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英特爾上周末宣布調升第3季財測預估，大喊已經見到PC市場需求好轉，讓DRAM市場需求同步轉旺。事實上，標準型DRAM現貨價近半個月來呈現緩漲走勢，4Gb DDR3原廠顆粒現貨價來到1.79美元，飆上逾半年來新高。

由於DRAM現貨價及合約價持續看漲，法人看好南亞科（2408）、華邦電（2344）、威剛（3260）第3季營運轉旺，第4季營收及獲利可望來到今年高點。

南亞科8月合併營收達34.56億元，華邦電8月合併營收達35.74億元，均呈現連續3個月穩定成長趨勢。在DRAM價格持續走高下，法人看好南亞科第3季營收將重回百億元以上，單季獲利將較第2季跳增數倍；華邦電第3季營收則有機會改寫近10年來新高，繼續穩居台灣最賺錢DRAM廠寶座；模組廠威剛則因擁有低價庫存，第3、4季獲利可望衝高。

下半年是智慧型手機零組件備貨旺季，由於蘋果iPhone 7 Plus搭載LPDDR4容量提升5成達3GB，Android陣營高階手機搭載LPDDR4容量也提升至3∼4GB以上，因此，包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠，第2季開始大幅調升行動式Mobile DRAM與伺服器DRAM的產出，並調降標準型DRAM出貨。

隨著DRAM市場產品組合改變，第3季以來標準型DRAM市場供貨吃緊，原本市場對下半年PC市場看法保守，認為這波DRAM價格上漲走勢頂多到9月就會結束，但沒想到PC生產鏈庫存去化情況優於預期，英特爾新一代Kaby Lake平台出貨轉強，加上高階及電競PC銷售動能強勁，推升標準型DRAM價格一路走高。

根據集邦科技及模組廠報價，4Gb DDR3原廠顆粒現貨價在中秋長假前已上漲至1.79美元，創下3月初以來新高，等於飆上了逾半年高點。由於標準型DRAM現貨價漲不停，8月底合約價已漲到1.38美元，9月及第4季仍然持續看漲，連伺服器DRAM及利基型DRAM價格也同步被帶動出現明顯漲幅。

受到第三季進入旺季需求帶動，記憶體、面板等關鍵零組件皆終止長期價格頹勢，集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，記憶體在筆電需求回溫、智慧型手機延續強勁成長態勢、與伺服器需求增溫帶動下，DRAM與NAND Flash第四季價格預計將同步上揚，特別是DRAM合約價第四季估將再漲逾一成。

由於今年中國品牌智慧型手機表現超乎預期，伺服器出貨也受惠於中國數據中心需求增溫，下半年台系伺服器代工廠訂單與較上半年平均成長近兩成，促使DRAM原廠自第二季開始大幅調升行動式Mobile DRAM與伺服器DRAM的產出，並調降標準型DRAM出貨。

DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，今年第四季Mobile DRAM出貨比重將逼近45％，伺服器DRAM出貨比重突破25％，標準型DRAM則僅剩不到20％。

然而，從筆電的市況來看，第三季北美地區筆電需求增溫，如惠普與戴爾出貨季成長皆超過8％，造成標準型DRAM供不應求，4GB DDR3/DDR4模組合約均價終於止跌回穩並站上13.5美元。在原廠仍維持轉進毛利高的Mobile DRAM的策略下，DRAMeXchange預估，第四季標準型DRAM價格將持續上漲，4GB DDR3/DDR4模組合約價將上看15美元，季漲幅（季均價對季均價）將達15％，整體獲利結構逐步攀升，DRAM市場未來一年都將維持健康供需狀態。

Mobile DRAM則持續受惠中國智慧型手機拉貨需求，及新一代iPhone備貨將在第四季達高峰，目前已有部分中國大廠與主要DRAM供應商訂定的第四季合約漲價超過一成，預期第四季Mobile DRAM漲幅也將相當可觀。

在NAND Flash部分，第三季蘋果與中國系統大廠華為、Vivo、OPPO等拉貨動能優於預期，對整體2D NAND Flash產能消耗十分龐大，尤在NAND Flash原廠轉進3D NAND速度不如預期情況下，市場供不應求。此外，企業級固態硬碟（SSD）需求、筆電SSD搭載率快速提升，同步造成第三季NAND Flash出現產能缺口。

受到上述系統端強大需求，及製程轉進不順的影響，讓三星、東芝、SanDisk、美光等供應商，對模組商的供貨水位驟降，模組廠在原廠供貨短缺下只能被迫接受漲價。DRAMeXchange調查顯示，截至8月下旬，主流TCL規格128Gb NAND晶圓合約均價已較6月底漲10％以上。

