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DRAM廠上半年營運仍無法擺脫虧損陰霾，儘管國內各大廠積極轉型，但後市仍缺乏殺手級應用帶動DRAM強勁需求，加上國際大廠也意識到，不能再就標準型產品孤注一擲，紛紛轉進行動記憶體等非標準型領域，潛在供過於求壓力再起，為下半年市況增添不確定性，業者還有硬仗要打。

過往微軟每推出新世代作業系統，能促成電腦搭載DRAM容量增加，但目前Windows7僅需2GB記憶體就能順暢執行，由於作業系統的精簡化，讓近兩年PC記憶體搭載量成長受限，往年倚靠新作業系統上市所帶動的記憶體容量攀升已不復見。

集邦科技認為，儘管微軟致力於開發新Windows8，但除非能有新的殺手級應用，否則對於記憶體搭載容量的提升仍是有限；微軟宣布開發ARM架構的Windows8 ，除了搶攻平板與智慧型手機市場之外，也透露個人電腦（PC）成長動能趨緩，為後續DRAM需求投下另一個不確定因素。

隨著高分子電池市場需求大幅成長，集邦科技旗下研究機構EnergyTrend預估，在日韓廠有限的產能供應下，第二季高分子電池芯價格調漲超過5%，下游台灣電池組裝廠如新普（6121）、順達等已於第二季調漲售價，幅度也約5%，預估第三季有機會再調漲售價。

EnergyTrend表示，過去高分子電池產品僅限於蘋果為主的產品，隨著平板電腦等產品熱賣，第二季台灣電池組裝廠平均出貨量季成長就超過30%。

EnergyTrend預估，今年電池芯價格至少有10%的成長空間；隨著上游成本墊高，台灣電池組裝廠順勢將價格轉嫁客戶，第三季電池組裝廠可能會再調漲。

業內人士預估，第二季台灣電池組裝廠如新普、順達、加百裕等，單季出貨套數季增率明顯躍升，在傳統NB方面的電池出貨量，季增率約25%至50%，電池組裝廠產能幾乎都是滿載。

第二季大幅成長，法人預估，電池組裝廠第三季出貨量將僅微幅成長，至第四季各家品牌平板電腦陸續推出後，才會再現新的成長動能。

高分子電池組若以單價來看，與傳統筆電電池相當，但若以整機比例來看，仰賴電池芯的比重甚高。EnergyTrend表示，以高分子電池來說，電池芯占成本七成，圓柱型電池則占六成。

新普、順達在大吃蘋果新訂單及漲價效應挹助下，昨（4）日股價都亮燈漲停，新普收254.5元、上漲16.5元，創下上櫃來新高價。順達股價也創2008年6月以來新高價，收141.5元、上漲9元。

6月下旬DRAM合約價與現貨價同步走跌，根據集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調查，因PC OEM客戶手中庫存攀升至4周至5周，導致採購動作趨緩，6月下旬DRAM合約價續跌約5.5％，累計整個6月合約價跌掉約8％；現貨價則受到不良品拋出影響正規品價格拖累，累計跌幅也高達20％，集邦科技也預估，7月合約價恐持續走跌。

根據集邦科技的統計，2011年的DRAM產出的位元成長率達50％，雖較去年58％的位元成長率小幅減少，但今年PC年出貨成長率下滑至3.9％，加上下半年記憶體搭載量不如預期，更讓市場雪上加霜。PC　OEM廠為力保市占而祭出具競爭力的價格，導致記憶體搭載容量成長遲緩，也對市況相當不利。

近期科技大老紛紛預警下半年旺季不旺，集邦科技昨（23）日也指出，下半年有三大利空襲擊，包括Sandy Bridge滲透率不高、歐洲、美國消費力道疲弱，中國市場需求不如預期，以及來自平板電腦對低價NB的衝擊，預期下半年全球筆電出貨面臨挑戰。

集邦預估，下半年全球筆電總出貨為1.1億台、年增率僅9％，遠低於往年同期20％以上的年增率。集邦指出，今年下半年在廠商推出低價促銷優惠下，預期仍會帶動NB銷售，但有三大利空恐會干擾出貨量。

第一大利空是指舊機種庫存恐影響Sandy Bridge滲透率。集邦表示，筆電代工廠出貨的NB有6成是Sandy Bridge機種，但Sandy Bridge在終端通路的滲透率比例仍然不高，前代Calpella機種仍是銷售主流，因此舊機種庫存能否有效消化，將影響旺季新平台的銷售數字。

