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經濟部「2013台灣購物節」9月推出第一波「網路購物趣」後，獲消費者熱烈迴響。即日起，經濟部再加碼聯合七家網購平台接力登場，推出第二波「網路購物趣」帶動全民快樂消費、拚經濟，整體營收預估可上看75億元。

此次經濟部加碼聯合的七家電子商務平台，包括：7-net雲端超商、Books博客來、Go Happy快樂購物網、Payeasy康迅數位、Yahoo!拍賣及Yahoo!超級商城、Yahoo!購物中心等，都是國內重量級的網購業者。

共計超過上萬個商家，數百萬項商品，放送多項網路購物趣專屬優惠內容。透過此次的「網路購物趣」活動，預計可創造百萬次的曝光量，促進營收超過37.5億元。加上第一波聯合六家網購平台業者共同刺激消費，預計網路購物趣活動整體營收可上看75億元。（劉美恩）

繼南韓SK海力士（SK Hynix）之後，全球最大記憶體供應商三星也轉移部分儲存型快閃記憶體（NAND Flash）產能生產DRAM，支應DRAM供貨短缺的情形，連帶讓NAND Flash供應吃緊，價格看漲。

記憶體業者透露，雖然三星不願公布移轉多少產能轉做DRAM ，但可確定DRAM漲勢將延燒至NAND Flash，使得Flash比重較高的模組廠包括創見（2451）、群聯、宇瞻、廣穎等第4季可望淡季不淡。

SK海力士無錫廠大火後，因受損頗為嚴重，在大量消化個人電腦（PC）用DRAM後，日前已通知主要OEM廠和通路商，10月起將無法滿足客戶供貨，讓相關OEM廠和通路商緊張，大舉掃貨，持續推升DRAM現貨價，10月合約價將同步上揚。

業者表示，SK海力士雖宣稱無錫廠將於11月陸續恢復生產，但業者普遍感到質疑。

由於SK海力士無錫廠是該集團最主要PC DRAM製造重鎮，影響DRAM供貨高達14%，三星和美光是最大受益者；SK海力士為彌補供貨短缺，已將韓國廠產能轉作DRAM。由於DRAM價格飆升至三年新高，根據集邦報價，主流DDR3 2Gb DRAM每顆站上2.3美元、4Gb DRAM每顆最高報價觸及4.5美元波段新高，DRAM獲利賣一顆、賺一顆，為此三星已將部分NAND Flash產能轉移生產DRAM。

三星挪移DRAM產能轉做NAND Flash，是否壓抑DRAM漲勢值得注意。不過，NAND Flash已因SK海力士和三星都將部分產能轉向支應DRAM而呈現短缺，上月下旬至今漲幅3%到5%，10月價格也看俏。

NAND Flash供貨仍集中在三星、SK海力士、東芝、美光及晟碟等大廠，國內有華邦、旺宏等少數廠家切入低容量產品；模組廠中包括創見、宇瞻、廣穎等都有50%以上比重集中在NAND Flash應用，群聯更是全押NAND Flash應用，相關族群本季營運將隨NAND Flash價格翻揚而提升。

全球DRAM市占率第2的海力士(Hynix)集團受大火衝擊持續延燒，目前已通知旗下客戶，10月份訂單無法如期交貨，相關電子OEM代工廠又見掃貨現象，激勵DRAM現貨價再度飆高，並創下今年以來的新高價，受惠程度最大的威剛(3260)、晶豪科(3006)等，投資人可觀察其連結的認購權證，擇機布局。

根據集邦科技調查，DDR3 2Gb顆粒現貨價格已攀升至2.3美元，自火災後價格漲幅已飆高近4成，隨著現貨價格持續大漲，未來2個月D RAM合約價也可望同步揚升。據通路商表示，DRAM大廠美光可能將DD R3 2Gb報價推升至2.5美元；DDR3 4Gb則上看4.5美元。市場也預估供貨吃緊的狀況將持續至明年第1季後才可望得以解除。

