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ＤＲＡＭ現貨價續揚，昨晚盤漲幅約５％，昨天

ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ報價中，早、中、晚盤愈走愈低，顯

示下游通路商及模組廠，已不再進行不管價格補貨，ＤＲＡＭ短

線漲幅可能已近滿足點，未來幾天走勢波動恐會加劇。

據ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ昨天上午１１時現貨價格，１Ｇ

ＤＤＲ２　６６７原廠品牌顆粒均價上漲９．８％，達２．３１

美元，５１２Ｍ　ＤＤＲ２　６６７均價漲１０．３６％，達

１．１５美元；不過下午２點報價，漲幅已縮小到７∼８％，到

下午６點報價，漲幅縮減到４．６∼５．７１％。

１周來原廠品牌顆粒上揚１５％，ＵＴＴ（未經完整測試顆粒）

漲幅達２成以上。南科（２４０８）、華亞科（３４７４）今揭

開ＤＲＡＭ法說會序幕，市場仍期待能對產業釋出較樂觀預期。

市場傳出茂德（５３８７）計劃自１月底起，放緩中科廠部份產

能生產腳步，對合約客戶定單，將依約生產供貨，其餘部分產能

放緩生產腳步，未來可能移轉生產包括ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ等

非標準型ＤＲＡＭ產品，此舉等於有限度減產動作。茂德董事長

陳民良表示，沒有減產計劃，僅有中科廠在農曆年期間會有較長

歲修。

DRAM價格漲翻天，昨（21）日512Mb DDRII有效測試顆粒（eTT

）一度大漲逾10%，最高價突破1.2美元之上，再度改寫近三個月

多來的新高，不僅讓本土DRAM廠今（22）日起的法說行情「未

演先轟動」，現貨價一周來大漲近兩成，也使得DRAM短多行情

更加確立。

根據集邦科技（DRAMeX-change）報價，DRAM現貨價在昨天午

盤時衝上高點，1Gb與512Mb容量晶片全數大漲，512Mb DDRII有

效測試顆粒最高價攻上1.22美元，漲幅超過一成，一周來報價大

漲19.57%；1Gb品牌顆粒周漲幅也有15%以上。

本土DRAM廠法說會今天起由南科（2408）、華亞科（3474）打

頭陣，將公布去年第四季與全年財報，法人預期兩家公司對

DRAM市況將朝正面解讀，而在DRAM現貨價持續上漲下，華亞科

、南科、力晶（5346）、茂德（5387）昨天全數逆勢收紅，類股

法說行情昨天已率先啟動。

不僅台灣DRAM族群交投熱絡，日本券商瑞穗也調高日本DRAM大

廠爾必達（Elpida）評等，由「持有」至「買進」，激勵爾必達股

價也在日股不振下逆勢大漲。

分析師表示，DRAM價格在先前打底多日後，近一周以大漲反彈

姿態演出，使整體產業狀況谷底反彈格局更加確立，在價格回穩

激勵下，類股短多行情走勢可望更加穩固。

業者認為，DRAM現貨價波動幅度較大，但先前一路暴跌後，價

格底部已經成形，反彈是必然趨勢，而本月上旬合約價格止跌行

情確立，下旬合約價至少會維持持平以上走勢，並維持緩漲格局

，先前價格暴跌造成的營運壓力將隨之減輕，在這波反彈後，最

快第一季末便可以更清楚看見整個市況趨勢。

此外，先前價格急跌，使得電腦搭載記憶體容量從先前的2GB增加

至3GB，也將有助刺激需求增加，加上之後北京奧運可能帶來的

消費性電子對於NAND Flash需求大增，將使得記憶體晶片製造商

提撥更多DRAM產能生產NAND Flash，未來DRAM供給大增壓力銳

減，都對產業發展是正面助力。

DRAM短多勢不可擋，主流規格DDRⅡ512MB ETT報價上周五（18

日）持續大漲11.25%、每顆報1.07美元，1GB規格更飆漲11.44%、

站上2.18美元，統計今年來現貨價反彈已逾二成，國內外DRAM業

者首季營運壓力已大為紓解。

力晶上周五盤中一度衝抵13.9元，創今年新高，惟尾盤漲勢壓回

，終場收13.6元，但仍較前一交易日上漲0.35元；華亞科上周五同

步收漲0.9元在26.55元；南科、茂德則告小跌。值得注意的是，美

股上周五開高走低，唯獨DRAM大廠美光（Micron）逆勢上漲6.27

%，表現格外受到市場矚目。

DRAM現貨價持續反彈，目前市場寄望業者能在法說會釋出利多

消息；不過，全球最大DRAM業者南韓三星上周指出，DRAM今年

上半年仍然供過於求，顯示DRAM景氣復甦仍存在變數。

三星電子（Samsung）預期，今年首季全球PC出貨量將較去年第

四季下滑8%，但企業採納Windows Vista比率可望攀升，有助刺激

DRAM需求回溫。

集邦科技認為，今年有幾項利多可望刺激DRAM價格反彈、甚至