此外，集邦預期，歐洲消費力道疲弱，中國區銷售狀況不如預期，及美國失業率持續攀升下，將壓抑品牌廠出貨力道。第三大利空則是下半年將有更多功能性強大的平板電腦上市，恐仍會排擠消費者的PC預算，對低價NB的終端銷售將產生一定程度的衝擊。

事實上，上半年全球NB出貨已呈現大不如前的疲弱力道。根據集邦科技調查，5月份全球筆電出貨量達1,550萬台，僅比4月小幅成長0.4％，預估6月份受到海運比重提高，提早在6月進行旺季鋪貨，出貨量約會有1成左右的月增率。

總計第2季整體筆電出貨量僅4,820萬台，儘管第1季受到Sandy Bridge晶片瑕疵影響出貨，壓低了基期，但第2季並沒有出現太強勁的成長，季增率僅8.6％，只比去年同期小幅成長0.7％，遠不如過去五年平均超過20％以上的年增率成長。

此外，集邦預估，上半年NB總出貨量約9,270萬台，比去年同期還衰退0.8％，是過去五年同期首度出現負成長。根據集邦統計，過去五年間，上半年筆電出貨相較同期平均成長落在25％以上。

智慧型手機與平板電腦被視為消耗NAND Flash產能主力，不過受到總體經濟表現趨向疲弱影響，集邦科技認為，第2季智慧型手機、平板電腦出貨不如預期，短期將會衝擊NAND Flash價格。

根據集邦科技對第2季各項Flash需求的調查中，DRAMeXchange發現各項需求的出貨成長表現較預期中表現的疲弱。受到總體經濟不確定因素拖累的影響，歐美日的景氣復甦力道仍然緩慢，中國則由於通貨膨脹影響民間消費力道，智慧型手機的出貨，除了部分較為強勢的國際品牌表現可達到預期的目標值外，大部分廠商第2季出貨的動能相對趨緩。

至於平板電腦方面，除了蘋果iPad2在第2季將銷售版圖擴增至美國以外的市場外，其他非蘋果的陣營 如宏碁、華碩、RIM、三星等，也在第2季推出新款的平板電腦來搶攻市場，因此讓平板電腦的競爭進入更為激烈的局面，然而在軟體硬體等相關配套措施尚未成熟的情形下，加上日本大地震對於零組件如觸控面板、光學模組等，帶來部分產能吃緊與部分缺料的影響，第2季其他陣營的平板電腦出貨表現普遍不如預期，也讓系統產品的NAND Flash消耗量較DRAMeXchange預期低。

集邦科技表示，在零售市場的記憶卡與隨身碟的市場，也受到消費者對於IT產品的低迷買氣影響其出貨力道。根據DRAMeXchange的調查，目前普遍模組廠NAND Flash的庫存水位較正常時期有開始堆高的跡象，在終端市場的銷售成績表現也普遍不如預期，因此淡季效應的影響加上季底因素逐漸開始發酵，廠商對於備貨的態度也轉趨保守，因此集邦科技認為短期內主流NAND Flash合約價表現仍將相對弱勢，價格後續走勢仍將決定於系統產品的新產品上市效應，與零售市場的記憶卡與隨身碟的旺季回補表現，是否能夠在8月進一步回溫。

繼5月下旬合約價意外持平開出之後，6月上旬DRAM合約價轉為跌勢。根據集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange的調查，6月上旬DRAM合約價呈現下跌，DDR3 2GB及4GB合約均價跌幅各為2.67％與2.74％。集邦表示，因為PC需求不確定性加上記憶體搭載容量成長趨緩，6月下旬合約價持續走跌的可能性大增，而平板電腦、智慧型手機興起，擠壓PC生存空間，也間接衝擊DRAM搭載容量。

集邦指出，日震後矽晶圓的供應危機已正式解除，各DRAM廠對於下半年皆預計以滿產能投片，5月2GB合約價雖一度上攻，但由於下半年PC需求仍有不確定性，加上記憶體搭載容量的成長遲緩，歐洲與美國經濟體尚未完全復甦，PC　OEM廠在備貨上趨向謹慎，6月下旬的合約價持續下探的可能性增加。

根據集邦科技的統計，隨著今年平板電腦與智慧型手機的興起，PC出貨量已不若往年呈現高度成長，往年動輒10％以上的年成長率已經趨緩，今年全球PC成長率預估5％，僅優於2009年金融風暴時期的2.4％。從市場面來觀察，今年全球經濟並無嚴重衰退的跡象，改變的是PC商品已不是消費者在採購上唯一的選擇。

