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集邦科技(未)公司新聞
集邦科技公布5月下旬DRAM合約價，出現漲勢受挫情況，除利基型規格之外，其餘各規格DRAM合約價僅持平開出，價格上漲力道趨緩。集邦科技表示，由於矽晶圓大廠積極復工，斷鏈危機解除，加以DRAM庫存已經拉高至4周，替6月的合約價增添變數。
集邦科技分析，從市場面來觀察，由於先前兩家DRAM廠在40nm的良率問題已逐步獲得改善，供貨也有望恢復正常水準，而先前矽晶圓供應短缺的問題，在信越化學及SUMCO的積極復工下，預計第3季可回復地震前的產能，斷鍊危機已逐漸去化。
集邦科技也大膽預測，未來的位元成長率將趨緩。從2008年開始，全球DRAM廠競爭激烈，製程競賽自70nm製程後加速，能否優先導入先進製程成為各廠獲利關鍵，從早期一個製程技術可以沿用1年甚至2年的週期，加速到1年橫跨2個製程技術，目前各廠仍積極轉進40nm甚至30nm製程，雖然每一個製程技術，可以較前代技術增加20-30％產出量，但是提昇良率的穩定度卻顯日益困難。
集邦科技分析，從市場面來觀察，由於先前兩家DRAM廠在40nm的良率問題已逐步獲得改善，供貨也有望恢復正常水準，而先前矽晶圓供應短缺的問題，在信越化學及SUMCO的積極復工下，預計第3季可回復地震前的產能，斷鍊危機已逐漸去化。
集邦科技也大膽預測，未來的位元成長率將趨緩。從2008年開始，全球DRAM廠競爭激烈，製程競賽自70nm製程後加速，能否優先導入先進製程成為各廠獲利關鍵，從早期一個製程技術可以沿用1年甚至2年的週期，加速到1年橫跨2個製程技術，目前各廠仍積極轉進40nm甚至30nm製程，雖然每一個製程技術，可以較前代技術增加20-30％產出量，但是提昇良率的穩定度卻顯日益困難。
集邦科技旗下研究部門DRAM eXchange昨日公布2010年記憶體模組廠營收排名，金士頓（Kingston）仍舊蟬聯全球之冠，但是全球市佔率卻以51.4％首度拿下逾半成績；前10大廠商中，僅金士頓的營收、市佔率見到成長，其餘9家的市佔率出現程度不一的衰退，顯見DRAM模組產業不僅大者恆大，市佔率更朝單一家金士頓傾斜。
根據集邦科技調查，2010年全球模組市場總銷售金額為93億美元，較2009年大幅成長約54％，營收的成長受惠於市場需求強勁與DRAM顆粒價格上 漲，從模組廠方面來比較，前5名就佔整體的銷售金額78％，前10名幾乎囊括全球模組市場中91％的營業額，其中又以金士頓表現最為亮眼，不光營收成長大幅躍進95.1％，與其他同業差距亦更加明顯 ，市占率直達51.4％，較去年39％成長12個百分點。
而威剛與記憶科技則是分佔第2名、第3名之列，市佔率處於伯仲之間，合計全球前10大的DRAM總營收比2009年大幅成長約55％，模組產業大者恆大的基調確立。
值得注意的是，前10大DRAM模組廠中，只有金士頓的營收與市佔率成長，市佔率一口氣從39.2％，提升至51.4％，增加逾12個百分點，營收也大增95.12％，雙雙拿下成長率之冠，其餘9家廠商流失的市佔率，幾乎由金士頓接收。
展望2011年，集邦科技表示，隨著DRAM顆粒價格自去年下半年一路走跌至今，現貨市場依然交投清淡，加上下半年PC市場中搭載4GB記憶體將漸成主流，讓模組廠的後續升級市場銷售日益困難，所幸一線模組廠皆已打入PC OEM廠供應鏈，以確保銷售的穩定，並努力跨足工規市場、伺服器用記憶體乃至於超頻記憶體、軍規商品，並持續拉高Flash銷售比重，除了原有記憶卡與隨身碟外，SSD甚至於MCP產品都是各模組廠未來的發展重點之一，多角化經營模式將讓公司可以更靈活的調整營運策略。
根據集邦科技調查，2010年全球模組市場總銷售金額為93億美元，較2009年大幅成長約54％，營收的成長受惠於市場需求強勁與DRAM顆粒價格上 漲，從模組廠方面來比較，前5名就佔整體的銷售金額78％，前10名幾乎囊括全球模組市場中91％的營業額，其中又以金士頓表現最為亮眼，不光營收成長大幅躍進95.1％，與其他同業差距亦更加明顯 ，市占率直達51.4％，較去年39％成長12個百分點。
而威剛與記憶科技則是分佔第2名、第3名之列，市佔率處於伯仲之間，合計全球前10大的DRAM總營收比2009年大幅成長約55％，模組產業大者恆大的基調確立。
值得注意的是，前10大DRAM模組廠中，只有金士頓的營收與市佔率成長，市佔率一口氣從39.2％，提升至51.4％，增加逾12個百分點，營收也大增95.12％，雙雙拿下成長率之冠，其餘9家廠商流失的市佔率，幾乎由金士頓接收。
展望2011年，集邦科技表示，隨著DRAM顆粒價格自去年下半年一路走跌至今，現貨市場依然交投清淡，加上下半年PC市場中搭載4GB記憶體將漸成主流，讓模組廠的後續升級市場銷售日益困難，所幸一線模組廠皆已打入PC OEM廠供應鏈，以確保銷售的穩定，並努力跨足工規市場、伺服器用記憶體乃至於超頻記憶體、軍規商品，並持續拉高Flash銷售比重，除了原有記憶卡與隨身碟外，SSD甚至於MCP產品都是各模組廠未來的發展重點之一，多角化經營模式將讓公司可以更靈活的調整營運策略。
集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示，5月上旬DRAM合約價維持上漲力道，DDR3 2GB合約高價來到19美元，平均漲幅2.7%，目前看來，有四大理由力促合約價格轉趨樂觀，上漲力道於5月下旬增強，下半年標準型記憶體價格有望擺脫陰霾。
根據DRAMeXchange的調查，5月上旬合約價再度呈現上漲的走勢，DDR3 2GB均價自18.25美元上漲至18.75美元(1Gb為1.02美元)，漲幅約2.74%，DDR3 4GB均價從35.5美元上漲至36.5美元(2Gb為2.13美元)，漲幅約為2.82%。
從市場面來觀察，DRAMeXchange表示，由於部分DRAM廠在40nm製程良率出現問題導致出貨延遲，一線PC-OEM廠考量避免後續PC出貨延宕，進而向其他DRAM廠購買，轉單效應讓5月合約價普遍成交價集中在高價19美元，反倒是低價成交價18.5美元成為市場少數，與之前合約價多普遍成交在均價與低價間截然不同，顯見拉貨力道積極，更讓後續價格走勢增添上漲動能，不排除合約價近期將有機會上攻2GB 20美元價位。
雖然上半年PC產業出貨表現不佳，但仍有不少PC-OEM廠對於下半年保持審慎樂觀的態度，並逐步拉高庫存水位，亦讓此波合約價呈現上漲走勢。
集邦科技分析近期DRAM市場現況，說明近期合約價格逐步攀升的原因。
第一，轉型非標準型記憶體效應漸趨明顯，由於智慧型手機與平板電腦興起，乃至於雲端應用之普及，加速DRAM廠增加行動式記憶體與伺服器用記憶體的產能，無形中排擠標準型記憶體的產出量，有機會讓標準型記憶體供過於求的狀況獲得紓解。
第二，目前已經傳出有二家DRAM廠發生40nm良率問題，由於品質不穩定在PC-OEM端已發生數起判退的情形，近期更傳出直指設計問題，良率及出貨短期難解導致供給PC-OEM廠的記憶體數量減少，帶動合約價格的翻揚。
第三，近期宏碁(2353)三降財測說明PC市場策略失誤，並宣布在未來加強智慧型手機與平板電腦的銷售，在此同時，一線PC-OEM廠悄悄拉高出貨比例，意圖搶奪宏碁PC的市占率，記憶體採購方面轉趨積極，亦能接受更高的合約價位。
