廠而言，13倍本益比屬於合理範圍；IC

設計可給到18倍，群聯兩者均有跨足，15倍的本益比，算是公允

的評價。以明年群聯預估每股稅後純益（EPS）為12.47元來看，

雖仍賺一個股本，但毛利、獲利的高峰期已過，目前的股價過分

反映獲利，群聯股價要跌三成，才是進場時機。

群聯昨（17）日上漲2.5元，以233元作收，留下9元的上影線；外

資本月賣超1,698張。

其次，NAND Flash報價下跌，跌價庫存損失的影憂，又將浮上檯

面。摩根士丹利以過去三年的歷史經驗為例，只要庫存金額超過

20億元以上，未來毛利均下滑30%；群聯第三季庫存，逾22億元。

第三，摩根士丹利認為，群聯未來固然可受惠固態硬碟（SSD）

，但SSD價格是傳統硬碟的好幾倍，主要OEM廠短時間之內，

不會採用SSD。

集邦科技（DRAMeXchange）表示，12月上旬NAND Flash合

約價部份持平及部份下跌，主流的MLC NAND Flash顆粒合約均價

下跌約1％到20％，SLC NAND Flash顆粒則維持平盤，12月NAND

Flash上下游業者因年底將屆，相關業者除有降低庫存的考量外，

也想趁年終銷售旺季進行降價促銷，因此12月份上旬主流MLC

NAND Flash合約價因旺季效應淡化，普遍下跌。

集邦科技表示，11月以來，記憶卡市場因交易商調降庫存、

業者降價促銷、白牌記憶卡供貨量增加等因素影響，記憶卡現貨

價格大幅走跌，因此帶動低容量NAND Flash顆粒價格走跌，此外

，12月下游系統產品及記憶卡客戶的採購量，也因年底結帳降低

庫存而明顯降低，且供應商的30奈米新製程產品的產出比重持續

增加，NAND Flash市場已由11月的供貨偏緊，轉為12月較寬鬆的

狀況。同時，12月NAND Flash下游客戶也想希望上游供應商降價

，來配合促銷，以刺激年終旺季買氣，因此供應商順勢調降12月

上旬的合約價。

集邦科技也表示，由於年底前下游客戶降庫存及降價促銷的

活動持續，且NAND Flash價格今年初以來已一路飆漲，因此近期

在傳統淡季來臨前開始回檔整理是正常的現象，但價格後市仍需

視NAND Flash終端應用產品往後的銷售狀況而定。

DRAM現貨價格大起大落，在台灣廠商產能提升，以及耶誕

節拉貨旺季已過，DRAM現貨價迅速反應供過於求的狀況，根據

集邦科技昨（2）日現貨報價調查，DDR2 1GB有效測試顆粒價格

，已跌破2美元，均價落在1.97美元，單日跌幅為0.3％，其他規格

的DRAM現貨價也全面回檔，從高點起算，DDR2的1GB 價格，已

經大幅回檔超過20％。

僅管各DRAM廠11月營收可望持續攀高，力晶也率先宣布11

月已經轉虧為盈，然台灣廠商產能開出，特別是力晶、南科已拉

高現貨市場的供應量，加上進入12月，聖誕節的拉貨高峰已過，

導致DRAM呈現供過於求的狀況，現貨價因此從高點回檔。

根據集邦科技（DRAMeXchange）的現貨價調查顯示，DDR2

1GB有效測試顆粒價格跌破2美元，均價僅1.97美元，高低價格

落在2美元至1.85美元之間，從這一波高點起算，跌幅已超過20％

，而其餘規格DRAM也跟進下跌，跌幅介於0.3％至1.76％，其中

以DDR 512Mb單日跌幅最顯著。

集邦科技預估，短期現貨價將震盪整理，約在2美元至2.5美

元之間，隨著現價價回跌，12月上旬合約價轉為小幅下跌，預估

12月合約價將下跌5％至10％。

DRAM廠進入11月營收公布密集期，力晶已經率先公布11月

營收達53億元，月增率高達27％，再創今年新高紀錄。