平板電腦與智慧型手機的熱銷，對仰賴PC產業甚深的DRAM廠並不算是好消息。在PC銷售上勢必受到一定程度的排擠，亦連帶造成標準型記憶體市場的萎縮。

此外，平板與手持式產品對於記憶體搭載量需求大幅降低，如平板電腦目前平均記憶體搭載容量不到1GB，而智慧型手機亦在512MB左右，遠低於現階段PC平均搭載量3.3GB，雖然目前行動式記憶體毛利率優於標準型記憶體，但各DRAM廠紛紛轉進下，產出量將於下半年大增，加上平板電腦出貨數字下修，亦讓下半年行動式記憶體的價格走勢增添隱憂。

受到季底以及淡季效應衝擊，NAND Flash的5月下旬合約價轉向跌勢，各規格下跌幅度拉大至8％至16％，其中以NAND 32Gb MLC規格下跌幅度最明顯，達15.8％。模組業者表示，NAND Flash景氣將視蘋果何時下單採購而定，今年記憶體產業景氣沒有大行情。

包括威剛、創見均有淡季效應，高階主管相繼表示5月營收較4月下滑，威剛已經率先公布營收實績，5月營收下滑逾7％，創下近期的新低水準。而記憶體的價格走勢也出現淡季效應，5月下旬DRAM合約價只有持平開出，NAND Flash的5月下旬合約價也相繼下挫，跌幅介於8％至16％。

集邦科技表示，多數的NAND Flash終端系統產品OEM市場的採購力道，轉趨疲軟，再加上部份NAND Flash供應商在季底結帳前，採行較積極的降價促銷策略，5月下旬部份主流NAND Flash的合約均價因此出現8％至16％跌幅。

而威剛董事長陳立白在電腦展上表示，NAND Flash行情要看最大採購商蘋果的動向而定，以往蘋果會在第2季開始拉貨，今年卻受到地震影響，部分供應鏈出現斷料情況，遞延了蘋果出手採購的時間點，如果接下來蘋果開始拉貨補庫存，NAND Flash景氣下半年有機會比DRAM好。

集邦科技預估，6月NAND Flash合約價仍將延續跌勢。集邦科技分析，NAND Flash價格在淡季有較大的回跌，將有助於激勵系統產品客戶於下半年，提升NAND Flash儲存容量的意願，預期到7月中時，下游客戶開始進行下半年旺季庫存回補，及新產品上市前的備料動作下，採購需求才會回溫。6月NAND Flash的合約價在淡季及季底效應之下，仍將會持續呈現下跌走勢。

集邦科技昨（2）日表示，儲存型快閃記憶體（NAND Flash）本月報價仍看跌，預期7月中旬過後需求回籠，有助價格走勢。

全球記憶體模組龍頭金士頓（Kingston）認為，NAND報價日益平民化，有助固態硬碟（SSD）等應用市場大增。金士頓今年大力衝刺SSD市場，目標全年挑戰總出貨量100萬片，創歷史新高。

金士頓樂觀預期，隨著NAND晶片價格持續修正，SSD每GB容量售價1美元的目標，最快在上游晶片廠邁入10奈米世代製程時，就能達成，預期時間點在明年下半年過後，屆時SSD價格就會非常具有競爭力，市場商機更大。

集邦表示，日本強震一度造成NAND終端擔心缺貨，大舉回補庫存，但隨著大陸五一長假過後需求轉淡，及日本強震供應鏈斷鏈問題逐步釐清，市場開始回復傳統淡季狀況，下游拉貨轉弱，價格開始下滑。

集邦指出，5月下旬NAND合約價反映傳統淡季需求轉淡衝擊，加上供應商趕在季底推出降價策略消化庫存，使得主流規格晶片價格壓力變大，跌幅約在8%至16%。

受市場行情轉淡影響，NAND概念股昨天走勢隨大盤拉回，同步修正，群聯、威剛、創見等，跌幅都逾1%。

金士頓認為，NAND價格下滑將刺激終端消費者購買SSD等NAND應用產品意願。以金士頓為例，旗下SSD產品主流規格出貨容量，幾乎每一季就大增一倍。

金士頓預期，SSD產品售價年底前降幅約10%至15%，該公司全力衝刺SSD領域，目標第四季全球單月出貨量達10萬片，比去年同期增加2.5倍；全年總出貨挑戰100萬片的歷史新高紀錄。

5月下旬DRAM合約價昨（25）日出爐，以持平價開出，走勢遜於業者預期。台灣最大DRAM合約市場供應商南科（2408）坦言，日本強震後強力拉貨潮暫告一段落，但合約市場需求不差，6月會力求與客戶協商漲價。

