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日本東芝以NAND Flash為主體的記憶體事業將在3月31日分拆成新 公司，吸引多方陣營爭搶，繼傳出鴻海、蘋果、微軟等大廠有興趣外 ，日媒昨(22)日報導，台積電亦有意參加競標。台積電對此表示， 公司不對市場謠言做評論。

周三東芝股價受到記憶體事業釋股多方競逐、身價愈喊愈高的利多 激勵，早盤跳空大漲後一路走高，終場以224.70日圓做收，暴漲41日 圓或22.3％。

日刊工業新聞22日報導，全球晶圓代工龍頭台積電有意參與東芝半 導體事業新公司的競標。據報導，台積電目前為東芝代工邏輯晶片， 有意投資東芝半導體新公司，應該是期望藉此擴大和東芝在半導體生 產領域的合作。不過台積電已回應，不評論市場謠言。

日媒報導指出，台積電於1997年設立日本法人，擁有為數眾多的日 企客戶。東芝預估在本年會計年度(2017年3月底止)結束時，陷入 將所有資產賣掉也無法償清債務的局面，為了籌措更多資金，決定切 割NAND Flash事業獨立的半導體事業新公司，釋股比重也將從原訂的 不到2成擴大至過半數，且將重新招標，希望藉此籌得1兆日圓以上資 金。

目前被點名有意參與競標的業者，包括東芝合作夥伴威騰(WD)、 美光、SK海力士、鴻海等，昨日更傳出台積電有意競標。東芝預計在 24日以新條件重新進行招標。

日媒亦報導，東芝已向有意出資的企業或基金提出要求，將參與競 標的條件設定在把半導體新公司的企業價值預估值定在2兆日圓以上 。東芝原訂在3月底出售半導體新公司股權，現已延期至4月以後，目 的是讓參與競標的企業能有更多時間進行資產審查，才能在出售後獲 取最大收益，以彌補母公司的高額財報赤字。

根據集邦科技統計，東芝去年下半年的單季NAND Flash營收超過2 0億美元，市占率約達2成。由於去年下半年NAND Flash供給吃緊，價 格持續調漲，且今年NAND Flash仍將供不應求，法人認為，東芝此時 若出售半導體事業新公司股權，的確有機會籌得高額資金。

智慧型手機引爆大量雲端影像儲存，讓第1季伺服器用DRAM價格飆漲近四成，創下歷年淡季最大漲幅。集邦昨（20）日預估三星等大廠主導下，第2季還會續漲一成，預料將再掀起DRAM族群包括南亞科（2408）、華邦電及威剛等，再啟動另一波漲勢。

集邦旗下的DRAMeXchange昨天發布最新的調查報告，伺服器用DRAM首季因供給吃緊，合約價上揚近四成。

集邦表示，去年第4季起，伺服器DRAM便因標準型DRAM供貨吃緊價格飆升，且去年下半年多起大型標案，帶動整體伺服器用DRAM 備貨力道超出預期。

集邦科技(TrendForce)記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研 究顯示，由於供給吃緊態勢尚未改變，今年伺服器用記憶體第1季合 約價上揚近4成，預估第2季將更進一步上漲約1成水位，其中DDR4 1 6GB伺服器模組將邁向130美元大關。法人表示，當中南亞科、威剛、 創見、宇瞻等概念股都將受惠。

DRAMeXchange表示，自2016年第4季起，伺服器用記憶體便在標準 型記憶體的供貨吃緊下連帶漲價，且受惠於2016下半年大型標案，整 體備貨力道超出預期。展望今年，由於DRAM原廠對記憶體資本支出趨 於保守，產能擴增受限且供給吃緊，預估上半年伺服器用記憶體仍會 漲價。

從記憶體產出製程來分析，三星今年的重點將會是提高18奈米製程 的投片，同時SK海力士與美光陣營也會提高其20／21奈米高容量晶圓 顆粒與良率，進而提升整體高容量伺服器模組的滲透率。

此外，目前如華為、浪潮等中國大陸伺服器廠商皆已通過原廠先進 製程的驗證，預計在今年第2季大量轉進至20奈米以下之製程，並規 畫於今年第4季前達到近6成的20奈米產品規畫，可以預期高容量模組 如16GB與32GB的伺服器應用將更多。

DRAMeXchange指出，2017年20奈米將成為伺服器用記憶體主要供應 製程，8Gb mono die成為市場主流顆粒，使得16GB與32GB容量的伺服 器模組取得更加容易，再加上下半年英特爾與超微新伺服器平台的導 入，將迫使如廣達等一線代工廠提升伺服器用記憶體模組的配置，以 改善整體效能。然而，單機搭載容量的提升依舊是今年伺服器用記憶 體最主要的成長動能。

