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NAND價飆 概念股樂透 下旬合約價平均漲一成 創見、威剛、勁永

、至上、群聯受惠

NAND Flash春燕飛來，新出爐的4月下旬合約價全面大漲，主流規

格平均漲幅都在一成左右，最高的更逼近兩成，這是NAND Flash

合約價從去年下半年起開始往下修正以來，首度大幅彈升，創見

（2451）、威剛（3260）、勁永（6145）、至上（8112）、群聯

（8299）等NAND概念股將直接受惠。

NAND Flash首季價格低迷，業者業績紛紛「度小月」，除群聯單

季每股純益跌破2元外，記憶體模組廠更同時受到DRAM價格不振

的羈絆，第一季恐怕只有創見（2451）能維持獲利態勢，其餘都

難逃虧損窘境，在NAND Flash價格率先反彈下，概念股業績可望

同步回溫。

根據NAND Flash專業報價機構英鼎科技（inSpecturm）的最新報

價，4月下旬NAND Flash價格呈大彈升態勢，其中主流規格8Gb

MLC晶片最高漲幅達13.79%，平均漲幅也有10.7%，均價站穩3美

元價位；16Gb到64Gb MLC晶片均價漲幅也有9.88%至13.07%的水

準，尤其是64Gb MLC晶片最高漲幅高達19.09%，漲勢最為驚人。

NAND Flash價格急彈，有助補平首季價格不振下業者面臨的龐大

跌價損失風險，不僅上游控制IC設計商群聯等將可受惠，對記憶

體模組業者來說，在DRAM價格已有回升態勢下，NAND市況又急

轉向上，將是更大受惠者；至於代理商至上等，若先前有充裕低

價庫存，挹注營運效力也不容忽視。

業者對市況看法也轉向積極，創見表示：「價格反彈是個大好消

息。」該公司首季確定持續獲利，由於先前價格已處於谷底，不

少客戶開始拉貨，刺激需求增溫並帶動價格揚升，本月還有約一

周的工作天，但創見出貨量已逼近上月總和，預期營運也將同步

走揚。

群聯也認為，目前市況正逐步好轉中，該公司4月接單已顯著回溫

，且今年固態硬碟（SSD）控制IC與模組策略也將逐步發酵，預期

4、5月狀況都「相當樂觀」，加上先前備有許多低價庫存，估計

毛利率將可站穩兩位數關卡。

4月下旬DRAM合約價雖僅小漲3%左右，不如業界預期，但已透露

市況回溫的好兆頭。集邦科技（DRAMeXchange）昨（22）日表示

，在現貨市場價格逐步墊高帶動下，隨著時序邁入旺季準備期，

合約價應可從6月正式起漲至第三季末，漲幅可望高達三成，有助

帶動業者業績回溫。

集邦表示，日前512Mb與1Gb DDRII有效測試（eTT）顆粒報價單

日漲幅分別大漲5.32%與6.69%。

DRAM下旬合約價 彈升逾3%大摩：下季啟動補貨潮 力成華亞科看

好

DRAM合約、現貨價雙漲，4月下旬1GB模組合約價彈升逾3%，

512MB模組則大漲1成以上；至於現貨價，昨天ETT（有效測試顆

粒）大漲超過5%；摩根士丹利證券分析師王安亞最新報告則指出

，預料目前代工廠手上存貨會在第2季用罄，第3季起開始補充存

貨，DRAM價格有機會在第3季起死回生。

起死回生

王安亞報告指出，DRAM價格已觸底，預料目前代工廠手上存貨

會在本季用罄，第3季起開始補充存貨，加上製程轉移，導致供貨

量減少，以及傳統旺季需求來臨，DRAM價格有機會在第3季起死

回生，看好力成（6239）和華亞科（3474）。

5月合約價持平微漲

王安亞表示，台灣DRAM類股過去5~8月股價，平均上漲了11%，

今年應當也不例外，他調升長期獲利成長預估值，並認為今年業

者勢必撙節資本支出，整體供需不致於嚴重失調，點名看好力成

和華亞科，力成為投資首選，華亞科則因南科（2408）、奇夢達

與美光等合併案，化解產業尷尬期，隨著技術突破與改善，股價

具備逢低買進價值。

根據DRAMeXchange報價，512MB DDR2 667MHz模組報價在

10~11美元，均價10.5美元，漲幅高達11.11%，1GB DDR2 667MHz

模組在17~19美元，均價18美元，漲幅達3.03%，換算顆粒合約均

價彈升至1.88美元，漲幅約3.43%。

DRAMeXchange表示，4月下旬合約價順利回升，主要是因為韓國

DRAM供應商66奈米製程轉換不順，及國內某DRAM製造廠轉換70

奈米製程導致產出下滑所致，即便本季DRAM市場需求依然疲弱

，不過在部分DRAM製造廠70奈米製程良率無法有效提升下，5月

DRAM合約價仍可望持平或微幅上漲。

4月初開始，由爾必達帶頭強力喊話，要調漲DRAM合約價，上半

月由於市場對漲價仍不認同，因此漲價是雷聲大雨點小，漲幅還

不到5%，到了下半月，市場逐漸接受漲價的趨勢，合約價終於有

較大幅度漲價動作，可望降低營運壓力。

而在現貨價部分，據了解，由於最大ETT供應商控制出貨數量，

強力拉抬價格，昨天傍晚512Mb報價大漲6.69%，均價達0.96美元

，1Gb報價上漲5.32%，均價回到1.9美元。

在3月底結完季報後，現貨市場有較大動力，由於現貨市場供應商