回穩，包括台系DRAM廠已陸續宣布減少今年資本支出，奇夢達

（Qimonda）宣布調降歐元地區生產比率由40%降至30%，各家12

吋晶圓產能擴張趨緩與8吋晶圓廠產能不斷去化，以及今年DRAM

位元成長率預估將由去年的92%下降至57%。

集邦科技指出，今年消費性桌上型電腦與筆記型電腦位元成長率

將有11%與25%，對記憶體搭載容量會高達3GB至4GB，有助提升

整體記憶體容量。此外，低價電腦開拓新的商機，亦有助消化部

分DRAM產能。

不過，有DRAM業者坦言，南韓三星與海力士（Hynix）在全球

DRAM市占率將近50%，唯有上述兩家甚至更多的國際大廠減產

，今年DRAM市場才有機會供需平衡，DRAM顆粒價格才會真正止

跌回升。

DRAM業界指出，DRAM產業景氣榮枯繫於供需是否平衡，當供給

大於需求1%，價格會快速下跌，反之則大漲，因此當供過於求時

，由市占率高的大廠帶頭減產，才能真正有助價格回穩；本波現

貨價反彈，是由台系廠年關歲修減產刺激出來的，對整體供給面

的去化影響，還有待觀察。

集邦科技（ＤＲＡＭｅＸ－ｃｈａｎｇｅ）昨日晚盤最新

ＤＲＡＭ現貨報價，５１２Ｍｂ　６６７ＭＨｚ　ＤＤＲＩＩ品

牌顆粒報價勁揚逾４％，重回１美元大關，激勵有效測試顆粒（

ｅＴＴ）均價衝上０．９６美元。

ＤＲＡＭ價格回穩，力晶（５３４６）、南科（２４０８）、茂

德（５３８７）等晶片製造商率先受惠，力成（６２３９）等後

段封測廠也獲利。

本土ＤＲＡＭ廠將自下周起陸續揭露去年第四季與全年財報，下

周二（２２日）由南科、華亞科打頭陣。分析師表示，去年第四

季ＤＲＡＭ價格不振，但從近期ＤＲＡＭ報價回穩來看，業者營

運可望漸入佳境，法說會上對於業績展望應該都屬正面解讀。

ＤＲＡＭ族群昨天股價陸續表態，力晶、南科、華亞科（

３４７４）均以漲停價作收；茂德則收當日最高價８．６９元，

漲幅逾６％。

根據集邦報價，５１２Ｍｂ　６６７ＭＨｚ　ＤＤＲＩＩ品牌顆

粒昨天均價站穩１美元關卡，漲幅達４．４％，是去年１１月失

守１美元後，首度重回１美元價位，盤中最高價達１．１美元，

近一個月來該規格顆粒均價漲幅已近１０％，價格底部反彈意味

濃厚；５１２Ｍｂ　ＤＤＲＩＩ有效測試顆粒均價同步走揚，均

價０．９６美元，也是近來新高。

業者認為，ＤＲＡＭ現貨價波動幅度較大，但先前一路暴跌後，

價格底部已經成形，而本月上旬合約價格止跌行情確立，下旬合

約價至少會維持持平以上走勢，並維持緩漲格局，先前價格暴跌

造成的營運壓力，將隨之減輕。

近幾個交易日ＤＲＡＭ售價連番上漲，市場人士認為，部分

ＤＲＡＭ廠介入，使得ＤＲＡＭ供給量相對減少，才會讓

ＤＲＡＭ順勢調漲。不過也有盤商認為，未來仍需視銷貨的

ＤＲＡＭ廠是否再倒出庫存，且需求能否承接才能再做進一步判

斷。

ＤＲＡＭ售價近日是漲多跌少，不過部分ＤＲＡＭ廠商坦承，這

波售價上漲的主因，還是擺脫不了人為力量的介入。據了解，

２００８年ＤＲＡＭ開市以來便有幾家ＤＲＡＭ廠限制出貨動作

，就連最大的ｅＴＴ顆粒供應商也加入銷貨行列，而使得

ＤＲＡＭ現貨市場上供給量瞬間減少不少。

而部分ＤＲＡＭ原廠不願意出貨原因，集邦科技認為ＤＲＡＭ現

貨市場報價仍舊偏低有關，至於另一ＤＲＡＭ廠則為能在接下來

兩週賣到更高價位，因此與幾家ＤＲＡＭ模組廠配合唱雙簧，將

ＤＲＡＭ現貨價先拉高再說。

不過ＤＲＡＭ現貨市場確實也存在一波２００７年第４季遞延的

ＤＲＡＭ補貨潮，及趕在農曆年前夕最後的補貨機會，使的整體

ＤＲＡＭ現貨市場需求確實存在，因此ＤＲＡＭ現貨價才會在供

給量有限但需求卻增加影響下緩步走堅。

ＤＲＡＭ合約價在２００８年１月上旬止跌回穩，多少也帶動

ＤＲＡＭ現貨市場中顆粒報價逐步攀升，加上部分ＤＲＡＭ廠如

台廠茂德將在１月下旬或２月初進行歲修計畫，進而降低

ＤＲＡＭ在３月份產出，部分ＤＲＡＭ廠認為如在加上ＰＣ銷售

量有機會在第１季底開始走揚，更有利ＤＲＡＭ價格回升。目前

看來部分ＤＲＡＭ廠可望在第２季前，宣告部分停產或降低資本

支出，也有部分ＤＲＡＭ廠可望告別虧損窘境。

５１２Ｍｂ　ＤＤＲＩＩ品牌顆粒報價勁揚逾４％，有效測試顆

粒衝上０．９６美元，同創近期新高；力晶南科華亞科股價

ｈｉｇｈ翻天。

ＤＲＡＭ記憶體景氣春燕飛來，集邦科技（

ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ）昨（１７）日晚盤最新ＤＲＡＭ現

貨報價，５１２Ｍｂ　ＤＤＲＩＩ品牌顆粒報價勁揚逾４％，均

價重回暌違三個月的１美元，並激勵有效測試顆粒（ｅＴＴ）均

價衝上０．９６美元，同創近期新高。

本土ＤＲＡＭ廠將自下旬起陸續召開法說會並揭露去年第四季與

全年財報，下周二（２２日）南科、華亞科打頭陣，分析師表示