三大記憶體原廠目前已將產能轉進獲利較高的行動型及伺服器DRA M，但仍不足應付需求，南亞科雖已全面進軍利基型DRAM，但因原廠 產能轉換影響，利基型DRAM也同步價漲，其他如威剛、創見及宇瞻等 模組廠，由於與原廠合作關係密切，因此備貨充足，也可望因此推升 業績。

集邦科技記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新調查顯示，在三星 Note 7爆炸影響下，消費者購機需求紛紛轉向其他手機品牌，蘋果、 華為、樂金等品牌出貨明顯提升，讓早已供不應求的DRAM市場供貨更 為吃緊，帶動價格飆漲，使去年第4季全球Mobile DRAM產值高達55. 05億美元，季成長約20％。

DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，以三大DRAM廠的Mobile DRAM 營收市占來看，三星半導體依然過半、市占來到61.3％，以整體營收 作計算，2016年第4季Mobile DRAM營收就占了DRAM總營收的44.2％。

從三大DRAM廠的競爭能力分析，三星仍是Mobile DRAM的技術領先 者，除了率先推出新規格LPDDR4x外，2017年製程亦從20奈米逐步轉 向18奈米，讓三星半導體的獲利表現有望進一步提升。

SK海力士方面，由於21奈米製程良率在去年第4季已較為穩定，20 17年的目標便是擴大21奈米的產出占比，旗下M14廠也有擴大產能的 規畫。SK海力士期許今年在產出與良率雙雙提升下，能滿足客戶的需 求。此外，SK海力士也規畫於今年下半導入次世代18奈米製程的產品 ，希望盡速實現量產。

美光集團目前Mobile DRAM已逐步轉向20奈米製程為主，如台灣美 光晶圓科技(原華亞科)已全數轉進20奈米製程。台灣美光記憶體( 原瑞晶)也正式於1月將18奈米製程導入量產，目前良率穩定提升中 ，希望今年年底該廠能有90％皆為18奈米製程的產品。

台廠部分，南亞科由於Mobile DRAM的產出比重提升，在漲價的助 益下，營收市占從1.3％提升至1.5％，營收成長來到41.3％，為各廠 最高。目前南亞科廠內正進行20奈米製程的產線轉換工程，未來將能 夠對營收有進一步的貢獻。

華邦電去年第4季營收市占0.7％，營收小幅成長6％，其中46奈米 製程的Mobile DRAM占比已經來到72％，華邦新製程38奈米有機會於 今年第3季導入生產，優先利用在利基型DRAM與Mobile DRAM上。

從市場面分析，由於DRAM原廠產能的擴張效應須待2017下半年陸續 浮現，整體上半年的供需依然維持吃緊。吳雅婷指出，2017年搭載6 GB DRAM的高階智慧型手機已是各廠既定的方針，中階手機也會來到 3∼4GB的搭載量，預估2017年智慧型手機DRAM的需求位元成長仍有3 0％以上，DRAM產業持續獲利的狀況將維持一整年。

外資預期下半年DRAM漲勢止歇，下修對記憶體族群展望，但集邦昨（16）日打臉外資，強調今年整體DRAM位元需求增幅可觀，光是智慧手機用行動記憶體位元需求成長達30%以上，整體DRAM產業獲利，將維持一整年。

集邦昨天也公布去年第4季全球行動式記憶體產值及各家占市變化。集邦表示，去年第4季三星Note 7爆炸，消費者購機需求紛紛轉向其他手機品牌，蘋果、華為與樂金等品牌出貨明顯提升，讓早已供不應求的DRAM市場供貨更為吃緊，價格飆漲，去年第4季全球行動式記憶體產值高達55.05億美元，季增20%。

至於市占率變化，三星半導體依然囊括過半的市占率，達61.3%；SK海力士居次，為24.2%；而美光半導體為12.3%，三大DRAM廠的占比高達97.8%。

集邦表示，三星持續維持領先優勢，製程技術已逐步推向18奈米；SK海力士下半年也打算導入次世代18奈米製程 。

根據集邦科技記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究顯示，在 旺季需求帶動，以及DRAM價格全面飆漲的態勢下，2016年第四季全球 DRAM市場總體營收衝上124.54億美元規模，季成長率高達18.2％。

