力晶創新投資控股公司公告| IPO贏家未上市股票交流網

1.事實發生日:107/09/04

2.發生緣由:例行性會議

3.因應措施:不適用

4.其他應敘明事項:討論通過本公司為進行組織重組，擬將全部或主要部分之營業或

財產讓與本公司百分之百持有之子公司鉅晶電子股份有限公司案

代子公司「鉅晶電子股份有限公司」公告更名為「力晶積成電子製造股份有限公司」

1.事實發生日:107/09/04

2.發生緣由:本公司之子公司鉅晶電子股份有限公司於107/09/04經董事會決議通過變更

公司名稱暨修訂該公司公司章程。

3.因應措施:無。

4.其他應敘明事項:本項更名尚待相關主管機關核准後，正式施行。

公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2884839專利

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體元件的製作以及檢測方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/04/13

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 73,482

4.其他應敘明事項:

一種半導體元件的製作方法，包括提供半導體基板，其包括元件區域和週邊區域

。接著，於元件區域內形成第一幾何單元，並於週邊區域形成多個第二幾何單元

，其中各第二幾何單元的臨界尺寸係相等於第一幾何單元的臨界尺寸。之後，全

面沉積一介電層，以同時覆蓋住第一幾何單元和各第二幾何單元。最後，於介電

層上形成焊接墊，其中焊接墊位於第二幾何單元的正上方。其中在形成第二幾何

單元之後，會對第二幾何單元進行缺陷檢測。

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

影像感測器及其製作方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/04/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 90,740

4.其他應敘明事項:

本發明提供了一種影像感測器，其包括一基底、一感光元件、一深溝槽隔離結構

以及一隔離元件。感光元件設置於基底表面。深溝槽隔離結構設置於感光元件的

一側。隔離元件設置於基底內並位於感光元件及深溝槽隔離結構下，且隔離元件

與感光元件在垂直於基底表面的方向上部分重疊。

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

垂直式記憶體及其製作方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/06/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 91,500

4.其他應敘明事項:

本發明提供一種垂直式記憶體，其包括複數個記憶單元，沿垂直於基底表面的第

一方向依序堆疊，其中各記憶單元包括通道層、閘極、儲存層、穿隧層、阻擋層

及空氣間隙層。通道層沿第一方向延伸，而閘極沿著平行於基底表面的第二方向

設置於通道層之一側。儲存層設置於通道層與閘極之間，並沿第一方向延伸。穿

隧層設置於通道層與儲存層之間，並沿第一方向延伸。阻擋層設置於閘極與儲存

層之間，其中阻擋層覆蓋閘極之頂面、底面及側面。空氣間隙層沿第一方向延伸

，並設置於儲存層與阻擋層之間或設置於儲存層與穿隧層之間。

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

記憶體結構及其製作方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/04/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 75,600

4.其他應敘明事項:

一種記憶體結構，包含半導體基底、至少二個淺溝槽隔離、主動區、第一介電層

、浮置閘極、第二介電層以及控制閘極。淺溝槽隔離相鄰設置於半導體基底中。

主動區設置於半導體基底中且位於該等淺溝槽隔離之間。第一介電層設置於主動

區表面。浮置閘極設置於半導體基底上且具有階梯狀側壁，並包含上層部和下層

部，其中上層部寬度小於下層部寬度，下層部橫跨主動區且延伸至淺溝槽隔離上

並部分覆蓋淺溝槽隔離。第二介電層覆蓋浮置閘極。控制閘極設置於第二介電層

上。

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

非揮發性記憶體及其存取方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/04/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 53,800

4.其他應敘明事項:

非揮發性記憶體及其存取方法。非揮發性記憶體包括至少一記憶區塊。至少一記

憶區塊包括多個第一記憶頁、多個第二記憶頁以及緩衝器。第一記憶頁分別對應

多數條字元線，並分別包括多數個第一記憶子區塊，其中，對應第零字元線的第

一記憶子區塊儲存保護圖案。第二記憶頁分別對應字元線，並分別包括多個第二

記憶子區塊。緩衝器儲存保護圖案。當第一記憶子區塊的其中之一被設定為受保

護記憶子區塊時，緩衝器提供保護圖案以寫入第二記憶頁中對應受保護記憶子區

塊的第二記憶子區塊中以產生頁面保護資訊。

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

影像亮度重配模組及影像亮度重配方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/06/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 80,320