集邦科技最新太陽能報價出爐！儘管下跌已是共識，但特高效的矽晶圓單周崩跌7.5∼8％，高效多晶電池片單周重挫4.5％，都是持續改寫歷史新低。

不過，台系太陽能族群近期股價似乎已經不再反映報價利空，昨（31）日盤中更在市場喊出「半導體矽晶圓吃緊、太陽能矽晶圓跟進」的說法刺激下，綠能（3519）和國碩（2406）都拉漲2.5％以上，帶動電池片廠昱晶（3514）、新日光（3576）也有1％的漲幅。

只是，同樣是矽晶圓，規格較高、適用於半導體領域的產品近期市況確實有轉趨熱絡，但規格較低、適用於太陽能領域的矽晶圓，則是苦嘗報價持續破底之苦，換言之，半導體矽晶圓近況有如上天堂，太陽能矽晶圓則有如農曆7月鬼壓床，實在不能混為一談。

研調機構集邦（TrendForce）旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange昨（29）日公布第3季主流容量PC-Client OEM SSD（固態硬碟）合約均價行情，其中MLC-SSD季漲幅約0∼0.5％，TLC-SSD則小跌0∼1％，這是近一年以來首次出現價格持平。DRAMeXchange預估，今年筆記型電腦SSD搭載率將一舉突破30％的水準，2017年至2018年則有望挑戰50％大關。

DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋表示，今年第2季工作天數增加、多家筆記型電腦品牌通路庫存順利去化，加上新機上市需求帶動全球筆電在第2季單季出貨成長約8.2％，筆電的固態硬碟出貨量則季成長約24％。此外，TLC Flash價格雖然在5、6月大漲並出現供貨吃緊的現象，但通路市場的固態硬碟出貨季成長達12％，工作天數回升與庫存充足，讓整體表現優於預期。

市調單位統計，第2季筆記型電腦固態硬碟搭載率約32∼33％，整體用戶級固態硬碟總出貨量約2,830萬顆，季成長率約15％∼20％。展望第3季，由於NAND Flash供給吃緊，且TLC Flash價格處高檔，恐造成PC-OEM市場與通路市場固態硬碟出貨量出現此消彼長的現象，預估第3季整體用戶級固態硬碟出貨量的季成長率約2∼3％。

陳玠瑋進一步指出，用戶級的固態硬碟市場中，3D-SSD未來架構會以3D-TLC為主，3D-MLC生產成本較不具競爭力，因而比重偏低，只能用於高階產品。由於其他PC-OEM大廠今年下半年起才積極轉進PCIe介面、通路市場需求仍以SATA III為主，DRAMeXchange預估SATA III仍是2016年用戶級固態硬碟市場的主流規格，而PCIe的SSD市占率約兩成，較去年小幅成長。

受惠iPhone7開始積極進行記憶體備貨，三星、SK 海力士、美光等三大DRAM廠持續進行產品組合調整，包括提高智慧型手機Mobile DRAM投片量，並降低標準型、利基型DRAM產能。但因ODM/OEM廠下半年開始回補DRAM庫存，7月以來DRAM市場供不應求，DDR3/DDR4現貨價至上周已漲近3成幅度，合約價也順利調漲3∼5％。

在第三季DRAM供不應求的預期下，業界預估DRAM價格可望維持緩漲格局到9月，不僅國內DRAM廠南亞科、華邦電直接受惠，包括晶豪科、愛普、鈺創等DRAM設計業者可望雨露均霑。

由於蘋果iPhone7的Mobile DRAM搭載容量傳出將拉高至3GB，Android陣營高階智慧型手機搭載量也上看4∼6GB，由於7月以來進入記憶體備貨旺季，三大DRAM廠第二季已大動作調整產品組合，將標準型、利基型DRAM產能大舉調撥至生產Mobile DRAM。

不過，DRAM已有多年沒有擴建新廠，只透過製程微縮到20奈米來維持位元成長率，所以隨著主要產能往Mobile DRAM集中，標準型及利基型DRAM自然供不應求，7月以來現貨價格漲幅已近3成，4Gb DDR3原廠顆粒價格已漲至1.7美元，4Gb DDR4原廠顆粒現貨價也漲至1.86美元，連合約價也在6月見到止跌後，7月終於見到漲勢。

集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，第三季DRAM合約均價起漲，起因於標準型DRAM需求不振，加上搭載量受制於Windows 10的授權金制度而無法有效上升，價格逐步往成本貼近，使得韓系DRAM廠在第二季陸續調降標準型DRAM產品比重。所幸全球智慧型手機的記憶體搭載量今年成長率仍高達36％，下半年旗艦機種搭載量上看6GB，伺服器記憶體今年平均搭載量也上看110GB，年成長25％。

