集邦科技公司新聞| IPO贏家未上市股票交流網

第一季即將邁入尾聲，原本諸多記憶體大廠推估第二季市況可望

逐步好轉，惟在買氣未有顯著提振，記憶體業者、模組廠端庫存

高築，加上三月份合約價持續走跌的狀況下，市況要在四月反彈

恐怕無望。此外，國際記憶體大廠的三星與海力士昨（七）日也

在公開場合中表示，受限於產業供給過剩，今年上半年ＤＲＡＭ

產業不僅復甦無望，報價更難以回漲。

依據集邦科技最新公佈的三月ＤＲＡＭ合約價格顯示，受到買氣

疲弱拖累，不單現貨價格不佳，就連合約價也無法如先前預期的

可以持平，報價同步下挫，三月上旬五一二Ｍｂ之ＤＤＲ２顆粒

合約均價滑落至○．九一美元，較二月下旬下跌三．三五％，而

三月上旬ＤＤＲ２一ＧＢ模組也跌破十八美元。

至於在現貨價的部分，雖然今年一月份價格出現反彈，但買氣未

見成長，報價持續上攻無力，現貨價在二月份開始回軟，近一個

月以來五一二Ｍｂ　ＥＴＴ的跌幅竟達到二成，品牌顆粒價格單

月跌幅約一成至一五％；而ＤＤＲ２　五一二Ｍｂ　ＥＴＴ近來

價位約在○．八四至○．八六美元區間。

業者分析，近一個月來現貨價龐大的跌幅、交易量縮減，代表的

是終端買氣未見任何好轉跡象，但更重要的是，記憶體業者與模

組廠龐大的庫存壓力，不但沒有去化跡象，反而庫存越積越多，

因此短期內現貨端價格很難上漲，至於三月份合約價不能照先前

所有記憶體廠所期盼的平盤開出，反而走跌，恐怕是一個明顯的

利空指標，整體記憶體產業要在第二季上旬反彈，恐怕機會也不

高。

在先前德、力晶、南亞科、華邦與華亞等台系記憶體業者法說會

上，業者都寄望今年第二季的ＤＲＡＭ市況能夠出現小幅反彈的

力道，至於模組廠端的龍頭廠威剛，董事長陳立白也希望產業能

夠在三月底、四月初反彈，但可惜消費市場不買單，至少四月份

記憶體產業好不了，而台系ＤＲＡＭ廠除了第一季虧損幅度也很

龐大外，第二季恐怕還會繼續虧。

不只台灣對記憶體產業前景抱持悲觀看法，三星半導體部門總裁

Ｈｗａｎｇ　Ｃｈａｎｇ　Ｇｙｕ也表示，市場目前仍供給過剩

，要作預測並不容易，而產業復甦力道可能減緩，產業的不確定

性也可能持續下去，至於海力士執行長Ｋｉｍ　Ｊｏｎｇ

Ｋａｐ則認為，上半年復甦將有困難，預期下半年因需求轉強，

復甦才會有希望。

微軟上周宣布調降新版視窗作業軟體Ｖｉｓｔａ零售價，最高降

幅達４８％，另外也同時推出Ｖｉｓｔａ修正版ＳＰ１；業界推

估，微軟降價效應將帶動另一波ＰＣ換機潮並提高Ｖｉｓｔａ的

滲透率，可望大舉刺激ＤＲＡＭ市場需求，帶動ＤＲＡＭ價格止

跌反彈。

美科技類股上周五（２９日）全面重跌，惟ＤＲＡＭ股美光（

Ｍｉｃｒｏｎ）小跌０．６６％、表現極為抗跌，預料有機會激

勵台股ＤＲＡＭ族群今（３）日的逆勢表現。

同時，繼力晶（５３４６）、威剛（３２６０）相繼釋出產業正

面訊息後，南科（２４０８）、創見（２４５１）本周亦將舉行

媒體新春酒會，市場期盼能有進一步的產業利多對外宣布。

Ｖｉｓｔａ自去年１月上市以來，微軟已賣出逾１，０００萬套

，其中電腦大廠戴爾（Ｄｅｌｌ）及惠普（ＨＰＱ）去年底感恩

節及聖誕節旺季出貨的電腦，已有近七成改為Ｖｉｓｔａ作業系

統，隨今年Ｖｉｓｔａ的ＳＰ１修正版的推出，預估會有九成出

貨內建Ｖｉｓｔａ，有助ＤＲＡＭ買氣回升。

ＤＲＡＭ主流規格ＤＤＲⅡ５１２ＭＢ　ＥＴＴ現貨價目前約在

０．９美元附近，１ＧＢ規格則在１．８美元左右震盪，在微軟

宣布降價、加上產業逐漸邁入旺季下，５１２ＭＢ與１ＧＢ的價

格有機會逐步朝１、２美元挺進。

集邦科技則表示，ＤＲＡＭ現貨價已重新出現止跌訊號，３月合

約價有機會力求持平開出。

Ｖｉｓｔａ　滲透率提升，將加快１ＧＢ規格成為市場主流。力

晶董事長黃崇仁（見圖，本報系資料庫）便直言「ＤＲＡＭ最壞

時間已經過去」，預期在這一波受擴產資金來源有限而讓供給減

少下，ＤＲＡＭ價格將一路向上，１Ｇｂ　ＤＤＲＩＩ顆粒本季

將在２．１至２．５美元震盪，第二季自２．５美元向上移動，

下半年起將可彈升至３．５美元，第四季更可朝３．５美元以上

發展。

據了解，目前筆記型電腦主流機種５９９美元以上的產品線將因

支援Ｖｉｓｔａ系統，所搭載的記憶體將直接從１ＧＢ起跳，對

於記憶體的需求可望持續成長。

不過，業界也指出，Ｖｉｓｔａ並非刺激ＤＲＡＭ產業成長的惟

一因素，仍需要搭配零組件的降價才能夠刺激出更多需求。

儘管ＤＲＡＭ目前需求疲弱，但因各家大廠主流規格

ＤＤＲⅡ５１２Ｍｂ的現金成本約在０．８美元，致近期現貨價

跌勢並未觸到０．８美元即重回０．９美元附近，再度出現止跌

訊號；集邦也預期，３月上旬合約價有機會力求持平。

根據集邦網站昨（２６）日傍晚最新報價，ＤＤＲⅡ５１２Ｍｂ

ＥＴＴ（有效測試）下跌１．１％、報０．８９美元，１Ｇｂ

規格則上漲２．４４％、報１．７６美元。

投信法人認為，美國ＤＲＡＭ大廠美光（Ｍｉｃｒｏｎ）近一個