在DRAM概念股之中，擁有最多低價庫存的威剛(3260)，則是此事件的最大贏家，法人也預估9月營收將月增逾15％，並重回30億元關卡，下半年獲利可望追平上半年，有機會再創歷史新高。在篩選權證方面，可以挑長天期、較價平的權證，如日盛QQ或元富QT等，與現股保有較良好的關連性，在布局上可長可短，更能靈活的操作。

海力士同時也是全球繪圖記憶體供應大廠，據了解，繪圖晶片雙雄超微(AMD)及輝達(NVIDIA)手中高階板卡，所使用的GDDR3、GDD R5記憶體庫存已不足一個月，中低階x16規格DDR3更是嚴重缺貨，也讓經營繪圖DRAM多年的晶豪科今年訂單能見度大增，後市成長力道不容小覷。看好的投資人可以挑90天期以上、較價外的權證做布局，如日盛G7或凱基CT等，屆時股價走勢如預期，有機會獲利。

受SK海力士無錫廠火災影響，9月DRAM現貨與合約價格均明顯大漲，DRAM業者表示，估計至少到明年第1季，都會維持價格上揚的局面，每季合約價漲幅應該起碼都有15%至20%的空間。

從9月初以來，DRAM顆粒現貨累積漲幅超過四成，9月下旬合約價也有15%左右漲幅，對於合約價漲幅不若現貨價，DRAM業者指出，合約價的特性就是緩漲緩跌，否則若一下子漲太多，客戶會無法承受，招來反彈，估計接下來10月的合約價還會繼續往上。

集邦科技指出，9月因為還處於第3季的範圍內，所以DRAM業者提出的合約價漲價幅度，被原先與客戶的協商所限制，但進入10、11月後，可預期漲價幅度會更明顯，逐步接近現貨漲幅。

業界評估，10月有機會看到2Gb DDR3顆粒價格挑戰2.5美元，以及4Gb DDR3顆粒價格邁向4.5美元。

SK海力士無錫廠於9月初發生火災後，DRAM顆粒現貨價明顯受相關消息刺激而上揚，不過2Gb DDR3顆粒現貨價從中秋節前開始漲勢趨緩，本周持續回檔，昨（24）日2Gb DDR3顆粒現貨價下跌逾2%，至今均價累積跌幅約有3%至3.5%。

研調機構集邦科技認為，DRAM現貨是淺碟市場，如今DRAM價格短暫回檔現象，主要是之前受消息面影響，漲幅太大。相對於DRAM顆粒現貨價已漲逾四成，9月合約價漲幅僅15%，其中4GB模組價格合約價約32美元左右，估計10月合約價還會持續往上。

集邦指出，SK海力士無錫廠火災對其產能影響頗大，9月市場供應主要還是8月產出，所以受災的供應缺口情形，恐怕還會於10、11月繼續發酵。大陸方面因中秋假期後續又將接著十一長假，所以影響這段期間的DRAM拉貨力道，可能於十一之後才會再回升。

昨日除了2Gb DDR3顆粒現貨價格持續下探，均價約2.19至2.21美元，4Gb DDR3顆粒現貨均價也從持平開始轉為下跌，而跌幅約1.12%，均價來到4.163美元。

SK海力士（Hynix）無錫廠大火後記憶晶片價格已大漲42%，漲到兩年多來高峰。電腦和智慧手機業者零組件的成本也大增。

集邦科技報價顯示，動態隨機存取記憶體（DRAM）的DDR 2GB每顆23日漲到2.27美元，SK海力士工廠4日因大火關廠當天只有1.60美元。SK海力士受災的生產線預料下月恢復生產。

全球第二大記憶晶片生產商SK海力士已加緊在南韓生產，以降低火災所造成的影響。蘋果、戴爾、Sony都是SK海力士的客戶。

Leading Investment & Securities分析師吳相宇說：「記憶晶片價格第4季若非持續上漲，至少也不會下跌，除非全面復工。市場原以為第4季就會觸頂。」他認為，美光是最大受益者。

【記者謝易軒／台北報導】SK海力士（Hynix）無錫廠大火引發記憶體產品再現年初的搶貨潮，美光陣營也趁勢坐大，搶奪市占率，帶動國內包括華亞科、南科、華東等相關供應鏈後市營運將吃下補丸。