吳雅婷表示，NAND供貨吃緊也助攻DRAM漲價。固態硬碟（SSD）需求強勁、手機eMCP/eMMC已確定漲價以應付旺季需求，加上三星西安廠的意外跳電讓記憶體模組廠於當天停止DRAM與NAND供貨，多重因素引爆DRAM現貨市場價格全面上漲，一掃過去一路走跌的陰霾。

受到三星、SK 海力士、美光等三大DRAM廠持續進行產品組合調整影響，DRAM市場供貨轉趨吃緊，繼6月合約價持平開出後，正在協商中的7月合約價可望順利調漲。由於部分系統業者無法向三大廠取得足夠貨源，近期開始轉向南亞科（2408）及華邦電（2344）採購，在第3季DRAM供不應求的預期下，第3季合約價亦順利調漲3∼5％。

下半年進入智慧型手機銷售旺季，由於蘋果iPhone 7的搭載容量傳出將拉高至3GB，Android陣營高階智慧型手機搭載量也上看6GB，三大DRAM廠第2季開始大動作調整產品組合，將標準型及利基型DRAM產能大舉調撥至生產Mobile DRAM，不僅成功大量去化DRAM過剩產能，也讓標準型及利基型DRAM供貨吃緊，合約價已成功止跌。

集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，DRAM合約價經過近2年的續跌，6月合約價已呈現持平，4GB DDR3模組普遍用12.5美元價格議定完成。由於原廠端供貨吃緊，一線OEM廠於6月提前與DRAM廠洽談第3季合約價格，預估第3季DRAM合約價上漲趨勢確立，漲幅約達4∼8％。

吳雅婷表示，今年上半年標準型DRAM需求不振，搭載量受制於Windows 10的授權金制度而無法有效上升，價格逐步往成本貼近，使得韓系DRAM廠在第2季陸續調降標準型DRAM的產品比重。所幸全球智慧型手機的記憶體搭載量今年成長率仍高達36％，下半年旗艦機種搭載量上看6GB，伺服器DRAM今年平均搭載量也上看110GB，年成長25％，將有效消化產品比重調整下多出來的產能。

再者，今年下半年NAND Flash明顯缺貨，三大廠也將部分DRAM產能移轉生產NAND Flash，而日前大陸西安變電站爆炸，三星西安廠的意外跳電讓記憶體模組廠於當天停止DRAM與NAND Flash供貨，多重因素引爆DRAM現貨市場價格全面上漲，一掃過去一路走跌的陰霾。

在標準型DRAM供不應求之際，利基型DRAM也出現供貨不足情況。事實上，三大廠淡出2Gb以下低容量利基型DRAM市場，在Mobile DRAM產品組合中也大舉撤出LPDDR2市場，並全面降低LPDDR3供貨量。也因此，大陸多數系統廠無法取得足夠DRAM貨源因應下半年旺季需求，已轉向南亞科、華邦電等台灣業者採購，既然DRAM市場已是供不應求，第3季合約價也順利調漲。

DRAM產業終於盼到下半年回春，第3季旺季價格有望調升，不僅標準型記憶體產品看漲，其他包括行動記憶體、利基型記憶體等，價格也預期會跟著走揚，南亞科（2408）、華亞科、晶豪科、華邦電等，都有機會受惠。

法人認為，有別於上半年的慘淡，第3季是傳統終端電子產品出貨旺季，帶動記憶體拉貨需求可望回升。

研調機構集邦科技表示，由於原廠端供貨吃緊，一線PC OEM客戶6月提前與DRAM廠洽談第3季合約價，預估本季DRAM合約價上漲趨勢確立，漲幅約4%至8%。

對於DRAM合約價上揚，集邦研究協理吳雅婷表示，韓系DRAM廠第2季陸續調降標準型記憶體產品比重，但全球智慧手機的記憶體搭載量今年成長率仍高達36%，下半年旗艦機種搭載量上看6GB，伺服器記憶體今年平均搭載量也上看110GB，年成長25%，因此可有效消化產品比重調整後多出的量能。

同時，集邦指出，NAND Flash供貨吃緊也助攻DRAM漲價，且由於原廠製程逐步優化，三星18奈米製程將導入量產，SK海力士與美光也擴大20╱21奈米製程投片量，獲利結構有望從谷底回升，讓下半年DRAM市況更加健康。

大陸西安變電廠爆炸造成當地三星晶圓廠、美光及力成封測廠出現電力閃斷及電功下降，預期將對記憶體市場供給造成影響，記憶體業界昨（20）日均以「西安事變」來形容此次跳電危機，而包括DRAM及NAND Flash報價也出現難得一見的全面上漲行情。

三星、美光、力成等業者昨日指出，對後續供貨情況不會有太大影響。但記憶體業界人士表示，半導體業界在過去10年當中，有關記憶體晶圓廠或封測廠發生電力閃斷的事件後，都出現供貨吃緊問題，因為半導體設備機台跟電腦一樣，電力閃斷就好像插頭拔起幾秒再插回一樣，設備就會當機或參數跑掉，至少也要1∼2周時間才有辦法回復原本正常運作。