2016年第四季適逢電子產業的傳統銷售旺季，如蘋果iPhone 7上市 、中國品牌手機銷售熱度不減，都讓智慧型手機出貨攀升至高峰。D RAMeXchange研究協理吳雅婷指出，由於整體行動式DRAM需求強勁， 使得標準型DRAM在產能的排擠效應下，持續面臨嚴重的供不應求，因 此去年第四季合約價上漲逾30％。伺服器DRAM部分，去年第四季漲價 幅度雖低於其他產品別，但在今年第一季價格呈現明顯補漲。

從市場面觀察，由於DRAM搭載量不斷提升，且原廠擴張產能最快要 在2017下半年才浮現，都延續DRAM供不應求的態勢。DRAMeXchange統 計，第一季標準型DRAM合約價漲幅更逼近40％，預估第二季價格仍將 持續上漲。

從營收角度來觀察，去年第四季三星依然穩坐DRAM產業龍頭。雖然 三星前一季營收基期已高，但在第四季度仍有12.0％的季成長，市占 率達47.5％。而SK海力士表現亦不俗，第四季營收季成長率衝上27. 3％，市占率亦達26.7％。總計兩大韓廠已囊括74.2％的DRAM市占率 。美光集團則位居第三，營收季成長率為24.4％，市占率達19.4％已 逼近2成。

由技術面觀察，三星今年的目標在於18奈米製程的轉進，一方面滿 足客戶需求，另一面也保持產業領先地位。除Line 17廠外，三星目 前也考慮將其他工廠轉進18奈米，目標今年底18奈米製程的產出達4 0％以上。SK海力士今年的目標將著重21奈米良率提升並擴大該製程 占比，也規劃下半開始18奈米的轉進，期能儘速導入量產階段。

美光方面，台灣美光記憶體在1月將18奈米製程導入量產階段，計 畫年底產能大多轉進至新製程，若進行順利，亦不排除下半年在台灣 美光晶圓科技(原華亞科)導入18奈米製程。

台廠部分，南亞科因客戶需求殷切，且受惠於利基型DRAM持續漲價 ，去年第四季營收成長18.2％，目前正積極轉進20奈米製程中，年底 目標每月投片達3萬片，屆時成本有望進一步降低。

華邦電去年第四季營收則是小幅衰退4.6％，原因在於產品類別的 調整，如第四季NOR Flash需求大增下，排擠部分DRAM的投片。華邦 電除46奈米比重持續提升外，38奈米製程目前正小幅擴產中，預估於 下半年可正式量產，屆時將反映在營收表現上。

力晶科技去年第四季DRAM營收大幅成長59.2％，主因DRAM價格大好 、客戶投片回籠加上代工價格隨DRAM價格上漲而水漲船高，都使力晶 營收表現十分亮眼。

集邦科技(TrendForce)生物科技分析師溫靖文指出，人口老化、 慢性病患者數逐年攀升，加速全球重點照護(POCT)醫材市場成長快 速，預估2016年全球POCT市場規模為178億美元，2020年可成長到25 6億美元，2015∼2020年複合成長率高達9.7％。

其中，更以糖尿病、心血管疾病的檢測市場的成長動能最聚焦，不 過，由於血糖以外的POCT檢測項目大多尚未成熟，台廠若能開發此領 域的檢測儀器，將可在POCT市場占有一席之地。

溫靖文表示，POCT屬於體外醫療診斷醫材的一種，其儀器特性為體 積小、操作簡易且花費時間短，可在病患身邊現場採檢、立即檢測， 並快速獲得檢測結果；最為人熟知的相關產品為血糖儀、驗孕棒等， 屬居家常見的檢測儀器。依使用情境來看，POCT儀器較不受限於醫療 院所，操作人員也不限定醫療專業人員，因此廣為市場接受。

由於許多慢性病都有長期監控的需求，讓POCT市場備受矚目，尤其 在糖尿病及心血管疾病的檢測項目上，更是POCT市場成長的主要動能 。

溫靖文表示，現階段POCT市場仍以血糖機為主，占有近半市場規模 ，雖然目前市場有飽合、成長趨緩現象，但新興市場興起和對健康議 題關注度提升，預期將帶動血糖機市場另一波成長。

此外，相較因價格競爭幾乎成為紅海的血糖機市場，其他種類的P OCT產品如分子檢測、電解質分析儀等，雖然在整體POCT市場占比不 高，但成長快速，因此吸引不少醫材大廠如亞培(Abbott)、羅氏( Roche)、西門子(Siemens)、嬌生(Johnson ＆ Johnson)等廠商 爭相投入。

台廠方面，目前全球半數以上的血糖機皆由台廠代工，而台灣多家 血糖機廠商如華廣、泰博、暐世、訊映等也都積極研發生產自家品牌 的血糖機搶市。

DRAM記憶體首季在淡季飆出歷年最大漲幅，漲幅在二到三成不等，讓完成合併華亞科的美光股價站上近二年半新高，有利南亞科（2408）、華邦等記憶體族群在今日新春開紅盤啟動新一波漲勢。