預期在6月DRAM價格，就會有較大幅漲價動作，因此嚴格控制出

貨量，紛紛提高庫存量，或放在通路商手上，價格過低就不出貨

，使市場供給減少。

根據集邦科技所公布的全球DRAM 4月下半合約價資料來看，無

論是512Mb及1Gb顆粒均較4月上半同步調漲逾3%，這樣的漲幅

對於DRAM廠來說已相對不錯，因為原本市場認為淡季效應下，

合約價走跌或持平機率較高，如今得以開出紅盤，已算是優於預

期，不過這樣的漲幅對於部分原先認為4月合約價應可調漲20%的

預期仍有相當大的距離。

根據集邦科技報價資料來看，4月下旬合約價調漲幅度大約均達

到3%以上，512Mb與1Gb顆粒合約價大約在0.94與1.88美元，這樣

的價位均已較4月上半調漲些微，最高漲幅大約落在3.67%，最低

漲幅也有3.2%，最讓人感到欣慰的便是1Gb顆粒最高成交價已成

功拉回至2美元以上，這對於DRAM廠而言，是1項相當重要的心

理關卡。

市場分析師認為，4月下旬合約價之所以得以跌深反彈，主要因

南韓DRAM大廠海力士旗下66奈米製程技術轉換不順，再加上台

灣DRAM廠轉換70奈米製程進一步造成整體產出減少所致。因此

就現階段狀態看來，雖說2008年第2季DRAM市況仍算相對淡季，

不過由於DRAM業者生產良率仍受制新製程轉換無法及時提升，

造成整體產出減少，未來進入5月上旬的合約價可望有持平以上

水準。

對於4月下半合約價調漲約3%以上，市場人士普遍認為已是優於

原先市場預期，即便有3%漲幅，DRAM廠認為還是不夠，畢竟原

先部分DRAM廠認為4月合約價應有20%漲幅，換算下半月也應有

10%漲幅，因此此幅度看在DRAM廠眼中還是仍嫌不足。

DRAM廠本週起將進入一連串超級法說，將由力晶、南科、華亞

科先於本週三(23日)登場，一般預料5大DRAM廠首季虧損接近約

新台幣400億元，因此市場分析師除了關心本季虧損是否大幅減

少及公司現金外，台灣DRAM廠國際策略聯盟大洗牌，南亞科、

華亞科、茂德未來方向都將成為本週法說會關注焦點。

另外，美光(Micron)與南亞科共同發布新聞稿，美光已經與南亞科

簽約成立DRAM合資企業MeiYa Technology Corporation，雙方在3月

3日宣布簽訂合作備忘錄。新聞稿指出，南亞科的二廠也就是8吋

廠，將在2008年升級至12吋廠，預估2009年即可加入量產行列。

除了MeiYa Technology以外，美光與南科也將攜手開發分享新技

術。

除此之外，美光與南亞科將各持有MeiYa Technology約50%股權，

雙方將在2009年底以前，各自提撥5.5億美元的現金參與營運。

DRAM4月下旬合約價出爐，512Mb與1Gb DDRII同步上揚逾3%，是

近二個月來首度上漲，雖然漲幅離業者預期的5到10%仍有差距，

但透露市場需求確有復甦跡象，未來價格能否持續轉強，成為台

灣DRAM廠明天起陸續展開的法說會焦點。

根據集邦科技（DRAMeXchange）最新報價，4月下旬512Mb與

1Gb DDRII合約均價各為0.94及1.88美元，都比4月上旬上漲，其中

成交價最高漲幅達3.67%，最低價也上漲3.2%，1Gb DDRII最高價則

再度收復2美元大關，報價為2美元整。

分析師表示，4月下旬合約價小幅揚升，透露需求端逐漸轉強，幅

度雖比業者預期的小，透露一些DRAM業者實際漲價計畫不如預期

，以及不少個人電腦OEM廠仍不願接受漲價的狀況，才會拉低整

體價格最終漲幅。

集邦（ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ）發布周報表示，ＤＲＡＭ現

貨市場上周呈現攀高整理，供給量維持相對較低水位，不易出現

太大賣壓，集邦分析師指出，合約價目前大致呈現持平或約略小

漲態勢，但儘管合約價格已止穩，但對於已長期價格低迷的

ＤＲＡＭ產業來說，下游的記憶體模組廠仍面臨旺季前的最後寒

冬，繼宏億國（３０７９）之後，國內另一家廠商勤茂也宣布歇

業。

分析ＤＲＡＭ的價格，集邦表示，若從賣方來看，雖未見合約價

調漲之現象，由於價已跌深，許多廠商早已賠本生產，ＤＲＡＭ

原廠在價格的捍衛上，截至目前尚未出現軟化態勢。

在合約市場供應商陸續調漲價格後，近期ＤＲＡＭ現貨市場也受

到激勵，４月以來漲幅都有１成以上水準，１Ｇｂ的原廠顆粒均

價還突破２美元，５１２Ｍｂ也回到０．９６美元，整體市場氣

氛確實好轉。

而在需求端部分，近期ＯＥＭ對２ＧＢ模組的需求逐步增加，集

邦表示，主要原因在於不少消費者偏好１條２ＧＢ模組勝過２條

１ＧＢ模組，以便未來ＤＲＡＭ容量升級，以目前２ＧＢ模組價

格約落在４０美元附近，與１ＧＢ模組均價２倍的３５美元仍有

落差，隨未來需求量大，相對於１ＧＢ模組，將有較大降價空間

。

在模組廠方面，模組產業再次出現撐不下去ＤＲＡＭ寒冬而退出

的廠商，集邦表示，模組廠現階段除規模較大的金士頓（

Ｋｉｎｇｓｔｏｎ）、創見（２４５１）等之外，多採保守經營

策略，盡可能降低庫存水位避免價格風險，改以賺取加工利潤為