所以，通路商預期後續DRAM及NAND Flash供貨可能吃緊，昨日均開始提高庫存水位，根據台灣、香港、深圳三地的昨日現貨報價，NAND隨身碟及記憶卡價格漲幅最大，32GB/64GB USB 3.0隨身碟公板價格漲幅達5∼10％，16GB/32GB MicroSD卡價格漲幅達3∼5％，32GB/64GB MLC規格NAND Flash晶片漲幅達1∼3％。在DRAM部分，深圳地區DRAM模組平均漲幅達3∼5％左右，DDR3顆粒價格則出現1％左右漲幅。

集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange則表示，第3季NAND Flash供貨吃緊的態勢愈發明顯，TLC規格晶圓與記憶卡價格自4月初以來已連續3個月份逐步走揚，由於時間上已進入智慧型手機備貨旺季，三星西安廠短暫跳電導致供不應求預期心理，將導致第3季NAND Flash市況火熱。

DRAMeXchange研究協理楊文得表示，NAND Flash原廠持續降低對於通路的供貨比重，來滿足eMMC/eMCP、固態硬碟（SSD）的需求，並同時積極轉進3D NAND，讓2D NAND的產出持續下滑，因此現貨與通路市場的貨源更顯緊縮。DRAMeXchange預估2016年第3季的TLC晶圓及記憶卡現貨等價格將持續調漲，第4季的NAND Flash的市況將視蘋果新一代iPhone與其他品牌智慧型手機新品上市後的銷售力道而定。

集邦指出，西安18日變電站爆炸，使三星西安廠短暫停電數秒，在工程師搶修設備，並快速進行線上晶圓損害清查後，目前部分產能已恢復生產。楊文得指出，依照事發當日部分產能已能恢復生產的進度來看，此次停電對三星NAND Flash的產出影響有限，預估當日其線上受損晶圓（Wafer-In-Process）片數約略在1萬片以內，此缺口透過增加投片及縮短部分製程可以彌補，但此事件恐將加深第3季NAND Flash供不應求的預期性心理。

DRAM產業因長期需求不振，合約價格已歷經連續19個月的跌勢。今年5月底4Gb DDR4合約均價為1.31美元，而4Gb DDR3合約均價僅1.25美元，各廠都面臨龐大的成本壓力。集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange指出，DRAM廠對於製程轉進的態度趨於保守，不僅第三季價格欲跌不易，預估2017年後DRAM位元供給年增率恐低於20％，可望成為DRAM價格止跌回穩契機。

集邦科技研究協理吳雅婷表示，第三季個人電腦將進入出貨高峰，中國品牌智慧型手機出貨持續走揚，再加上蘋果下半年將推出的新一代4.7吋iPhone 7將搭載2GB LPDDR4，5.5吋iPhone 7 Plus將搭載3GB LPDDR4，龐大的拉貨動能將消耗可觀的DRAM產能。

吳雅婷表示，由供給面來看，各家DRAM供應商對製程轉進態度趨保守，DRAMeXchange估2017年後DRAM位元供給年成長率恐低於20％，可望成為DRAM價格止跌回穩契機。

集邦科技表示，三大DRAM廠已開始收斂位元成長率，主要策略包括產品比重調整、減少資本支出、新製程產出遞延等。吳雅婷表示，為因應旺季需求提升，目前三大DRAM廠有計畫性的將標準型DRAM產能再轉往行動式Mobile DRAM。

DRAMeXchange預估，2016年DRAM總位元供給成長率，已自原先預估的25％下修至23.1％，過往動輒30∼50％的年度位元供給成長率不再，供過於求的態勢產生收斂。

根據DRAMeXchange最新報價顯示，現貨市場4Gb DDR3顆粒報價於6月6日開始已出現漲幅，並在本周延伸至DDR4顆粒的報價上，反應出市場樂觀的預期性心理。合約價方面，雖然針對第三季的議價尚未完成，但PC OEM已展現出積極的補貨意願，且部分品牌在DDR4的拉貨上已稍微吃緊，也使得第三季的價格欲跌不易。

DRAM廠華亞科13日說明美光暫緩收購的相關事宜，合併案將推遲至下半年再行決定，800億聯貸案持續進行外，瑞晶與華亞科的技術合作將會暫緩，增添合併案的變數。不過，華亞科兩大股東美光（Micron）及南亞科均指出，只是計畫展延並非破局，將努力促成該合併案圓滿落幕。

市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange表示，2016年度美光的位元成長有賴20奈米製程轉進的時程，而華亞科是美光陣營最早開始轉進20奈米的DRAM廠，代表華亞科在美光集團中至關重要的角色無法取代。