在DRAM龍頭三星主導漲價下，今年首季DRAM漲勢凌厲，儘管首季是傳統電子業淡季，DRAM價格卻飆出歷年淡季最大漲幅。

根據集邦科技旗下DRAMeXchange調查，首季標準型DRAM和伺服器用DRAM漲幅接近三成；行動式DRAM因中國大陸智慧型手機因應春節前鋪貨，需求強勁，不論是單顆顆粒或多晶片封裝（eMCP），單季漲幅也超過一成、約達15%；繪圖用記憶體與利基型記憶體雨露均霑，單季漲幅將超過一成。

此外，儲存型快閃記憶體（NAND Flash）和編碼型快閃記憶體（Nor Flash）也都因供不應求，價格同步上揚，讓今年各類記憶體罕見同步呈現搶購潮。

去年底完成合併華亞科的美光，是這波記憶體族群股中漲勢凌厲的個股之一，主要因DRAM和NAND Flash價格雙漲，讓美光首季財報優於預期，且本季展望仍佳。

美光第1季財報（至12月1日止），當季營收39.7億美元，年增18.5%，其中，DRAM營收年增18%，NAND年增26%，DRAM當季平均售價增加5%，每股純益0.32美元，優於分析師預估的0.28美元。

由於美光合併華亞科在20奈米製程良率大幅提升，加上DRAM價格漲幅不小，讓美光獲利持續看俏，推升美光股價在美國時間30日一度攻高到24.35元，創2015年7月以來波新高，氣勢如虹，相較去年低點以來，股價漲幅高達160%。

集邦科技光電研究（WitsView）昨（24）日公布最新電視面板出貨調查報告，2016年全球電視面板出貨總量達2億6,041萬片，年減3.5%，出貨面積年增6.5%。南韓樂金顯示蟬聯冠軍；京東方擠下群創、奪第三；友達年增0.2%，居第六名。

群創曾去年23.6吋已無標案訂單的挹注，又受到南台地震擾亂生產和出貨計畫，去年全年總出貨量僅4,173萬片，年減19.3%，出貨排名退居第四。友達達2,722萬片，年增0.2%。

WitsView研究經理胡家榕表示，去年面板廠普遍擴產8.5代線，在面板需求尺寸持續放大下，有助產能消耗，平均尺寸推升2.2吋、達43.6吋。

集邦科技昨（10）日發布最新調查，受到DRAM供應吃緊，第1季伺服器DRAM模組價格漲幅逾25%，高容量漲幅甚至直逼30%，創下歷年淡季最大漲勢；標準型DRAM漲幅也相近，讓南亞科、華邦及威剛等今年首季營運看俏。

集邦旗下的DRAMeXchange表示，標準型記憶體價格一路看漲，使伺服器用記憶體模組價格也跟著發燙，更帶動伺服器廠商備貨的動能與需求。

DRAMeXchange強調，今年整體DRAM產能擴增有限，全年度供需狀況仍吃緊，伺服器用記憶體模組價格將隨著原廠調配產出比重而維持穩定獲利水位。

據調查，伺服器用DDR4 32GB模組，每條已突破200美元大關，首季合約價平均漲幅逾25%，高容量模組漲幅更直逼30%以上。

DRAMeXchange表示，下一代的伺服器處理晶片，英特爾14奈米新平台Purley已於2016年第4季初陸續送至各大ODM廠測試，Purley平台將支援至六通道記憶體，並支援單處理器最多12條DDR4 RDIMM、NVM DIMM與NVDIMM 等不同種類記憶體，能顯著改善高階運算伺服器群的效能。

集邦稍早也預估首季標準型DRAM和伺服器用DRAM漲幅都會接近三成；行動式DRAM因中國大陸智慧型手機因應春節前鋪貨，需求強勁，不論是單顆顆粒或多晶片封裝（eMCP），單季漲幅也超過一成、約達15%；繪圖用記憶體與利基型記憶體也雨露均霑，單季漲幅將超過一成。

國內DRAM廠雖然都已退出標準型DRAM市場，轉攻利基型市場，但隨著漲勢愈猛，可望雨露均霑。

近期DRAM漲勢主要由三星主導，且漲勢仍未停歇，首季標準型DRAM漲幅逾三成，行動式DRAM約15~20%，伺服器用DRAM漲幅在25~30%。法人看好，南亞科、華邦電、旺宏、力晶等擁有記憶體製造產能的公司，本季起業績將明顯提升，今年營運表現值得期待。