月股價漲幅超過四成，國內ＤＲＡＭ族群卻向下探底，基於

ＤＲＡＭ現貨價再度止跌，加上美光反彈，有助力晶、茂德、南

科與華亞科股價回穩補彈。力晶昨天上漲０．２元、收１２．５

元；茂德上漲０．１元、收７．８２元；南科上漲０．２５元、

收１７．８元；華亞科上漲０．３元、收２６．７５元。

觀察農曆春節過後，ＤＤＲⅡ現貨價即一路下滑，

ＤＤＲⅡ５１２Ｍｂ　ＥＴＴ從２月１２日的１．０２美元下滑

至２月２０日最低時的０．８６美元，跌幅約１５．７％；

ＤＤＲⅡ１Ｇｂ　ＥＴＴ則從２．１１美元下滑至２月２０日最

低的１．６６美元，跌幅約２１．３％。

不過，依集邦（ＤＲＡＭｅＸ－ｃｈａｎｇｅ）分析師觀察，上

周（２月１９日到２月２５日）現貨市場重新回穩。以一周平均

價格來看，除品牌顆粒ＤＤＲⅡ５１２Ｍｂ微幅下跌約２．３％

，ＤＤＲⅡ　５１２Ｍｂ　ＥＴＴ則逆勢上揚約４．３％。

集邦表示，自去年１２月變動成本議題披露後，市場普遍視

０．８美元為ＤＤＲⅡ５１２Ｍｂ　ＥＴＴ價格的底部，所以上

周價格跌至０．８５美元，現貨市場即出現補貨行情，加上投機

買盤進場，整體止跌反彈。

ＤＲＡＭ廠過寒冬，往來銀行資金調度跟著拉警報，在國內

ＤＲＡＭ廠去年第４季共創下３５０億元虧損後，各聯貸銀行開

始緊盯ＤＲＡＭ廠財務狀況，以防ＤＲＡＭ廠財務出狀況提高債

權風險；同時已有大型行庫開始緊縮ＤＲＡＭ廠授信，市場傳出

即將開始籌備的華邦電（２３４４）聯貸，已經有公營行庫婉拒

參與。

華邦副總溫萬壽表示，目前公司還沒有向銀行提出正式聯貸計劃

，不過有非正式的接觸探詢銀行意見，由於正值ＤＲＡＭ產業景

氣谷底，銀行業對授信較謹慎是可以理解的，在短時間內華邦對

擴充較為保守。而台北富邦銀行證實，已對華邦電籌組聯貸一案

展開市場調查，調查各銀行參貸意願，但頻遭大型行庫「婉拒」

。

行庫主管說，去年已對ＤＲＡＭ產業前景轉趨保守，主因需求沒

有提振，電子業若沒終端需求，任何提升技術或品質，對該廠獲

利前景助益恐有限，加上過去２年，各大行庫大舉承作龍頭電子

廠如力晶（５３４６）、瑞晶和茂德（５３８７）等，額度多已

額滿，基於授信不能過度集中單一產業，對相關產業聯貸案，就

會縮手。

去年力晶、瑞晶、華亞科（３４７４）、南亞科（２４０８）等

ＤＲＡＭ大廠向國內銀行業聯貸金額超過１０００億元，但是

ＤＲＡＭ大廠單季虧損共計３５０億元，單是力晶單季虧損就高

達１４１億元，茂德雖然僅虧損４９億元，不過現金部位只剩

８０億元，銀行團看到都嚇一跳。

業界傳出，有不少銀行頻頻與ＤＲＡＭ廠接觸，希望公司能對未

來整體營運及財務的規劃做更具體、清楚的說明，以化解銀行團

的疑慮，雖然不會發生抽銀根事情，但已經開始對ＤＲＡＭ廠的

營運及財務保持密切關注。

在主要ＤＲＡＭ廠中，力晶雖然出現天文數字的虧損，不過該公

司一直保持高水位的現金，去年底手上現金有２４９億元、銀行

未動用貸款有２２９億元、及今年折舊３６９億元，共有８４７

億元，足夠度過今年寒冬。

而南亞科去年底現金水位有８０多億元，去年底剛完成２２０億

元聯貸，共有３００億元；至於外界最擔心的茂德，去年底現金

約８０億元，今年靠設備折舊，加上公司祭出延長歲修、降低空

白晶圓庫存的方式因應，希望度過上半年谷底。

ＤＲＡＭ前２年擴充太快，去年下半年起出現嚴重產能過剩問題

，而ＤＲＡＭ廠要熬過這個寒冬，最起碼也得等到下半年，一個

不小心恐會有ＤＲＡＭ廠「掛掉」。銀行業開始認為，過去２、

３年對ＤＲＡＭ廠太慷慨了，甚至出現銀行搶著借錢的情況，經

常出現超額貸款３、４成，也成為本波產業大空頭的幫兇。

２月下旬ＤＲＡＭ合約價出爐，根據ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ

報價，絕大部分報價都是持平，僅有５１２ＭＢ模組微幅上漲

２．７％，主要是近期ＤＲＡＭ廠轉換產品線，５１２ＭＢ大量

轉到１ＧＢ，供應量減少使的價格走揚，

ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ預期３月ＤＲＡＭ還是小幅上揚，每

條１ＧＢ模組約上漲１美元。

ＤＤＲⅡ５１２ＭＢ現貨價繼日前跌破１美元重要整數關卡後，

跌勢持續擴大，集邦科技（ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ）昨（

１９）日傍晚最新報價直接摜破０．９美元、跌幅超過５％，

１ＧＢ規格跌幅更達６．４９％，目前報價回到１．７８美元。

業界指出，ＤＲＡＭ市場需求目前依舊低迷，農曆年後假性買盤

縮手後，現貨價１美元重要關卡失守，引發恐慌性賣壓殺出，依

目前態勢看來，短線５１２ＭＢ規格可能會回測０．８美元重要

關卡。

業界認為，０．８美元可視為５１２Ｍｂ　ｅＴＴ價格的重要關

卡，因為這個價位目前仍低於廠商５１２Ｍｂ顆粒的現金成本，