第四，先前由於上半年市況不佳，PC-OEM庫存水位偏低，甚至部分廠商庫存水位不到一個月，早在4月已有廠商展開回補，供貨吃緊下至今仍難回復正常庫存水位，後續可能有更多庫存回補的需求發生。
全球前兩大DRAM廠三星、海力士於第一季法說會皆預估合約價於第二季將會上漲，5月上旬合約價起漲可能僅是此波趨勢的開端，整體市場合約價上漲力道將有機會於5月下旬與6月逐步轉強。
根據DRAMeXchange的調查，5月上旬合約價再度呈現上漲的走勢，DDR3 2GB均價自18.25美元上漲至18.75美元(1Gb為1.02美元)，漲幅約2.74%，DDR3 4GB均價從35.5美元上漲至36.5美元(2Gb為2.13美元)，漲幅約為2.82%。
從市場面來觀察，DRAMeXchange表示，由於部分DRAM廠在40nm製程良率出現問題導致出貨延遲，一線PC-OEM廠考量避免後續PC出貨延宕，進而向其他DRAM廠購買，轉單效應讓5月合約價普遍成交價集中在高價19美元，反倒是低價成交價18.5美元成為市場少數，與之前合約價多普遍成交在均價與低價間截然不同，顯見拉貨力道積極，更讓後續價格走勢增添上漲動能，不排除合約價近期將有機會上攻2GB 20美元價位。
雖然上半年PC產業出貨表現不佳，但仍有不少PC-OEM廠對於下半年保持審慎樂觀的態度，並逐步拉高庫存水位，亦讓此波合約價呈現上漲走勢。
集邦科技分析近期DRAM市場現況，說明近期合約價格逐步攀升的原因。
第一，轉型非標準型記憶體效應漸趨明顯，由於智慧型手機與平板電腦興起，乃至於雲端應用之普及，加速DRAM廠增加行動式記憶體與伺服器用記憶體的產能，無形中排擠標準型記憶體的產出量，有機會讓標準型記憶體供過於求的狀況獲得紓解。
第二，目前已經傳出有二家DRAM廠發生40nm良率問題，由於品質不穩定在PC-OEM端已發生數起判退的情形，近期更傳出直指設計問題，良率及出貨短期難解導致供給PC-OEM廠的記憶體數量減少，帶動合約價格的翻揚。
第三，近期宏碁(2353)三降財測說明PC市場策略失誤，並宣布在未來加強智慧型手機與平板電腦的銷售，在此同時，一線PC-OEM廠悄悄拉高出貨比例，意圖搶奪宏碁PC的市占率，記憶體採購方面轉趨積極，亦能接受更高的合約價位。
第四，先前由於上半年市況不佳，PC-OEM庫存水位偏低，甚至部分廠商庫存水位不到一個月，早在4月已有廠商展開回補，供貨吃緊下至今仍難回復正常庫存水位，後續可能有更多庫存回補的需求發生。
全球前兩大DRAM廠三星、海力士於第一季法說會皆預估合約價於第二季將會上漲，5月上旬合約價起漲可能僅是此波趨勢的開端，整體市場合約價上漲力道將有機會於5月下旬與6月逐步轉強。
5月上旬DRAM合約價昨（11）日出爐，主流規格2Gb DDR3晶片漲幅約3%，均價2.13美元，是近期連續第三度調漲。不過，現貨價並未隨之起舞，仍維持在1.82美元附近整理。
業者分析，合約與現貨市場報價走勢不同調，反映電腦（PC）品牌廠備貨積極，但零售通路買氣仍低迷。尤其一線大廠面臨新製程轉換不順，部分無法出貨給合約客戶的晶片只能轉至現貨市場出售，也增加現貨價走勢壓力。
合約與現貨市場走勢不同調，讓證券市場買盤趨於觀望，DRAM族群昨天並未反映合約價續三度調漲利多激勵，南科（2408）、華亞科、力晶、威剛、勁永等都收黑。力晶更重挫跌停板收市；威剛一度失守40元整數關卡，收盤價40.05元、下跌1.65元，下探波段低點。
集邦科技昨天最新報價，5月上旬2Gb DDR3晶片合約價平均漲幅在2.96%至3.4%，均價2.13美元。模組方面，2GB與4GB 漲幅在2.74%至2.86%，均價各為18.75及36.5美元。
集邦指出，部分一線晶片廠40奈米製程良率出現問題導致出貨延遲，在PC品牌廠積極拉貨帶動下，促成5月上旬合約價持續走揚。由於先前DRAM市況不佳，PC品牌廠庫存水位偏低，近期開始回補，考量終端庫存回補仍未達正常水位，後續拉貨力道將會延續。
此外，各大廠轉型非標準型記憶體，排擠標準型記憶體產出，有機會抒解標準型記憶體供過於求的狀況。
集邦認為，各大DRAM廠普遍看好本季價格走揚，5月上旬合約價起漲可能僅是此波趨勢的開端，預期合約價上漲力道有機會在5月下旬與6月逐步轉強，2GB模組價短期有望上攻20 美元。
業者分析，合約與現貨市場報價走勢不同調，反映電腦（PC）品牌廠備貨積極，但零售通路買氣仍低迷。尤其一線大廠面臨新製程轉換不順，部分無法出貨給合約客戶的晶片只能轉至現貨市場出售，也增加現貨價走勢壓力。
合約與現貨市場走勢不同調，讓證券市場買盤趨於觀望，DRAM族群昨天並未反映合約價續三度調漲利多激勵，南科（2408）、華亞科、力晶、威剛、勁永等都收黑。力晶更重挫跌停板收市；威剛一度失守40元整數關卡，收盤價40.05元、下跌1.65元，下探波段低點。
集邦科技昨天最新報價，5月上旬2Gb DDR3晶片合約價平均漲幅在2.96%至3.4%，均價2.13美元。模組方面，2GB與4GB 漲幅在2.74%至2.86%，均價各為18.75及36.5美元。
集邦指出，部分一線晶片廠40奈米製程良率出現問題導致出貨延遲，在PC品牌廠積極拉貨帶動下，促成5月上旬合約價持續走揚。由於先前DRAM市況不佳，PC品牌廠庫存水位偏低，近期開始回補，考量終端庫存回補仍未達正常水位，後續拉貨力道將會延續。
此外，各大廠轉型非標準型記憶體，排擠標準型記憶體產出，有機會抒解標準型記憶體供過於求的狀況。
集邦認為，各大DRAM廠普遍看好本季價格走揚，5月上旬合約價起漲可能僅是此波趨勢的開端，預期合約價上漲力道有機會在5月下旬與6月逐步轉強，2GB模組價短期有望上攻20 美元。
集邦科技昨（26）日公布4月下旬DRAM合約價，DDR3 2GB與DDR3 4GB價格上漲約1.4％，價格延續4月上旬的上漲態勢，集邦科技分析，主因是兩家DRAM廠40nm良率問題導致出貨遞延，以及PC OEM廠採購轉趨積極所致。
南科法說會指出，DRAM價格可望月月上漲，與集邦科技昨日開出的4月合約價相吻合。集邦科技認為，近期DRAM合約價走勢，除日本震災影響外，PC OEM採購策略的改變，以及部份DRAM廠在40nm製程良率出現問題亦是主要原因。
首先由於宏碁三降財測突顯產品策略失誤，部份PC OEM廠趁勢提升出貨量搶佔市占率，亦帶動DRAM採購需求。同時近期有兩家DRAM廠在40nm製程良率出現問題，導致出貨遞延，也是讓4月下旬合約價維持成長動能的主因。
至於矽晶圓供貨上，根據最近集邦科技的訪查，受到地震衝擊下，先前傳出矽晶圓取得有困難的廠商，已獲得廠商支援與手上庫存因應，投片能見度已經延伸至6月。
根據集邦科技調查，4月下旬DDR3 2GB模組合約均價自18美元上漲至18.25美元，漲幅約1.39％，DDR3 4GB均價亦上漲至35.5美元，漲幅約在1.43％。若以顆粒報價來看，DDR3 2Gb上漲1.48％，均價為2.06美元。
南科法說會指出，DRAM價格可望月月上漲，與集邦科技昨日開出的4月合約價相吻合。集邦科技認為，近期DRAM合約價走勢，除日本震災影響外，PC OEM採購策略的改變，以及部份DRAM廠在40nm製程良率出現問題亦是主要原因。
首先由於宏碁三降財測突顯產品策略失誤，部份PC OEM廠趁勢提升出貨量搶佔市占率，亦帶動DRAM採購需求。同時近期有兩家DRAM廠在40nm製程良率出現問題，導致出貨遞延，也是讓4月下旬合約價維持成長動能的主因。