集邦科技記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究顯示，由於D RAM供貨吃緊至今未有改善的跡象，因此延續2016下半年的價格漲勢 ，2017年第一季DRAM平均銷售單價呈大幅上漲格局，4GB DDR3模組的 合約價最高已超過25美元，季漲幅超過3成，為DRAM史上首個在傳統 淡季下仍維持強勢漲價的季度。

DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，根據現已成交的合約價格看來 ，2017年第一季標準型DRAM價格持續攀高，平均漲幅接近3成，伺服 器DRAM的漲幅略同，R-DIMM規格32GB模組合約價已超過200美元大關 ，漲幅同樣超過2成。行動式DRAM也因智慧型手機在中國新年鋪貨的 需求帶動下，不論是單顆晶片顆粒或eMCP解決方案，價格都同樣攀高 ，季漲幅估將超過1成。

2016年起，由於中國品牌崛起帶動智慧型手機需求旺盛，DRAM原廠 陸續調降標準型DRAM產出，轉作行動式DRAM。在供貨減少下，4GB D DR3合約均價一路攀升至今，連帶讓伺服器DRAM價格也呈現大漲，甚 至行動式DRAM在2017年第一季也有近15％的季漲幅，此外，繪圖用G DDR與利基型DRAM也都雨露均霑，季漲幅至少超過1成。

展望2017年，各DRAM原廠資本支出較為保守，皆不傾向過分擴張產 能，並以獲利導向為主要經營策略。DRAMeXchange預估，2017年DRA M產業的供給端位元年成長率僅19％，遠低於往年至少2成甚至超過3 成的年成長率，在2017年DRAM需求端年成長超過22％情況下，供不應 求的嚴峻程度較市場預期還嚴重。

從市場面觀察，由於2017年旗艦手機行動式DRAM搭載量將上看8GB ，加上中階手機多邁向搭載4GB規格，因此行動式DRAM依然是產業需 求成長最為強勁的類別。整體而言，2017年智慧型手機DRAM容量年成 長將超過30％，超越一般筆電使用的標準型DRAM規格。

此外，因各式雲端服務興起，伺服器DRAM需求也顯著成長。DRAMe Xchange預估，2017年伺服器的平均DRAM容量將達130GB以上。

DRAM在淡季飆出單季最大漲幅。集邦調查，今年首季DRAM合約價漲幅逾三成，為歷年來淡季最高漲幅，顯示出DRAM供貨短缺嚴重，擁有產能的南亞科（2408）、華邦電等受惠。

集邦預估，DRAM缺貨情形將持續一整年，預料相關族群營運都會同步升溫，但是否會牽連相關產品無法順利出貨，值得密切注意。集邦旗下DRAMeXchange昨（4）日公布最新調查強調，DRAM供貨吃緊情形一直未獲改善，今年首季仍延續去年下半年漲勢，平均銷售單價持續大漲，DDR3 4GB模組合約價最高已超過25美元，單季漲幅三成，創史上在傳統淡季最大漲幅。

DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，首季標準型DRAM和伺服器用DRAM漲幅都接近三成；行動式DRAM因中國大陸智慧型手機因應春節前鋪貨，需求強勁，不論是單顆顆粒或多晶片封裝（eMCP），單季漲幅也超過一成、約達15%；繪圖用記憶體與利基型記憶體也雨露均霑，單季漲幅將超過一成。

集邦強調，今年各DRAM廠資本支出仍然保守，都不傾向過分擴張產能，採取獲利導向為主要策略，預估今年DRAM產業的供給端位元年成長率僅19%，遠低於往年至少年增二成、甚至逾三成的年增率，但DRAM需求端年增率預估超過22%，因此供給缺口浮現問題會愈來愈明。集邦預估，主要DRAM廠未來會將產能挪移需求量較強，且單價較高的行動式和伺服器用DRAM，加深標準型DRAM供給吃緊。

近期已有不少個人電腦品牌廠感受到缺貨壓力，擔心會影響新個人電腦出貨，都積極展開搶貨，預料缺貨問題還會延續，有助DARM廠維持獲利。法人看好在DRAM持續缺貨下，擁有產能的南亞科和華邦電將是直接受惠廠商。

市調機構集邦科技旗下記憶體儲存研究事業部（DRAMeXchange）最新研究報告顯示，2017年NAND Flash整體投片產能僅年增6％，隨著業者加速轉進3D NAND，2017年2D NAND缺貨情況將持續一整年，而3D NAND在64層堆疊順利導入OEM系統產品前，也將持續缺貨，價格有望穩健走揚，使NAND Flash原廠營運表現持續往上。