業者指出，因應旺季鋪貨需求，本來就已供應吃緊的記憶體產品市場，搶貨狀況更加激烈，尤其這波搶貨潮已蔓延至行動式記憶體。

SK海力士無錫廠受災效應繼續發酵，DRAM價格漲不停，集邦科技公布，昨（16）日DRAM顆粒現貨報價再往上衝，其中1Gb與2Gb DDR3顆粒現貨均價漲幅最多均超過6%，2Gb DDR3顆粒現貨最高價已達2.35美元，續創今年新高。

SK海力士無錫廠產能大多用以生產標準型DRAM，由於最快10月全面復工，導致恢復正常產出的時點可能落在第4季底，業界人士多已預期DRAM缺貨效應起碼會延續到年底。

集邦科技昨（12）日表示，觀察本周現貨市場整體表現，大陸多晶矽價格仍維持高檔，平均價格上揚到每公斤17美元，漲幅約1.8%。在矽晶圓方面，多晶矽晶圓均價小跌0.11%，來到每瓦0.885美元。至於電池與模組報價，本周多維持平盤。

在矽晶圓方面，雖然相關業者努力促使開始賺錢的電池客戶讓利，調高一些價格，集邦科技指出，買賣雙方正持續進行協商，但目前標準品價格仍微幅下滑。

據了解，近日包括綠能（3519）、中美晶與達能等業者都希望調整矽晶圓價格。綠能上半年每股虧3.98元，達能上半年每股虧損1.28元；中美晶的太陽能業務也虧錢，但因有半導體業務撐著，上半年每股純益達0.6元。

集邦科技認為，近期各國陸續公布太陽能政策，有些可望提升系統安裝量，但有些則將大幅減少補助範圍和金額。

SK海力士受災讓DRAM市場起波瀾，華亞科（3474）董事長兼南科總經理高啟全昨（12）日表示，近日一線OEM客戶來台談定最新合約價，下季合約價漲定了，且漲幅不小，他預估，因大部分貨源要優先供應一線OEM廠，二線應用廠恐吃虧。

華亞科第2季稅後純益34.72億元，高啟全重申，第3季獲利跟第2季相比，會好「不只一點點」，而且「好很多也有可能」。

由於華亞科7月稅後純益超過21億元，法人推估，8、9月的情況不比7月差，第3季獲利會超過60億元水準。

SK海力士無錫廠在上周發生火災，官方宣稱，已有部分產能復工，但何時全面復工，仍不明朗，但已帶動DRAM現貨價格飆漲。SK海力士無錫廠月產能13萬片，其中，大多數生產標準型DRAM，一部分是行動記憶體，無錫廠占全球總產能約一成。

高啟全指出，DRAM現貨市場佔比大概僅5%，合約市場達95%，SK海力士事件影響市場供需，帶動現貨價格上揚。但過去兩個月，DRAM現貨價下跌，合約價並沒有滑落，這代表DRAM 寡占市場已形成，以前看現貨就可推估合約價走勢，現在現貨市場影響力已有限，價格高低影響不了合約市場。

高啟全強調，DRAM並沒有供過於求，雖然PC端較疲軟，但過去兩個月仍屬健康狀態，穩定供需平衡，因此，一旦有些干擾，如SK海力士事件，就造成價格波動。

對於DRAM搶貨，高啟全說，若合約客戶雙方往來很久，不可能因為現貨價格較好，就全都賣到外面去，供應商對OEM廠有責任在，會給予全力支持。

根據集邦統計，昨日DRAM報價續漲，DDR3 2Gb 1333MHz顆粒現貨最高價攀高到2.12美元，均價漲幅也達3.37%。 DDR3 1Gb顆粒現貨均價也上漲3.14%。

另外，南科副總李培瑛也表示，短期內市場預期DRAM會短缺，所以現貨市場價格起伏大，所有供應商應都會審慎密切觀察，報價與出貨都會相當保守。

南科目前僅針對合約客戶持續出貨，另對生產線有緊急需求的客戶，也會提供協助。等未來市場明朗化後，將進一步調整供貨。

受海力士事件影響，DRAM報價持續漲不停，集邦科技分析師吳雅婷昨（11）日指出，第4季標準型DRAM價格往上已相當確定，9月下旬合約價先看漲，可能下周明朗。至於行動記憶體方面，價格也可能小漲。