至於矽晶圓供貨上，根據最近集邦科技的訪查，受到地震衝擊下，先前傳出矽晶圓取得有困難的廠商，已獲得廠商支援與手上庫存因應，投片能見度已經延伸至6月。
根據集邦科技調查，4月下旬DDR3 2GB模組合約均價自18美元上漲至18.25美元，漲幅約1.39％，DDR3 4GB均價亦上漲至35.5美元，漲幅約在1.43％。若以顆粒報價來看，DDR3 2Gb上漲1.48％，均價為2.06美元。
根據集邦科技旗下研究機構DRAMeXchange調查，4月上旬NAND Flash合約價大致呈現持平或部份小漲約2％至5％，多數NAND Flash供應商在3月已先行調高合約價約10％至15％，以反應日本大地震後的供給面不確定因素，因此4月上旬漲勢趨緩。
集邦科技指出，雖然多數NAND Flash供應商在地震過後，多傾向維持原先的2011產出量目標 ，但部份NAND Flash供應商在考量今年第2季、第3季上游原物料供貨，以及系統產品OEM訂單的接單狀況後，仍將會進行小幅的擴產動作。
在需求面上，隨著NAND Flash下游客戶在準備完中國五一勞動節假期所需庫存後，傳統的NAND Flash淡季效應也將會逐漸開始發酵，同時隨著供應商的20奈米新製程技術更趨成熟後，產出比重也將會在今年第3季進一步增加，集邦科技預期今年第2季之前， NAND Flash合約價將可望維持穩定的狀況。但之後價格也將會開始回跌，以反應NAND Flash淡季效應，及部份原物料供給吃緊的問題獲得紓解。
集邦科技指出，雖然多數NAND Flash供應商在地震過後，多傾向維持原先的2011產出量目標 ，但部份NAND Flash供應商在考量今年第2季、第3季上游原物料供貨，以及系統產品OEM訂單的接單狀況後，仍將會進行小幅的擴產動作。
在需求面上，隨著NAND Flash下游客戶在準備完中國五一勞動節假期所需庫存後，傳統的NAND Flash淡季效應也將會逐漸開始發酵，同時隨著供應商的20奈米新製程技術更趨成熟後，產出比重也將會在今年第3季進一步增加，集邦科技預期今年第2季之前， NAND Flash合約價將可望維持穩定的狀況。但之後價格也將會開始回跌，以反應NAND Flash淡季效應，及部份原物料供給吃緊的問題獲得紓解。
集邦科技昨（11）日公布4月上旬DRAM合約價，DDR3 2Gb顆粒與DDR3 4GB價格均上漲逾6％，DDR3 2Gb顆粒重新站上暌違已久的2美元，均價達2.3美元水準，漲幅呈現拉大趨勢。集邦科技表示，矽晶圓供貨出現疑慮，牽制DRAM產能開出，及40奈米製程傳出良率不順，增加OEM廠拉高庫存意願。
3月下旬DRAM合約價漲幅超過3％，4月上旬持續上漲，漲幅拉大到6％以上。集邦科技指出，就市場面觀察，由於日本東北大地震影響下，DRAM廠掀起矽晶圓搶料作戰，矽晶圓廠也釋出手上庫存來滿足產業需求，加上DRAM廠普遍都有1個月以上的庫存量，DRAM廠投片的能見度可至第2季末，但長期來看，若矽晶圓大廠不能在近期恢復正常運作，DRAM供應鏈受到衝擊勢必陸續浮現。
3月下旬DRAM合約價漲幅超過3％，4月上旬持續上漲，漲幅拉大到6％以上。集邦科技指出，就市場面觀察，由於日本東北大地震影響下，DRAM廠掀起矽晶圓搶料作戰，矽晶圓廠也釋出手上庫存來滿足產業需求，加上DRAM廠普遍都有1個月以上的庫存量，DRAM廠投片的能見度可至第2季末，但長期來看，若矽晶圓大廠不能在近期恢復正常運作，DRAM供應鏈受到衝擊勢必陸續浮現。
由於通路庫存已低，集邦科技昨日公布的3月下旬DRAM合約價幾乎全面上漲，平均漲逾3％，集邦科技估計，信越化學的福島白河廠與SUMCO的山形米澤廠，將影響全球20％至25％矽晶圓供應，PC OEM廠拉高庫存意願提升，4月漲勢將可延續。
在通路庫存不高，及下游OEM廠拉高庫存量的意願攀升之下，DRAM的3月下旬合約價幾乎全數走揚，DDR3 4GB模組價格上漲3.23％，價格來到33美元，DDR3 2Gb顆粒價格也漲3.8％，均價1.91美元，其餘各類規格也普遍上漲逾3％。
集邦科技表示從市場面來觀察，雖然日本地震震撼全球，但從筆記型電腦市場來看，日本僅佔全球市場的5％左右，加上緊接而來的歐美返校需求，PC OEM廠勢必積極備料，集邦科技預估4月合約價格仍將繼續維持上漲的動能。
集邦科技也分析上游矽晶圓供應狀況，根據集邦科技調查，三星上游矽晶圓供應商有5家，分佈美日韓等區域，即使日本在震災中受創，全球策略考量下，亦讓三星的原物料供應幾乎無損。海力士的矽晶圓來源大都由信越化學供應，雖然福島白河廠受創嚴重，但其他地區工廠甚至其他供應商仍可持續供應矽晶圓給海力士，美光大都由美系矽晶圓廠供應，日本地震影響不大。
而爾必達及其子公司瑞晶方面，由於供貨大都來自於重災區的信越化學的福島白河廠，已啟動第二供應鏈，向供應商採購矽晶圓，加上庫存尚有1個月，將持續觀察信越化學後續狀況。
反觀台灣廠商，力晶在矽晶圓的供應上配合廠商有4家，信越化學受創，不足部份將由其他3家供應商供應，南科與華亞科方面，矽晶圓大都由台塑與SUMCO合作的台勝科供應，亦不受日本地震波及，甚至封測所需的BT樹脂，台塑集團亦有生產，亦是此次震災中受傷甚微的廠商。
在通路庫存不高，及下游OEM廠拉高庫存量的意願攀升之下，DRAM的3月下旬合約價幾乎全數走揚，DDR3 4GB模組價格上漲3.23％，價格來到33美元，DDR3 2Gb顆粒價格也漲3.8％，均價1.91美元，其餘各類規格也普遍上漲逾3％。
集邦科技表示從市場面來觀察，雖然日本地震震撼全球，但從筆記型電腦市場來看，日本僅佔全球市場的5％左右，加上緊接而來的歐美返校需求，PC OEM廠勢必積極備料，集邦科技預估4月合約價格仍將繼續維持上漲的動能。
集邦科技也分析上游矽晶圓供應狀況，根據集邦科技調查，三星上游矽晶圓供應商有5家，分佈美日韓等區域，即使日本在震災中受創，全球策略考量下，亦讓三星的原物料供應幾乎無損。海力士的矽晶圓來源大都由信越化學供應，雖然福島白河廠受創嚴重，但其他地區工廠甚至其他供應商仍可持續供應矽晶圓給海力士，美光大都由美系矽晶圓廠供應，日本地震影響不大。
而爾必達及其子公司瑞晶方面，由於供貨大都來自於重災區的信越化學的福島白河廠，已啟動第二供應鏈，向供應商採購矽晶圓，加上庫存尚有1個月，將持續觀察信越化學後續狀況。
反觀台灣廠商，力晶在矽晶圓的供應上配合廠商有4家，信越化學受創，不足部份將由其他3家供應商供應，南科與華亞科方面，矽晶圓大都由台塑與SUMCO合作的台勝科供應，亦不受日本地震波及，甚至封測所需的BT樹脂，台塑集團亦有生產，亦是此次震災中受傷甚微的廠商。
集邦科技調查，日本強震造成日本儲存型快閃記憶體（NAND Flash）大廠東芝上半年產出約減少10%，預估今年全球NAND Flash 全球總供給量約減少4%，不過，在恐慌性買盤結束後，第二季會跌回合理價位。
根據集邦科技旗下研究機構DRAMeXchange對NAND Flash最新的調查，NAND Flash上周受到日本大地震後資訊不明及預期缺貨的恐慌性搶料買盤推升，現貨價一度單日上漲逾22%，連帶也帶動3月上旬主流NAND Flash合約均價大漲約5%到15%。
集邦表示，市場預期會缺貨，主要是擔心東芝位在四日市的NAND Flash工廠短期無法復工，以及上游的原物料和設備供應商也因限電和供電不穩，以及聯外運輸等基礎設施損毀，擔心NAND Flash供料無法短期恢復。