，去年第四季ＤＲＡＭ價格不振，業者財報難看已在預期中，從

近期ＤＲＡＭ報價回穩來看，業者營運可望漸入佳境，法說會上

對於業績展望應該都屬正面解讀。

市場原預期ＤＲＡＭ合約價最快要到農曆年前才有機會反彈，但

昨天ＤＲＡＭ現貨價突破１美元，不僅比業界預期來得早，更有

助帶動元月下旬合約價走勢朝正向發展。ＤＲＡＭ族群昨天股價

續表態，力晶、南科、華亞科都以漲停價收盤；茂德則收在最高

價８．６９元，漲幅逾６％。

根據集邦報價，５１２Ｍｂ　６６７ＭＨｚ　ＤＤＲＩＩ品牌顆

粒昨天均價站穩１美元關卡，是去年１１月失守１美元後，首度

重回１美元價位，盤中最高價達１．１美元，近一個月來該規格

顆粒均價漲幅已近１０％，價格底部反彈意味濃厚；５１２Ｍｂ

ＤＤＲＩＩ有效測試顆粒均價同步走揚，均價０．９６美元，也

是近來新高。

集邦估計，隨ＤＲＡＭ廠在２月陸續進行歲修，減少產出，加上

個人電腦　銷售量可望自３月起走揚，將帶動５１２Ｍｂ顆粒價

格上攻到１至１．２美元。若第二季前，ＤＲＡＭ廠商宣布部分

停產或降低資本支出，則１Ｇｂ　ＤＤＲＩＩ顆粒可望率先起漲

，突破２．５美元，將帶領ＤＲＡＭ廠告別虧損。

業者認為，ＤＲＡＭ現貨價波動幅度較大，但一路重挫後，底部

已經成形，反彈是必然趨勢，本月上旬合約價格止跌行情確立，

下旬合約價至少會有持平以上走勢，並維持緩漲格局。

DRAM市況逐步好轉，在農曆年前需求增溫帶動下，DRAM報價

再度浮現明顯反彈，昨（十七）日DDR2 512Mb現貨報價上漲逾四

％，DDR2 512Mb 64Mx8 667MHz均價順利站上一美元整數關卡；

DDR2 1Gb 128Mx8 667MHz最高價位也出現二．一美元；屆時，

DRAM廠有機會擺脫虧損的窘境。

據集邦科技調查，目前DDR2 512Mb 現貨價今年反彈漲幅已達

一二％。

DRAM族群在報價勁揚，及今年營運可望漸入佳境的營運轉機

烘托下，昨日股價悉數帶量勁揚；華亞科、力晶、南亞科及勁永

、威剛同登漲停，創見、茂德漲幅也達五％、六％之多。

品牌顆粒DDR2 512Mb均價在去年十一月二十八日打出第一支腳

，接著反彈四．三％，並於十二月十一日打了第二支腳，形成了

一個完整的W底，從去年年底開始在○．九二美元至○．九五美

元築底。

受惠過年前下游廠商備庫存的需求存在，帶動交易量的上漲，

DRAM ETT（有效未測試顆粒）及品牌顆粒近日漲幅不小，昨日

晚間DDR2 512Mb的品牌顆粒來看，漲幅均有逾四％水準。

模組廠商指出，近期的確感受到上游貨放的較少，市場需求較

增的情形，認為在年前即使價格下滑，幅度也不會太大。惟交易

商認為，廠商控制出貨帶動價格上升的可能性，勝過於市場的實

質需求，在人為的因素干擾成份居多下，過年前現貨價格仍有潛

在壓力。

農曆年前回補庫存買盤回流，ＤＲＡＭ顆粒價格自上週五出現反

彈，累計漲幅已逾八％。集邦科技指出，新年開春第一周，

ＤＲＡＭ現貨價維持狹幅整理的格局，並於第二週開始反彈。由

於ＤＲＡＭ報價趨勢已顯示築底完成，ＤＤＲ２　５１２Ｍｂ可

望站上一美元關卡。

四大ＤＲＡＭ廠法說會日期相繼定案，下週二（廿二日）南亞科

、華亞科率先登場；茂德、力晶接棒，分別於廿九日、卅日召開

，公布去年自結數字及今年營運規劃。

ＤＲＡＭ族群昨（十五）日即在現貨反彈、法說行情加溫下，攜

手勁揚，華邦電、華亞科、茂德、創見、勁永及友旺，強勢拉出

半根漲停板。

集邦科技指出，品牌顆粒ＤＤＲ２　５１２Ｍｂ均價在去年十一

月廿八日打出第一支腳，接著反彈四．三％，並於十二月十一日

打了第二支腳，形成了一個完整的Ｗ底，從去年年底開始在○．

九二美元至○．九五美元築底。

值得注意的是，目前單顆ＤＤＲ２　１Ｇｂ與兩顆５１２Ｍｂ的

價差已低於一％，顯示現貨市場１Ｇｂ的供應量大增。由於單顆

１Ｇｂ至少可節省後段封測的成本○．三美元至○．五美元，相

較於兩顆５１２Ｍｂ成本；ＤＲＡＭ廠加速生產１Ｇｂ將為降低

成本的最迅速方法。

集邦科技認為，一月上旬ＤＲＡＭ合約價止跌回穩，接連帶動現

貨市場中的ＤＤＲ２顆粒的價格攀升，加上中國農曆年前市場需

求可望走強，ＤＤＲ２　５１２Ｍｂ品牌顆粒有機會於一月底，

或農曆過年前率先回到一美元以上。

此外，一月下旬或二月初ＤＲＡＭ廠將進行歲修計劃，其中，台

系廠茂德將實施歲修長達兩周，降低ＤＲＡＭ三月總產出，加上

ＰＣ銷售在三月預計會微幅向上，有利ＤＤＲ２價格回升一．二

美元。

一旦在第二季前，有ＤＲＡＭ廠商正式宣告部份停產或是降低資

本支出，ＤＤＲ２　１Ｇｂ有機會突破二．五美元，ＤＲＡＭ廠

可望告別虧損窘境。

元月上旬NAND Flash合約價出爐，仍然呈走跌趨勢，SLC規格晶

片最大跌幅更達兩成以上。DRAM與NAND Flash兩大記憶體產品