中心，在旺季來臨、ＤＲＡＭ寒冬結束之前，模組廠現金調度能

力與經營策略成為未來能否繼續存活的重要因素。

但集邦也認為，模組廠在ＤＲＡＭ原廠與下游之間具類似水庫調

節水量之功能，對於現貨市場供給的消化，有一定的貢獻，倘若

模組廠家數在一次景氣衰退期裡減少太多，對ＤＲＡＭ現貨市場

並非好事。

集邦：NAND本季供過於求 部分規格產品價格仍小跌 預期下半年

旺季來臨 才可望供需平衡

ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ近期現貨價格回揚，集邦科技（

ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ）昨（１５）日表示，第二季

ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ仍將處於供過於求，預期下半年傳統旺季

來臨後，才可望轉為供需平衡。

ＤＲＡＭ方面，在晶片製造商捍衛價格態度未見軟化下，現階段

合約價大致呈現持平或約略小漲態勢，但近期２ＧＢ模組均價約

４０美元，與１ＧＢ模組均價兩倍的３５美元仍有落差，則可能

有較大降價空間。

至於４月上旬合約價平均價格變動區間則約在負３％到７％左右

，部分規格產品出現止跌小漲。

集邦指出，已走弱半年的主流８Ｇｂ　ＭＬＣ規格ＮＡＮＤ

Ｆｌａｓｈ晶片過去一周來開始出現反彈，主要受惠韓國海力士

（Ｈｙｎｉｘ）開始進行８吋廠Ｍ９減產和１２吋廠Ｍ１１延後

生產，加上ＩＭ　Ｆｌａｓｈ　公司在新加坡興建的１２吋廠量

產計畫遞延，但部分規格仍呈現小跌，透露第二季ＮＡＮＤ

Ｆｌａｓｈ仍處於淡季。

集邦認為，本季ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ價格能否開始走強，決定

因素還是在於終端市場需求量在近期內是否會出現明顯的增加而

定。目前看來，ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ合約價格短期內將出現止

跌回穩，伴隨下半年傳統旺季來臨，市場也可望由現階段的供過

於求轉為供需平衡。

集邦認為，在記憶體寒冬結束前，模組廠現金調度能力與經營策

略成為未來能否繼續存活的重要因素，但由於模組廠在ＤＲＡＭ

原廠與下游之間具類似水庫調節水量功能，若模組廠家數在一次

景氣衰退期裡減少太多，對ＤＲＡＭ現貨市場並非好事。法人認

為，首季ＤＲＡＭ市場供過於求，價格跌破成本，是業者擺脫不

了虧損陰霾的主因，近期國際ＤＲＡＭ大廠普遍看多價格走勢，

爾必達與南科等都陸續調高合約價５％到１０％，繼美光、爾必

達前接連公布財報大虧後，台灣ＤＲＡＭ廠業將邁入首季法說會

財報公布期，屆時將是解讀第二季景氣指標的重要風向球。

在爾必達、南科（２４０８）等大廠積極做多合約價下，業者普

遍預期第二季ＤＲＡＭ市況逐步回揚，依照大廠動態，第二季需

求似有回升的跡象，在美光、爾必達等大廠財報利空之後，頗有

「利空出盡」的味道，有機會擺脫一年多來的低潮。

上周五美股重挫逾２％，上漲與下跌家數比約１比９，但德國

ＤＲＡＭ大廠奇夢達（Ｑｉｍｏｎｄａ）收盤仍逆勢走揚，成為

指數大跌中的異軍；另一大廠美國美光（Ｍｉｃｒｏｎ）雖收黑

，但尾盤從低點上拉，終場跌幅約１．２９％，表現仍優於大盤

，透露ＤＲＡＭ族群在國際股市中已有投資人看好業者營運回揚

，陸續進場布局，走勢相對抗跌。

繼美光、爾必達前接連公布財報大虧後，台灣ＤＲＡＭ廠業將邁

入首季財報公布期，南科與華亞科「母子檔」本月２３日舉行法

說會，其餘業者也正敲定時間。

法人認為，首季ＤＲＡＭ市場供過於求，價格跌破成本，是業者

擺脫不了虧損陰霾的主因，近期國際ＤＲＡＭ大廠普遍看多價格

走勢，爾必達與南科等都陸續調高合約價５％到１０％，法說會

將是解讀第二季景氣指標的重要風向球。

外資圈也看好ＤＲＡＭ族群基本面將逐步反彈，花旗環球證券首

席分析師陸行之便認為，第二季ＤＲＡＭ市場雖然仍算疲弱，但

業者營運可望逐步回溫，看好力晶（５３４６）與華亞科（

３４７４），估計第二季運獲利率至少成長１５個百分點。

而根據集邦科技（ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ）報價，４月上旬

ＤＲＡＭ合約價以持平開出，其中５１２Ｍｂ與１Ｇｂ　ＤＤＲ

ＩＩ顆粒均價各為０．９１與１．８１美元，雖未如大廠所期呈

現大漲，但至少「止跌」態勢確立，下游模組報價也普遍持平，

１ＧＢ與２ＧＢ容量報價各為１７．５與４０美元。

業者普遍認為，ＤＲＡＭ價格止跌態勢確立，下半年又將步入旺

季，ＤＲＡＭ價格爬升有望，有機會擺脫一年多來的低潮，產業

景氣在供過於求狀況有改善的前提下，可望逐步復甦。

集邦科技（ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ）表示，在ＤＲＡＭ製造

商不願殺價賤售，力守價格底限下，隨著ＤＲＡＭ需求淡季逐漸

過去，未來數月若無意外，ＤＲＡＭ價格預期將緩步墊高。