這是日本3月中旬強震之後，DRAM合約價首度終止漲勢。DRAM族群近期也受價格走勢不如預期影響，表現疲弱，昨天僅華亞科力守平盤；南科、力晶等，跌幅都超過1%。

集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調查，5月下旬DRAM合約價持平開出，主流規格2Gb DDR3晶片均價2.13美元，1Gb DDR3均價1.02美元。模組方面，2GB與4GB DDR3均價各為18.75、36.5美元。

相較合約價持平開出，現貨市場報價仍呈現小跌，2Gb DDR3 有效測試（eTT）晶片報價下探1.72美元，離業界原本預期要站上2美元仍有一段差距。業界原預期，5月下旬合約價將延續漲勢，但實際以持平開出。南科分析，當下合約市場需求並不差，但由於合約價與現貨價差異過大，導致部分買方降低拉貨力道，使得議價空間縮小。

南科認為，以目前市場氣氛來看，6月將繼續向客戶爭取漲價空間。至於第三季傳統旺季市況，首先要觀察下周電腦展後各地買家狀況，以及7、8月大陸拉貨情形，和後續歐美返校需求而定。

集邦科技公布5月下旬DRAM合約價，出現漲勢受挫情況，除利基型規格之外，其餘各規格DRAM合約價僅持平開出，價格上漲力道趨緩。集邦科技表示，由於矽晶圓大廠積極復工，斷鏈危機解除，加以DRAM庫存已經拉高至4周，替6月的合約價增添變數。

集邦科技分析，從市場面來觀察，由於先前兩家DRAM廠在40nm的良率問題已逐步獲得改善，供貨也有望恢復正常水準，而先前矽晶圓供應短缺的問題，在信越化學及SUMCO的積極復工下，預計第3季可回復地震前的產能，斷鍊危機已逐漸去化。

集邦科技也大膽預測，未來的位元成長率將趨緩。從2008年開始，全球DRAM廠競爭激烈，製程競賽自70nm製程後加速，能否優先導入先進製程成為各廠獲利關鍵，從早期一個製程技術可以沿用1年甚至2年的週期，加速到1年橫跨2個製程技術，目前各廠仍積極轉進40nm甚至30nm製程，雖然每一個製程技術，可以較前代技術增加20-30％產出量，但是提昇良率的穩定度卻顯日益困難。

集邦科技旗下研究部門DRAM eXchange昨日公布2010年記憶體模組廠營收排名，金士頓（Kingston）仍舊蟬聯全球之冠，但是全球市佔率卻以51.4％首度拿下逾半成績；前10大廠商中，僅金士頓的營收、市佔率見到成長，其餘9家的市佔率出現程度不一的衰退，顯見DRAM模組產業不僅大者恆大，市佔率更朝單一家金士頓傾斜。

根據集邦科技調查，2010年全球模組市場總銷售金額為93億美元，較2009年大幅成長約54％，營收的成長受惠於市場需求強勁與DRAM顆粒價格上 漲，從模組廠方面來比較，前5名就佔整體的銷售金額78％，前10名幾乎囊括全球模組市場中91％的營業額，其中又以金士頓表現最為亮眼，不光營收成長大幅躍進95.1％，與其他同業差距亦更加明顯 ，市占率直達51.4％，較去年39％成長12個百分點。

而威剛與記憶科技則是分佔第2名、第3名之列，市佔率處於伯仲之間，合計全球前10大的DRAM總營收比2009年大幅成長約55％，模組產業大者恆大的基調確立。

值得注意的是，前10大DRAM模組廠中，只有金士頓的營收與市佔率成長，市佔率一口氣從39.2％，提升至51.4％，增加逾12個百分點，營收也大增95.12％，雙雙拿下成長率之冠，其餘9家廠商流失的市佔率，幾乎由金士頓接收。

展望2011年，集邦科技表示，隨著DRAM顆粒價格自去年下半年一路走跌至今，現貨市場依然交投清淡，加上下半年PC市場中搭載4GB記憶體將漸成主流，讓模組廠的後續升級市場銷售日益困難，所幸一線模組廠皆已打入PC　OEM廠供應鏈，以確保銷售的穩定，並努力跨足工規市場、伺服器用記憶體乃至於超頻記憶體、軍規商品，並持續拉高Flash銷售比重，除了原有記憶卡與隨身碟外，SSD甚至於MCP產品都是各模組廠未來的發展重點之一，多角化經營模式將讓公司可以更靈活的調整營運策略。