５１２Ｍｂ顆粒短線要看到低於０．８美元的機會並不高，若有

，也應只是短期恐慌性急殺的結果。

ＤＲＡＭ市場需求不振、價格再度回跌，相關廠商本季營運虧損

縮小壓力並未減除，股價整理時間恐會再拉長。不過，受集中市

場加權指數昨天大漲激勵，力晶（５３４６）、茂德（５３８

）、南科（２４０８）、華亞科（３４７４）等ＤＲＡＭ個股昨

日股價全數以小紅作收。

儘管現貨價跌跌不木，但集邦科技仍出面信心喊話。集邦分析師

指出，上周價格大幅下滑的主要原因在需求不振，一旦指標顆粒

ＤＤＲ２　５１２Ｍｂ　ｅＴＴ價格跌破０．９美元後，未來市

場不論是長線或投機性買盤，都有可能開始進駐，且價格跌的越

低，買方意願越高，可預期價格不易跌破先前低點。從供給角度

來看，集邦認為，除特定廠商在跨入７０奈米進度稍為落後外，

多數廠商仍如預期進行，部分台系廠商良率在２月時更接近九成

。

記憶體市況再露疲態，５１２Ｍｂ　ＤＤＲⅡＤＲＡＭ有效測試

顆粒（ｅＴＴ）報價再度跌破１美元重要關卡，本周直朝０．９

美元測底，ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ也走不出淡季束縛，價格持續

萎縮，威剛（３２６０）、創見（２４５１）等記憶體模組業者

庫存損失壓力疑慮再起，營運走勢蒙添陰影，力晶（５３４６）

、南科（２４０８）等ＤＲＡＭ廠本季虧損又出現增加壓力。

根據集邦科技昨天報價，ＤＲＡＭ現貨價前波強漲態勢不再，

５１２Ｍｂ與１Ｇｂ有效測試顆粒報價回跌至０．９美元及

１．９美元附近。

ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ現貨價也欲振乏力，先前開出的ＭＬＣ規

格合約價僅８Ｇｂ容量力守３．１美元附近，４Ｇｂ與１６Ｇｂ

報價重挫３．４５％以上，其中４Ｇｂ更大跌近５％；現貨方面

，８Ｇｂ　ＭＬＣ顆粒已失守３美元關卡。

威剛僅去年第四季每股淨損便高達２．０９元，單季毛利率為負

的２．５５％，是公司掛牌來表現最差的一季，單季庫存達

３６．８億元，隨ＤＲＡＭ與ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ兩大產品價

格再露疲態，欲擺脫虧損仍有一定壓力。

通路業者指出，ＤＲＡＭ在前波農曆年前補貨潮帶動下，一度止

跌回穩，但在補貨效應結束後，目前市況已趨於冷清，

５１２Ｍｂ　ＤＤＲＩＩ有效測試顆粒近期恐會跌破０．９美元

，加上國際大廠３月底前季底出清存貨潮即將來臨，對未來價格

走勢恐會雪上加霜。

模組業 蠟燭兩頭燒 DRAM與NAND價格再跌 威剛創見面臨庫存損

失壓力 營運添陰影

記憶體市況再露疲態，５１２Ｍｂ　ＤＤＲⅡＤＲＡＭ有效測試

顆粒（ｅＴＴ）報價再度跌破１美元重要關卡，本周直朝０．９

美元測底，ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ也走不出淡季束縛，價格持續

萎縮，威剛（３２６０）、創見（２４５１）等記憶體模組業者

面臨「蠟燭兩頭燒」，庫存損失壓力疑慮再起，營運走勢蒙添陰

影，力晶（５３４６）、南科（２４０８）等ＤＲＡＭ廠本季虧

損又出現增加壓力。

根據集邦科技昨天報價，ＤＲＡＭ現貨價前波強漲態勢不再，

５１２Ｍｂ與１Ｇｂ有效測試顆粒報價回跌至０．９美元及

１．９美元附近，已吃光先前耗費約半個月時間的漲幅。

ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ現貨價也欲振乏力，先前開出的ＭＬＣ規

格合約價僅８Ｇｂ容量力守３．１美元附近，４Ｇｂ與１６Ｇｂ

報價都重挫３．４５％以上，其中４Ｇｂ更大跌近５％；現貨方

面，８Ｇｂ　ＭＬＣ顆粒已失守３美元關卡。

市況不振，上游晶片製造商業績表現首當其衝；力晶先前曾樂觀

預期，若價格能維持前波漲勢水準，２月營收將延續元月成長氣

勢。但業界普遍認為，２月工作天數較少，再加上農曆年歲修，

營收要成長其實有相當難度，且單價若再走跌，對獲利也會有相

當程度的衝擊。

下游模組業者僅創見去年擁有賺回一個股本的水準，其他業者無

不重創。威剛僅去年第四季每股淨損便高達２．０９元，單季毛

利率為負的２．５５％，是公司掛牌來表現最差的一季，單季庫

存達３６．８億元，隨ＤＲＡＭ與ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ兩大產

品價格再露疲態，欲擺脫虧損仍有一定壓力。

通路業者指出，ＤＲＡＭ在前波農曆年前補貨潮帶動下，一度止

跌回穩，但在補貨效應結束後，目前市況已趨於冷清，

５１２Ｍｂ　ＤＤＲＩＩ有效測試顆粒近期恐會跌破０．９美元

，加上國際大廠３月底前季底出清存貨潮即將來臨，對未來價格

走勢恐會雪上加霜；至於ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ，目前除淡季壓