日本記憶體大廠爾必達公布截至３月３１日的年度財報，虧損達

２００億日圓，為爾必達２００４年１１月掛牌來首度年度虧損

。台灣ＤＲＡＭ族群也將進入首季財報發布密集期，市場預期也

將多數處於虧損，但在業者對價格積極看多下，ＤＲＡＭ廠是否

能「利空出盡」，頗受矚目。

外電報導，爾必達截至３月３１日的年度營運虧損可能達２００

億日圓，由前年度獲利６８４億日圓由盈轉虧。爾必達也是繼美

光日前公布２００８會計年度第二季（２００７年１２月至

２００８年２月）財報，繳出每股淨損０．４１美元的成績單後

，又一家財報表現不佳的業者。

受爾必達財報不佳影響，台股ＤＲＡＭ族群昨天走勢普遍疲弱，

南科（２４０８）、茂德（５３８７）均由紅翻黑，力晶（

５３４６）力守平盤，僅華亞科（３４７４）收紅。台灣

ＤＲＡＭ廠業將邁入首季財報公布期，南科與華亞科「母子檔」

已訂於本月２３日舉行法說會，其餘業者也正敲定時間中。法人

認為，首季ＤＲＡＭ市場供過於求，價格跌破成本，是業者擺脫

不了虧損陰霾的主因，近期國際ＤＲＡＭ大廠普遍看多價格走勢

，爾必達與南科等都陸續調高合約價５％到１０％，法說會將是

解讀第二季景氣指標的重要風向球。

力晶認為，目前ＤＲＡＭ大廠普遍「有限制的擴產」，同時縮手

資本支出，對產業有正向幫助，目前看來，整體市況確實逐漸改

善中，但價格要突然上揚並不容易，預期第三季供需可望接近平

衡。

集邦科技（ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ）表示，在ＤＲＡＭ製造

商不願殺價賤售，力守價格底限下，隨著ＤＲＡＭ需求淡季逐漸

過去，未來數月若無意外，ＤＲＡＭ價格預期將緩步墊高。

DRAM價格低迷，大廠陸續醞釀調漲DRAM售價，包括爾必達、台

灣OEM大廠的南亞科（2408）發言人、副總白培霖均證實，四月

上旬合約價順利向上調漲五％至一○％。

DRAM不僅合約價順利止跌，現貨價也持續緩步攀升；其中

DDR2 1Gb 667MHz品牌顆粒現貨均價順利重登二美元關卡，創近

一個月來新高。

白培霖指出，市場傳言南韓海力士產能減緩缺口似有增加趨勢，

加上三星也跟進放緩資本支出投資進度，預估四月下旬DRAM合

約價仍有調漲機會。

集邦科技指出，目前各DRAM廠在顆粒價格逼近甚至低於變動成

本，現貨市場在業者不願低價拋售下，已有逐步回升。

DDR2 1Gb 667MHz品牌顆粒現貨均價已彈升至二．○一美元，四

月來漲幅三．六％；DDR21Gb eTT均價彈升到一．八美元，四月

來漲幅六．五％，同創一個月來新高。

集邦科技認為，目前單機搭載率（Content Per Box）平均已提升至

一．八GB、一．九GB。隨著DRAM需求淡季逐漸過去，有利於帶

動四月下旬合約價攀揚；未來數月若無意外，DRAM價格預期將

緩步墊高。

三月份DRAM族群除威剛、華邦電及創見營收比二月回溫外，力

晶、南亞科受制報價、匯率波動衝擊，單月營收不升反降。

由於今年第一季DRAM報價持續低迷下探，DRAM廠商第一季營運

虧損約與去年第四季相當，製程、新增產能貢獻進度不明顯者，

甚至虧損包袱有擴大壓力；虧損金額約在八十億元至百億元間。

力晶（5346）董事長黃崇仁昨（8）日表示，DRAM市況確實正在

逐季改善中，但市場供需最快要到第三季才會「接近平衡」，第

四季時，則有可能出現供給短缺的問題。

在爾必達（Elpida）、三星等大廠陸續針對DRAM價格喊漲之際，

黃崇仁認為，市場供需平衡還得在等一季才看得到。法人圈解讀

，「大廠規劃本月價格大漲兩成」的期望可能會落空，價格要真

正回揚，還需要一段時間。

而依集邦科技（DRAMeXchange）公布的4月上旬合約價，也未如

爾必達等大廠預期將會上調，而是維持平盤開出，其中512Mb與

1Gb DDRII顆粒均價各為0.91與1.81美元；模組部分，1GB與2GB容

量報價各為17.5與40美元。

外資券商高盛證券認為，若512Mb DDRII晶片價格持續在0.9美元

附近，DRAM業者將難以生存，晶片製造商可能會大幅向下修正

或取消計劃與削減產出等措施因應。價格走勢未見起色，DRAM

族群昨天走勢普遍疲弱，力晶、南科（2408）、華亞科（3474）

、茂德（5387）等，收盤跌幅都在1.5%以上。爾必達昨天早盤更

一度重挫7.25%，創近月來最大跌幅。

力晶昨天舉行竹科園區三、五路新廠動土典禮，預計在當地建立

兩座12吋晶圓廠，總投資額逾2,500億元。力晶現有三座12吋晶圓

廠，總月產能超過13萬片，新廠將以50奈米先進製程投產，每座

廠最大產能逾6萬片，包括經濟部長陳瑞隆，以及模組大廠威剛

（3260）董事長陳立白、創見（2454 ）董事長束崇萬等下游合作

伙伴都前來參加動土典禮。

黃崇仁表示，目前DRAM大廠普遍「有限制的擴產」，同時縮手

資本支出，對產業有正向幫助，目前看來，整體市況確實逐漸改

善中，但價格要突然上揚並不容易，預期第三季供需可望接近平

衡。

記憶體產業大老喊漲未奏效，四月上旬合約價持平！爾必達執行

長?本幸雄為了讓記憶體市場回歸自然機制，宣布四月上旬調漲合