集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示，5月上旬DRAM合約價維持上漲力道，DDR3 2GB合約高價來到19美元，平均漲幅2.7%，目前看來，有四大理由力促合約價格轉趨樂觀，上漲力道於5月下旬增強，下半年標準型記憶體價格有望擺脫陰霾。

根據DRAMeXchange的調查，5月上旬合約價再度呈現上漲的走勢，DDR3 2GB均價自18.25美元上漲至18.75美元(1Gb為1.02美元)，漲幅約2.74%，DDR3 4GB均價從35.5美元上漲至36.5美元(2Gb為2.13美元)，漲幅約為2.82%。

從市場面來觀察，DRAMeXchange表示，由於部分DRAM廠在40nm製程良率出現問題導致出貨延遲，一線PC-OEM廠考量避免後續PC出貨延宕，進而向其他DRAM廠購買，轉單效應讓5月合約價普遍成交價集中在高價19美元，反倒是低價成交價18.5美元成為市場少數，與之前合約價多普遍成交在均價與低價間截然不同，顯見拉貨力道積極，更讓後續價格走勢增添上漲動能，不排除合約價近期將有機會上攻2GB 20美元價位。

雖然上半年PC產業出貨表現不佳，但仍有不少PC-OEM廠對於下半年保持審慎樂觀的態度，並逐步拉高庫存水位，亦讓此波合約價呈現上漲走勢。

集邦科技分析近期DRAM市場現況，說明近期合約價格逐步攀升的原因。

第一，轉型非標準型記憶體效應漸趨明顯，由於智慧型手機與平板電腦興起，乃至於雲端應用之普及，加速DRAM廠增加行動式記憶體與伺服器用記憶體的產能，無形中排擠標準型記憶體的產出量，有機會讓標準型記憶體供過於求的狀況獲得紓解。

第二，目前已經傳出有二家DRAM廠發生40nm良率問題，由於品質不穩定在PC-OEM端已發生數起判退的情形，近期更傳出直指設計問題，良率及出貨短期難解導致供給PC-OEM廠的記憶體數量減少，帶動合約價格的翻揚。

第三，近期宏碁(2353)三降財測說明PC市場策略失誤，並宣布在未來加強智慧型手機與平板電腦的銷售，在此同時，一線PC-OEM廠悄悄拉高出貨比例，意圖搶奪宏碁PC的市占率，記憶體採購方面轉趨積極，亦能接受更高的合約價位。

第四，先前由於上半年市況不佳，PC-OEM庫存水位偏低，甚至部分廠商庫存水位不到一個月，早在4月已有廠商展開回補，供貨吃緊下至今仍難回復正常庫存水位，後續可能有更多庫存回補的需求發生。

全球前兩大DRAM廠三星、海力士於第一季法說會皆預估合約價於第二季將會上漲，5月上旬合約價起漲可能僅是此波趨勢的開端，整體市場合約價上漲力道將有機會於5月下旬與6月逐步轉強。

5月上旬DRAM合約價昨（11）日出爐，主流規格2Gb DDR3晶片漲幅約3%，均價2.13美元，是近期連續第三度調漲。不過，現貨價並未隨之起舞，仍維持在1.82美元附近整理。

業者分析，合約與現貨市場報價走勢不同調，反映電腦（PC）品牌廠備貨積極，但零售通路買氣仍低迷。尤其一線大廠面臨新製程轉換不順，部分無法出貨給合約客戶的晶片只能轉至現貨市場出售，也增加現貨價走勢壓力。

合約與現貨市場走勢不同調，讓證券市場買盤趨於觀望，DRAM族群昨天並未反映合約價續三度調漲利多激勵，南科（2408）、華亞科、力晶、威剛、勁永等都收黑。力晶更重挫跌停板收市；威剛一度失守40元整數關卡，收盤價40.05元、下跌1.65元，下探波段低點。

集邦科技昨天最新報價，5月上旬2Gb DDR3晶片合約價平均漲幅在2.96%至3.4%，均價2.13美元。模組方面，2GB與4GB 漲幅在2.74%至2.86%，均價各為18.75及36.5美元。

集邦指出，部分一線晶片廠40奈米製程良率出現問題導致出貨延遲，在PC品牌廠積極拉貨帶動下，促成5月上旬合約價持續走揚。由於先前DRAM市況不佳，PC品牌廠庫存水位偏低，近期開始回補，考量終端庫存回補仍未達正常水位，後續拉貨力道將會延續。