不過，集邦近日密集查詢相關供應鏈，最嚴重的即是信越化學的矽晶圓產能無法短期復原，信越半導體是全球主要的IC矽晶圓供應商之一，但若能在一個月內回復到正常穩定生產狀況，今年應不致造成缺貨。東芝主要NAND Flash生產線受影響相當輕微。
集邦表示，日本半導體相關業者對廠房設施的設計及建造均有預先做防震的考量，廠房的毀損並不很嚴重，反而是供電不穩問題較大；其次，日本主要NAND Flash廠商都有採取分散矽晶圓採購來源，庫存水位約在一個半月到二個月左右，短期而言，尚不至於影響到NAND Flash廠商的正常生產。
集邦根據日本大地對東芝及晟碟（SanDisk）陣營所造成的晶圓減損量，推估將造成東芝今年上半年Nand Flash總產出減少約10%以下，換算今年全球NAND Flash總位元供給量約減少4%以下，有助縮小供過於求的缺口。
不過，因今年上半年非蘋果體系的平板電腦銷售不如預期，加上未來三到六個月是記憶卡的傳統淡季，預料在日本大地震相關供應不確定因素解決後，NAND Flash價格會回到較合理價位，業者推估，NAND Flash應不至於再飆漲，但全年均價跌幅會減緩。
根據集邦科技旗下研究機構DRAMeXchange對NAND Flash最新的調查，NAND Flash上周受到日本大地震後資訊不明及預期缺貨的恐慌性搶料買盤推升，現貨價一度單日上漲逾22%，連帶也帶動3月上旬主流NAND Flash合約均價大漲約5%到15%。
集邦表示，市場預期會缺貨，主要是擔心東芝位在四日市的NAND Flash工廠短期無法復工，以及上游的原物料和設備供應商也因限電和供電不穩，以及聯外運輸等基礎設施損毀，擔心NAND Flash供料無法短期恢復。
不過，集邦近日密集查詢相關供應鏈，最嚴重的即是信越化學的矽晶圓產能無法短期復原，信越半導體是全球主要的IC矽晶圓供應商之一，但若能在一個月內回復到正常穩定生產狀況，今年應不致造成缺貨。東芝主要NAND Flash生產線受影響相當輕微。
集邦表示，日本半導體相關業者對廠房設施的設計及建造均有預先做防震的考量，廠房的毀損並不很嚴重，反而是供電不穩問題較大；其次，日本主要NAND Flash廠商都有採取分散矽晶圓採購來源，庫存水位約在一個半月到二個月左右，短期而言，尚不至於影響到NAND Flash廠商的正常生產。
集邦根據日本大地對東芝及晟碟（SanDisk）陣營所造成的晶圓減損量，推估將造成東芝今年上半年Nand Flash總產出減少約10%以下，換算今年全球NAND Flash總位元供給量約減少4%以下，有助縮小供過於求的缺口。
不過，因今年上半年非蘋果體系的平板電腦銷售不如預期，加上未來三到六個月是記憶卡的傳統淡季，預料在日本大地震相關供應不確定因素解決後，NAND Flash價格會回到較合理價位，業者推估，NAND Flash應不至於再飆漲，但全年均價跌幅會減緩。
DRAM現貨價格漲勢已經明顯縮小，華亞科總經理高啟全表示，主要是擔憂缺貨的預期心理所致，他認為日本東北大地震之後，華亞科部分塑料、電子化學品來自日本，確實會有一小部分影響，但可望在1個月內恢復正常，反倒是，日系電子零組件若無法順利出貨，恐怕會壓抑整體需求，供應鏈中斷，這才是令他擔憂之處，而華亞科並不樂見這種情況發生。DRAM現貨價走勢僅僅一日行情，單日爆漲6％-9％以後，昨(15)日漲幅在1％以內，NAND Flash漲價幅度也縮減至5％左右，追價力道似乎減弱。高啟全出席美林科技論壇時表示，DRAM現貨價格大漲，原因出於預期心理，日本地震雖對短期供需造成波動，但長期影響不大。他分析，對華亞科來說，主要的上游材料矽晶圓來自九州，供應沒有問題，另外有一些塑料、電子化學品的確是來自日本，會有一些影響，但是應該在1個月之內可以復原。高啟全比較憂慮的是，科技產品的電子零組件很多來自日本，零組件無法順利出貨，恐怕會壓抑整體的需求；電子供應鏈中斷，華亞科並不樂見。
集邦科技近期開出的3月上旬DRAM合約價，並沒有順利起漲，與南科、華亞科近期對合約價走勢預估似乎不符，引發下游需求是否不振的疑慮？高啟全對此僅表示，需求會愈來愈好。
集邦科技公佈的3月上旬DRAM合約價中，主流規格DDR3 4GB與DDR3 2GB模組價分別呈現持平，各為32美元、16.5美元；DDR3 2Gb與1Gb的顆粒價格也分別維持1.84美元、0.88美元價位，僅開出持平走勢，並未順利起漲。
集邦科技近期開出的3月上旬DRAM合約價，並沒有順利起漲，與南科、華亞科近期對合約價走勢預估似乎不符，引發下游需求是否不振的疑慮？高啟全對此僅表示，需求會愈來愈好。
集邦科技公佈的3月上旬DRAM合約價中，主流規格DDR3 4GB與DDR3 2GB模組價分別呈現持平，各為32美元、16.5美元；DDR3 2Gb與1Gb的顆粒價格也分別維持1.84美元、0.88美元價位，僅開出持平走勢，並未順利起漲。
在擔憂上游矽晶圓缺貨之下，DRAM現貨報價全面大漲，DDR3 2Gb品牌顆粒與eTT顆粒，勁揚6.79∼7.25％，品牌顆粒報2.14美元；快閃型記憶體（NAND Flash）更出現暴漲走勢，32Gb MLC最後一盤價格飆漲20.48％。
日本東北大地震之後的第一個交易日，記憶體類股表現兩樣情，爾必達因廣島廠位居日本，即使該廠已恢復生產，仍不敵3月合約價沒有順利起漲的失望性賣壓，引動日本現股殺盤，單日重挫12.14％，收盤價跌破1,000日圓大關，爾必達台灣TDR開盤即無量跌停；但日系以外DRAM廠像韓國三星漲 4.4％，海力士漲8.7％，台灣力晶、南科、華亞科均漲停。
在狀況未明之下，記憶體顆粒原廠三星、Hynix、力晶（5346）聯手停止報價。
日本東北大地震對半導體產業衝擊仍在估計當中，但是記憶體報價卻因為NAND Flash供應商東芝的工廠位於日本東北，以及DRAM顆粒原廠評估震後損失暫停報價，導致DRAM與NAND現貨先漲再說，雙雙上演飆漲走勢。
集邦科技指出，受到半導體的矽晶圓供貨吃緊影響，在DRAM現貨市場方面，韓國三星、Hynix開始停止報價，力晶已經暫停DRAM現貨報價。
已經停止報價的力晶表示，因為目前狀況不明，上周五暫停報價之後，何時恢復報價還無法確定；南科雖然現貨持續報價，卻會彈性調整，南科副總經理白培霖表示，大地震之後並沒有感受到客戶瘋狂搶貨的意圖，但是通路上的庫存本來就低，在預期斷料導致拿不到貨的預期心理下，的確是會激勵一些買盤搶進，南科認為，大地震對需求推升至少要等重建之後，才會有激勵作用。
DRAM原廠雖然暫停報價，然因為通路商還有零星交易，因此集邦科技的現貨報價網站仍開出現貨價格，根據該網站的報價顯示，DRAM現貨走勢呈現飆漲，一整天的上漲幅度最高逼近7％，NAND更一度飆漲近20％，堪稱今年以來最驃悍的走勢。
業者指出，NAND漲勢更甚DRAM主要是因東芝為全球第二大供應商，該廠位居東北，NAND今年因為平板電腦熱備受看好，需求比DRAM更為殷切，領導廠商如果原材料斷炊，勢必有缺貨之虞，在此預期心理下，推升買盤湧入。
根據集邦科技網站昨日開出最後一盤現貨價顯示，DDR3 2Gb顆粒價格大漲6.79∼7.25％，NAND Flash更因iPad2改用東芝的NAND Flash，導致32Gb MLC現貨爆漲20.48％，是單日漲幅之冠。
而記憶體類股昨日以爾必達獨憔悴，除日本東北大地震，引發供貨斷炊的聯想之外，昨日集邦科技開出的3月上旬合約價，並未如原先預期出現上漲走勢，各規格合約價相繼以平盤開出，與爾必達社長?本幸雄預測的漲幅出現落差，衝擊爾必達的股價表現創2011年以來新低紀錄。