合約價趨勢呈現兩樣情，將使群聯（8299）等NAND Flash概念股

的短期營運增添壓力。

根據集邦科技（DRAMeXchange）報價，元月上旬NAND Flash合

約價仍呈現跌勢，其中4Gb MLC與SLC兩種規格晶片最大跌幅都在

兩成以上。

累計去年NAND Flash與DRAM合約價走勢都出現了暴跌，以

8Gb MLC規格NAND晶片為例，價格則將近腰斬。

NAND Flash價格走勢不振，陸續反應在概念股的業績表現。

其中，群聯去年12月營收14.67億元，創去年下半年以來的新低，

月衰退幅度則高達32.25%，單月稅前盈餘約9,000萬元，僅是去年

8月業績高檔時的三分之一，充分反映NAND晶片跌價的衝擊。

分析師表示，先前部分記憶體晶片廠將DRAM產能轉換生產

NAND Flash的效益將逐漸發酵，使得DRAM因產出減少致價格相

對有撐，但NAND Flash新增產能，卻成為往後影響價格波動的重

要變因，若市場需求無法同步增加，價格走勢將有疑慮。

集邦認為，由於農曆年將至，NAND Flash合約價短期內可望呈現

相對止穩，預期今年在手機、數位相機、隨身碟等NAND晶片主

要應用產品出貨持續增加下，整體市場需求端的位元成長率將超

過130%，預期市場旺季仍是第三季。

元月上旬NAND Flash合約價出爐，受旺季已過影響，仍呈走跌趨

勢，SLC規格晶片最大跌幅更達兩成以上，相較DRAM合約價終止

半年來跌幅，DRAM與NAND Flash兩大記憶體產品合約價趨勢呈

現兩樣情，將使群聯（8299）等NAND Flash概念股短期營運增添

壓力。

根據集邦科技（DRAMeX-change）報價，元月上旬NAND Flash合

約價仍呈現跌勢，其中4Gb MLC與SLC兩種規格晶片最大跌幅都在

兩成以上，其他容量則維持個位數百分比跌幅。累計去年NAND

Flash與DRAM合約價走勢都出現暴跌，以8Gb MLC規格NAND晶片

為例，去年初每顆合約均價6.92美元，到年底只剩3.48美元，價格

將近腰斬。

NAND Flash價格走勢不振，陸續反應在概念股的業績表現。其中

群聯去年12月營收14.67億元，創去年下半年來新低，月衰退幅

度高達32.25%，單月稅前盈餘約9,000萬元，僅是去年8月業績高

檔時的三分之一，充分反應NAND晶片跌價衝擊。

集邦分析，元月上旬SLC規格NAND晶片因年底旺季已過，出現停

滯後補跌，平均修正幅度10%至20%；MLC晶片因商在去年12月年

終旺季來臨前已提前大幅降價，因此跌幅較小，僅在個位數百分

比。

分析師表示，先前部分記憶體晶片廠將DRAM產能轉換生產

NAND Flash的效益將逐漸發酵，使DRAM因產出減少致價格相對

有撐，但NAND Flash新增產能，卻成為往後影響價格波動的重要

變因，若市場需求無法同步增加，價格走勢將有疑慮。

集邦認為，由於中國農曆年將至，NAND Flash合約價短期內可望

呈現相對止穩，預期今年在手機、數位相機、隨身碟等NAND晶

片主要應用產品出貨持續增加下，整體市場需求端的位元成長率

將超過130%。

整體看來，今年價格走勢變化還是會隨蘋果取貨的多寡而有影響

，預期市場旺季仍將會在第三季出現。

ＤＲＡＭ現貨價小幅反彈，合約價止跌，不僅激勵台灣ＤＲＡＭ

類股大漲，相關封測股也群起勁揚。不過，隨著先前ＤＲＡＭ跌

幅已深，ＤＲＡＭ廠虧損壓力仍在，加上淡季效應，後段封測廠

第１季調降代工價格約５％。記憶體封測龍頭廠力成科技在ＯＥ

Ｍ客戶訂單加持下，單季營收將與上季持平，呈現淡季不淡態勢

；南茂集團則預估單季營收將下滑５∼６％。業者均例行降低成

本策略，期使毛利率能夠持穩而不墜。

根據集邦科技最新報價顯示，１月上旬ＤＲＡＭ合約價出現止跌

，為近半年來罕見現象；同時現貨價也出現小幅反彈，不排除投

機客在年前囤貨，致使價格走揚。ＤＲＡＭ價格回穩，不僅使Ｄ

ＲＡＭ廠力晶漲停，南亞科、茂德大漲相關封測廠亦受惠，力成

急拉漲停，泰林、華東等也都有３∼５％的漲幅。

據了解，南茂集團已於２００７年１２月針對部份客戶調降，但

該公司對於調幅則無可奉告；力成已於１月調降封測代工價格，

封裝調降幅度略大於封測。

南茂認為，ＤＤＲ２封裝量增加，但因封測時間減少，因此第４

季ＤＲＡＭ業務成長幅度在５％以內，至於驅動ＩＣ因進入淡季

，營業額仍維持上季水準。

加上混合訊號ＩＣ測試需求持續增加，Ｆｌａｓｈ第４季業績將

增加１０％以上，整體第４季集團營收將成長５∼９％，至於毛

利率落在２３∼２７％區間。至於２００８年第１季，南茂認為

，首季淡季效應仍在，因此概估單季營收可能比上季下滑５∼６

％。

在代工價格走跌下，封測廠力行降低成本政策，力成和南茂從提