此外，各大廠轉型非標準型記憶體，排擠標準型記憶體產出，有機會抒解標準型記憶體供過於求的狀況。

集邦認為，各大DRAM廠普遍看好本季價格走揚，5月上旬合約價起漲可能僅是此波趨勢的開端，預期合約價上漲力道有機會在5月下旬與6月逐步轉強，2GB模組價短期有望上攻20 美元。

集邦科技昨（26）日公布4月下旬DRAM合約價，DDR3 2GB與DDR3 4GB價格上漲約1.4％，價格延續4月上旬的上漲態勢，集邦科技分析，主因是兩家DRAM廠40nm良率問題導致出貨遞延，以及PC OEM廠採購轉趨積極所致。

南科法說會指出，DRAM價格可望月月上漲，與集邦科技昨日開出的4月合約價相吻合。集邦科技認為，近期DRAM合約價走勢，除日本震災影響外，PC OEM採購策略的改變，以及部份DRAM廠在40nm製程良率出現問題亦是主要原因。

首先由於宏碁三降財測突顯產品策略失誤，部份PC OEM廠趁勢提升出貨量搶佔市占率，亦帶動DRAM採購需求。同時近期有兩家DRAM廠在40nm製程良率出現問題，導致出貨遞延，也是讓4月下旬合約價維持成長動能的主因。

至於矽晶圓供貨上，根據最近集邦科技的訪查，受到地震衝擊下，先前傳出矽晶圓取得有困難的廠商，已獲得廠商支援與手上庫存因應，投片能見度已經延伸至6月。

根據集邦科技調查，4月下旬DDR3 2GB模組合約均價自18美元上漲至18.25美元，漲幅約1.39％，DDR3 4GB均價亦上漲至35.5美元，漲幅約在1.43％。若以顆粒報價來看，DDR3 2Gb上漲1.48％，均價為2.06美元。

根據集邦科技旗下研究機構DRAMeXchange調查，4月上旬NAND Flash合約價大致呈現持平或部份小漲約2％至5％，多數NAND Flash供應商在3月已先行調高合約價約10％至15％，以反應日本大地震後的供給面不確定因素，因此4月上旬漲勢趨緩。

集邦科技指出，雖然多數NAND Flash供應商在地震過後，多傾向維持原先的2011產出量目標 ，但部份NAND Flash供應商在考量今年第2季、第3季上游原物料供貨，以及系統產品OEM訂單的接單狀況後，仍將會進行小幅的擴產動作。

在需求面上，隨著NAND Flash下游客戶在準備完中國五一勞動節假期所需庫存後，傳統的NAND Flash淡季效應也將會逐漸開始發酵，同時隨著供應商的20奈米新製程技術更趨成熟後，產出比重也將會在今年第3季進一步增加，集邦科技預期今年第2季之前， NAND Flash合約價將可望維持穩定的狀況。但之後價格也將會開始回跌，以反應NAND Flash淡季效應，及部份原物料供給吃緊的問題獲得紓解。

集邦科技昨（11）日公布4月上旬DRAM合約價，DDR3 2Gb顆粒與DDR3 4GB價格均上漲逾6％，DDR3 2Gb顆粒重新站上暌違已久的2美元，均價達2.3美元水準，漲幅呈現拉大趨勢。集邦科技表示，矽晶圓供貨出現疑慮，牽制DRAM產能開出，及40奈米製程傳出良率不順，增加OEM廠拉高庫存意願。

3月下旬DRAM合約價漲幅超過3％，4月上旬持續上漲，漲幅拉大到6％以上。集邦科技指出，就市場面觀察，由於日本東北大地震影響下，DRAM廠掀起矽晶圓搶料作戰，矽晶圓廠也釋出手上庫存來滿足產業需求，加上DRAM廠普遍都有1個月以上的庫存量，DRAM廠投片的能見度可至第2季末，但長期來看，若矽晶圓大廠不能在近期恢復正常運作，DRAM供應鏈受到衝擊勢必陸續浮現。

由於通路庫存已低，集邦科技昨日公布的3月下旬DRAM合約價幾乎全面上漲，平均漲逾3％，集邦科技估計，信越化學的福島白河廠與SUMCO的山形米澤廠，將影響全球20％至25％矽晶圓供應，PC OEM廠拉高庫存意願提升，4月漲勢將可延續。

在通路庫存不高，及下游OEM廠拉高庫存量的意願攀升之下，DRAM的3月下旬合約價幾乎全數走揚，DDR3 4GB模組價格上漲3.23％，價格來到33美元，DDR3 2Gb顆粒價格也漲3.8％，均價1.91美元，其餘各類規格也普遍上漲逾3％。