而合約價沒順利起漲，也影響到合約大廠南科股價，南科以合約市場為主，昨日雖見到漲停，但收盤價未能守住漲勢，以現貨市場為主的力晶反成追價標的。
另外東北大地震的記憶體受害股以旺宏首當其衝，旺宏為日本任天堂3DS遊戲機的ROM（唯讀記憶體）供應商，市場憂心日本國難之後，會澆熄市場買氣，衝擊旺宏股價表現。
日本東北大地震之後的第一個交易日，記憶體類股表現兩樣情，爾必達因廣島廠位居日本，即使該廠已恢復生產，仍不敵3月合約價沒有順利起漲的失望性賣壓，引動日本現股殺盤，單日重挫12.14％，收盤價跌破1,000日圓大關，爾必達台灣TDR開盤即無量跌停；但日系以外DRAM廠像韓國三星漲 4.4％，海力士漲8.7％，台灣力晶、南科、華亞科均漲停。
在狀況未明之下，記憶體顆粒原廠三星、Hynix、力晶（5346）聯手停止報價。
日本東北大地震對半導體產業衝擊仍在估計當中，但是記憶體報價卻因為NAND Flash供應商東芝的工廠位於日本東北，以及DRAM顆粒原廠評估震後損失暫停報價，導致DRAM與NAND現貨先漲再說，雙雙上演飆漲走勢。
集邦科技指出，受到半導體的矽晶圓供貨吃緊影響，在DRAM現貨市場方面，韓國三星、Hynix開始停止報價，力晶已經暫停DRAM現貨報價。
已經停止報價的力晶表示，因為目前狀況不明，上周五暫停報價之後，何時恢復報價還無法確定；南科雖然現貨持續報價，卻會彈性調整，南科副總經理白培霖表示，大地震之後並沒有感受到客戶瘋狂搶貨的意圖，但是通路上的庫存本來就低，在預期斷料導致拿不到貨的預期心理下，的確是會激勵一些買盤搶進，南科認為，大地震對需求推升至少要等重建之後，才會有激勵作用。
DRAM原廠雖然暫停報價，然因為通路商還有零星交易，因此集邦科技的現貨報價網站仍開出現貨價格，根據該網站的報價顯示，DRAM現貨走勢呈現飆漲，一整天的上漲幅度最高逼近7％，NAND更一度飆漲近20％，堪稱今年以來最驃悍的走勢。
業者指出，NAND漲勢更甚DRAM主要是因東芝為全球第二大供應商，該廠位居東北，NAND今年因為平板電腦熱備受看好，需求比DRAM更為殷切，領導廠商如果原材料斷炊，勢必有缺貨之虞，在此預期心理下，推升買盤湧入。
根據集邦科技網站昨日開出最後一盤現貨價顯示，DDR3 2Gb顆粒價格大漲6.79∼7.25％，NAND Flash更因iPad2改用東芝的NAND Flash，導致32Gb MLC現貨爆漲20.48％，是單日漲幅之冠。
而記憶體類股昨日以爾必達獨憔悴，除日本東北大地震，引發供貨斷炊的聯想之外，昨日集邦科技開出的3月上旬合約價，並未如原先預期出現上漲走勢，各規格合約價相繼以平盤開出，與爾必達社長?本幸雄預測的漲幅出現落差，衝擊爾必達的股價表現創2011年以來新低紀錄。
而合約價沒順利起漲，也影響到合約大廠南科股價，南科以合約市場為主，昨日雖見到漲停，但收盤價未能守住漲勢，以現貨市場為主的力晶反成追價標的。
另外東北大地震的記憶體受害股以旺宏首當其衝，旺宏為日本任天堂3DS遊戲機的ROM（唯讀記憶體）供應商，市場憂心日本國難之後，會澆熄市場買氣，衝擊旺宏股價表現。
集邦科技昨（2）日根據旗下研究機構DRAMeXchange觀察發布最新報告指出，英特爾（Intel）在元月底已迅速解決晶片瑕疵問題，並隨之推出全新的B3版本，預估晶片瑕疵問題對NB產業的影響期將縮小到只剩2-3周。
在NB代工廠迅速恢復產品供貨下，第2季可望浮現出貨遞延商機，全球NB出貨台數可望出現13.6％的季成長率，優於歷年同期水準。
而蘋果即將在舊金山舉行的記者會上正式發表iPad2，帶動平板電腦市場話題。國際研調機構顧能(Gartner)預估，今年全球平板電腦銷量上看6,478萬台。
集邦表示，雖然NB出貨受英特爾晶片瑕疵問題導致出貨遞延，不過2月NB代工廠本身就有工作天數不足因素影響，因此英特爾晶片瑕疵造成的衝擊，不如原來預期的大，預估全球NB（含小筆電）2月出貨可達1320萬台，月衰退12％。
集邦指出，在元月份NB出貨不如預期及2月英特爾晶片瑕疵影響下，部分NB出貨恐遞延至3、4月，預估3月NB出貨月增率將達到近30％，順利揮別首季出貨量季衰退11％的窘境。
不過，集邦指出，第2季在第1季訂單遞延帶動下，加上品牌廠海運比重提升，返校需求的產品須提早在第2季進行拉貨，因此預估第2季NB出貨（含小筆電）將有13.6％的季增率，優於2006-2010年平均季增率8％的水位，且增幅逾5個百分點。
研調機構認為，平板電腦雖不會取代筆記型電腦，但是的確對成熟市場的NB需求造成侵蝕作用，不過，新興市場仍會以筆電或小筆電做為第一台NB的選擇，平板電腦的侵蝕程度不高。
集邦指出，今年NB的成長動能主要來自於新興市場與商用市場的需求，近期公佈的財報中，惠普與戴爾皆在商用市場上有所斬獲，預期今年商用市場將可維持成長動能，而新興市場由於經濟成長帶動，第一台電腦的原生需求持續走揚，可望成減緩平板電腦對NB產業的衝擊力道。
不過，集邦看淡小筆電的前景，並在報告中釋出悲觀預期，預估今年小筆電全年出貨僅2680萬台，年衰退19.5％，而常規NB出貨則達1.92億台，年增率19.6％，全年含小筆電出貨達2.19億台，年增率下修至12.9％。
蘋果引爆平板電腦需求，各大PC品牌廠，以及手機廠商紛紛切入平板市場，顧能指出，平板需求將帶動國內零組件供應廠的出貨。顧能並預估，今年平板媒體的終端銷售量可達 6,478萬台，預估明年突破1億台，2013年上看1.5億台。
在NB代工廠迅速恢復產品供貨下，第2季可望浮現出貨遞延商機，全球NB出貨台數可望出現13.6％的季成長率，優於歷年同期水準。
而蘋果即將在舊金山舉行的記者會上正式發表iPad2，帶動平板電腦市場話題。國際研調機構顧能(Gartner)預估，今年全球平板電腦銷量上看6,478萬台。
集邦表示，雖然NB出貨受英特爾晶片瑕疵問題導致出貨遞延，不過2月NB代工廠本身就有工作天數不足因素影響，因此英特爾晶片瑕疵造成的衝擊，不如原來預期的大，預估全球NB（含小筆電）2月出貨可達1320萬台，月衰退12％。
集邦指出，在元月份NB出貨不如預期及2月英特爾晶片瑕疵影響下，部分NB出貨恐遞延至3、4月，預估3月NB出貨月增率將達到近30％，順利揮別首季出貨量季衰退11％的窘境。
不過，集邦指出，第2季在第1季訂單遞延帶動下，加上品牌廠海運比重提升，返校需求的產品須提早在第2季進行拉貨，因此預估第2季NB出貨（含小筆電）將有13.6％的季增率，優於2006-2010年平均季增率8％的水位，且增幅逾5個百分點。
研調機構認為，平板電腦雖不會取代筆記型電腦，但是的確對成熟市場的NB需求造成侵蝕作用，不過，新興市場仍會以筆電或小筆電做為第一台NB的選擇，平板電腦的侵蝕程度不高。
集邦指出，今年NB的成長動能主要來自於新興市場與商用市場的需求，近期公佈的財報中，惠普與戴爾皆在商用市場上有所斬獲，預期今年商用市場將可維持成長動能，而新興市場由於經濟成長帶動，第一台電腦的原生需求持續走揚，可望成減緩平板電腦對NB產業的衝擊力道。
不過，集邦看淡小筆電的前景，並在報告中釋出悲觀預期，預估今年小筆電全年出貨僅2680萬台，年衰退19.5％，而常規NB出貨則達1.92億台，年增率19.6％，全年含小筆電出貨達2.19億台，年增率下修至12.9％。
蘋果引爆平板電腦需求，各大PC品牌廠，以及手機廠商紛紛切入平板市場，顧能指出，平板需求將帶動國內零組件供應廠的出貨。顧能並預估，今年平板媒體的終端銷售量可達 6,478萬台，預估明年突破1億台，2013年上看1.5億台。