約價一成，其後包括三星與海力士也有意跟進。

惟最新出爐的四月上旬合約價也僅持平，顯見在記憶體市況仍差

的前提下，不論科技大老，或是大廠喊漲，ＯＥＭ客戶不買單就

是不買單。

四月初爾必達執行長?本幸雄表示，基於全球第二大廠的社會責任

，也為了讓市場回歸自然機制，避免產業淪為愚蠢的金錢遊戲，

必須調漲合約價，否則若是讓情況持續惡化下去，到了今年底全

球就只剩下二家記憶體廠，無疑造就出另外一個壟斷市場。

爾必達四月初通知客戶，但客戶端對於漲價一事都有意見，儘管

爾必達強調仍將堅持到底，但市場預期漲價的過程不會順利。

而全球記憶體龍頭三星，先是認為此時喊漲沒有意義，但幾日後

，三星與海力士相繼動搖自己的立場，並改口「可以考慮漲價的

可能性」。

只不過，大廠或者大老喊漲喊得再激昂，卻難抵「數字會說話」

！集邦科技昨(八)日公佈的四月上旬合約價，DDR2 512Mb 667

MHz合約均價維持在○．九一美元的平盤價位，而DDR2 1GB模組

大致持平而且平均價格落在一七．五美元，尚未見到漲價狀況。

對此記憶體業者解釋，價格漲不動的原因很多，包括ＯＥＭ系統

大廠手中DRAM庫貨仍多、全球DRAM廠與模組業者手中的庫存水

位仍較往常多出至少一倍以上，另外第二季PC景氣也不及預期佳

等。

除此之外，記憶體業者也強調，供給過剩，是現下全球記憶體產

業遭遇到最嚴重的問題，雖然包括海力士、三星、爾必達，甚至

力晶、茂德、南亞科等台系廠均放緩擴產腳步，但就產出端來看

，卻都忽略掉兩家DRAM專業代工產能開出的腳步。

以力晶與爾必達合資的瑞晶來說，去年第三季只有一萬片，現在

單月已經超過七萬片，至於南亞科與奇夢達合資的華亞也不不遑

多讓，目前兩座十二吋廠產能全滿，因此也沒有預期中的減產效

應發生，當然市況好不了。

在供給嚴重過剩加上買氣持續低迷不振的雙重影響下，雖有部份

記憶體業者在今年縮減資本支出，但仍有部份DRAM廠，仍依照

原訂計畫持續擴廠與增加產出，因此集邦科技認為，產業內若未

有減產共識，則今年DRAM廠競爭模式將從淘汰賽轉為延長賽，

此舉恐讓記憶體廠過苦日子的時間也就跟著延長了。

集邦科技指出，二○○六年DRAM市場需求強勁，DRAM價格上

揚，讓DRAM各大廠商大量投入資金擴產，不到一年的光景，

二○○七年DRAM價格的下滑速度卻超乎預期，營業利益快速惡

化的情形下，部份製程轉換落後，成本結構相對弱勢的廠商，甚

至出現了虧損的情形。

擴產所支出的資金加上虧損帶來的壓力，現金持續下降，部份廠

商也因為資金壓力，將短期投資轉換為現金，或是利用八吋廠賣

出再租回的方式，增加現金籌碼。整體而言，在二○○七年第四

季連成本結構良好的DRAM廠商也出現虧損，現金燃燒速度過快

，也讓原本欲趁此時機搶攻市占率的廠商，都感受到資金壓力，

轉而在二○○八年降低資本支出，想辦法拉高DRAM的獲利，降

低虧損。

即使如此，集邦認為，各大DRAM廠仍抵擋不住的毛利被嚴重的

侵蝕，甚至顆粒價格逼近了變動成本，加上宣佈減產即是退出市

場的基本思維下，至今未見任何一家宣佈減產。更有部份DRAM

廠認為最壞的時代即是最好的機會，仍然依照原訂計畫持續擴廠

與增加產出，試圖以自身的經濟規模強佔市場佔有率並逼退體質

不好的競爭對手，然而縱使是體質不好的對手，為了生存也絕不

輕言放棄。

這些體質不好卻仍不放棄的DRAM廠手上現金雖不如一線大廠，

但仍可以透過延緩擴廠、歲修、人事管控甚至破產保護來延長其

企業壽命。集邦認為，如果這樣持續下去也將意味二○○八年

DRAM廠間的戰爭將從淘汰賽轉型為延長賽，屆時一線DRAM廠不

光無法逼退較為弱勢的對手，自身也將承受營運上極大的壓力，

市況也會繼續低迷不振。

全球最大記憶體廠南韓三星電子昨（１）日表示，考慮調漲本月

ＤＲＡＭ合約價，預期調幅在１０％以內。三星位居全球

ＤＲＡＭ龍頭，三星喊漲，包括海力士（Ｈｙｎｉｘ）及國內業

者可望表態跟進，其中南科、茂德等合約比重較高業者，將率先

受惠。

三星、爾必達（Ｅｌｐｉｄａ）相繼表態漲價，國內南科、力晶

等也蓄勢跟進。力晶昨天表示，三星加上爾必達的全球市占率超

過４０％，二大廠喊漲，力晶沒有不跟進的理由。南科則計劃在

大廠漲價後，於本月調漲合約價５％到１０％。

不過，部分持悲觀看法的業者指出，目前市場需求仍然低迷，部

分廠商執意調漲售價，恐會造成ＯＥＭ廠轉向其他沒有漲價的業

者購買ＤＲＡＭ，目前產能還是過剩，真正需求恐要到下半年才

會出來。

現貨市場昨天也未受到三星即將要漲合約價的消息激勵，集邦網

站上的現貨報價包括主流規格ＤＤＲⅡ５１２ＭＢ與１ＧＢ，分

別下跌０．７１％及０．５９％，報０．８３美元及１．６８美

元。

至於先前公布的３月下旬ＤＲＡＭ合約價也普遍持平，

５１２Ｍｂ　ＤＤＲＩＩ與１Ｇｂ　ＤＤＲＩＩ顆粒報價分別在

０．９１美元與１．８１美元附近，雖已擺脫跌價命運，但仍離

歷史低點不遠。

集邦表示，ＤＲＡＭ廠２００６年雖因價格上漲享受獲利，但也

促成日後供過於求的隱憂，加上各ＤＲＡＭ廠對Ｖｉｓｔａ作業