力外，國際大廠新製程產能開出，造成供給持續增加，也不利價

格復甦。

集邦科技（ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ）最新報告指出，今年全

球ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ總產出可望持續倍增，成長達一三六％

，惟今年市場需求也可望有高度成長表現，預估第一季將是產品

價格谷底，十月可望攀上年度高點。國內耕耘ＮＡＮＤ

Ｆｌａｓｈ市場的記憶體模組廠創見（２４５１）、威剛（

３２６０）、勁永（６１４５）及切入數位相框友旺（２４４４

）等，營運受關注，推進股價同步攀揚。

據悉，創見、威剛一月ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ營收比重約五四％

、四五％，勁永ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ更達七○％。其中，創見

數位相框、外接式硬體等策略性產品銷售告捷；一月整體出貨創

新高紀錄，出貨比重達七．八％；今年營收比重將以一○％以上

為衝刺目標，增添營收、毛利動能。

據集邦科技統計，去年全球ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ總產出較前年

大增一．四倍，預期今年產出可望續揚一三六；伴隨手機等應用

市場需求同步攀升之際，今年全球ＮＡＮＤＦｌａｓｈ需求可望

倍增，年增一三三％之多。

集邦科技認為，今年手機應用市場需求約成長一四三％；ＭＰ３

市場需求增長一三三％；隨身碟市場需求成長一○六％，數位相

機市場需求成長七五％。其中，手機仍是今年ＮＡＮＤ

Ｆｌａｓｈ最大應用市場，所佔比重約二六．二％，其次為

ＭＰ３二三．三％，隨身碟、數位相機各佔一六．三％、

一五．七％。

集邦科技推估，第一季ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ供給將高出市場需

求九．九％，惟市場供需狀況逐季好轉，第三季約達平衡狀態，

第四季或可出現供不應求情況，缺口約二．五％，行情漸入佳境

。

由於數位相框、ＳＳＤ、外接式硬體、ＭＰ３等策略性產品因單

價、毛利相對穩健，創見去年下半年起積極提升出貨比重；一月

Ｆｌａｓｈ出貨達五百多萬片，外接式硬碟、讀卡機等策略性產

品，出貨各近六萬台、九萬台。

在買盤逐漸退卻後，標準型記憶體價格開始明顯走跌，根據集邦

科技最新報價顯示，ＤＤＲ２五一二Ｍｂ　ｅＴＴ顆粒價一美元

大關確定失守，集邦則預期短線價格將會在○．九五美元到一美

元間做區間盤整，而業界認為，由於供給端遠大過需求，現貨與

合約價都還會出現更大的跌幅，甚至不排除現貨價在短線內便跌

破○．九美元。

上周適逢中國農曆新年，亞洲現貨市場多處於假期，經過一個禮

拜休假後，臺灣現貨市場於週二開始交易，下午雖開始有較大成

交量，但交投相對平常水準仍顯冷清。至於中國方面，市場參與

者仍在陸續回到工作崗位途中，交易狀況更為清淡。上周

ＤＤＲ２五一二Ｍｂ　ｅＴＴ及ＤＤＲ２一Ｇｂ　ｅＴＴ的現貨

顆粒，分別下跌、並以一．○二美元與二．一一美元做收。

在合約市場方面，由於二月一開始不久便碰上農曆新年假期，當

時談妥合約價的ＯＥＭ廠商不多。在假期中陸續有些廠商談妥上

旬合約價，ＤＤＲ２一ＧＢ　模組較大成交量多仍落在十七至十

八美元之間，但部分ＯＥＭ打算待二月下旬洽談合約價後，再進

行較大數量之採購。近期談妥之合約價格，與月初相去不遠，相

對於一月下旬合約價，大約上漲○．五美元。

惟集邦最新公佈的訊息顯示，受到農曆春節前拉貨效應刺激，標

準型記憶體報價雖在一月間明顯出現落底反彈，然而在春節後，

備貨買盤力道消退，造成現貨價出現走跌，集邦昨（十三）日下

午的最新報價顯示，ＤＤＲ２　五一二Ｍｂ　ｅＴＴ顆粒均價失

守一美元，來到○．九八美元，一Ｇｂ顆粒價格也同步走跌，達

二．○五美元。

集邦認為，此波現貨價經過一段上漲，ＤＤＲ２五一二Ｍｂ

ｅＴＴ顆粒達一．二美元後，本身短線上已面臨漲多回檔壓力，

至於合約價上漲速度原本就比現貨價格溫吞，因此近期合約價格

雖有反彈，走勢仍屬緩步盤堅，至二月上旬，合約與現貨價格之

差距已大。

集邦也預期，若無意外，在二月的ＤＲＡＭ供需環境下，下旬合

約價大漲可能性不高，現貨短線漲多回檔修正乃屬正常現象，推

估ＤＤＲ２五一二Ｍｂ　ｅＴＴ　現貨價○．九五至一美元區間

，可視為回檔初步支撐測試區，若獲得適度支撐，現貨價格底部

將逐步墊高。

ＤＲＡＭ市況淡季穩中帶堅，繼５１２Ｍｂ與１Ｇｂ

ＤＤＲＩＩ有效測試顆粒（ｅＴＴ）報價分別站穩１美元與２美

元大關後，昨日出爐的本月下旬合約價也同步走揚，漲幅在３％

以上。這是ＤＲＡＭ合約價自去年１２月下旬觸及歷史低點後，