2月下旬DRAM合約價全面止穩，集邦科技上周公布的DRAM下旬合約價呈現止穩態勢，顆粒報價、模組報價已不再下跌，合約廠商的跌價風暴暫歇。
爾必達社長?本幸雄仍維持3月調漲合約價的預測，預估價格可望從2.1美元調高至2.3美元至2.5美元，4月至5月供需短缺的看法也沒有改變。
不過這次市場對DRAM漲價的反應冷淡，以往一旦DRAM廠商價格喊漲，即使財報處於赤字階段，DRAM類股多半有相當程度反映。
然這一波爾必達喊漲以來，DRAM顆粒廠股價不漲反跌，反映價格上漲的行情不再。
最近一周以來，合約大廠南科的股價已經大跌10.2％，華亞科股價也跌掉11.86％，力晶股價則下跌4.67％，華邦電股價也跌掉5.12％。
爾必達社長?本幸雄仍維持3月調漲合約價的預測，預估價格可望從2.1美元調高至2.3美元至2.5美元，4月至5月供需短缺的看法也沒有改變。
不過這次市場對DRAM漲價的反應冷淡，以往一旦DRAM廠商價格喊漲，即使財報處於赤字階段，DRAM類股多半有相當程度反映。
然這一波爾必達喊漲以來，DRAM顆粒廠股價不漲反跌，反映價格上漲的行情不再。
最近一周以來，合約大廠南科的股價已經大跌10.2％，華亞科股價也跌掉11.86％，力晶股價則下跌4.67％，華邦電股價也跌掉5.12％。
全球動態隨機存取記憶體（DRAM）大廠三星及爾必達自本月起將調漲DRAM價格，漲幅在9%到19%不等，業者強調，全球最大記憶體廠商三星加入漲價行列後，第二季DRAM漲幅將更明確。
爾必達是率先宣布3月調漲DRAM價格廠商，社長土反本幸雄日前表示，雖然今年標準型記憶體成長僅三成，但由於全球無新增產能，加上下游陸續回補庫存，爾必達決定3月起調漲價格，漲幅9.5%到19%。
全球最大記憶體廠三星也自本月起，針對二線個人電腦委託代工廠（OEM）調漲DRAM報價，DDR3 2GB模組從16.5美元漲到18美元，換算為DRAM顆粒，每顆報價漲幅近一成，至於一線PC廠，三星雖還未漲價，卻明白告知只能限量供應，預料很快漲價。
國內DRAM大廠目前還未表態跟進，不過業者透露，隨英特爾新晶片組重新調整出貨，加上個人電腦廠提升DRAM搭載率，DRAM價格確實應回到較合理價格，樂見三星和爾必達調漲DRAM售價。
國內知名DRAM市調機構集邦科技預測，隨著英特爾新平台Sandy Bridge本月正式出貨，加上64位元作業系統普及與記憶體較去年便宜甚多，預期個人電腦新主流規格單機將搭載4GB以上的DDR3 DRAM。
集邦科技預期，電腦系統廠在本季底和下季初將開始拉貨，提高庫存準備，到3月底以前DRAM價格有機會反彈20%至25%。
土反本幸雄也呼應集邦的調查，強調DRAM供需在3月將趨平衡，5月將缺貨。主要是下游庫存水位低，各DRAM今年資本支出保守，且轉移很多的產能生產快閃記憶體、行動用記憶體（Mobile DRAM）或高階伺服器用記憶體，不過，從市場應用端來看，今年行動用記憶體需求強勁，價格相對看俏。
爾必達是率先宣布3月調漲DRAM價格廠商，社長土反本幸雄日前表示，雖然今年標準型記憶體成長僅三成，但由於全球無新增產能，加上下游陸續回補庫存，爾必達決定3月起調漲價格，漲幅9.5%到19%。
全球最大記憶體廠三星也自本月起，針對二線個人電腦委託代工廠（OEM）調漲DRAM報價，DDR3 2GB模組從16.5美元漲到18美元，換算為DRAM顆粒，每顆報價漲幅近一成，至於一線PC廠，三星雖還未漲價，卻明白告知只能限量供應，預料很快漲價。
國內DRAM大廠目前還未表態跟進，不過業者透露，隨英特爾新晶片組重新調整出貨，加上個人電腦廠提升DRAM搭載率，DRAM價格確實應回到較合理價格，樂見三星和爾必達調漲DRAM售價。
國內知名DRAM市調機構集邦科技預測，隨著英特爾新平台Sandy Bridge本月正式出貨，加上64位元作業系統普及與記憶體較去年便宜甚多，預期個人電腦新主流規格單機將搭載4GB以上的DDR3 DRAM。
集邦科技預期，電腦系統廠在本季底和下季初將開始拉貨，提高庫存準備，到3月底以前DRAM價格有機會反彈20%至25%。
土反本幸雄也呼應集邦的調查，強調DRAM供需在3月將趨平衡，5月將缺貨。主要是下游庫存水位低，各DRAM今年資本支出保守，且轉移很多的產能生產快閃記憶體、行動用記憶體（Mobile DRAM）或高階伺服器用記憶體，不過，從市場應用端來看，今年行動用記憶體需求強勁，價格相對看俏。
全球第三大DRAM廠爾必達（916665）台灣存託憑證（TDR）昨（17）日公開申購截止，預計今天公布訂價；市場推估，總申購量可能達到9至10 萬張，超額認購約四倍，承銷價約在21元以內。
以此來看，爾必達上市價格將比台股DRAM族群股價高，預期在市場復甦帶動下，實際掛牌價格可望趨於預估值上緣，帶動族群比價效應。
爾必達TDR公開申購及詢價圈購已於昨天截止，到16日為止，公開申購為5.18萬張，超額申購1.73倍，據估計加計最後一天，可能達到9到10萬張以上，超額申購將達到四倍以上。
至於承銷價格，以爾必達原股昨天在日本收盤價日幣1,254元，以1股TDR表彰0.05股原股來推估計算，約折合新台幣22.07元，每股價格約落在21元以內，惟實際價格將於今天定價。
凱基證表示，爾必達TDR每單位發行價格將暫定在19.5至26元，惟實際發行價格將以訂價日前一、三、五個營業日的爾必達日本原股之平均股價擇一作為基準，折價幅度不超過5%。
以爾必達近五日收盤價來看，前一日均價計算後約新台幣22.07元、前三日均價約22.62元、前五日均價約22.387元。
法人認為，隨DRAM市況正谷底翻揚，爾必達TDR訂價應可達預期上緣，不僅將掀起台股DRAM族群比價效應，爾必達將以相關資金協助轉投資瑞晶研發中心，更攸關台灣新世代DRAM 技術發展。
DRAM族群昨天在台股震盪翻黑下，普遍走跌。南科收當日最低價17.6元、下跌0.75元；華亞科跌0.45元、收17.6元；力晶收6.62元、下跌0.1元。
近期DRAM業已普遍有「市場將落底反彈」的共識，爾必達預期，市場供需3月轉趨平衡，5月恐出現缺貨；南科也認為，目前看來價格「很明顯跌不下去了」，下游端也開始拉貨回補庫存，透露市場狀況已「否極泰來」，撥雲見日的時候到了。
據集邦報價，2月上旬標準型記憶體合約價持平開出，Gb與2Gb DDR3晶片均價各為0.88 、1.84美元終止去年第三季末以來「只跌不漲」的窘境，預期英特爾修正過的晶片組出貨後，有助帶動需求，刺激價格反彈。此外，爾必達位於日本廣島的12 吋廠，近九成都轉生產行動記憶體，未來對台灣標準型記憶體仰賴度大增。
以此來看，爾必達上市價格將比台股DRAM族群股價高，預期在市場復甦帶動下，實際掛牌價格可望趨於預估值上緣，帶動族群比價效應。
爾必達TDR公開申購及詢價圈購已於昨天截止，到16日為止，公開申購為5.18萬張，超額申購1.73倍，據估計加計最後一天，可能達到9到10萬張以上，超額申購將達到四倍以上。
至於承銷價格，以爾必達原股昨天在日本收盤價日幣1,254元，以1股TDR表彰0.05股原股來推估計算，約折合新台幣22.07元，每股價格約落在21元以內，惟實際價格將於今天定價。
凱基證表示，爾必達TDR每單位發行價格將暫定在19.5至26元，惟實際發行價格將以訂價日前一、三、五個營業日的爾必達日本原股之平均股價擇一作為基準，折價幅度不超過5%。