根據集邦科技的DRAM報價統計，昨日1Gb DDR3顆粒現貨均價上漲7.56%，來到1.337美元，2Gb DDR3有效測試顆粒均價上漲5.11%，達到1.85美元，2Gb DDR3顆粒均價已站上2美元。至於4Gb DDR3現貨顆粒均價也上漲3.16%，當日高點甚至已達4.1美元。

吳雅婷說，目前部分廠商尚未報合約價，所以尚難定論，不過現貨價在海力士相關消息還不明確的情況下，上週2Gb DDR3顆粒價格已上漲二成多。

後續走勢取決於海力士方面是否釋出更多新訊息，在貨源短缺情形真正出現前，接下來是中秋節與十一長假，漲勢可能會稍微和緩一點。等到第4季，大約10、11月，相關廠商庫存明顯降低時，價格可能再上揚。

雖然韓國DRAM廠SK海力士(SK Hynix)強調大陸無錫廠已有一條生產線回復生產，其它生產線將在最快時間內回復投片，但是包括模組廠及OEM廠均表示，DRAM市場僅剩下三家供應商，SK海力士無錫廠大火後生產中斷，三星及美光限制銷售，「DRAM市場沒貨就是沒貨」。而在追補庫存買盤湧入下，4Gb DDR3現貨價昨日飆出新天價。

受惠於DRAM價格創下歷史新高，不僅南科(2408)及華亞科(347 4)本季獲利持續看俏，包括威剛(3260)、品安(8088)、宇瞻( 8271)等DRAM比重高的模組廠，9月營收可望出現「大躍進」。由於模組廠在7月及8月價格下跌時，都替上游DRAM廠吃了不少貨，現在D RAM價格持續看漲，模組廠「好心有好報」，本季獲利爆發力不容忽視。

DRAM市場在7月後出現供給過剩壓力，價格在兩個月內大跌近3成， OEM廠早已大幅降低手中庫存，但因SK海力士無錫廠大火後，包括模組廠及OEM廠均評估，至少要3個月才有辦法回復全產能投片。如今英特爾低電壓版Haswell處理器全面到貨，PC生產鏈整個動起來，市場庫存水位相對偏低，DRAM價格也因此一飛衝天。

據集邦科技及模組廠提供報價，4Gb DDR3原廠顆粒現貨價在6月中旬達到3.78美元後觸頂回落，但昨日價格已漲回3.8美元以上，最高價還一度觸及4美元，創下歷史新價。至於2Gb DDR3現貨價同樣在昨日飆上2美元，創下2011年4月以來新高，並已超過6月中旬的1.95美元。

為了提前備貨，OEM廠採購主管昨日均到台灣搶貨，不僅金士頓庫存急降，威剛、品安、宇瞻等模組廠手中DRAM模組成品庫存也被一掃而空，現有晶片庫存可因應到11月中旬，但也被惠普、戴爾、宏碁、華碩等包下，由營收及獲利來看，可說是「面子裡子都有」。

業界普遍認為，英特爾低電壓版Haswell大量交貨後，庫存低的OE M廠勢必會擴大採購力道回補庫存水位，價格將有持續上漲力道，價格的天花板在哪裡現在完全看不出來，端視SK海力士無錫廠何時能回復全產能投片，短線來看4Gb DDR3價格可能有機會上看5美元。

SK海力士無錫廠爆炸失火，DRAM現貨價格昨（5）日應聲大漲19%，創下單日最大漲幅，價格回到二個月前高點，震撼全球市場。

SK海力士是全球第三大DRAM廠。雖然SK海力士昨天聲明無鍚廠受損「輕微」，將儘速復工。但有消息指出，此爆炸案已造成二位員工死亡，中國公安已封鎖廠區調查，惟尚難證實。