集邦指出，自從美光計劃轉進20奈米之後，華亞科逐步取代日本爾必達，成為最重要的生產重鎮。美光陣營（含爾必達廣島廠、台灣瑞晶、華亞科、及美光在美國與新加坡的產能合計）中，華亞科廠是最早轉進20奈米製程，而目前的產能除了原先僅有的標準型及伺服器DRAM，更將產能大幅延伸至新一代的行動式記憶體LPDDR4。

截至目前為止，華亞科20奈米的投片仍持續提升，預計今年9月時程就能夠在投片端全轉進20奈米。2016年度美光的位元成長有賴20奈米製程轉進的時程，代表華亞科在美光集團中至關重要的角色，無法取代。

中國大陸國家能源局在外界高度期盼下，終於公布了2016年度太陽能裝置計畫，預估裝置量為18.1GW。儘管後續可能還有「扶貧」的政策需求，以及如同去年度的「加碼補助」，但兩岸的研調單位都認為「2016年度的裝置目標將比2015年度衰退」，也創下大陸太陽能發展史上先例。

中國大陸在去年初公布的太陽能裝置目標是17.8GW，後來又「加碼」5.3GW，並將併網裝機的時限延後到今年6月30日，這也導致今年第一季以來兩岸太陽能產業拚命趕工，呈現「淡季很旺」的原因。此外，大陸去年還發布「領跑者計畫」，是指希望透過提高轉換效率，來淘汰老舊設備的政策，去年的額度為1GW。因此，大陸2015年度的裝置目標總量，也就創下24.1GW的歷史新高。

至於2016年度的裝置目標，大陸國家能源局直到端午節前夕才公告，預估新增18.1GW（包括太陽能電站12.6GW，及「領跑者計畫」5.5GW），儘管此一數字比起去年度初步公布的17.8GW是微幅提升，但此一目標已包含「領跑者計畫」，也讓兩岸研調一致認為今年的裝置量將出現首度衰退。

大陸研調單位SOLARZOOM新能源智庫判斷，即使依據十三五計畫，新增了「扶貧計畫」約3GW的分額，2016年的總目標預期也才21.1GW，比起2015年仍下滑了12％。

集邦科技則評估，從大陸所公布的今年度太陽能安裝量來看，意味大陸官方的太陽能政策出現轉變，不再一昧追求安裝量，並透過領跑者計畫，要求單體電站規模需在100MW以上，且須採取招標、優選等配套方式來壓低電價，讓擁有技術、規模的一線模組廠有較大的「贏面」。

其次，大陸官方此次還點名甘肅、新疆及雲南等地因「不具太陽能電站條件」，故今年度並無設定目標；再者，官方還要求各地太陽能電廠的發電狀況，必須透過信息管理平台等方式詳實追蹤，這些都表明官方正從以往追求「量」，轉而追求「質」，朝更成熟的市場邁進。

集邦不忘提出示警，表示大陸太陽能電站補貼持續延遲發放，加上西部限電情形嚴重，恐讓大陸電站投資報酬率不如預期，且今年安裝目標時限並未說明，因此下半年不至於出現搶裝潮，太陽能第三季的市況恐將冷清。

蘋果iPhone 7新機入門款儲存容量可望從目前的16GB倍增至32GB，最高階的機種儲存容量也從128GB大增至256GB，引爆儲存型快閃記體（NAND Flash）需求熱潮，群聯、威剛、慧榮等NAND相關業者喜迎商機。

研調機構集邦科技指出，在蘋果iPhone 6╱6 Plus，以及iPhone 6s╱6s Plus的出貨量中，64GB與128GB高容量機種比重超過60%，讓iPhone的NAND消耗量大幅成長，而新一代iPhone最高儲存容量極有可能提升至256GB，首波備貨需求將為第3季NAND市場挹注甚大。

群聯等NAND相關業者先前已預告，今年下半年NAND市場因晶片廠製程轉換過渡期，以及傳統旺季帶動，將嚴重缺貨，蘋果新機助陣下，整體供應將更吃緊。

目前iPhone共有16GB、64GB、128GB三種儲存容量版本。供應鏈傳出，iPhone 7擬取消小容量的16GB，改從32GB起跳，iPhone 7的儲存組合可能是32GB╱64GB╱128GB，甚至會出現256GB的版本。

有消息指出，以蘋果過往的訂價策略來看，就算入門型號的儲存容量增加，也不會提高手機的售價，果粉換機將享有加量不加價的「新優惠」。

NAND相關業者指出，若儲存容量倍增的消息屬實，NAND的用量需求會明顯增加，由於蘋果是指標廠商，有刺激其他廠商持續提升產品規格的效果，這對整體產業來說算是好事。