系統銷售過於樂關，更種下現階段ＤＲＡＭ價格趨於崩盤的後果

。尤其，目前仍有部分ＤＲＡＭ廠依計畫擴廠，造成產出持續增

加，ＤＲＡＭ市況若要走出谷底，業者必須取得減產共識，否則

業界競爭將由「淘汰賽」轉為「延長賽」，屆時一線大廠不僅無

法逼退競爭對手，自身也將承受極大壓力。

三星認為，目前ＤＲＡＭ價已低於製造成本，因此考慮小幅調高

４月合約價。不過，三星也坦承，依目前市況，並無法確保能有

較大漲價，僅將尋求個位數的漲幅。受這項消息激勵，三星昨日

盤中由黑翻紅，終場上漲近１．７％、海力士則大漲近６％。

在各大ＤＲＡＭ有意調漲４月合約價，ＤＲＡＭ景氣似乎見到曙

光之際，ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ卻罕見地發表警訊，指出仍

有部份ＤＲＡＭ廠依照原訂計畫持續擴廠與增加產出，若未有減

產共識，２００８年ＤＲＡＭ廠競爭模式將從淘汰賽轉為延長賽

，屆時一線ＤＲＡＭ廠不光無法逼退較為弱勢的對手，自身也將

承受營運上極大的壓力。

ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ指出，２００６年ＤＲＡＭ市場需求

強勁，ＤＲＡＭ價上揚，讓各大廠大量投入資金擴產，不到１年

光景，２００７年ＤＲＡＭ價格下滑超乎預期，營業利益快速惡

化，部份製程轉換落後，成本結構相對弱勢廠商出現虧損。

擴產所支出資金加上虧損帶來壓力，現金下降，部份廠商也因資

金壓力，將短期投資轉換為現金，或利用８吋廠賣出再租回方式

，增加現金籌碼。

整體而言，２００７年第４季連成本結構良好的ＤＲＡＭ廠商也

出現虧損，現金燃燒過快，讓原本欲趁此時機搶攻市占率廠商，

都感到資金壓力，而在２００８年降低資本支出，想辦法拉高

ＤＲＡＭ獲利，降低虧損。

ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ指出，ＤＲＡＭ廠在減產即是退出市

場的基本思維下，至今未見任何一家宣布減產。

有部份ＤＲＡＭ廠認為，最壞時代即是最好的機會，不畏懼價格

下跌壓力，依照原訂計畫持續擴廠與增加產出，試圖以自身經濟

規模強佔市佔率，逼退體質不好的競爭對手。

縱使是體質不好的對手，為生存也絕不輕言放棄，仍透過延緩擴

廠、歲修、人事管控來延長其企業壽命，如果這樣持續下去，也

將意味２００８年ＤＲＡＭ廠間的戰爭將從淘汰賽轉型為延長賽

。

終端記憶體市場買氣冷清，加上供給過剩與廠商季底結帳促銷等

因素，昨（廿六）日公佈的三月下旬ＮＡＮＤ快閃記憶體合約價

跌幅在五％到一五％不等，累計三月份合約價的最高跌幅超過二

成。展望第二季，由於蘋果電腦ＨＭ　Ｈ９３採購訂單不會到位

，加上海力士新產能到位在即，屆時跌幅恐怕更深。

根據集邦科技公佈的最新ＮＡＮＤ合約價顯示，ＭＬＣ規格方

面，四Ｇｂ　ＭＬＣ跌幅最大，下跌近一三％，八Ｇｂ　ＭＬＣ

也大幅下跌近八％，至於ＳＬＣ規格方面，八Ｇｂ　ＳＬＣ跌幅

較大，超過一三％，另外四Ｇｂ　與十六Ｇｂ　ＳＬＣ科技也都

下跌九．五四％與八％。若與三月上旬ＮＡＮＤ合約價平均跌幅

五％到一成計算，則三月ＮＡＮＤ合約價最大跌幅已經高達

二○％至二五％。

集邦分析，三月下旬合約價中ＭＬＣ規格報價跌幅普遍不到一

成，相對低於ＳＬＣ規格產品，主要是因為去年第四季以來

ＭＬＣ規格產品價格已大幅滑落修正，因此目前是ＳＬＣ規格產

品出現補跌情況。展望第二季，集邦認為，隨著廠商供給成長將

放緩，加上需求也可望逐漸回溫，可望使得市場供需缺口縮小，

因此預期第二季ＮＡＮＤ合約價應可逐步止跌走穩。

即使集邦預期第二季ＮＡＮＤ報價與市況都能否極泰來，但仍

有部份記憶體業者與記憶體模組大廠私下表示，第二季市場需求

看來應該不會太理想，原因除了該季是消費性市場淡季外，現在

大家庫存水位也不斷升高，但最重要且關鍵性的兩大原因，其一

是最能牽動市場供需與報價的蘋果電腦，其採購訂單確定不會在

第二季釋出，其次是供給端產能仍舊不斷到位，導致供給過剩壓

力持續提高。

業者分析，今年ＮＡＮＤ市場的供給增加幅度，主要是看英特

爾與美光合資的ＩＭ　Ｆｌａｓｈ、東芝跟海力士新產能到位的

時間點與幅度而定。首先ＩＭ的新產能自今年二月起一直不斷開

出，而東芝的新產能也在二、三月間陸續到位，至於海力士新產

能最快會在四月，慢則五月就會到位。因此在需求端成長不見起

色，供給端卻有新產能持續倒出的影響下，目前記憶體端對第二

季ＮＡＮＤ市場多持保守看法

ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ市況持續低迷，３月下旬合約價格依然走

跌，最大跌幅逾１５％，由於價格持續不振，為威剛（３２６０

）、創見（２４５１）等記憶體模組廠，以及群聯（８２９９）

、慧榮等記憶卡控制ＩＣ設計商營運增添壓力。

根據集邦科技昨（２６）日開出的３月下旬ＮＡＮＤ

Ｆｌａｓｈ合約市場報價，舉凡４Ｇｂ至１６Ｇｂ容量晶片價格

全數走跌，其中４Ｇｂ　ＳＬＣ規格晶片最大跌幅逾１６％，