昨天暫停報價的三星、南科等，決定持續停止報價和接單，周一再視情況，提出最新報價。記憶體模組大廠威剛也打算跟進；威剛表示，歐美客戶也加入「搶貨」行列。

集邦昨天最新報價，主流DDR3 2Gb DRAM現貨價每顆最高來到1.95元，逼近二個月前2美元價位。

DRAM業者指出，9月正是洽談第4季合約價時刻，SK海力士這把火，可能讓其他廠商第4季後續仍得以受益。

南科總經理高啟全昨日表示，「缺貨恐怕難免」，同時連帶也會使得價格上漲。

集邦科技指出，海力士無錫廠在大火後，產線全面停工，起火源可能在晶圓廠內部重要設備或機台所引發，同時恐怕造成無塵室汙染。從善後到復工，可能需時達半年以上，將對市場造成一定程度衝擊。

集邦科技估計，原先標準型DRAM市場因需求不振、價格走軟的預測，將完全被推翻，PC DRAM的供給將產生可觀缺口，甚至壓制PC單機搭載量的成長。

對於SK海力士受災，其他廠商多哀矜勿喜。不過，包括南科、華亞科、華邦電等標準型DRAM與行動記憶體廠商，昨日股價一早亮燈漲停；模組廠如威剛、創見、宇瞻與勁永等，股價漲幅也在3%之上。未來如果往上游延伸，包括中美晶等半導體矽晶圓廠，供應其他DRAM廠原料，也可能受惠。

根據研調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查顯示，NAND Flash合約價在8月上旬下跌6∼8％後，8月下旬續跌5∼10 ％，亦即8月合約價較7月重跌11∼18％。集邦科技表示，綜合生產端產出增加以及下半年需求不如預期的影響下，9月份NAND Flash合約價恐將繼續緩步下跌。

由於記憶卡、隨身碟、固態硬碟(SSD)等終端應用產品第3季以來銷售情況不如預期，加上8月份NAND Flash晶片合約價格下跌，雖然有助於降低平均採購成本，但生產鏈庫存水位持續拉高，因此法人認為，NAND產品比重高的模組廠如廣穎(4973)、創見(2451)、勁永 (6145)等，第3季旺季效應落空，但毛利率有機會優於第2季。

集邦科技指出，8月下旬NAND Flash合約價較上旬下滑5∼10％，主要由於OEM廠需求不如預期，導致買方庫存水位升高，備貨力道明顯萎縮。

從產出端來看，東芝自第3季回復全產能生產後，雖然三星西安廠最快要明年第1季才加入生產行列，但SK海力士與美光於今年第4季皆會投入新的NAND Flash產能，預計第4季NAND Flash產出將呈現季成長10％，即便NAND Flash原廠極力控制出貨以穩定市場價格，但產出增加依舊讓原廠備感壓力。

從需求端來看，筆電產業持續呈現衰退格局，集邦預期2013年筆記型電腦出貨量將比去年衰退約10％，進而影響Ultrabook與其它相關內建SSD的機種銷售表現，以至於各主要OEM廠的SSD庫存水位有攀升的跡象，因而下修下半年旺季銷售期望。

雖然9月份智慧型手機與平板電腦新機種陸續上市，但在經濟不景氣的影響下，推估買氣也將轉趨保守，綜合生產端產出增加以及下半年需求端不如預期的影響，9月份NAND Flash合約價恐將繼續緩步下跌。

根據市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查， 2012年全球DRAM模組市場總銷售金額約達54.93億美元，較2011年衰退約12.55％。在前十大DRAM模組廠中，金士頓以接近五成市占率穩坐模組廠王座，台灣則有包括威剛、創見、十詮、宇瞻等4家台灣模組廠擠進前十大排名。

集邦昨日公布2012年全球DRAM模組廠排名，根據調查顯示，模組廠前五名占整體銷售金額的75％，前十名幾乎囊括全球九成模組市場營業額，其中金士頓仍穩坐模組廠王座，但營收下滑約12.08％，記憶科技(Ramaxel)及Smart Modular則位居二、三名之列，營收亦下滑約14.31％及2.86％。而在前十大DRAM模組廠中，台灣業者仍有包括威剛、創見、十詮、宇瞻等4家台灣模組廠擠進前10大排名。