連續兩個月向上彈升，預期南科（２４０８）、力晶（５３４６

）等晶片製造商將逐步走出去年大虧陰霾。

ＤＲＡＭ業者表示，業界所有８吋廠將陸續因不符合效益退出標

準型記憶體製造，造成供給缺口擴大，以及同業陸續放慢擴產腳

步、縮減三、四成不等的資本支出，第二季起價格上漲力道將更

強。

南科透露，客戶陸續商談下半年訂單，是市況好轉的信號，隨新

版Ｖｉｓｔａ作業系統可望刺激每台電腦的ＤＲＡＭ搭載容量，

將帶動價格大幅上漲，預期１Ｇｂ　ＤＤＲＩＩ顆粒價格可望回

升至２．５美元至３美元。

根據集邦科技（ＤＲＡＭｅＸ－ｃｈａｎｇｅ）報價，本月下旬

ＤＲＡＭ合約價持續反彈，５１２Ｍｂ　ＤＤＲＩＩ與１Ｇｂ

ＤＤＲＩＩ顆粒報價漲幅都在３％以上，最高漲幅逾３．５％，

其中５１２Ｍｂ顆粒均價為０．９４美元，１Ｇｂ　顆粒均價為

１．８８美元，同步寫下近兩個月來新高。帶動模組報價同步止

跌回穩，１ＧＢ模組最高漲幅也超過３％，均價為１８美元；

２ＧＢ模組均價則維持平盤４２美元。

ＤＲＡＭ記憶體市況淡季穩中帶堅，繼５１２Ｍｂ與１Ｇｂ

ＤＤＲＩＩ有效測試顆粒（ｅＴＴ）報價分別站穩１美元與２美

元後，昨（１２）日出爐的２月下旬合約價也同步走揚，漲幅在

３％以上，這也是ＤＲＡＭ合約價自去年１２月下旬觸及歷史低

點後，連二個月彈升，象徵ＤＲＡＭ走出谷底，反彈的態勢確立

，有助南科、力晶等晶片製造商走出去年大虧的陰霾。

ＤＲＡＭ業者表示，ＤＲＡＭ價格現在只是「暖身小漲」，一旦

業界所有８吋廠因不符效益退出標準型記憶體製造行列，市場將

出現供給缺口；記憶體業者陸續放慢擴產腳步後，第二季起

ＤＲＡＭ價格上漲力道將更強。

南科透露，終端市場需求目前並不差，已有客戶陸續來談下半年

訂單，是市況好轉的訊號，下半年更可能出現供給吃緊狀況；隨

微軟新版Ｖｉｓｔａ作業系統刺激每台個人電腦提高ＤＲＡＭ搭

載容量，預期１Ｇｂ　ＤＤＲＩＩ顆粒價格可望回升至２．５至

３美元。

不過，ＤＲＡＭ報價雖上揚，卻無助ＤＲＡＭ類股走勢，昨天在

台股大跌中全面走低，茂矽更被殺到跌停板價的１７．８元收盤

。

根據集邦科技（ＤＲＡＭｅＸ－ｃｈａｎｇｅ）報價，２月下旬

ＤＲＡＭ合約價持續反彈，５１２Ｍｂ與１Ｇｂ　ＤＤＲＩＩ顆

粒報價漲幅都在３％以上，最高漲幅逾３．５％，其中

５１２Ｍｂ顆粒均價為０．９４美元，１Ｇｂ顆粒均價為

１．８８美元，是近兩個月來最高。

集邦表示，ＤＲＡＭ合約價走揚，主要是現貨價彈升，拉大與合

約價價差，ＤＲＡＭ廠不願再低價銷貨所致。ＤＲＡＭ合約價大

漲，也帶動模組報價止跌回穩，１ＧＢ模組漲幅超過３％，均價

１８美元；２ＧＢ模組均價則維持平盤４２美元。

受到次級房貸影響，去年第四季ＮＡＮＤ快閃記憶體買氣不如預

期，加上國際大廠五○奈米製程順暢、美光與英特爾陣營新產能

到位，全球單季位元成長率達四五％，產業出現供給過剩的窘境

，報價也跟著下滑三三％，廠商單季表現均不佳。

根據集邦科技最新公佈的ＮＡＮＤ快閃記憶體第四季營收排行資

料，受到價格劇跌影響，去年第四季品牌ＮＡＮＤ供應商整體營

收表現較第三季微幅下跌二．七％至三十八億美元，其中三星、

東芝跟海力士仍呈現三強鼎立的局面，惟美光與英特爾新產能開

出，不單市佔率有所提升，更有急起直追的跡象。

在新的五一奈米製程產品比重提高的前提下，三星第四季位元產

出成長率高達四四％，助其單季營收與市佔率都能逆勢上揚，更

持續穩坐龍頭。至於東芝，儘管新的五六奈米製程產出量已明顯

提升，但在平均報價遽跌的拖累下，單季表現不如預期。

海力士方面，藉由製程提升緊咬排名第二的東芝，值得注意的是

，海力士已將八吋廠的製程技術，由六○奈米再升級到五七奈米

，因此單季位元出貨量成長了四三％，可惜因均價大幅下跌，因

此單季業績反而出現衰退。

２月上旬ＤＲＡＭ合約報價出爐，雖有農曆年長假不確定因素，

不過ＤＲＡＭ模組價格平均上漲約２．８％，ＤＲＡＭ顆粒則平

均上揚３．４９％，持續拉近與現貨價的距離，頗令ＤＲＡＭ廠

興奮，展望農曆年後，業界預期３月會有較明確漲勢，若庫存去

化順利，則現貨市場價格就會提前反應。

ＤＲＡＭ現貨價在去年完成築底，１月在農曆年前下游回補庫存

拉貨效應帶動下，現貨價先反彈回升，５１２Ｍ和１Ｇ雙雙站穩

１、２美元，也帶動合約價格在１月下旬開始跟者反彈。

根據ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ報價，２月上旬１ＧＢ

ＤＲＡＭ模組，合約價回到１７∼１９美元，平均價格１８美元

，平均漲幅２．８６％；５１２ＭＢ模組均價９．２５美元，平

均漲幅２．７６％；至於在５１２Ｍ　ＤＤＲ２　６６７顆粒，

均價０．９４美元，平均漲幅３．４９％，１Ｇ顆粒均價

１．８８美元，平均漲幅３．４２％。

由於農曆年前下游廠大量備貨，庫存去化狀況，將成為今天開市

後，影響短線價格變化的重要因素，特別是中國受到雪災影響，