集邦科技表示從市場面來觀察，雖然日本地震震撼全球，但從筆記型電腦市場來看，日本僅佔全球市場的5％左右，加上緊接而來的歐美返校需求，PC OEM廠勢必積極備料，集邦科技預估4月合約價格仍將繼續維持上漲的動能。

集邦科技也分析上游矽晶圓供應狀況，根據集邦科技調查，三星上游矽晶圓供應商有5家，分佈美日韓等區域，即使日本在震災中受創，全球策略考量下，亦讓三星的原物料供應幾乎無損。海力士的矽晶圓來源大都由信越化學供應，雖然福島白河廠受創嚴重，但其他地區工廠甚至其他供應商仍可持續供應矽晶圓給海力士，美光大都由美系矽晶圓廠供應，日本地震影響不大。

而爾必達及其子公司瑞晶方面，由於供貨大都來自於重災區的信越化學的福島白河廠，已啟動第二供應鏈，向供應商採購矽晶圓，加上庫存尚有1個月，將持續觀察信越化學後續狀況。

反觀台灣廠商，力晶在矽晶圓的供應上配合廠商有4家，信越化學受創，不足部份將由其他3家供應商供應，南科與華亞科方面，矽晶圓大都由台塑與SUMCO合作的台勝科供應，亦不受日本地震波及，甚至封測所需的BT樹脂，台塑集團亦有生產，亦是此次震災中受傷甚微的廠商。

集邦科技調查，日本強震造成日本儲存型快閃記憶體（NAND Flash）大廠東芝上半年產出約減少10%，預估今年全球NAND Flash 全球總供給量約減少4%，不過，在恐慌性買盤結束後，第二季會跌回合理價位。

根據集邦科技旗下研究機構DRAMeXchange對NAND Flash最新的調查，NAND Flash上周受到日本大地震後資訊不明及預期缺貨的恐慌性搶料買盤推升，現貨價一度單日上漲逾22%，連帶也帶動3月上旬主流NAND Flash合約均價大漲約5%到15%。

集邦表示，市場預期會缺貨，主要是擔心東芝位在四日市的NAND Flash工廠短期無法復工，以及上游的原物料和設備供應商也因限電和供電不穩，以及聯外運輸等基礎設施損毀，擔心NAND Flash供料無法短期恢復。

不過，集邦近日密集查詢相關供應鏈，最嚴重的即是信越化學的矽晶圓產能無法短期復原，信越半導體是全球主要的IC矽晶圓供應商之一，但若能在一個月內回復到正常穩定生產狀況，今年應不致造成缺貨。東芝主要NAND Flash生產線受影響相當輕微。

集邦表示，日本半導體相關業者對廠房設施的設計及建造均有預先做防震的考量，廠房的毀損並不很嚴重，反而是供電不穩問題較大；其次，日本主要NAND Flash廠商都有採取分散矽晶圓採購來源，庫存水位約在一個半月到二個月左右，短期而言，尚不至於影響到NAND Flash廠商的正常生產。

集邦根據日本大地對東芝及晟碟（SanDisk）陣營所造成的晶圓減損量，推估將造成東芝今年上半年Nand Flash總產出減少約10%以下，換算今年全球NAND Flash總位元供給量約減少4%以下，有助縮小供過於求的缺口。

不過，因今年上半年非蘋果體系的平板電腦銷售不如預期，加上未來三到六個月是記憶卡的傳統淡季，預料在日本大地震相關供應不確定因素解決後，NAND Flash價格會回到較合理價位，業者推估，NAND Flash應不至於再飆漲，但全年均價跌幅會減緩。

DRAM現貨價格漲勢已經明顯縮小，華亞科總經理高啟全表示，主要是擔憂缺貨的預期心理所致，他認為日本東北大地震之後，華亞科部分塑料、電子化學品來自日本，確實會有一小部分影響，但可望在1個月內恢復正常，反倒是，日系電子零組件若無法順利出貨，恐怕會壓抑整體需求，供應鏈中斷，這才是令他擔憂之處，而華亞科並不樂見這種情況發生。DRAM現貨價走勢僅僅一日行情，單日爆漲6％-9％以後，昨(15)日漲幅在1％以內，NAND Flash漲價幅度也縮減至5％左右，追價力道似乎減弱。高啟全出席美林科技論壇時表示，DRAM現貨價格大漲，原因出於預期心理，日本地震雖對短期供需造成波動，但長期影響不大。他分析，對華亞科來說，主要的上游材料矽晶圓來自九州，供應沒有問題，另外有一些塑料、電子化學品的確是來自日本，會有一些影響，但是應該在1個月之內可以復原。高啟全比較憂慮的是，科技產品的電子零組件很多來自日本，零組件無法順利出貨，恐怕會壓抑整體的需求；電子供應鏈中斷，華亞科並不樂見。