ＭＬＣ規格晶片報價下跌也有２％至１２％左右，紛紛觸及波段

新低。

集邦表示，３月下旬合約價走跌，主要是受傳統淡季影響，加上

現階段市場供過於求，業者季底結帳降價促銷等也構成一定程度

壓力。而以ＭＬＣ與ＳＬＣ兩種規格產品來看，３月下旬ＭＬＣ

規格報價跌幅相對較小，主要因為去年第四季時ＭＬＣ規格價格

已大幅修正，如今跌幅相對有限；ＳＬＣ規格則出現補跌，因此

跌幅較大。

ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ價格未見起色，大廠普遍看壞本季營運，

包括日商東芝（Ｔｏｓｈｉｂａ）已宣布，受ＮＡＮＤ晶片價格

不振影響，大幅調降本會計年度（至３月底）的半導體部門獲利

預估，降幅高達３．３３％。

英特爾也因看壞ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ走勢，調降本季毛利率預

估，由原５６％降為５４％，並預期本季ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ

價格將比上季大跌５３％，高過該公司原預期的２７％，也大過

去年下半年價格平均跌幅的２８％。

價格持續不振影響，ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ概念股近期走勢普遍

出現量縮盤整格局，威剛（３２６０）昨下跌０．６５元，收

４３．２５元，成交量萎縮至６５０餘張；創見小漲０．３元，

收８９．３元，成交量也僅６００餘張。

群聯昨天雖有私募題材加持，股價一度衝上漲停價位，但麥格理

證券認為，受ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ價格不振影響，群聯本季營

收衰退恐會超過兩成，衰退幅度高於原市場預期的１５％至２０

％，給予「劣於大盤表現」評等，目標價１６０元，群聯昨天股

價中場快速拉回，收盤小漲２元為２００元。

集邦認為，隨廠商供給成長幅度在第二季起將放緩，加上淡季效

應逐步淡去，可望使市場供需缺口縮小，帶動價格止跌走穩。而

全球最大記憶體模組廠金士頓（Ｋｉｎｇｓｔｏｎ）則認為，

ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ市場買氣也不如預期，預估今年上半年的

記憶體市場，恐怕都會相對疲弱。

ＤＲＡＭ市場交投平淡，３月下旬合約價持平開出，國內力晶（

５３４６）、南科（２４０８）等大廠本季虧損已成定局，廠商

目前寄望５月Ｖｉｓｔａ　ＳＰ１（修正版）作業系統推出後，

得以紓解目前市場供過於求的窘境。

據了解，Ｖｉｓｔａ自去年１月上市以來，微軟已賣出逾

１，０００萬套，其中電腦大廠戴爾（Ｄｅｌｌ）及惠普（

ＨＰＱ）去年底感恩節及聖誕節旺季出貨的電腦，已有近七成改

為Ｖｉｓｔａ作業系統，５月Ｖｉｓｔａ的ＳＰ１修正版推出後

，預估將會有九成出貨內建Ｖｉｓｔａ，有助ＤＲＡＭ買氣回升

。

國內ＤＲＡＭ及相關模組、通路商３月因工作天數回復正常，營

收雖可望較２月回升，惟在新台幣升值壓力下，預料回升幅度有

限，本季價格因仍落在廠商成本之下，廠商虧損應已成定局。

據集邦科技（ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ）統計，

ＤＤＲⅡｅＴＴ　１Ｇｂ顆粒上周平均上漲約５．６％，惟其餘

顆粒價格漲跌只在１％左右的幅度。ＤＤＲⅡｅＴＴ　５１２Ｍ

價格持平於０．８３美元，１Ｇｂ的收盤價為１．６９美元；在

品牌顆粒部分，ＤＤＲⅡ６６７ＭＨｚ　５１２Ｍｂ和１Ｇｂ收

盤價為分別為０．９３美元、１．９４美元，較前一周下跌１％

左右。

在合約市場方面，集邦認為本月下旬合約價約會維持與上旬相同

的局面，ＤＤＲⅡ６６７ＭＨｚ　１ＧＢ的記憶體模組平均合約

價落在１７．５美元。

集邦表示，由於正逢產業淡季，無論是現貨或下游模組廠的生意

皆十分清淡，縱使顆粒價格攀升，亦不見補單需求回升的趨勢。

目前無論是ｅＴＴ顆粒或品牌顆粒，市況依舊低迷，預期近期仍

將在低檔盤旋。

不過，目前業界普遍看好５月之後的市況。廠商認為，ＯＥＭ廠

將於５月陸續釋出Ｖｉｓｔａ　ＳＰ１版本的作業系統，由於在

ＳＰ１版本中的３２位元Ｖｉｓｔａ系統已可支援４ＧＢ的記憶

體，此作業系統將有助提升搭載４ＧＢ電腦的比率，也有機會紓

解目前市場顆粒供過於求的市況。

集邦科技指出，上週ＤＲＡＭ行情出現跌深修正，ＤＤＲ２

ｅＴＴ　１Ｇｂ顆粒領軍上漲約五．六％，其餘顆粒價格呈現平

穩走勢，漲跌約一％上下。集邦認為，ＤＤＲ２　ｅＴＴ

１Ｇｂ顆粒的漲幅優於其他顆粒，主要原因是三月份ＤＤＲ２

ｅＴＴ　１Ｇｂ顆粒跌幅過大，拉升漲幅僅是回歸基本面。由於

正逢淡季，無論是現貨市場或下游模組廠需求仍屬清淡，預估短

線ｅＴＴ顆粒或品牌顆粒恐將延續低檔盤旋狀態。

首季ＤＲＡＭ行情低迷，ＤＲＡＭ廠商單季營運虧損包袱不輕。

台灣工銀認為，考量下半年行情回溫因素，推估華亞科今年營運

仍為獨一獲利者，每股獲利約○．四六元；力晶今年每股虧損