集邦指出，模組廠DRAM營收下降不代表該公司競爭力滑落，而是公司於策略上將重心移往新產品，未來全球模組產業將更趨於多元化。對DRAM產業而言，2012年確實是艱困一年，不光PC出貨較前年衰退近 6％，2Gb DDR3合約顆粒價格亦從高點的1.17美元下滑至最低0.82美元，跌幅達30％，甚至去年五月發生DRAM產業重整。

不過，隨著智慧型手機與平板電腦熱銷，一線DRAM大廠積極從標準型DRAM轉進Mobile DRAM，導致下半年標準型DRAM產出減少，啟動第四季價格上漲契機。但由於2012年DRAM價格經歷長達三季的價格下滑，且現貨市場規模逐漸萎縮，亦使2012年模組廠DRAM營收普遍呈現衰退，再加上模組廠在產品配置上更趨多元，DRAM產品已經不是模組廠比重最高的營收項目，都是讓2012年模組廠DRAM產值下滑的主要原因。

展望2013年，由於美光已正式整併爾必達，加上台系DRAM廠全面退出市場，或是成為單純代工廠後，DRAM供給端未來已確定成為寡占市場，供給端受限將給模組廠帶來嚴峻考驗，現貨市場規模變小。

根據市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange指出，隨著Ultrabook等輕薄筆電逐漸成市場主流，ODM/OEM廠開始採用主機板內嵌(DRAM On Board)技術，並由標準型DRAM轉向採用低功耗的 Mobile DRAM。也因此，Mobile DRAM挾省電與免模組成本優勢，成為 Ultrabook筆電首選，此一現象不僅改變了DRAM產業生態，也直接衝擊模組廠與現貨廠獲利。

自從蘋果平板電腦iPad問市後，平板電腦輕薄外觀與高度可攜式特性嚴重衝擊傳統筆電出貨量，筆電業者為了與平板電腦競爭，推出U ltrabook/Ultralike產品，並嚴格控制產品厚度、重量及電池續航力，至今大部分ODM/OEM廠商仍在縮小體積與減輕重量等硬體規格上競爭。

據集邦科技預估，2014年前Ultrabook占整體NB出貨量將成長至20 ％，至2016年將成為筆電市場主流產品。Ultrabook等輕薄筆電興起，使得記憶體方案的選擇也產生重大改變，由於筆電薄型化已是市場未來趨勢，放棄原有記憶體模組的DIMM架構，轉為主機板內嵌DRAM顆粒比例正逐步提升。

集邦科技表示，由於DRAM損壞後無法任意更換記憶體模組，因此輕薄筆電對DRAM顆粒可靠度的要求更高。此採購標準對記憶體模組廠所產生的衝擊尤鉅，如主機板內嵌DRAM顆粒需求增加，ODM/OEM廠會減少DIMM模組採購，加上輕薄筆電無法更換記憶體，讓模組廠賴以維生的終端通路市場將更形萎縮，整個供給鏈的獲利空間將大部分落在上游DRAM廠。因此，未來輕薄筆電成為主流後，模組廠營收與獲利空間將受到程度不小的影響。

此外，輕薄筆電在DRAM的選擇上將產生不同的演進。站在延長電池續航力的考量下，捨棄原先的標準型DRAM採用功耗較低Mobile DRAM 亦是考量之一，如英特爾新一代Haswell處理器平台首度支援Mobile DRAM，讓筆電續航力大幅延長，不讓平板電腦專美於前。

蘋果近期推出的Macbook Air就採用了Mobile DRAM中的LPDDR3，使用時間亦增加至12小時，引起ODM/OEM廠跟進，集邦預測，採用主機板內嵌DRAM顆粒方案漸成主流後，無論是採用標準型DRAM或是Mobil e DRAM，DRAM原廠將是受惠最多的一方，不光現貨市場將式微，模組廠與現貨廠生存空間亦將被壓縮，對整體DRAM產業產生不小的影響。

隨著產業旺季需求逐步浮現，DRAM現貨拋售行動止步，集邦科技調查，DRAM現貨價昨（13）日單日大漲近8%，創下7月以來單日最大漲幅。

其中主流DDR3 2Gb DRAM報價重新站上1.6美元，達到1.62美元，漲幅7.9%；DDR3 4Gb DRAM雖還在3.05至3.35美元遊走，均價小漲至3.1美元，漲幅0.49%。