升機台效率等著手，估計單季毛利率仍可與上季持平或小幅下滑

，力成擬穩住３０％，南茂則力守２５％。

NAND Flash大廠擴產馬不停蹄 　今年位元成長率上看 130% 1月上

旬合約價止血 跌幅大幅縮小 SSD最有前景

ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ市場逐漸出現止血的態勢，２００８年１

月上旬的合約價跌幅已開始趨緩，主流８Ｇｂ容量的ＭＬＣ晶片

跌幅縮小至７．５％，１６Ｇｂ晶片跌幅也縮小至７％，惟產量

較少的ＳＬＣ晶片在需求高峰過後，合約價則重挫１０∼２０％

；整體而言，根據集邦科技（ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ）和英

鼎科技（ＩｎＳｐｅｃｔｒｕｍ）的最新預估，２００８年

ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ全球位元成長率約在１３０％附近，整個

產業的成長態勢仍是相當強勁。

ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ產業在２００７年１１月底開始提前崩盤

，現貨價和合約價雙雙重挫，價格幾乎是腰斬，除了面臨傳統淡

季來臨，大客戶蘋果（Ａｐｐｌｅ）訂單銳減５０％的影響外，

第４季５０奈米製程大量開出，也是導致供給端大量增加的因素

之一；然在度過價格重挫期後，２００８年１月上旬的ＮＡＮＤ

Ｆｌａｓｈ合約價，已開始有止血的趨勢。

根據集邦針對２００８年１月上旬最新合約價指出，８Ｇｂ的

ＭＬＣ晶片跌幅縮小至７．５％，平均價格約３．３４美元，

１６Ｇｂ晶片跌幅也約７％，平均價格約６．２４美元，而

４Ｇｂ晶片則是跌幅較重，約２０％左右；在英鼎科技報價部分

，８Ｇｂ的ＭＬＣ晶片跌幅也約３∼７．５％，１６Ｇｂ晶片跌

幅也約６％之內。

雖然ＭＬＣ晶片報價跌幅止血，在ＳＬＣ部分，之前由於產量有

限，因此報價一度水漲船高，在需求高峰逐漸過後，１月上旬

ＳＬＣ合約價則是大幅回檔，４Ｇｂ、８Ｇｂ和１６Ｇｂ合約價

的跌幅都達１０∼２０％；惟目前ＳＬＣ產能佔整體ＮＡＮＤ

Ｆｌａｓｈ市場產能只有約１０％，ＭＬＣ晶片則佔９０％。

以２００８年全球ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ市場來看，集邦科技預

估，位元成長率約１３０∼１４０％之間，由於１２吋晶圓廠產

能不斷開出，加上大多轉往５０奈米製程，預估２００８年全球

ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ的５０奈米比重可提升至６０％；而根據

英鼎科技預估，２００８年的ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ位元成長率

也約１３０％，顯示２００８年仍是ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ大廠

積極擴產的１年。

在ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ應用產品方面，集邦科技最新統計指出

，以手機、ＭＰ３／ＰＭＰ播放器、數位相機、隨身碟這４種應

用端來看，２００８年出貨量都持續攀升。

其中，２００８年手機的出貨量將成長約１０％，預計可達

１２．３３億支，其中具記憶卡插槽的比重可達５０％；而數位

相機出貨量年增率可達１４％，２００８年預估量為１．３億台

；在隨身碟市場方面，２００８年增率約２５％，預計可達

１．７億支；而在ＭＰ３／ＰＭＰ播放器上，２００８年的出貨

量年成長率可望達到２０％，約接近２億台左右，其中採用

ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ為介面的比重可達８５％。

整體而言，集邦指出，２００８年的ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ市場

主要還是以蘋果的影響最大，然低價電腦和固態硬碟（ＳＳＤ）

的市場也逐漸興起，若是這兩種新應用的規模都擴大，價格可較

過去持穩許多。

DRAM產業露曙光！ 1月上旬合約價首見止跌　OEM電腦大廠耶誕

節銷售超乎預期　回補力道出現

根據集邦科技（ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ）最新出爐的１月份

上旬合約價，ＤＤＲ２　６６７的１ＧＢ的ＤＲＡＭ模組均價約

落在１７美元左右，出現了近半年來少見的止跌狀況，市場人士