一．一元，南亞科每股虧損一．四二元，至於產能、製程進度相

對落後的茂德，今年每股虧損約一．五元。

集邦科技表示，三月下旬ＤＲＡＭ合約價維持平盤，ＤＤＲ２

６６７ＭＨｚ　１ＧＢ的記憶體模組的平均合約價落在一七．五

美元，惟值得注意的是，隨著ＯＥＭ廠將於五月陸續釋出

ＶＩＳＴＡ　ＳＰ１版本的作業系統，由於ＳＰ１版本中的

三十二位元ＶＩＳＴＡ系統已可支援４ＧＢ的記憶體，此作業系

統將有助於提升搭載４ＧＢ電腦的比例，或有機會紓解目前市場

上顆粒供過於求的市況。

分析師指出，ＰＣ為ＤＲＡＭ應用端最大宗，應用比例約六○％

，加上周邊應用產品，比重就超過八○％，因此，ＰＣ需求好壞

影響ＤＲＡＭ景氣榮枯，每台ＰＣ搭載容量也是ＤＲＡＭ需求的

關鍵因素。ＩＤＣ預估ＰＣ今年成長一○％至一二％，由於價格

低廉與Ｖｉｓｔａ帶動的硬體需求仍值得期待，推估需求持續成

長且非常快速。

南亞科發言人、副總白培霖認為，目前ＤＲＡＭ市場的需求端成

長趨勢明確，惟成長速度不及供給成長的速度，造成供給過量仍

是當前ＤＲＡＭ產業的主要問題。在這一波一年至一年半的低檔

修正後，供過於求衝擊可望逐步去化，預估減產效益將漸入佳境

，有利明年行情明顯攀升。

三月上旬ＤＲＡＭ合約價反映新年需求陸續退潮，而向下開出，

三月下旬因無特別事件刺激需求，法人預期，ＤＲＡＭ仍有下滑

壓力，單月均價跌幅約五％。不過，以三月價格、工作天數回復

正常，以及ＤＲＡＭ廠對外表示的位元成長率推估，三月

ＤＲＡＭ廠營收表現約為小幅成長，惟部分廠商因二月遞延出貨

，成長力道將優於一成。

分析師認為，台系ＤＲＡＭ廠營收年成長率於第二季開始，負乖

離可望逐漸收斂。依過去經驗顯示，當營收年成長率負乖離開始

收斂時，ＤＲＡＭ廠虧損將快速止跌；預估ＤＲＡＭ價格第二季

觸底反彈、第三季進入損益兩平。

據集邦科技報價顯示，由於台系ＤＲＡＭ廠從ＤＤＲ２

５１２Ｍｂ轉進ＤＤＲ２　１Ｇｂ的比例漸增，加上製程的精進

與良率提昇，都讓ＤＤＲ２　ｅＴＴ　１Ｇｂ的顆粒價格加速下

滑；三月以來ＤＤＲ２　ｅＴＴ　１Ｇｂ跌幅九．一％，已逼近

去年低點一．五七美元。

集邦科技表示，由於ＤＲＡＭ產能不斷擴張的結果，以ＤＤＲ２

ｅＴＴ　５１２Ｍｂ的價格為例，價格從二○○六年秋季的七

美元下跌至目前的○．八三美元，跌幅達八八％，整個產業鏈除

了封測廠以外，無不受傷慘重。目前大部分的模組廠已將顆粒的

庫存天數從以往的數周壓為三至五天，除了積極發展高附加價值

的超頻市場與伺服器市場外，也同時加重Ｆｌａｓｈ商品的銷售

，以拉近ＤＲＡＭ與Ｆｌａｓｈ的比例。

模組廠除了維持現有市場，更加強新興市場的拓展　（如俄羅斯

、印度及中東地區），以積極擴大市場佔有率，也藉此阻止其他

競爭對手的進入，並取得與原廠議價時較為優勢的談判條件，並

降低營運上的風險。

永豐金證券指出，計算台系ＤＲＡＭ廠營收年成長率於去年第四

季達到負五二％（全球ＤＲＡＭ廠亦為負四○％以上）；今年首

季將維持負五○％的歷史新低。然而，第二季開始負乖離將逐漸

收斂。依過去經驗顯示，當營收年成長率負乖離開始收斂時

，ＤＲＡＭ廠虧損將快速止跌，有利營運漸入佳境。

ＤＲＡＭ族群二月營收表現疲弱，除了模組廠宏億（３０７９）

發生跳票外，二月營收較元月成長的公司僅有華亞科（３４７４

）一家，至於月增率衰退幅度較大者，扣除宏億外，尚有宏連科

（３２５２）、威剛（３２６０）、華邦電（２３４４）、創見

（２４５１）等公司，減幅都在二成以上；就累計前二月份營收

而言，力晶（５３４６）、茂德（５３８７）及宏連科均較去年

同期衰退幅度超過五成的水準。

據集邦科技調查，三月上旬ＤＲＡＭ合約價平均跌幅約三％至

三．五％。ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ合約價跌幅約○％至一五％區

間；其中主流的ＭＬＣ規格產品合約價下跌○％至八％，ＳＬＣ

規格產品合約價則下跌○％至一五％。時序已進入產業傳統淡季

外，中國大陸市場又因雪災影響，是導致合約行情走軟的主因。

ＤＲＡＭ廠虧損連連，多家銀行團雨天收傘，降低對該族群借款

，預估多家公司將辦理現增，提高現金部位。

以力晶而言，雖然年初法說會董事長黃崇仁表示帳上資金多多，

今年不擬辦理籌資。不過，面對ＤＲＡＭ上半年低檔調整壓力，

以及美光、南亞科結盟、洗牌；為提前備妥銀彈，力撐氣長，力

晶決定在十億股範圍內，辦理現金增資或發行ＧＤＲ（海外存託

憑證），為今年ＤＲＡＭ籌資鳴槍起跑。

針對增資計劃，力晶強調，目前總計約超過一千億的資金可調度

、運用，財務運用仍具彈性；此次增資案提報股東會討論是「預

備」用途，主要用於十二吋廠Ｐ４、Ｐ５的擴建以及購買設備。

力晶目前十二吋三座廠（Ｐ１＋Ｐ３）廠目前月產能約一三萬片

，竹科Ｐ４廠及Ｐ５廠建築物訂於三月十一日正式動土，每吋廠

約六萬片，預估明年六月機器遷入，新廠將以５０奈米生產

ＤＲＡＭ及Ｆｌａｓｈ。

力晶去年資本支出八○○億元（其中二二九億元投入瑞晶），今

年資本支出約三五○億元，會不會再投入瑞晶擴產能要看

ＤＲＡＭ市況。