以爾必達近五日收盤價來看，前一日均價計算後約新台幣22.07元、前三日均價約22.62元、前五日均價約22.387元。
法人認為，隨DRAM市況正谷底翻揚，爾必達TDR訂價應可達預期上緣，不僅將掀起台股DRAM族群比價效應，爾必達將以相關資金協助轉投資瑞晶研發中心，更攸關台灣新世代DRAM 技術發展。
DRAM族群昨天在台股震盪翻黑下，普遍走跌。南科收當日最低價17.6元、下跌0.75元；華亞科跌0.45元、收17.6元；力晶收6.62元、下跌0.1元。
近期DRAM業已普遍有「市場將落底反彈」的共識，爾必達預期，市場供需3月轉趨平衡，5月恐出現缺貨；南科也認為，目前看來價格「很明顯跌不下去了」，下游端也開始拉貨回補庫存，透露市場狀況已「否極泰來」，撥雲見日的時候到了。
據集邦報價，2月上旬標準型記憶體合約價持平開出，Gb與2Gb DDR3晶片均價各為0.88 、1.84美元終止去年第三季末以來「只跌不漲」的窘境，預期英特爾修正過的晶片組出貨後，有助帶動需求，刺激價格反彈。此外，爾必達位於日本廣島的12 吋廠，近九成都轉生產行動記憶體，未來對台灣標準型記憶體仰賴度大增。
相較2月上旬利基型記憶體合約價大漲，標準型記憶體走勢持平。集邦科技認為，2月上旬報價雖然持平，但已終止去年第三季末以來「只跌不漲」的窘境，預期英特爾修正過的晶片組出貨後，有助帶動需求，刺激價格反彈。
不僅合約價持平開出，現貨價在農曆年前後大漲的走勢也暫時告歇，2Gb DDR3有效測試顆粒（eTT）現貨價以小跌1%內，再度面臨2美元整數關卡保衛戰。
根據集邦科技報價，2月上旬標準型記憶體合約價持平開出，1Gb與2Gb DDR3晶片均價各為0.88、1.84美元。模組方面，2GB與4GB DDR3也都開平盤價，均價各為0.88、1.84美元。
集邦認為，前波DDR3晶片現貨價大漲逾20%，拉大與合約市場價差，是讓合約價終止連跌數月的最大支撐。預期在英特爾2月中開始供應修正過後的晶片組，帶動需求回籠下，有助後續合約價反彈。
現貨市場方面，農曆前後大漲的走勢雖然告一段落，但未見大幅下跌，預期小幅下跌的步調，可舒緩前波價格大漲後的觀望氣氛並刺激買氣，隨著2月上旬合約價格開出，落底訊號確定，有助現貨顆粒價格同步持穩。
DRAM族群昨天普遍收紅，台灣為大合約市場供應商南科（2408）上漲0.4元、收18.1元；華亞科、力晶漲幅都約3%，僅茂德（5387）收黑。
不僅合約價持平開出，現貨價在農曆年前後大漲的走勢也暫時告歇，2Gb DDR3有效測試顆粒（eTT）現貨價以小跌1%內，再度面臨2美元整數關卡保衛戰。
根據集邦科技報價，2月上旬標準型記憶體合約價持平開出，1Gb與2Gb DDR3晶片均價各為0.88、1.84美元。模組方面，2GB與4GB DDR3也都開平盤價，均價各為0.88、1.84美元。
集邦認為，前波DDR3晶片現貨價大漲逾20%，拉大與合約市場價差，是讓合約價終止連跌數月的最大支撐。預期在英特爾2月中開始供應修正過後的晶片組，帶動需求回籠下，有助後續合約價反彈。
現貨市場方面，農曆前後大漲的走勢雖然告一段落，但未見大幅下跌，預期小幅下跌的步調，可舒緩前波價格大漲後的觀望氣氛並刺激買氣，隨著2月上旬合約價格開出，落底訊號確定，有助現貨顆粒價格同步持穩。
DRAM族群昨天普遍收紅，台灣為大合約市場供應商南科（2408）上漲0.4元、收18.1元；華亞科、力晶漲幅都約3%，僅茂德（5387）收黑。
DRAM經過去年第4季的殺戮戰場，廝殺結果出爐，昨（8）日集邦科技公布去年第4季各大廠市佔率調查，三星半導體單季市佔率持續拉升至40.7％，穩居全球龍頭；前五大廠僅三星、海力士市佔率提升，營收、市佔率衰退幅度以爾必達居冠。
DRAM價格暴跌引導台、韓DRAM廠走向不同方向，台系廠商加快轉出標準型DRAM腳步，而韓系兩大廠三星、海力士市佔率則持續走升，獨霸DRAM市場的地位更加鞏固。根據集邦科技昨日公布的第4季全球市佔率調查，前三大廠分別為三星、海力士、爾必達，三星持續以超過40％市佔穩居全球第一。
集邦科技表示，由於DRAM價格第4季跌幅劇烈，除了美系及韓系DRAM廠商仍繳出獲利的財報外，其餘DRAM廠皆處於虧損狀態，DRAM廠亦紛紛對未來資本支出轉趨保守，2011年DRAM廠於DRAM資本支出大降43％，由去年的120億美元降至68億美元。
全球排名前五大廠，僅三星、海力士單季市佔率呈現上升趨勢。集邦分析，三星由於製程轉進速度優於其他同業，更率先導入35nm（奈米）) 製程，預計年底35nm製程的產出量可以超過50％，市占率有望進一步提升。海力士市佔率由上季之19.8％上升至21.9％，主因為海力士提升行動型 DRAM及伺服器應用 DRAM產品比重，降低標準型DRAM比重，即使第4季DRAM價格下滑幅度甚劇，海力士DRAM營收僅衰退11.5％，衰退幅度最輕。
日系廠商爾必達方面亦受到DRAM價格下滑影響，去年第4季營收與第3季相比下降約32.2％，衰退幅度居全球DRAM廠之冠，市佔率也由16.1％下降至13.6％，由於力晶已決定產出的標準型DRAM將全數交由爾必達銷售，第2季營收成長動能大增。在技術轉進上，目前45nm製程轉換順利，子公司瑞晶目前良率已達91％，38nm製程更預計於中國農曆年後投片，將提升成本競爭力。
DRAM價格暴跌引導台、韓DRAM廠走向不同方向，台系廠商加快轉出標準型DRAM腳步，而韓系兩大廠三星、海力士市佔率則持續走升，獨霸DRAM市場的地位更加鞏固。根據集邦科技昨日公布的第4季全球市佔率調查，前三大廠分別為三星、海力士、爾必達，三星持續以超過40％市佔穩居全球第一。
集邦科技表示，由於DRAM價格第4季跌幅劇烈，除了美系及韓系DRAM廠商仍繳出獲利的財報外，其餘DRAM廠皆處於虧損狀態，DRAM廠亦紛紛對未來資本支出轉趨保守，2011年DRAM廠於DRAM資本支出大降43％，由去年的120億美元降至68億美元。
全球排名前五大廠，僅三星、海力士單季市佔率呈現上升趨勢。集邦分析，三星由於製程轉進速度優於其他同業，更率先導入35nm（奈米）) 製程，預計年底35nm製程的產出量可以超過50％，市占率有望進一步提升。海力士市佔率由上季之19.8％上升至21.9％，主因為海力士提升行動型 DRAM及伺服器應用 DRAM產品比重，降低標準型DRAM比重，即使第4季DRAM價格下滑幅度甚劇，海力士DRAM營收僅衰退11.5％，衰退幅度最輕。
日系廠商爾必達方面亦受到DRAM價格下滑影響，去年第4季營收與第3季相比下降約32.2％，衰退幅度居全球DRAM廠之冠，市佔率也由16.1％下降至13.6％，由於力晶已決定產出的標準型DRAM將全數交由爾必達銷售，第2季營收成長動能大增。在技術轉進上，目前45nm製程轉換順利，子公司瑞晶目前良率已達91％，38nm製程更預計於中國農曆年後投片，將提升成本競爭力。
在DRAM價格跌過頭，廠商陷入虧損之際，全球第三大DRAM廠爾必達率先釋出漲價風向球，雖然三星、海力士兩大一線廠尚未跟進，不過在英特爾正式推出新的平台Sandy Bridge，以及64位元作業系統普及、記憶體價格低廉等因素，新主流規格搭載的DRAM將從4GB起跳，不僅DRAM廠對價格上漲引頸企盼，市調機構也認為，DRAM合約價可望在第2季前上漲逾2成。