年節買氣成為最大變數，而從最近２天下游廠商買氣就可看出

ＤＲＡＭ價格反彈的時機。

隨著１Ｇｂ顆粒逐步成為市場主流後，ＤＲＡＭ廠持續進行轉換

，力晶（５３４６）上半年１Ｇ產出比重將達９０％，下半年可

達１００％；南科（２４０８）第２季投片全數轉為１Ｇ，華亞

科（３４７４）也將在第３季全數轉為１Ｇ，往高容量轉換也將

刺激電腦需求，預期未來５１２ＭＢ模組將會愈來愈少，即使低

價電腦也須以１ＧＢ模組為最低配備，有助於在電腦淡季提高消

化速度。

ＤＲＡＭ反彈也帶動廠商１月營收普遍回升，其中以力晶成長

２５．６％，達到５４．４２億元最多，而華邦（２３４４）實

際ＩＣ銷售營收為２２．６４億元，月成長１８．４６％，南科

月成長３．５１％，達３３．１３億元，而近日將公布的茂德，

預期也將小幅成長。唯獨華亞科受到７０奈米製程轉換影響產出

，逆勢下滑１３．５％，僅達２７．４８億元。

至於模組廠威剛（３２６０）１月營收為３０．８７億元，較去

年１２月成長２０．９２％，由於ＤＲＡＭ現貨價格明顯反彈，

威剛不僅營收大幅成長，獲利方面也明顯好轉，可望擺脫虧損窘

境。

雖然標準型記憶體顆粒現貨價已站穩○．九美元關卡，但考量首

季為消費市場淡季，加上記憶體廠、系統組裝客戶與大型記憶體

模組商，目前都是滿手庫存，業者預期，首季記憶體報價將有不

小的跌幅，另外台系記憶體廠首季虧損幅度恐怕也不小。

記憶體相關業者分析，雖然今年初記憶體業者紛紛宣稱自家庫存

情況十分健康，但從各家財報中不難發現，光是力晶、茂德、南

亞科等台系大廠，去年第四季攤提的庫存跌價損失，合計就超過

新台幣六十億元，堪稱史上最多的一季，存貨之高恐超乎想像。

另外，外資圈也傳出，某記憶體模組大廠於去年第四季在友情考

量下，向茂德與爾必達等業者買入數量可觀、未經封測的標準型

記憶體裸晶圓，連累大型模組廠庫存水位跟著拉起警報；顯見現

下不論大型記憶體模組廠或是ＤＲＡＭ廠端都有為數可觀的隱藏

性庫存存在。

惟今年農曆年假期在大雪與低溫的侵蝕下，不論中國、台灣等亞

洲國家，ＤＲＡＭ市場買氣始終冷清，當然也無法順利去化過多

的存貨。至於合約市場端，氣候不佳導致首季ＰＣ零售市場銷售

量也不如預期，且ＰＣ與ＮＢ組裝廠，目前在標準型ＤＲＡＭ的

存貨仍多，短期內也沒有大量採購的必要。

因此在現貨與合約市場買氣始終低迷，而ＤＲＡＭ廠與模組業

者端隱藏性庫存可觀的前提下，即使今年初以來，

ＤＤＲ２五一二Ｍｂ的顆粒現貨價已經站穩○．八五美元大關，

尤其在集邦科技近期的市場報價中，ＤＤＲ２五一二Ｍｂ的顆粒

現貨價更在○．九八美元至一．二美元區間震盪，但業者多認為

，價格在短期內站穩高檔區間純屬假性，考量記憶體廠與模組廠

後續將有倒貨壓力，因此首季ＤＲＡＭ報價將有不小的跌幅。

集邦科技（ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ）昨（２９）日表示，雖

然中國農曆年前備貨需求邁入尾聲，但近期ＤＲＡＭ現貨報價仍

趨於平穩，尤其品牌顆粒與有效測試顆粒（ｅＴＴ）價差也縮小

，顯示市場激情雖歇，但對於未來價格趨勢仍表現出樂觀的態度

，對ＤＲＡＭ價格走勢並不看淡。

集邦統計，１月現貨市場５１２Ｍｂ　ＤＤＲＩＩ有效測試顆粒

最高價與最低價分別為１．１７美元與０．８４美元，１Ｇｂ規

格最高與最低價則分別為２．３３美元與１．７２美元，兩種規

格高低價差分別達３９．３％與３５．５％。若與１２月均價比

較，５１２Ｍｂ與１Ｇｂ價格也分別上漲１５．７％與１０．９

％。目前看來，ＤＲＡＭ廠普遍認為，ＤＲＡＭ價格將於第一季

落底，並有機會在季末即３月反彈，也使得市場人士普遍樂觀以

待。

合約市場方面，集邦認為，由於目前現貨價格高出合約價格約

２０％以上，所以部份ＤＲＡＭ廠有計劃調高現貨市場出貨比例

，一方面是因為在現貨市場獲利較高，另外一方面則可以降低合

約市場供應，進一步拉抬合約價，對於維繫合約價格走勢也可望

趨於正向。

據彭博資訊報導，由於晶片價格下滑，日本ＤＲＡＭ業者爾必達

（Ｅｌｐｉｄａ）首度出現９季以來虧損，該公司２００７年第

４季（１０∼１２月）呈現１２１．３億日圓（曰１．１４億美

元）的虧損，２００６年同期則是獲利２４９億日圓。營收則為

９４０．５億日圓，下滑了３４％。因此，爾必達２００８年度

資本支出將較２００７年度大減將近６０％，這對ＤＲＡＭ市場

無疑注入一股強心針。

爾必達於２９日的日本股市收盤後宣布，２００８年會計年度（

２００８年４月∼２００９年３月）集團（包括瑞晶的投資金額

）資本支出預估為１，０００億日圓，且重申２００７年會計年

度對瑞晶的投資金額為８１０億日圓，而爾必達資本支出金額為

１，６００億日圓（含瑞晶為２，４１０億日圓）。

近來全球ＤＲＡＭ產業相對悲觀，就連ＤＲＡＭ市場資優生也不

得不順應市場，將，２００８年資本支出大幅刪減，以減輕公司