固態硬碟（SSD）與傳統硬碟（HDD）價格持續拉近，意外推升第一季全球SSD出貨量再創歷史新高，由於第二季SSD需求持續轉強，TLC規格128Gb以上高容量NAND Flash驚傳供貨吃緊，晶片供應商在第一季底通知下游將暫停出貨，通路商因此醞釀漲價，群聯（8299）將成最大受惠者。

根據集邦科技研究顯示，2016年第一季主流容量電腦用戶級固態硬碟（PC-Client OEM SSD）的合約均價中，TLC規格NAND Flash的SSD價格季減7∼12％，但SSD價格與HDD價差持續拉近，加快OEM廠採用速度。預估2016年底前128GB SSD與500GB HDD的價差會低於3美元，256GB SSD與1TB HDD的價差則會低於7美元，使SSD的性價比愈來愈具吸引力，今年筆記型電腦的SSD搭載率將會突破30％水準。

事實上，今年以來SSD價格雖持續走跌，但HDD的價格卻意外止跌回升。模組業者表示，HDD大廠已感受到市場需求快速轉向SSD的壓力，HDD殺價搶單已無意義，所以陸續將價格調升到合理且可獲利的價位。也因此，SSD及HDD的價差愈縮愈小，SSD需求反而被持續刺激出來，大幅去化NAND Flash庫存，其中，TLC規格128Gb以上高容量NAND Flash出現供貨吃緊現象，第二季價格看漲。

群聯是兩岸主要TLC規格NAND Flash模組、SSD控制IC供應商，受惠於SSD需求爆發，二月合併營收年增17.5％達30.92億元，改寫同期新高。法人看好群聯三月營收有機會挑戰歷史新高。

法人表示，SSD將是群聯今年成長主要動能，除了TLC規格NAND Flash模組需求暢旺，新款NVMe SSD控制IC搶在第一季底量產出貨，並獲大陸SSD大廠索泰（Zotac）採用，法人預期群聯今年營收及獲利仍會優於去年續創歷史新高。

自去年第四季以來，全球智慧型手機終端需求始終停滯，手機廠皆計畫調降今年首季的出貨計畫，整體市場開始進行約一個季度的通路庫存消化（channel inventory digest）。不過，隨著庫存去化接近尾聲，市調機構集邦科技指出，2月起大陸智慧型手機品牌補貨需求湧現，供應鏈產能已經啟動。

集邦科技智慧型手機分析師吳雅婷表示，受益於庫存調節接近尾聲，及2016年世界通訊大會（MWC）新機發表，2月中起大陸手機品牌陸續出現庫存回補的需求。此外，大陸智慧型手機營運商為拉抬4G機種的普及率，針對數款4G高階智慧型手機增加補貼額度，也推升消費者的購買慾望。

集邦預估2016年全球智慧型手機出貨年成長僅5.7％，但大陸品牌依然有15.6％的成長力道，加上新興市場如印度及東協的崛起，大陸智慧型手機品牌今年仍是帶動出貨成長的火車頭。

華為去年智慧型手機首次出貨達1.08億支，近期更將發表雙鏡頭旗艦機種P9，聲勢奪人，預估華為今年將成長16.7％達到近1.3億支。聯想經歷與摩托羅拉的併購陣痛期後，喊出年度成長20％以上的目標，更把獲利做為最重要方向。

小米於今年MWC展風光發表旗艦機小米5，為力挽去年出貨不如預期的頹勢，今年也將持續深耕印度等新興市場。OPPO與VIVO憑藉強大且忠誠的實體通路銷售，兩個品牌去年出貨總和逼近1億大關，今年目標上看1.1億支，除大陸外，近期於東南亞市場皆有不錯的斬獲。

吳雅婷表示，從上游產業鏈觀察，2月起聯發科出貨略有小幅回升，包含晶圓代工台積電在針對智慧型手機的先進製程（20奈米及16奈米）產能利用率與去年第四季相較也都有明顯的投片回升，如20奈米製程主要以聯發科的訂單為最大宗，16奈米則主要是蘋果的A9晶片及海思的麒麟晶片系列，可看出智慧型手機品牌補貨需求正逐漸啟動。

另一方面，行動式記憶體市場表現亦是如此。由於蘋果下修第一季手機出貨量，原先預期將讓DRAM廠重新調整產品比重的現象並未出現，行動式記憶體的投片與產出都按原訂計畫進行。

儘管太陽能族群第一季的營運表現仍維持在高檔，但研調機構集邦仍維持之前的戒慎恐懼態度，認為中國大陸隨著農曆年後的市場氣氛轉趨觀望，二線廠開始出現銷售壓力，導致價格開始轉弱，預期第三季在搶裝潮結束、新需求尚未啟動，且供給大增之下，恐成為今年「最淡季」。

長期以來，太陽能產業的產業淡、旺季多半與北半球的氣溫相關，第二、三季是旺季，第四季和第一季則是淡季。不過，去年底以來卻是扭轉長期趨勢，受惠於中國大陸在今年第二季末到期的「搶裝潮」推升，國內太陽能族群營運紅火。