4.其他應敘明事項:

本發明提供了一種影像亮度重配模組，其包括一開關器、一第一透鏡、一數位微

鏡裝置、一第二透鏡以及一第三透鏡。開關器選擇性地允許具一光強度分佈之一

第一圖像通過，而第一圖像係由一照明光束通過一光罩所形成。第一圖像藉由通

過第一透鏡而被調整尺寸以形成一第二圖像，成像於數位微鏡裝置的表面，並藉

由數位微鏡裝置形成具一重配光強度分佈之一第三圖像。第三圖像經數位微鏡裝

置輸出至第二透鏡，並藉由通過第二透鏡而被調整尺寸以形成一第四圖像，以及

第四圖像藉由通過第三透鏡而被調整尺寸以形成一第五圖像並輸出至影像亮度重

配模組外。

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

雙位元快閃記憶體記憶體結構及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/06/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 117,500

4.其他應敘明事項:

一種雙位元快閃記憶體結構，包含位於基材上的選擇閘極氧化物層、容置於選擇

閘極氧化物層中的選擇閘極，選擇閘極兩側各有一組複合閘極層。各別複合閘極

層包含浮置閘極氧化層、浮置閘極、複合材料層、控制閘極與間隙壁。浮置氧化

矽位於基材上。浮置閘極位於浮置氧化層上。複合材料層位於浮置閘極上。控制

閘極位於複合材料層上。間隙壁位於控制閘極上。

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

MIM電容之結構及其製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/04/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 109,200

4.其他應敘明事項:

一種金屬-絕緣層-金屬(Metal-Insulator-Metal：MIM)電容，其中包括第一電極

層、第二電極層以及倒T型介電層堆疊結構。其中倒T型介電層堆疊結構形成於第

一電極層與第二電極層之間。上述之倒T型介電層堆疊結構包括垂直部及水平部連

接該垂直部，其中另一介電層圖案形成於該垂直部與水平部之間，以形成該倒T型

介電層堆疊結構。

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體元件的製造方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/04/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 53,800

4.其他應敘明事項:

一種半導體元件的製造方法，包括以下步驟。於基底上分別形成第一應力層與第

二應力層。於第一應力層與第二應力層上形成緩衝層。對基底進行佈植製程，以

於第一應力層與第二應力層的下方的基底中形成預切割面。進行接合處理，以將

載板接合至緩衝層上。進行熱處理，使得基底的一部分自預切割面分離。於基底

的另一部分的預切割面上進行前段製程。

1.發生變動日期:107/05/24

2.舊任者姓名及簡歷:

董事：黃崇仁，力晶科技股份有限公司董事

董事：智仁科技開發股份有限公司代表人-陳瑞隆，力晶科技股份有限公司董事

董事：力立企業股份有限公司代表人-蔡國智，力晶科技股份有限公司董事

董事：力元投資股份有限公司代表人-王其國，力晶科技股份有限公司董事

董事：世成科技股份有限公司代表人-童貴聰，力晶科技股份有限公司董事

董事：力世創業投資股份有限公司代表人-丁振鐸，力晶科技股份有限公司董事

董事：力旺電子股份有限公司代表人-徐清祥，力晶科技股份有限公司董事

董事：智翔投資股份有限公司代表人-塚本克博，力晶科技股份有限公司董事

董事：智特股份有限公司代表人-邵章榮，力晶科技股份有限公司董事

董事：智成電子股份有限公司代表人-謝再居，力晶科技股份有限公司董事

獨立董事：長澤紘一，力晶科技股份有限公司獨立董事

獨立董事：張昌邦，力晶科技股份有限公司獨立董事

獨立董事：劉炯朗，力晶科技股份有限公司獨立董事

3.新任者姓名及簡歷:

