

股票名稱 | 報價日期 | 今買均 | 買高 | 昨買均 | 實收資本額 |
---|---|---|---|---|---|
山太士 | 2025/05/05 | 議價 | 議價 | 議價 | 272,992,820元 |
統一編號 | 董事長 | 今賣均 | 賣低 | 昨賣均 | 詳細報價連結 |
89716605 | 吳學宗 | 議價 | 議價 | 議價 | 詳細報價連結 |
2024年09月09日
星期一
星期一
先進封裝材料量產 山太士H2拚轉盈 |山太士
山太士(3595)扇出型基板/晶圓級封裝(FOPLP/FOWLP)等先進 封裝製程應用材料、及製程問題整合方案,其中應用於玻璃基板封裝 材料,已進入材料驗證及試產階段。
法人預估,隨著新產品量產,山太士下半年營收相比上半年有機會 成長50%,營運可望轉盈。
山太士轉型為半導體材料供應商,在晶圓減薄、晶圓研磨、暫時接 著、雷射解離、晶圓及封裝測試等製程提供產品,協助客戶提升良率 及簡化製程。
山太士表示,使用於先進製程中的材料需歷經多種酸、鹼、蝕刻液 及電鍍液,還需歷經高低溫的循環製程及高真空的PVD製程,對於製 程材料是嚴苛的挑戰。線路製程完成後,若要移除相關材料也必須達 到製程簡易且不會殘留的要求。
玻璃基板封裝從技術上又區分為先晶片製程(Chip first)及後晶 片製程(Chip last)。不論採行先晶片或後晶片製程都會面臨到與 扇出型晶圓級封裝一樣,線路增層及封裝後產生的基板翹曲問題。
晶圓及玻璃基板翹曲問題因擾業界已久,過去在抑制翹曲採行鋼板 載具或是玻璃增厚方式,但良率一直遇到瓶頸。
山太士成立半導體先進材料研發中心,將扇出型多層線路翹曲抑制 方案導入面板級玻璃基板RDL封裝製程,在晶圓及玻璃基板翹曲抑制 及製程中取得重大突破。以370mm*470mm先晶片製程玻璃基板為例, 採用山太士抗翹曲抑制方案的新型材料(Balance Film)後,可控制 0.7mm厚的玻璃基板,免除厚重鋼板載具,歷經RDL線路製程仍可有效 抑制翹曲,同時簡化多道製程工藝,讓良率大幅提升,客戶可採行通 用厚度0.7mm或0.5mm玻璃基板,實現玻璃基板封裝量產可行性。
山太士聚焦於先進封裝製程材料的研發,在FOWLP及FOPLP製程中提 供雷射解離的雷射解膠材料,基板及晶圓固定用的暫時接著材料、熱 解離材料、UV解離材料以及晶圓和基板減薄、切割製程中使用的研磨 膠帶和切割膠帶。這些先進製程材料皆已開發完成並陸續通過客戶驗 證,在下半年陸續導入量產,挹注營運成長動能。
法人預估,隨著新產品量產,山太士下半年營收相比上半年有機會 成長50%,營運可望轉盈。
山太士轉型為半導體材料供應商,在晶圓減薄、晶圓研磨、暫時接 著、雷射解離、晶圓及封裝測試等製程提供產品,協助客戶提升良率 及簡化製程。
山太士表示,使用於先進製程中的材料需歷經多種酸、鹼、蝕刻液 及電鍍液,還需歷經高低溫的循環製程及高真空的PVD製程,對於製 程材料是嚴苛的挑戰。線路製程完成後,若要移除相關材料也必須達 到製程簡易且不會殘留的要求。
玻璃基板封裝從技術上又區分為先晶片製程(Chip first)及後晶 片製程(Chip last)。不論採行先晶片或後晶片製程都會面臨到與 扇出型晶圓級封裝一樣,線路增層及封裝後產生的基板翹曲問題。
晶圓及玻璃基板翹曲問題因擾業界已久,過去在抑制翹曲採行鋼板 載具或是玻璃增厚方式,但良率一直遇到瓶頸。
山太士成立半導體先進材料研發中心,將扇出型多層線路翹曲抑制 方案導入面板級玻璃基板RDL封裝製程,在晶圓及玻璃基板翹曲抑制 及製程中取得重大突破。以370mm*470mm先晶片製程玻璃基板為例, 採用山太士抗翹曲抑制方案的新型材料(Balance Film)後,可控制 0.7mm厚的玻璃基板,免除厚重鋼板載具,歷經RDL線路製程仍可有效 抑制翹曲,同時簡化多道製程工藝,讓良率大幅提升,客戶可採行通 用厚度0.7mm或0.5mm玻璃基板,實現玻璃基板封裝量產可行性。
山太士聚焦於先進封裝製程材料的研發,在FOWLP及FOPLP製程中提 供雷射解離的雷射解膠材料,基板及晶圓固定用的暫時接著材料、熱 解離材料、UV解離材料以及晶圓和基板減薄、切割製程中使用的研磨 膠帶和切割膠帶。這些先進製程材料皆已開發完成並陸續通過客戶驗 證,在下半年陸續導入量產,挹注營運成長動能。
下一則:先進封裝技術助力山太士轉虧為盈
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