DRAM業者透露，7月以來標準型DRAM跌幅逾15%，主要是因為SK海力士認為，每年美光都會在8月年底拋貨搶單，因此SK海力士率先於7月出招，8 月美光跟進，才會形成現貨市場價格急速滑落。

不過，由於美光近來在伺服器及車用電子銷售不錯，美光今年8月拋貨幅度未如往年大，加上傳統電子旺季陸續浮現，市場隨即見風轉舵，現貨行情止跌快速翻揚。隨著DRAM昨天漲幅近8%，可望激勵相關DRAM族群表現。

業者研判，儘管個人電腦銷售持顯疲弱，但今年DRAM供需已不像過去一般面臨沈重賣壓，隨著各DRAM廠第2季全面賺錢，各家流血搶單的壓力減輕，儘管DRAM短期波動難免，整體產業會比往年更健康。

稍早威剛董事長陳立白即重申，DRAM價格經短暫修正後，將重啟多頭走勢；儲存型快閃記憶體（NAND Flash）可望在9 月及10月間，重燃拉貨行情。

在美國記憶體大廠美光(Micron)於7月底完成併購日本DRAM廠爾必達(Elpida)後，DRAM市場已呈現三強鼎立局面，而配合英特爾H aswell新處理器及微軟Windows 8.1的推出，DRAM廠近期通知客戶將大減2Gb DDR3產出，產能全部轉進4Gb DDR3世代。

在DRAM廠開始轉進高容量4Gb DDR3後，預期2Gb DDR3供給量將逐步下降的情況下，刺激2Gb DDR3現貨價昨日出現大漲。根據集邦科技報價，2Gb DDR3現貨價昨日大漲7.5∼7.9％，原廠顆粒平均價格來到1 .61∼1.63美元區間。

上旬現貨價已跌落合約價之下 出現「死亡交叉」 DRAM 旺季轉淡成定局

第3季PC及行動裝置銷售成績不如預期，但生產鏈上下游的DRAM庫存全處於滿水位，為了降低庫存壓力，ODM/OEM廠已開始拋售過剩存貨，導致DRAM現貨價在5周內崩跌15∼20％。由於8月上旬現貨價已跌落合約價之下，DRAM價格出現「死亡交叉」，旺季轉淡已成定局。

根據集邦科技及模組業者報價，4Gb DDR3現貨價昨日已砍到3.2美元，2Gb DDR3現貨價砍至1.5美元，但8月上旬合約價與7月持平，4G b DDR3合約價格介於3.3∼3.5美元間，2Gb DDR3則介於1.6∼1.7美元間。也就是說，DRAM價格已在8月上旬出現了現貨價跌破合約價的「死亡交叉」。

合約價一般來說可視為DRAM買家的平均成本，現貨價跌破合約價，代表市場價格可能已低於採購成本，若不能小心處理庫存問題，一不小心看錯市場行情走勢，很有可能就會意外由盈轉虧。

法人表示，雖然DRAM廠及模組廠上半年獲利表現優於市場預期，但 7月以來DRAM價格崩跌2成，價格走勢又出現死亡交叉，DRAM廠尚可利用製程微縮至30奈米以下來降低成本維持獲利，但模組廠向DRAM廠採購合約價，無法立即反應現貨價大跌走勢而調降，所以本季獲利勢必會較上季大幅縮水。

雖然DRAM廠商不斷強調，今年DRAM市場因供給成長有限，價格易漲難跌，不過正因為如此，ODM/OEM廠、手機廠、模組廠等DRAM買家，早在第2季就拉高庫存水位，以避免下半年DRAM價格持續調漲，拉高零組件採購成本。但是，第3季以來，PC、智慧型手機、平板電腦的銷售成績不如預期，導致上下游生產鏈的DRAM庫存全處於滿水位的危險狀態。