集邦科技近期開出的3月上旬DRAM合約價，並沒有順利起漲，與南科、華亞科近期對合約價走勢預估似乎不符，引發下游需求是否不振的疑慮？高啟全對此僅表示，需求會愈來愈好。

集邦科技公佈的3月上旬DRAM合約價中，主流規格DDR3 4GB與DDR3 2GB模組價分別呈現持平，各為32美元、16.5美元；DDR3 2Gb與1Gb的顆粒價格也分別維持1.84美元、0.88美元價位，僅開出持平走勢，並未順利起漲。

在擔憂上游矽晶圓缺貨之下，DRAM現貨報價全面大漲，DDR3 2Gb品牌顆粒與eTT顆粒，勁揚6.79∼7.25％，品牌顆粒報2.14美元；快閃型記憶體（NAND Flash）更出現暴漲走勢，32Gb MLC最後一盤價格飆漲20.48％。

日本東北大地震之後的第一個交易日，記憶體類股表現兩樣情，爾必達因廣島廠位居日本，即使該廠已恢復生產，仍不敵3月合約價沒有順利起漲的失望性賣壓，引動日本現股殺盤，單日重挫12.14％，收盤價跌破1,000日圓大關，爾必達台灣TDR開盤即無量跌停；但日系以外DRAM廠像韓國三星漲 4.4％，海力士漲8.7％，台灣力晶、南科、華亞科均漲停。

在狀況未明之下，記憶體顆粒原廠三星、Hynix、力晶（5346）聯手停止報價。

日本東北大地震對半導體產業衝擊仍在估計當中，但是記憶體報價卻因為NAND Flash供應商東芝的工廠位於日本東北，以及DRAM顆粒原廠評估震後損失暫停報價，導致DRAM與NAND現貨先漲再說，雙雙上演飆漲走勢。

集邦科技指出，受到半導體的矽晶圓供貨吃緊影響，在DRAM現貨市場方面，韓國三星、Hynix開始停止報價，力晶已經暫停DRAM現貨報價。

已經停止報價的力晶表示，因為目前狀況不明，上周五暫停報價之後，何時恢復報價還無法確定；南科雖然現貨持續報價，卻會彈性調整，南科副總經理白培霖表示，大地震之後並沒有感受到客戶瘋狂搶貨的意圖，但是通路上的庫存本來就低，在預期斷料導致拿不到貨的預期心理下，的確是會激勵一些買盤搶進，南科認為，大地震對需求推升至少要等重建之後，才會有激勵作用。

DRAM原廠雖然暫停報價，然因為通路商還有零星交易，因此集邦科技的現貨報價網站仍開出現貨價格，根據該網站的報價顯示，DRAM現貨走勢呈現飆漲，一整天的上漲幅度最高逼近7％，NAND更一度飆漲近20％，堪稱今年以來最驃悍的走勢。

業者指出，NAND漲勢更甚DRAM主要是因東芝為全球第二大供應商，該廠位居東北，NAND今年因為平板電腦熱備受看好，需求比DRAM更為殷切，領導廠商如果原材料斷炊，勢必有缺貨之虞，在此預期心理下，推升買盤湧入。

根據集邦科技網站昨日開出最後一盤現貨價顯示，DDR3 2Gb顆粒價格大漲6.79∼7.25％，NAND Flash更因iPad2改用東芝的NAND Flash，導致32Gb MLC現貨爆漲20.48％，是單日漲幅之冠。

而記憶體類股昨日以爾必達獨憔悴，除日本東北大地震，引發供貨斷炊的聯想之外，昨日集邦科技開出的3月上旬合約價，並未如原先預期出現上漲走勢，各規格合約價相繼以平盤開出，與爾必達社長?本幸雄預測的漲幅出現落差，衝擊爾必達的股價表現創2011年以來新低紀錄。

而合約價沒順利起漲，也影響到合約大廠南科股價，南科以合約市場為主，昨日雖見到漲停，但收盤價未能守住漲勢，以現貨市場為主的力晶反成追價標的。

另外東北大地震的記憶體受害股以旺宏首當其衝，旺宏為日本任天堂3DS遊戲機的ROM（唯讀記憶體）供應商，市場憂心日本國難之後，會澆熄市場買氣，衝擊旺宏股價表現。