不過，研調機構則是持續站在偏空立場，在今年年初就預估大陸市場將在農曆年後開始降溫，而根據最新的調查，也呈現大陸內需市場的氣氛確實在年後轉趨觀望，尤其二線電池廠在面臨銷售壓力下，價格開始轉弱，本周大陸的多晶太陽能電池報價下跌1.54％；高效多晶矽晶圓報價下滑0.11％。

集邦指出，從需求端來看，儘管3、4月在中國大陸併網的最後一波搶裝需求支撐下，上游廠商的產能稼動率仍可望維持滿載，但在5月下旬搶裝潮結束後，加上美、日、印、英等地的需求尚未開始啟動，恐導致第3季成為今年太陽能產業的「最淡季」。

市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新研究顯示，2016年第一季主流容量電腦用戶級固態硬碟（PC-Client OEM SSD）的合約均價中，採用MLC規格NAND Flash的SSD價格較去年第四季下跌10∼12％，TLC規格NAND Flash的SSD價格則季減7∼12％。SSD價格與與傳統硬碟（HDD）價差持續拉近，加速OEM廠採用速度。

由於三星以外的NAND Flash供應商正處TLC-SSD產品出貨的初步階段，價格跌幅較小，但第一季為筆電傳統淡季且工作天數少，導致OEM廠採購量下滑，拉貨力道銳減，因而NAND Flash原廠的產能壓力大幅上揚，只能繼續降價競爭。

DRAMeXchange預估，2016年底前128GB固態硬碟與500GB傳統硬碟的價差會低於3美元，256GB固態硬碟與1TB傳統硬碟的價差則會低於7美元，使SSD的性價比愈來愈具吸引力。2016年筆記型電腦出貨量不會如2015年般大幅下滑，預估今年筆記型電腦的SSD搭載率將會突破30％水準。

市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報告顯示，相較於標準型PC DRAM價格去年第四季跌幅逾16％，整體行動式Mobile DRAM價格跌幅趨緩。雖然去年第四季Mobile DRAM總產值季減率僅1％，但預估全球智慧型手機第一季出貨較上季衰退達16％，恐讓Mobile DRAM價格跌幅較上季度擴大逾7％。

法人表示，若第一季Mobile DRAM市況表現真的如集邦所言，對國內DRAM廠南亞科、華邦電，或是主攻Mobile DRAM的晶豪科等業者來說，則會是一個利空消息。不過，包括南亞科在內的業者仍強調，第一季DRAM市況沒有想像中差，Mobile DRAM銷售動能還算穩定，價格跌幅也沒有擴大。

2015年下半年為傳統智慧型手機出貨旺季，2015年第四季Mobile DRAM總產值僅較上季小幅衰退1％。以各家DRAM廠表現來看，三星第四季營收維持小幅成長1.3％，SK海力士則衰退2.1％，美光集團在三大DRAM廠中跌幅最大，來到7.7％。

DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，三大DRAM廠受蘋果採用的占比，決定了Mobile DRAM營收高低。如三星在LPDDR4的製程與良率領先競爭對手至少半年，是蘋果首要提升比重的對象，SK海力士則以25奈米製程穩居第二位，美光集團2015年第三季仍未通過蘋果的品質驗證，錯失iPhone 6S的黃金備貨期，其影響都表現在第四季的Mobile DRAM營收上。

三星在Mobile DRAM市占率持續擴大到約58.2％，SK海力士的比重微幅衰退至26.1％，美光集團市占率則縮減至14.3％。2016年第一季由於步入傳統出貨淡季，加上全球景氣不佳導致買氣縮手，即使是蘋果單季出貨都面臨下修達三成的窘境，集邦預估，全球智慧型手機第一季出貨較上季衰退達16％，亦讓行動式記憶體價格跌幅較上季度擴大逾7％。

DRAMeXchange預估2016年LPDDR4市占將迅速擴大，從2015年的18.2％提升到45.0％。

太陽能矽晶圓和電池的報價雖然連續數個月回升，但相關原料耗材、模組和逆變器等價格持續下滑，仍使得去（2015）年度的太陽能系統發電的總成本又下降了17％。根據研調機構EnergyTrend預估，今、明兩年的成本還將向下，預期明年度在部分地區的成本就可接近火力（煤）發電，且低於天然氣，將刺激需求進一步擴大。

此外，EnergyTrend認為，台系電池廠在去（2015）年受到美國雙反衝擊，被迫往海外發展，包括在泰國、越南、馬來西亞等地設廠，但如此一來，也可對當地市場進行深耕。