第4季各項終端設備出貨進入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著，各項NAND Flash產品的合約價漲幅將更高，廠商的營收與營業利益率也可望再創今年新高。集邦已公告11月NAND Flash合約價亦呈現漲勢，其中64Gb MLC NAND合約均價較10月上漲1.5％達2.63美元，128Gb MLC NAND合約均價上漲3.3％達4.11美元，均創下一年來新高價。

DRAMeXchange研究協理楊文得表示，在今年新增產能及製程轉換同時進行的情況下，業者自第2季起加速3D NAND的製程轉進，整體3D NAND產出比重在年底前達到30％，而自明年起在整體投片產能僅年增6％的成長幅度下，多數業者將開始降低2D NAND的供貨來達到提升3D NAND產能的目標。

因此，DRAMeXchange預估，自2017年第1季起2D NAND的供給量滑落的速度將加快，至第3季占整體NAND Flash出貨比重將滑落至50％以下。

然而，在3D NAND的進展上，64層堆疊的3D NAND在良率與eMMC/UFS、用戶級固態硬碟（SSD）、企業級SSD等OEM產品的導入上，挑戰性皆增加，因此明年3D NAND在64層堆疊的產品成熟前也將維持供應吃緊的狀況，最快要到2017年第3季起才有機會成熟量產出貨。

從需求端來看，由於智慧型手機成長放緩、平板電腦出貨持續衰退，相關行動式NAND Flash的需求成長動能將改由平均搭載量（Content per box）來驅動，而在新款iPhone出貨主流為128GB下，其他智慧型手機品牌也加速提升eMMC/UFS的容量來提高產品競爭力。

DRAMeXchange預估，2017年第4季全球筆電出貨的SSD滲透率將超越50％，且企業級SSD的需求也隨著伺服器及資料中心的需求強勁成長而快速上揚，再加上SSD的平均搭載量也持續增加，使得2017年整體SSD需求成長率將高達60％，所消耗的NAND Flash比重也將正式站上40％大關，為各項NAND Flash終端需求中表現最強勁的應用。

集邦科技旗下拓墣產業研究院最新研究，中國大陸積體電路產業投資基金（大基金）近二年投入半導體晶圓製程投資金額已高達人民幣700億元（約新台幣3,220億元），占投資比重約六成，預估中國大陸下階段的投資重心將轉向IC設計業。

拓墣產業研究院統計，中國大陸IC設計公司數量由2015年的736家增至目前的1,362家，一年內幾乎翻倍成長。

拓墣產業研究院指出，從2015年至今，中國大陸在晶圓廠投資計畫約人民幣4,800億元，其中大陸出資部分約為人民幣4,350億，占整體中國大陸IC基金（包括大基金和地方基金）總額的86.5%。

拓墣分析，中國大陸IC基金在下階段將篩選出合適標的IC設計產業的投資上，未來需結合產業，並給予資本支持，提升海外併購腳步。尤其像是如編碼型快閃記憶體（NOR Flash）等市場，雖較不被大廠商重視，但只要與中國大陸半導體資源形成互補或加強，仍值得耕耘。

拓墣進一步表示，中國大陸半導體基金下一階段除加強對IC設計業投資外，也將增加對封測與設備業的投資。

中國大陸智慧型手機出貨暢旺、筆電出貨回溫，第3季起DRAM的平均銷售單價開始大幅上揚。集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange預估，明年整體DRAM供給位元成長將小於20％，創歷年最低，在需求面持續強下，預估明年全年供給成長將小於需求成長，帶動DRAM價格持續攀高，維持供應商全面獲利狀態。

DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，DRAM產業屬寡占市場型態，各供應商在產能的擴張上皆有所節制，2017年整體晶圓的投片量與今年相較沒有明顯成長。以供給位元成長來看，主要會來自於20奈米轉向1Y奈米的顆粒增加，不過，由於die shrink（顆粒微縮）的難度提高，2017年DRAM產業整體的供給位元成長將小於20％。

2016下半年20奈米已陸續成為生產主流，在新製程的推動下，最新一代產品DDR4及LPDDR4也將正式成為市場的供貨主流。目前DDR4在伺服器端早已成為主要解決方案，但在PC部份，則由於英特爾平台的支援時間遞延，至今年底才將成為主流解決方案。

LPDDR4部份，隨著智慧型手機主要晶片組（application processor）支援性提高，將在2017年正式取代LPDDR3成為主流，且在成本結構合理化的考量下，LPDDR4的容量都會在4GB或以上，持續推升智慧型手機單機搭載容量成長。