在爾必達率先喊漲之後，市調機構集邦科技對合約價走勢也有翻多看法。集邦科技表示，1月上旬合約價已接近底部價位，DDR3 2GB均價約17美元，而低價成交價約在16美元價位左右，跌幅從先前動輒10％的下跌幅度縮小至5％至6％，而1月下旬合約價，目前DRAM原廠與 OEM間正洽談中，價格將呈現持平或微幅下跌走勢。
現貨市場方面，今年1月以來DDR2與DDR3皆呈現持穩的價格走勢，DDR3 1Gb約在0.84美元，而DDR2則在1.35美元上下。由於先前市場價格持續下跌，模組廠及市場通路皆保守因應，維持低庫存水位，隨著中國新年將近，將會有機會帶動一波補貨潮，帶動價格上揚。
由於DRAM產業總是在景氣回升之際，帶動廠商大舉擴產，進入下一階段製程微縮，再引導下一次崩盤的循環，但經歷2007至2009年，長達3年的虧損，市場僅回?1年，DRAM廠又面臨虧損困境，集邦科技認為，在此次下跌趨勢中，無政府紓困力量介入，DRAM廠將節制資本支出，市場機制將使競爭力落後的廠商更快速調整的腳步，讓產業回歸正向的發展。
在爾必達率先喊漲之後，市調機構集邦科技對合約價走勢也有翻多看法。集邦科技表示，1月上旬合約價已接近底部價位，DDR3 2GB均價約17美元，而低價成交價約在16美元價位左右，跌幅從先前動輒10％的下跌幅度縮小至5％至6％，而1月下旬合約價，目前DRAM原廠與 OEM間正洽談中，價格將呈現持平或微幅下跌走勢。
現貨市場方面，今年1月以來DDR2與DDR3皆呈現持穩的價格走勢，DDR3 1Gb約在0.84美元，而DDR2則在1.35美元上下。由於先前市場價格持續下跌，模組廠及市場通路皆保守因應，維持低庫存水位，隨著中國新年將近，將會有機會帶動一波補貨潮，帶動價格上揚。
由於DRAM產業總是在景氣回升之際，帶動廠商大舉擴產，進入下一階段製程微縮，再引導下一次崩盤的循環，但經歷2007至2009年，長達3年的虧損，市場僅回?1年，DRAM廠又面臨虧損困境，集邦科技認為，在此次下跌趨勢中，無政府紓困力量介入，DRAM廠將節制資本支出，市場機制將使競爭力落後的廠商更快速調整的腳步，讓產業回歸正向的發展。
力晶（5346）昨（11）日宣布，正式量產40奈米DDR3 2Gb顆
粒，加上從瑞晶方面取得的產能，今年首季力晶DDR3 2Gb顆粒將
大量交貨，較原訂時程提前一季，在製程順利推進之下，力晶、
瑞晶（4932）成為台灣量產40奈米顆粒的第一領先群，下半年全
面轉進40奈米世代，並在第4季試投30奈米。
力晶董事長黃崇仁表示，雖在去年第4季才導入浸潤式曝光機
，但試產40奈米製程技術進展十分順利，由於良率爬升快速，公
司已決定大量投片生產40奈米2Gb DRAM，並繼續在本季引進浸潤
式曝光機，擴大40奈米產能，逐季增加2Gb DDR3 DRAM出貨，下
半年將全面轉進40奈米世代，並於第4季投入30奈米製程。
黃崇仁也表示，從1月起，力晶開始依協議向瑞晶採購2Gb
DDR3 DRAM，將可有效滿足主力客戶的2Gb產品需求，力晶的
DRAM業務在本季將可加速跨入2Gb主流市場，依供需狀況研判，
DRAM市場將在第1季落底，未來景氣可望隨下游需求回升而加
溫。
在力晶正式跨足40奈米世代之下，台系DRAM廠的製程加速
升級，南科、華亞科順利轉進50奈米製程，目前南科投片量每月
5萬片，華亞科每月13萬片，生產良率貼近美光的良率。
力晶雖然轉進速度較慢，但卻從63奈米跳攻45奈米，遽聞初
期良率約70％至80％，經過一段學習曲線之後，力晶才決定大量
投片量產，較原訂時間提前1季。
根據集邦科技報價，DDR3 1Gb有效測試顆粒價格不到1美元
，僅0.84美元，已經瀕臨材料成本，但是DDR3 2Gb顆粒還有1.62
美元，品牌顆粒則還有1.82美元，引導各家DRAM廠競相轉進2Gb
產品。
粒，加上從瑞晶方面取得的產能，今年首季力晶DDR3 2Gb顆粒將
大量交貨，較原訂時程提前一季，在製程順利推進之下，力晶、
瑞晶（4932）成為台灣量產40奈米顆粒的第一領先群，下半年全
面轉進40奈米世代，並在第4季試投30奈米。
力晶董事長黃崇仁表示，雖在去年第4季才導入浸潤式曝光機
，但試產40奈米製程技術進展十分順利，由於良率爬升快速，公
司已決定大量投片生產40奈米2Gb DRAM，並繼續在本季引進浸潤
式曝光機，擴大40奈米產能，逐季增加2Gb DDR3 DRAM出貨，下
半年將全面轉進40奈米世代，並於第4季投入30奈米製程。
黃崇仁也表示，從1月起，力晶開始依協議向瑞晶採購2Gb
DDR3 DRAM，將可有效滿足主力客戶的2Gb產品需求，力晶的
DRAM業務在本季將可加速跨入2Gb主流市場，依供需狀況研判，
DRAM市場將在第1季落底，未來景氣可望隨下游需求回升而加
溫。
在力晶正式跨足40奈米世代之下，台系DRAM廠的製程加速
升級，南科、華亞科順利轉進50奈米製程，目前南科投片量每月
5萬片，華亞科每月13萬片，生產良率貼近美光的良率。
力晶雖然轉進速度較慢，但卻從63奈米跳攻45奈米，遽聞初
期良率約70％至80％，經過一段學習曲線之後，力晶才決定大量
投片量產，較原訂時間提前1季。
根據集邦科技報價，DDR3 1Gb有效測試顆粒價格不到1美元
，僅0.84美元，已經瀕臨材料成本，但是DDR3 2Gb顆粒還有1.62
美元，品牌顆粒則還有1.82美元，引導各家DRAM廠競相轉進2Gb
產品。
儘管各大廠樂觀看待DRAM產業第1季後走勢，但1月上旬
DRAM合約價仍呈現加速趕底，集邦科技昨（11）日開出的1月上
旬合約價持續重挫，DDR3 1Gb與DDR3 2Gb品牌顆粒分別大跌
6.19％、6.7％，報價為0.91美元、1.81美元，DDR3 2GB模組則跌
破20美元，報17美元。
DRAM現貨價昨日呈現持穩走勢，但是合約價卻持續走跌，
根據集邦科技昨日開出的1月上旬合約價顯示，DDR3 1Gb以及
DDR3 2Gb品牌顆粒分別大跌6.17％、6.7％，報價已經下挫至0.91
美元、1.81美元，雖然跌幅已略見縮小，但是跌勢還是相當驚人
，本月下旬DRAM 廠將陸續召開法說會，市場預期去年第4季將會
持續虧損，DRAM產業去年財報虧損百億元的窘境恐再現。
至於模組價格方面，DDR3 4GB與DDR3 2GB模組價格也同下
跌超過逾5％，分別報價34美元、17美元。
DRAM廠指出，目前新機種均搭載DDR3 2Gb產品，可確定是
目前的主流。
DRAM合約價仍呈現加速趕底，集邦科技昨（11）日開出的1月上
旬合約價持續重挫，DDR3 1Gb與DDR3 2Gb品牌顆粒分別大跌
6.19％、6.7％，報價為0.91美元、1.81美元，DDR3 2GB模組則跌
破20美元，報17美元。
DRAM現貨價昨日呈現持穩走勢，但是合約價卻持續走跌，
根據集邦科技昨日開出的1月上旬合約價顯示，DDR3 1Gb以及
DDR3 2Gb品牌顆粒分別大跌6.17％、6.7％，報價已經下挫至0.91
美元、1.81美元，雖然跌幅已略見縮小，但是跌勢還是相當驚人
，本月下旬DRAM 廠將陸續召開法說會，市場預期去年第4季將會
持續虧損，DRAM產業去年財報虧損百億元的窘境恐再現。
至於模組價格方面，DDR3 4GB與DDR3 2GB模組價格也同下
跌超過逾5％，分別報價34美元、17美元。
DRAM廠指出，目前新機種均搭載DDR3 2Gb產品，可確定是
目前的主流。
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