認為這次ＤＲＡＭ上半旬價格回穩主要原因，在於聖誕假期的銷

售比預期中來的好，再加上部分ＯＥＭ電腦大廠有回補訂單力道

出現，使得１月上旬合約價止跌回穩並維持持平的價格趨勢，而

部分ＤＲＡＭ業者認為有機會持平下去。

ＤＲＡＭ廠表示，目前看來２００８年一開春的ＤＲＡＭ合約價

還算不錯，大多數ＤＲＡＭ合約價均出現持平狀態，甚至部分訂

單量較小的客戶還被迫需要調漲ＤＲＡＭ合約價。據了解，到目

前為止，ＤＲＡＭ售價已是超級便宜，根本是賠錢在賣，與其如

此，ＤＲＡＭ廠已不太願意流血輸出。

再就目前市場需求來看，２００８年耶誕節ＯＥＭ電腦大廠銷售

超出原先預期數量，ＯＥＭ電腦業者必須開始回補庫存，畢竟先

前由於市場報價過低，導致ＯＥＭ電腦大廠手中均無過多庫存，

這次在ＯＥＭ電腦大廠庫存在耶誕節銷售旺季出清後，這時必須

再回補庫存當作安全庫存水位。

ＤＲＡＭ廠認為現階段實在沒有再下跌理由，就需求來看，

２００８年第１季電腦內部ＤＲＡＭ模組容量持續成長到１．５

ＧＢ∼１．７ＧＢ，較２００７年第４季的電腦ＤＲＡＭ模組容

量再成長１０％；此外，就供給面來看，２００８年第１季

ＤＲＡＭ產能開出相對有限，與２００７年第４季相較也差不多

成長１０％，因此在供需平衡下，ＤＲＡＭ合約價要續跌機會相

對較小。

目前看來２００８年的消費型桌上型電腦與筆記型電腦（ＮＢ）

的位元成長率分別有１１％與２５％的成長，其中在記憶體需求

方面，高階桌上型電腦與ＮＢ的搭載容量會高達３ＧＢ∼４ＧＢ

，將有助於整體記憶體容量的提昇。除此之外，低價電腦的風行

也是值得關注的焦點，因為本身產品的定位並非搶食現有的消費

市場而是開拓全新的領域，將有助於消化部分的ＤＲＡＭ產能。

DRAM 反彈曙光乍現 合約價止跌 底部不遠 力晶、南科、威剛、

創見將受惠

根據集邦科技（DRAMeXchange）最新出爐的元月上旬DRAM合約

報價，1GB DDRII模組均價落在約17美元左右，出現近半年來少見

的止跌狀況。

分析師表示，元月上旬DRAM合約價格止跌，透露DRAM價格已逼

近底部，未來現貨價再向下探底的空間有限，價格走勢即將露出

曙光，不僅有利力晶（5346）、南科（2408）等晶片製造商營運

，威剛（3260）、創見（2451）等下游模組廠也將受惠。

根據集邦科技統計，1GB DDRII模組去年元月時報價為100美元，

但到年底時僅剩下17美元，跌幅超過八成，透露DRAM價格崩盤

的壓力。

不過，今年元月上旬卻以17美元的平盤價開出，終止連月來跌勢

。集邦分析，元月上旬合約價回穩，主要受惠聖誕假期銷售狀況

優於預期，加上代工廠商有回補訂單的力道出現。

DRAM晶片製造商認為，先前價格大滑落，已大量刺激電腦單機

搭載DRAM容量，例如半年前大多數單機都是搭載512MB DRAM，

去年第四季起1GB容量已躍居主流，目前市面搭載2GB DRAM出貨

的電腦也愈來愈多，甚至也有3GB容量的單機銷售，今年上半年

Vista新版本問世後，可望刺激隨機容量增至4GB，有助價格的走勢

。

業者預期，近期DRAM合約價應該會處於底部盤整，等到3月時，

市況將會趨於明朗化，主要原因是部分大廠先前將DRAM產能轉

生產NAND Flash或轉至其他產品組合，造成DRAM市場供給減少

的效應陸續發酵，屆時可望有顯著價格彈升力道。

集邦認為，目前記憶體花費占整體電腦價格還不到5%，隨DRAM

價格低檔，DRAM搭載容量仍有增加空間，預期今年桌上型與筆

記型電腦的位元成長率將各約11%與25%，其中高階機種的DRAM

搭載容量將提升至3GB至4GB。

此外，低價電腦的銷售量持續增加，也有助開拓新DRAM產能的

消化來源，有助價格穩定。

據集邦科技（DRAMeX-change）最新出爐的元月上旬DRAM合約

報價，1GB DDRII模組均價落在約17美元左右，出現近半年來少見

的止跌狀況。

分析師表示，元月上旬DRAM合約價格止跌，透露DRAM價格已逼

近底部，未來現貨價再向下探底的空間有限，價格走勢即將露出

曙光，不僅有利力晶（5346）、南科（2408）等晶片製造商營運

，威剛（3260）、創見（2451）等下游模組廠也將受惠。

業者預期，近期DRAM合約價應該會處於底部盤整，等到3月時，

市況將會趨於明朗化，主要原因是部分大廠先前將DRAM產能轉

生產NAND Flash或轉至其他產品組合，造成DRAM市場供給減少

效應陸續發酵，屆時可望有顯著價格彈升力道。

集邦認為，低價電腦的銷售量持續增加，也有助開拓新DRAM產

能的消化來源，有助價格穩定。

根據集邦科技（ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ）指出，該機構編列