智慧型手機在近兩年面臨成長高原化的挑戰，使相關廠商都積極尋找下一個「主流產品」以求進一步市場成長。儘管無人機、機器人、物聯網等產品，或AR／VR等其他遊戲繪圖的應用，仍處於發展初期，無法確定後續市場潛力，DRAM供應商仍積極開發客製化產品，來因應前述多元市場與應用需求。

以繪圖用記憶體（Graphic DRAM）為例，供應商與NVIDIA協同開發的特殊規格GDDR5X就以超頻、速度更高為目的，且以高階繪圖卡為主要市場，期望達到產品差異化。吳雅婷指出，相關的特殊規格產品在2017年起比例會持續增加，為現在製程技術上處於20奈米「齊頭式平等」的供應商帶來更高的獲利空間。

太陽能產業烏雲再起，集邦預估，明年中國大陸、美國及日本等三大市場需求將同步衰退，供過於求嚴重；明年下半年時，上中下游價格將再失序，包括多晶矽、矽晶圓、電池片價格都可能再創新低，兩岸太陽能廠都將降成本列為首要目標，以度過景氣寒冬。

集邦預估，明年太陽能廠獲利也將低於今年，固守財務體質已成為台廠首要課題。法人分析，包括中美晶（5483）、綠能、茂迪、新日光等太陽能廠都將面臨營運及獲利下滑的挑戰。

集邦昨（14）日出具明年太陽能產業展望報告，大陸、美國和日本太陽能裝置需求都將同步衰退；印度市場雖然崛起、維持成長趨勢，並取代日本成為全球第三大太陽能裝置需求國，但仍無法彌補中、美、日的需求衰退幅度。

集邦預估，受到三大消費市場同步下滑影響，明年太陽能模組價格將由明年初的每瓦0.38美元，至明年底降到每瓦0.33美元，價格可能會再創新低，跌幅逾一成，屆時包括太陽能矽晶圓廠和電池廠都將面臨嚴重虧損壓力。

集邦指出，明年整體太陽能總需求將會與今年的69.5GW（10億瓦）相近，整體太陽能供應鏈，由上至下的獲利表現都遠低於今年。

至於過去藉由轉進第三地規避高額反傾銷稅的廠商，因大陸一線大廠已相繼到海外大舉擴產，使美、歐現貨價格近期快速下殺，目前價格扣除運費已與大陸市場同價，因此預估明年此優勢不在，未來決勝並非取決於產能多寡，而是能否產出單晶或單晶PERC等享有較高價格優勢的差異化產品。

集邦看好明年單晶太陽能市占將由今年的23.5%，提升到32%；多晶面臨壓力下，端看導入鑽石線切割的進展及良率，必須加速降成本，才能度過下波產業景氣寒冬。

韓媒報導， 夏普明年將停止供應電視面板。三星在面板供貨來源減少後，傳出轉向LGD等業者求援，對於明年產業競合增添新變數。不過大陸新世代面板廠明年尚未投入量產，面板短期供給仍吃緊。

IHS顯示器研究總經理謝勤益表示，南韓政治風暴對面板產業的影響有待觀察。現階段三星因應關閉TFT面板廠，持續加碼向雙虎採購電視面板的策略不變。

他說，三星向群創採購的電視面板數量，從去年的920萬片、今年的1,220萬片，到明年預估1,300萬片，採購數量較友達多73%。而三星向友達採購的量為2015年450萬片、2016年530萬片，2017年為750萬片，年增幅達41.5%。

集邦科技旗下光電事業處WitsView報告指出，韓系面板廠持續縮減LCD產線，僅著重於高階產品，預估2017年全球7吋（含）以上大尺寸面板出貨總量將持續滑落，至約7.25億片，年衰退2.4%；但在電視及監視器的大螢幕視覺享受需求持續帶動下，2017年整體大尺寸面板出貨面積年成長約3.8%。

至於大陸面板廠部分，京東方10.5代線預定在2018年下半年投產，華星光電11代廠則在2019年下半年投產，2020年這兩座廠才會完全量產，對2017年面板供需沒有影響。明年上半年只有群創8.6代廠新產能開出，2017年上半年面板供應吃緊。

IHS指出，京東方與華星光電的10.5代及11代廠，雖是夏普十代廠產能的2.7倍，主要鎖定43、65及75吋的電視面板市場，但預估2019年時，10.5代及11代廠將僅占全球面板總產能的5%。

由於DRAM市場在明年上半年並無新增產能開出，DRAM供應商與ODM/OEM廠及系統廠議定明年第一季合約價已陸續傳出好消息，屆時標準型DRAM合約價可望再度調漲3成，4GB DDR3/DDR4模組合約價將上看20∼22美元。