董事：黃崇仁，力晶科技股份有限公司董事

董事：林緯程，世界先進積體電路股份有限公司經理

董事：智仁科技開發股份有限公司代表人-陳瑞隆，力晶科技股份有限公司董事

董事：仁典投資股份有限公司代表人-謝再居，力晶科技股份有限公司董事

董事：智翔投資股份有限公司代表人-童貴聰，力晶科技股份有限公司董事

獨立董事：張昌邦，力晶科技股份有限公司獨立董事

獨立董事：劉炯朗，力晶科技股份有限公司獨立董事

4.異動原因:任期屆滿，全面改選。

5.新任董事選任時持股數:

董事：黃崇仁，（持有股數：104,176,332股）

董事：林緯程，（持有股數：20,696,618股）

董事：智仁科技開發股份有限公司代表人-陳瑞隆，（持有股數：4,501,991股）

董事：仁典投資股份有限公司代表人-謝再居，（持有股數：16,904,361股）

董事：智翔投資股份有限公司代表人-童貴聰，（持有股數：15,962,025股）

獨立董事：張昌邦，（持有股數：0股）

獨立董事：劉炯朗，（持有股數：0股）

6.原任期（例xx/xx/xx至xx/xx/xx）:104/06/18~107/06/17

7.新任生效日期:107/05/24。

8.同任期董事變動比率:變動達三分之一以上。

9.其他應敘明事項:其他應敘明事項：無。

1.股東會決議日:107/05/24

2.許可從事競業行為之董事姓名及職稱:

(1)董事：黃崇仁先生

(2)法人董事：智仁科技開發股份有限公司、仁典投資股份有限公司、智翔投資

股份有限公司

(3)法人董事代表人：陳瑞隆先生、謝再居先生、童貴聰先生

(4)獨立董事：張昌邦先生、劉炯朗先生

3.許可從事競業行為之項目:依公司法第209條第一項相關規定，董事為自己或

他人為屬於公司營業範圍內之行為。

4.許可從事競業行為之期間:107/05/24~110/05/23

5.決議情形（請依公司法第209條說明表決結果）:

本案經主席徵詢全體出席股東無異議照案通過。

6.所許可之競業行為如屬大陸地區事業之營業者，董事姓名及職稱（非屬大陸地區事業

之營業者，以下欄位請輸不適用）:

(1)仁典投資股份有限公司代表人謝再居董事

7.所擔任該大陸地區事業之公司名稱及職務:

(1)合肥晶合集成電路有限公司：董事

8.所擔任該大陸地區事業地址:安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內。

9.所擔任該大陸地區事業營業項目:從事面板驅動晶片等產品之晶圓代工服務。

10.對本公司財務業務之影響程度:無。

11.董事如有對該大陸地區事業從事投資者，其投資金額及持股比例:

無。

12.其他應敘明事項:無。

本公司收到聲請人林緯程及呂叔玲撤回107年度全字第30號 定暫時狀態假處分聲請狀通知

1.法律事件之當事人、法院名稱、處分機關及相關文書案號:

(1)法律事件之當事人

聲請人：林緯程及呂叔玲

相對人：力晶科技股份有限公司

(2)法院名稱或處分機關:臺灣新竹地方法院

(3)法律事件之相關文書案號:107年度全字第30號

2.事實發生日:107/05/17

3.發生原委（含爭訟標的）:

本公司於107年5月17日收到聲請人林緯程及呂叔玲撤回107年度全字第30號定暫時

狀態假處分聲請狀。

4.處理過程:

因聲請人撤回聲請，本公司107年度股東常會董事(含獨立董事)及監察人候選人名

單將不受影響。

5.對公司財務業務影響及預估影響金額:無。

6.因應措施及改善情形:無。

7.其他應敘明事項:無。

本公司收到臺灣新竹地方法院107年度全字第30號定暫時狀態假處分聲請狀通知

1.法律事件之當事人、法院名稱、處分機關及相關文書案號:

(1)法律事件之當事人

聲請人：林緯程及呂叔玲

相對人：力晶科技股份有限公司

(2)法院名稱或處分機關:臺灣新竹地方法院

(3)法律事件之相關文書案號:107年度全字第30號

2.事實發生日:107/05/03

3.發生原委（含爭訟標的）:

本公司於107年5月3日收到臺灣新竹地方法院民事庭通知調查107年度全字第30號

定暫時狀態假處分聲請事件。該聲請狀請求事項：本公司應將聲請人所共同提名

之獨立董事候選人郭建忠列入(1)「力晶科技股份有限公司民國107年股東常會董

事(含獨立董事)及監察人候選人名單」，並於公開資訊觀測站公告；(2)本公司股

東常會召集通知中之「力晶科技股份有限公司民國107年股東常會董事(含獨立董

事)及監察人候選人名單」；及(3)股東常會之「力晶科技股份有限公司民國107年

股東常會董事(含獨立董事)及監察人候選人名單」。

4.處理過程:本公司已委任律師出庭依法答辯。

5.對公司財務業務影響及預估影響金額:無。

6.因應措施及改善情形:

聲請人所提之獨立董事被提名人依法形式審查所應檢附之文件，確有缺漏而於法不

符。另亦違反本公司於107年3月17日「採候選人提名制選任董監事及股東提案權相

關公告」之審查規定。

本公司靜待司法公正審理。

7.其他應敘明事項:無。

1.事實發生日:107/04/19

2.發生緣由:補充本公司107年股東常會各項議案參考資料。

3.因應措施:重新上傳107年股東常會各項議案參考資料至公開資訊觀測站。

4.其他應敘明事項:無。

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

影像感測器及其製作方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/02/20

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 218,372

4.其他應敘明事項:

本發明提供了一種影像感測器及其製作方法，其中影像感測器包括一半導體基底

，且半導體基底表面包含至少一凹槽設於感光區內，影像感測器另包括一第一導

電型摻雜區設於半導體基底中並位於感光區內、一第二導電型摻雜區設於第一導

電型摻雜區之表面以及凹槽表面，其中第一導電型摻雜區與第二導電型摻雜區構

成影像感測器之感光元件，且第一導電型摻雜區與第二導電型摻雜區具有不同之

導電型。

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

自動化晶圓交換系統以及其流程外的晶圓置換方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/02/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 49,800

4.其他應敘明事項:

自動化晶圓交換系統及其流程外的晶圓置換方法。流程外的晶圓置換方法包括：

由遠端伺服器接收多數個晶圓交換需求命令；將晶圓交換需求命令儲存在需求佇

列中；分析生產線上的資源配置狀態來判定需求佇列中的晶圓交換需求命令的優

先度；以及，依據優先度由需求佇列中依序讀取並執行各晶圓交換需求命令。

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

壓力檢測裝置、過濾器監控系統、檢測過濾器之過濾效能

之方法以及檢測是否可拆卸過濾器之方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/02/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 46,380

4.其他應敘明事項:

本發明提供一種壓力檢測裝置，包括基座、第一壓力感測器以及第二壓力感測器

。基座具有第一連通管以及第二連通管，第一壓力感測器設置於第一連通管內，

用以量測第一連通管的壓力以得到第一壓力值，第二壓力感測器設置於第二連通

管內，用以量測第二連通管的壓力以得到第二壓力值，其中第一連通管之兩端係

分別用以連接流體暫存容器與流體輸入管，第二連通管之兩端係分別用以連接流

體暫存容器與流體輸出管。

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體元件

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:107/02/21

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 73,600

4.其他應敘明事項:

本發明提供一種半導體元件，其包括一基底、二摻雜區、一閘極以及一側壁子。

基底包括一主動區，且摻雜區設置於基底之主動區內。閘極設置於基底表面並位

於主動區內，在平行於基底表面之第一方向上，閘極位於兩摻雜區之間，且閘極

內包括複數個開孔。一部分之側壁子覆蓋閘極之側壁，而另一部分之側壁子填入

閘極之開孔中。