事實上，雖然DRAM廠將標準型DRAM產能移轉投產Mobile DRAM，但 Mobile DRAM市場超額下單問題嚴重，6月以來市場已供給過剩，價格連續下跌2個月時間。至於標準型DRAM雖然供給量減少，但PC銷售成績太差，PC生產鏈的DRAM庫存水位又達8周滿水位，自然有拋售過剩存貨的壓力。

由於上游DRAM廠仍維持滿載投片，已超過系統廠的實際需求，多餘產能自然得大量往下游塞貨，但下游廠商現在急於降低庫存，避免出現庫存跌價損失，已動手拋售過剩存貨。在市場供需逆轉為供給過剩的壓力下，DRAM價格在5周內崩跌2成，旺季轉淡已成定局。

市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查顯示， 6月下旬NAND Flash合約價維持小幅上漲的趨勢，主流顆粒價格走勢較6月上旬上漲約2∼5％，且合約價將看漲到季底。集邦指出，各項指標均指向第3季NAND Flash終端需求穩健加溫，主流NAND Flash合約價將隨著旺季效應的來臨，呈現逐步上漲的趨勢不變。

根據模組廠表示，目前32Gb NAND MLC晶片合約價介於3∼4美元間，64Gb NAND MLC合約價則介於5∼6.5美元間。由於近期逐步進入NA ND應用產品旺季，記憶卡及隨身碟終端市場售價均小幅上揚，有助於推升晶片價格在第3季逐月上漲。

集邦表示，從NAND Flash產出供給面的因素來分析，三星、SK海力士、東芝陣營正加速將產能轉往eMMC與固態硬碟(SSD)，以應付自第3季開始智慧型手機、平板電腦、Ultrabook的備貨需求，而美光與英特爾陣營也因為企業級SSD需求持續增溫，絕大多數產能也移往OE M端。總體來看，第3季NAND Flash產出成長率，預期僅有季增6.1％的幅度，產量增加相當有限。

但由需求面來看，第3季智慧型手機、平板電腦出貨季成長幅度將達10∼15％，帶動eMMC與SSD等OEM端的需求穩健向上。雖然隨身碟和記憶卡的市場需求在4月及5月份較為疲弱，但多數模組廠預期6月過後需求將會好轉，預期第3季隨身碟市場出貨量將季增5％。

考量到零售端下半年供貨吃緊將更為明顯，多數的廠商還是願意在 6月底提早備貨，為第3季旺季來臨前多做準備，因此，6月下旬NAND Flash合約價繼續維持小漲的格局。

展望後續行情，受惠雲端運算以及大型資料中心的強勁需求，企業級SSD需求持續加溫，彌補OEM與零售SSD市場受到PC產業下滑的劣勢，而智慧型手機、平板電腦的新機上市潮，也將瞄準9月份開始的年底旺季，對於eMMC與SSD的拉貨動能將自7月份開始展開。

美商DRAM大廠美光上季順利由虧轉盈，在台持股近四成且為美光代工的華亞科將連帶受惠；因美光預期未來DRAM產出仍低於需求成長，預告DRAM還有上漲空間。

美光執行長德肯表示，DRAM今明年位元數增幅約20%，但需求增幅仍達30%到40%，未來DRAM供應對美光仍然有利，他預期下半年可望維持這般榮景。

國內業者也預期今明兩年，DRAM行情都會處於平穩或緩步上揚局面，產業會更趨合理、健康。

集邦科技昨（20）日出具分析報告，強調美光獲利快速提升，主要受惠三星、SK海力士、南科及力晶等，都把標準型DRAM產能轉往行動式記憶體及伺服器記憶體，讓標準型記憶體產出近50%的美光受益。

展望下半年，集邦預期美光第3季合併爾必達，將可加速切入行動式應用的嵌入快閃記憶體（eMMC）與多晶片封裝記憶體（eMCP），加上自家新加坡廠大量將DRAM產能轉向生產儲存型快閃記憶體（NAND Flash），連同取得華亞科及瑞晶龐大的標準型DRAM產能，預料未來幾季DRAM和NAND Flash都會更趨健康，美光將續獲利，市占提升，成為DRAM淘汰賽的大贏家，和唯一能與韓廠抗衡的DRAM廠。