營運壓力，估計爾必達２００８年度資本支出僅剩下１，０００

億日圓，當中還包含對瑞晶１Ｒ廠的投資金額，不過未包含Ｒ２

的建廠，因為Ｒ２到目前為止還沒有建廠計畫。

至於瑞晶方面，爾必達規劃讓１Ｒ廠月產能在２００８年３月拉

升至滿載的７萬片，並在２００８年９月讓該廠過半產能升級至

６５奈米製程技術。此外，爾必達正評估新的結盟方案或是購併

方案，未來不排除任何合作夥伴。

由於市場供過於求，造成ＰＣ的記憶體晶片價格遭到壓低。根據

集邦科技（ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ）調查指出，２００７年

第４季的晶片價格，下滑了３６％。除了爾必達有赤字之外，台

廠南亞科和華亞科也公佈虧損。全球ＤＲＡＭ龍頭三星電子也不

例外，晶片事業在２００７年第４季的獲利為４，３００億韓元

（約４．５５億美元）。

爾必達為了提高產能，在２００７年１０月將資本支出增加２３

％，從２００７年７月規畫的１，３００億日圓，提高到

１，６００億日圓。不過，有鑒於目前晶片供過於求，該公司決

定將資本支出削減到１，０００億日圓。

近期標準型ＤＲＡＭ跌到谷底後開始反彈，不過，消費性

ＤＲＡＭ也在進入淡季後，價格開始走軟，繼上周五大跌８％之

後，昨天也下跌４．５４％，累計１周以來跌幅超過１成以上，

因為ＤＲＡＭ廠舊產能大都用來生產消費性ＤＲＡＭ，在產能持

續增加，上半年淡季期間價格將持續下跌。

根據ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ報價，５１２Ｍ　ＤＤＲ４００

ＵＴＴ（未經完整測試顆粒）顆粒，上周五均價從２．４美元

跌到２．２美元，昨天再跌到２．１美元，跌幅合計超過１成，

而累積本月以來跌幅已經達到１８％。

南科行銷業務副總白培霖日前指出，由於消費電子出貨旺季已結

束，對於ＤＲＡＭ需求減少，因此價格也會開始補跌。業者指出

，由於標準型ＤＲＡＭ價格崩盤，也加速舊設備退出標準型產品

，在供給增加下，對價格是比有相當大壓力，因此進入淡季跌勢

就會擴大，不過在消費性ＤＲＡＭ規格多且雜下，跌勢不會像標

準型一樣。

力晶半導體（５３４６）昨天宣布與比利時微電子研發中心（

ＩＭＥＣ）簽約合作，共同開發３２奈米微影技術，以強化該公

司在先進記憶體製程的研發動能。ＩＭＥＣ是歐洲著名先進科技

研發中心，目前該中心所從事的研發工作，估計領先業界需求

３∼１０年，合作夥伴有英特爾、三星、台積電、美光等。

NAND Flash合約價止跌回穩 脫離黑暗期 MLC和SLC晶片均持平開

出 供需逐漸穩定

ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ合約價開始出現止跌回穩的訊號，最新公

佈１月上旬的４Ｇｂ、８Ｇｂ和１６　Ｇｂ已呈現持平開出，顯

示整個ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ市場經過嚴重供過於求，２００７

年１１月價格在大幅崩跌，價格來到上游ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ

大廠的成本位置後，供需失衡的情況大幅改善，現貨價和合約價

均雙雙步入止跌回穩的區域；這是近期ＤＲＡＭ價格止跌後，記

憶體產業最令人振奮的消息。

根據集邦科技最新的報價指出，ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ晶片在

４Ｇｂ、８Ｇｂ和１６　Ｇｂ容量中，不論是ＭＬＣ或是

ＳＬＣ型的晶片，１月上旬合約價都是持平開出，目前４Ｇｂ的

合約價中，平均價格約２．７４美元，８Ｇｂ平均價格約

３．３４美元，１６　Ｇｂ平均價格約６．２４美元，目前合約

價的幅度都微幅高於現貨市場的價格。

記憶體廠商指出，ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ價格在２００７年１１

日大跌後，目前的價格已接近ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ大廠的成本

區域，合約價也幾番經歷１０∼２０％的修正，２００７年最後

１次合約價跌幅縮小志５％左右，為ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ產業

脫離黑暗前的徵兆，１月上旬開出的合約價則正式止跌。

１月上旬開出的合約價中，連原本跌幅較深的ＳＬＣ晶片，也開

始止跌回穩。ＳＬＣ晶片目前只佔全體ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ約

１０％左右，主流趨勢以ＭＬＣ晶片為主，比重佔９０％，之前

由於ＳＬＣ供給有限，因此價格被大幅炒作上來，呈現洛陽紙貴

的趨勢，然２００７年底又重重跌下來，目前ＳＬＣ價格也開始