法人看好南亞科（2408）營收及獲利將大躍進，美系外資調升目標價至52元。

每年11月之後是DRAM市場傳統淡季，但今年第四季缺貨問題未獲紓解，且ODM/OEM廠及系統廠手中的庫存水位低於3周。因此，不僅11月合約價再度調漲約3％，4GB DDR3/DDR4模組合約均價來到18美元，4Gb DDR3/DDR4原廠顆粒現貨價亦再見漲勢，均價來到2.7∼2.9美元區間，創下一年半來新高紀錄。

受惠於DRAM漲價效益發酵，南亞科11月合併營收月增5.0％達40.12億元，為20個月來新高，法人預估第四季營收將較上季成長15％以上，優於市場預期。

美系外資最新研究報告將南亞科目標價從40元上修到52元，評等從中立調高到優於大盤，並強調DRAM上升周期仍持續，現在買南亞科還不晚。

集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，第四季各產品別需求仍然強勁，再加上針對明年初農曆新年的補貨需求，使得DRAM價格維持上漲。目前各DRAM供應商正積極與客戶議定明年第一季度的合約價格，可確定均價持續上揚的態勢不變，預期2017年第一季整體DRAM平均售價漲幅與第四季略同甚至更高，4GB模組價格也將正式站上20美元大關。

展望2017年第一季，雖然需求面理應受到淡季影響而下滑，但由於DRAM產業中，三星、SK海力士、美光形成的寡占市場態勢確立，價格主要掌握在賣方手中，同時由於DRAM製程轉進面臨瓶頸，在未來供給位元成長有限的前提之下，DRAM價格將不易下跌。

市場原本預估第一季標準型DRAM合約價將調漲15％左右，但根據目前三大廠與ODM/OEM廠及系統廠的議價情況來看，季度漲幅將優於原先預估。

據了解，由於大陸部份系統大廠為了避免明年農曆春節旺季可能因DRAM缺貨影響出貨，願意以20美元以上價格追價回補庫存水位，第一季合約價看來將較第四季大漲25∼30％幅度。

集邦（TrendForce）旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新研究顯示，由於市場供不應求，11月DRAM合約價和現貨價上揚，漲勢可望持續到明年第1季。以今年全年來看，漲幅達到四成。

集邦科技旗下拓墣產業研究所最新研究統計，預估今年全球前十大IC設計公司當中，聯發科穩坐第三名位置，且仍居台灣IC設計龍頭寶座，全年營收可望達到89.22億美元，年成長17.6％。瑞昱則是今年前十大公司當中，業績成長力道最強的公司。

拓墣指出，2016年全球前十大無晶圓IC設計業者營收中，高通（QCT）仍然穩居全年龍頭寶座。而前三大業者高通、博通（Broadcom）與聯發科合計營收佔前十名營收總和的65％，短期內領先地位不易受到撼動。

全球前十大IC設計業者的排名變化，拓墣認為，主要受到併購影響。安華高（Avago）在併購博通，成為新博通後，排名躍升至第二，讓後續排名遞補。聯發科收購台灣四家IC設計公司後營收亦有提升，明顯拉開與後七名廠商的距離。

至於成長力道最強的公司則為瑞昱，年成長幅度上看22.5％，去年原先在前十大排名之外，今年成功擠下戴樂格半導體（Dialog）站上第九名位置。

今年營收正成長的公司有聯發科、輝達（NVIDIA）、超微（AMD）、賽靈思（Xilinx）和瑞昱。拓墣指出，聯發科營收年成長率高達17.6％，主要受惠於併購效益與中國智慧型手機的強勁成長動能；輝達近年來除在遊戲領域多有著墨外，在資料中心與車用電子應用的成長幅度相當亮眼。

超微則是在半客製化、嵌入式與企業端領域逐漸展現成效，其營收在今年第3季大幅成長，成為超微最重要的營收成長動能之一。

另一方面，營收衰退者為高通、新博通、邁威爾科技（Marvell）、聯詠及戴樂格半導體（Dialog）。高通今年在中國智慧型手機市場面臨激烈競爭，除聯發科外亦有海思、展訊等中國IC設計大廠技術提升所帶來的競爭壓力，華為手機更大量採用旗下海思半導體處理器。

同時，高通也面臨三星Note 7事件帶來的負面影響。而新博通營收衰退主因，來自於出售物聯網產品線給賽普拉斯半導體（Cypress）。聯詠礙於全球消費性電子產業進入高原期，成長動能有限，使得今年營收衰退。