的ＤＲＡＭ總產值綜合指數（ＤＸＩ），在２００７年１１月底

落底，領先台灣ＤＲＡＭ各廠相關股價出現止跌反彈向上，

ＤＲＡＭ總產值並已於２００７年１２月底呈現波段跌勢的末期

，換言之，ＤＲＡＭ整體營收於去年１２月落底，２００８年元

月底部翻轉走勢浮現，顯示ＤＲＡＭ總產值走勢應可穩健復甦，

出現向上走勢。

ＤＸＩ於去年１月初一路下跌至６月中旬，反彈１３％至８月下

旬，即回復下跌趨勢，續跌２３％至１１月底，短彈１．３％至

１２月６日，再回測至２００７年１２月１７日，

ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ表示，ＤＸＩ其指標意義在於已呈現

底部整理，醞釀反彈契機。ＤＸＩ半年來首次出現Ｗ底，

ＤＲＡＭ總產值處於已於去年１２月底呈現波段跌勢的末期，換

言之ＤＲＡＭ整體營收於去年１２月落底。

集邦表示，ＤＲＡＭ價格經過半年下跌趨勢後，ＤＸＩ跌勢至此

暫時趨緩，呈現底部整理的型態，而在ＤＸＩ於２００７年１１

月底落底的同時，台灣ＤＲＡＭ廠個股股價方面包括力晶（

５３４６）、南科（２４０８）、茂德（５３８７）股價也於

２００７年１１月２８日來到近期股價低點，打下第１隻腳後出

現反彈，股價近期有落底的味道。

ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ指出，ＤＸＩ之本身即代表全球

ＤＲＡＭ總產值最即時的狀態，簡單來說，ＤＸＩ就是全球

ＤＲＡＭ產業的產值與業績指標，具高達９７％的正相關。

ＤＲＡＭ廠去年１２月營收將在本周陸續公布，由於１２月

ＤＲＡＭ合約價格下跌幅度約１成，因此包括南科、華亞科、茂

德的營收都將受到影響，反而是力晶受到ＵＴＴ（未經完整測試

顆粒）２度出現短線反彈的影響，１２月營收下跌幅度較緩，甚

至不排除有微幅成長的空間。

國內ＤＲＡＭ廠第４季虧損持續擴大，日商野村證券預估，台系

ＤＲＡＭ廠單季虧損合計達到８５億元，同時也有法人更悲觀，

預估虧損金額將超過１２０億元。

預估ＤＲＡＭ相關廠全年營運除華亞科獲利以外，其他４家

ＤＲＡＭ廠商全年虧損將達到１７０∼２００億元。

ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ報價經過大跌期後，近期開始呈現持穩狀

態，群聯看２００８年第１季營運，認為可漸漸脫離１２月谷底

，尤其是１月訂單回籠的狀況不錯，預計營收可較１２月回升，

整體第１季會較２００７年同期４０億元顯著成長，惟與

２００７年第４季相較，尤於１０月和１１月基期較高，仍是免

不了傳統淡季效應，季增率會出現負成長。

根據集邦科技（ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ）報價顯示，８Ｇｂ

容量的ＭＬＣ晶片目前現貨價格維持在３．３美元，１６Ｇｂ晶

片的容量報價約５．７５美元，在度過價格重度修正期，尤其是

１２月最難熬的時間點後，近期ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ價格已呈

現趨穩狀態，下游記憶體模組廠和記憶卡廠的壓力頓時解除。

DRAM 回穩 力晶樂了 512Mb DDRII現貨價漲一成 合約價可望跟進

南科茂德股漲

DRAM現貨價格再現曙光，512Mb DDRII有效測試顆粒（eTT）均

價本周以來大漲近一成，出乎業者原預期，集邦科技

（DRAMeXchange）昨（27）日報價，512Mb DDRII有效測試顆粒

價格最高衝上0.95美元，年底前可望收復1美元關卡。

業界認為，目前需求確實有比預期好些，但「作帳行情」才是推

升價格上揚的主力。

分析師指出，12月整體DRAM合約價已下修逾一成，反應前波現

貨價大跌影響，如今現貨價格回穩，也將激勵合約價往後止跌，

不僅主攻現貨市場的力晶可先喘口氣，包括南科、茂德等合約市

場比重高的DRAM廠，也將受惠。

DRAM市場進入年底作帳，原廠與模組商受到庫存跌價影響，近

期不再低價拋售，以期年底財報不用大舉提列庫存跌價損失，正

因如此，這兩個月下跌逾五成的DDR，近期出現可觀反彈，重新

挑戰1美元的價位。

但就近幾天價格回彈來看，應該與耶誕節前客戶降低庫存水位，

如今假期邁入尾聲，陸續回補庫存所致，至於能否真的在年底前

重新站回1美元大關，目前採「審慎樂觀」態度面對。

業者表示，農曆春節科技產品買氣被寄予厚望，大陸1月DRAM及

快閃記憶體備料，以及2月春節過後的補貨行情近期帶動市場買氣

，由於第一季進入晶圓廠歲修階段，實際產出顆粒將明顯短少，

加上碰上中國農曆年買氣出籠，後勢價格將審慎樂觀。

集邦科技最新報價，512Mb DDRII有效測試顆粒價格離1 美元關卡