止穩。

近期ＤＲＡＭ市場和ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ市場紛紛出現止跌的

訊號，讓上游記憶體廠大大鬆了一口氣，ＤＲＡＭ市場在上游廠

延長歲修時間點，重視節制生產問題，配合大陸地區在農曆年前

的買盤加溫後，１月上旬ＤＤＲ２合約價也正式止跌反彈，上調

幅度約３％。

然２３日受到全球股災的波及，ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ相關族群

的股價並沒有全然受到合約價止跌的激勵，相關個股包括創見、

威剛、安國等，股價仍是跌停作收，只有勁永和群聯的股價逆勢

收紅，表現相對強勢。

DRAM合約價半年來首見反彈　 1月下半上漲 5%　合約價可望愈

墊愈高

根據集邦科技（ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ）所公布的報價顯示

，１月下旬全球ＤＲＡＭ合約價在止穩後，終於見到正式上揚的

情況，而此次調漲幅度約大約落在５％左右水準，而這也是全球

ＤＲＡＭ合約價經過長達半年走跌後，首度上漲，而就２００８

年供需態勢來看，未來幾季全球ＤＲＡＭ合約價將有機會逐步墊

高。

全球ＤＲＡＭ合約價近半年多以來持續處於走跌狀態，尤其是在

２００７年第４季全球ＤＲＡＭ合約價更是一路狂洩，最主要原

因在於全球ＤＲＡＭ廠與ＯＥＭ電腦大廠大多錯估２００７年微

軟（Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ）Ｖｉｓｔａ所帶來的市場需求，因此

在ＯＥＭ電腦大廠甦醒過來後，展開一連串的殺價動作，使得Ｄ

ＲＡＭ大廠２００７年第４季虧損持續擴大，部分台系ＤＲＡＭ

廠甚至加入百億元賠錢俱樂部，或至少５０億元俱樂部。

不過這樣情況到２００８年１月上半似乎見到反轉訊號，全球

ＤＲＡＭ合約價於１月上半出現持平，到了１月下半更是近半年

來首見的上漲。這對ＤＲＡＭ廠是相當大的鼓舞，目前看來這股

合約價上漲力道將有機會持續下去，因為ＤＲＡＭ大廠資本支出

減少後的效應已逐步見到。

南亞科白培霖表示，現階段的現貨價之所以反彈確實與農曆春節

的補貨需求有關，至於ＤＲＡＭ合約價上漲幅度沒有像ＤＲＡＭ

現貨價那樣快速。不過就目前ＤＲＡＭ合約價調漲狀態來看，未

來合約價可望逐步調高，農曆春節過後，合約價依然會繼續調漲

，但要強調的是漲幅不會太大。

但一旦進入２００８年下半後，合約價調漲幅度將可望迅速加快

，最主要原因是下半年起，全球ＤＲＡＭ供給量會更加吃緊，到

時調漲合約價速度以及幅度均將較現階段要更大。

ＤＲＡＭ廠表示，目前看來全球ＤＲＡＭ現貨價調漲時間領先合

約價１週，５１２Ｍｂ　ＤＤＲ２的ｅＴＴ重新站回１美元大關

，至於１Ｇｂ的ｅＴＴ顆粒同樣回到２美元水準；且近１週來

５１２Ｍｂ　ＤＤＲ２的ｅＴＴ漲幅更高達２成左右，品牌顆粒

的漲幅也在１０∼１５％，這些訊號都有助於未來合約價持續調

漲。

DRAM價格漲翻天，昨天512Mb DDRII有效測試顆粒（eTT）一度

大漲逾10%，最高價攻上1.22美元，再度改寫近三個多月來的新高

；現貨價一周來大漲近兩成，使得DRAM短多行情更加確立。

NAND Flash市場也傳出好消息，近期價格跌勢趨緩，加上蘋果將

推出新款搭載NAND Flash的筆記型電腦（NB），預料將掀起

NAND Flash新風潮。

群聯（8299）計畫在第二季陸續推出固態硬碟應用產品，將直接

受惠，今年營收年增率可望維持近四成的成長，每股純益上看17

元以上。

根據集邦科技（DRAMeX-change）報價，DRAM現貨價在昨天午

盤時衝上高點，1Gb與512Mb容量晶片全數大漲；512Mb DDRII有

效測試顆粒一周來報價大漲19.57%，1Gb品牌顆粒周漲幅也超過

15%。另，NAND Flash雖處淡季，但現貨價格跌幅多維持在1%以

內，市況較市場預期理想。

不僅台灣DRAM族群交投熱絡，日本券商瑞穗也調高日本DRAM大

廠爾必達（Elpida）評等，由「持有」至「買進」，激勵爾必達股

價逆勢大漲。

本土DRAM廠法說會今天起由南科（2408）、華亞科（3474）打

頭陣，將公布去年第四季與全年財報，法人預期兩家公司對

DRAM市況將朝正面解讀，而在DRAM現貨價持續上漲下，華亞科

、南科、力晶（5346）、茂德（5387）昨天全數逆勢收紅，類股

法說行情昨天已率先啟動。

分析師表示，DRAM價格在先前打底多日後，近一周以大漲反彈

姿態演出，使整體產業狀況谷底反彈格局更加確立，在價格回穩

激勵下，類股短多行情走勢可望更加穩固。

業者認為，DRAM現貨價波動幅度較大，但先前一路暴跌後，價

格底部已經成形，反彈是必然趨勢；這波反彈後，最快第一季末

便可以更清楚看見整個市況趨勢。