集邦旗下EnergyTrend日前發布調查報告指出，以美國為例，2015年第3季時公共事業用系統（Utility系統）的系統造價約為每瓦1.38美元，比起前年同期的每瓦1.66美元，跌幅約17％。由於價格持續大幅下滑，也讓各國相繼擴大採用太陽能發電。

事實上，太陽能系統發電的成本牽涉項目相當複雜，除了矽晶圓、電池和模組等成本之外，包括耗材、逆變器（inverter）等影響程度也不小。EnergyTrend分析師林建翰表示，生電成本也還得將各地區日照時數、人力成本、補貼以及模組稅後價格等差異計算進去，以印度的光照時數長、模組價格及人力成本較低的條件來看，部分大型系統的每度電成本甚至只需約新台幣2.3元/kWh。

太陽能發電成本持續下降，也難怪印度總理莫迪寧願跳過火力或核能發電，直接大規模興建太陽能廠。而根據最新數據，新興市場如印度、智利、菲律賓等地區的太陽能裝置分別達827MW、750MW、134MW，成長幅度可觀。

林建翰指出，「轉換效率」的持續順利提升，推升今年下半年模組的主流轉換效率，將達多晶265W、單晶275∼280W，因此生電成本也將持續緩跌，預期2017年底公共事業用系統的系統造價可降至0.07元/kWh以下，逼近煤礦火力發電，而低於天然氣發電，使得太陽能需求將擴大，可再生能源的比例也可望再提高。

今年需求面不振、持續供過於求，DRAM價格衰退，尤以標準型DRAM最明顯，對明年DRAM市況，市調機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange預估，市場仍維持小幅供過於求，DRAM單價將持續下滑。至於大陸雖有意卡位記憶體，但進入門檻高，三大DRAM廠無意與大陸業者合作，看來難有進展。

DRAMeXchange調查顯示，今年DRAM市場在寡占市場型態下，雖然小幅供過於求且價格持續下滑，各供應商生產仍保持紀律，未有明顯新增產能，因此延續2013年與2014年態勢，今年DRAM各廠仍維持全面獲利。

2016年雖然受惠於智慧型手機及伺服器的需求，單機搭載容量會有顯著提升，但各項終端產品仍難有爆發性的發展，因此預估2016年整體DRAM需求約為23％，供給位元成長約為25％，市場仍維持小幅供過於求，DRAM單價持續下滑，各家獲利能力將大幅取決於製程轉進所造成的成本下降及產品組合的調配。

DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，DRAM屬寡占市場型態，各供應商在產能的擴張上皆有所節制，相較仍處於完全競爭的市場型態的NANDFlash健康許多。

美國記憶體大廠美光(Micron)昨(14)日宣布全數收購華亞科股權。市調機構集邦科技指出，為避免讓中資企業(如紫光集團)趁虛而入，儘管美光已擁有華亞科所有產能，但對美光而言，其他不確定因素仍大，美光將華亞科納入成為100％子公司後，有利於美光未來與台廠之間的合作。

集邦科技旗下記憶體處存事業處DRAMeXchange統計，以今年全球DRAM市場版圖，三星電子仍以46.7％高市占率穩居龍頭，SK海力士市占率約達28％為第二大廠，美光為第三大廠持股比重19.2％。至於與華亞科同屬台塑集團的南亞科則排名第四，市占率僅約3％。

美光目前DRAM總產能1個月約31萬片12吋約當晶圓，其中主要產能分布，分別為原為日本爾必達的日本廣島廠約10萬片、台灣瑞晶約8萬片、華亞科則約10萬，華亞科占美光總產能近3成，專職生產伺服器與標準型DRAM。

今年初美光與華亞科曾共同宣布，舊有DRAM價格計價模式將於2016年初開始改變。新制目前雖尚未實施，但將對華亞科較為不利，毛利預估將少3∼5％。明年DRAM市場供過於求未見減緩，恐將對華亞科極為不利。

華亞科目前持股結構，台塑集團合計約32％，與美光持有約33％股權幾乎相當，並列華亞科的大股東，但技術來源皆為美光集團。吳雅婷指出，目前南亞科Fab3ANorth新廠正在興建中，預計明年下半年將可導入20奈米製程技術並量產，藉由本次的換股與認購美光科技新股，南亞科同時獲得10奈米技術的選擇權後，將可確保後續技術授權無慮。

美光集團擴大對華亞科持股的考量則較複雜。就長遠的角度，新計價模式將導致華亞科獲利被壓縮，利益衝突將益趨明顯。吳雅婷指出，中國目前正大力扶植半導體政策，DRAM同為重點發展方向之一，若美光與華亞科漸行漸遠，且台灣政府願意放寬中資對台半導體企業的投資，將可能讓中資企業趁虛而入。因此儘管已有30％產能的控制力，對美光而言其餘不確定因素仍相當大，華亞科成為美光100％子公司後，將有利於美光未來合作相關事宜。