近在咫尺，均價也站穩0.9美元以上，過去一周來由0.8美元附近起

漲，漲幅近一成。

現貨價格反彈，業者營運壓力大減。力晶（5346）現貨市場出貨

比重最高，將率先受惠。昨天股價上漲0.35元、收12.9 元，成交

量近3.7萬張。

集邦認為，台灣部分DRAM製造商近期考慮在明年農曆年期間進

行歲休，可望成為「變相減產」，減少產出幅度約在10%至25%，

有助明年第一季DRAM價格反彈。目前已有奇夢達宣布歐洲地區

少量減產，將有助減少市場供給，有利價格走勢。

DRAM現貨價格再現曙光，512Mb DDRII有效測試顆粒（eTT）均

價本周以來大漲近一成，出乎業者原預期，集邦科技

（DRAMeXchange）昨日報價，512Mb DDRII有效測試顆粒價格最

高衝上0.95美元，年底前可望收復1美元關卡。

業界認為，目前需求確實比預期好些，但「作帳行情」才是推升

價格上揚的主力。

分析師指出，12月整體DRAM合約價已下修逾一成，反應前波現

貨價大跌影響，如今現貨價格回穩，也將激勵合約價往後止跌，

不僅主攻現貨市場的力晶可先喘口氣，包括南科、茂德等合約市

場比重高的DRAM廠，也將受惠。

DRAM市場進入年底作帳，原廠與模組商受到庫存跌價的影響，

近期不再低價拋售，以期年底財報不用大舉提列庫存跌價損失，

也正因如此，這兩個月下跌逾五成的DDR，近期出現可觀的反彈

力道。

集邦科技最新報價，512Mb DDRII有效測試顆粒價格均價，站穩

0.9美元以上，過去一周以來由0.8美元附近起漲，漲幅近一成。

但是業者認為這是傳統的節後回補庫存，對價格仍採「審慎樂觀

」態度。

集邦認為，台灣部分DRAM製造商近期考慮在明年農曆年期間進

行歲休，可望成為「變相減產」，減少產出幅度約在10%至25%

，有助明年第一季DRAM價格反彈。

目前已有奇夢達宣布歐洲地區少量減產，將有助減少市場供給，

有利價格走勢。

蘋果效應波及！ 12月NAND Flash合約價減少近 5成 幾近崩盤式走

法 　寄望明年1月有小反彈行情

１２月ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ市場在蘋果（Ａｐｐｌｅ）下單量

減少的影響下，整體供需失衡的情況相當嚴重，現貨價格也首當

其衝受波及，主流規格８Ｇｂ容量ＭＬＣ的價格由５美元瞬間重

挫至３美元，１２月下旬的合約價在現貨價的往下帶動下，也重

挫達１６∼２５％，合計整體１２月ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ的合

約價格幾乎是砍一半，重演每年市場進入傳統淡季時，ＮＡＮＤ

Ｆｌａｓｈ市場再度崩盤的情況！

根據集邦科技（ＤＲＡＭｅＸｃｈａｎｇｅ）公布的１２月下旬

ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ合約價顯示，８Ｇｂ容量的ＭＬＣ晶片重

挫幅度達１３∼２５％，平均價格約３．４８美元；１６Ｇｂ容

量的ＭＬＣ晶片跌幅約２１∼２５％，平均價格約６．５２美元

；而ＳＬＣ型的晶片則因為產量相當少，所以下跌幅度也相對較

少。

記憶體模組廠表示，對於１２月下旬ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ合約

價重挫，其實並不感意外，主要是因為１２月以來，蘋果慣例大

幅減少對於ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ大廠的下單數量。然２００７

年又遇到５０奈米製程晶片在第４季大量產出，因此使得

ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ供需進一步嚴重失衡，價格提前在１２月

重挫。

模組廠進一步表示，現貨市場最為敏感，因此在１２月初的現貨

價已開始領跌反應，當時雖然合約價表面上還撐在高檔，但在現

貨、合約差距過大之下，其實相當不合理。因此１２月下旬的

ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ合約價繼續重挫，拉近與現貨價之間的距

離，形成合約和現貨的價格不會差太多。

對於１月ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ價格走勢，目前各界看法多空不

一，部分廠商認為，短線價格重挫，因此在１月價格有機會小幅

反彈，加上年底下游廠幫忙消化不少貨源，在上、下游貨源穩定

下，價格不至於波動太大。

但也有部分業者認為，１月ＮＡＮＤ　Ｆｌａｓｈ產出有增無減

，加上是消費性電子產業的傳統淡季，因此供需失衡的情況仍是

持續，短線看不到好消息。