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力晶創新投資控股(公)公司公告
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
物品缺陷檢測方法、影像處理系統與電腦可讀取記錄媒體
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/11/07
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 187,522
4.其他應敘明事項:
一種物品缺陷檢測方法、影像處理系統與電腦可讀取記錄媒體，此方法包括下列
步驟。接收待測物品的測試影像及參考影像。取得測試影像中的測試區塊，並且
自參考影像中取得對應的參考區塊，以分別產生測試區塊影像及參考區塊影像。
將測試區塊影像及參考區塊影像分割為多個子區塊，再辨識及濾除干擾的子區塊
，以產生已濾除測試區塊影像及已濾除參考區塊影像，進而取得偏移校正參數，
以校正測試影像中的測試區塊，從而取得已校正測試區塊影像。將已校正測試區
塊影像與參考區塊影像進行比對，以取得出待測物品對應於測試區塊的缺陷資訊
。
物品缺陷檢測方法、影像處理系統與電腦可讀取記錄媒體
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/11/07
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 187,522
4.其他應敘明事項:
一種物品缺陷檢測方法、影像處理系統與電腦可讀取記錄媒體，此方法包括下列
步驟。接收待測物品的測試影像及參考影像。取得測試影像中的測試區塊，並且
自參考影像中取得對應的參考區塊，以分別產生測試區塊影像及參考區塊影像。
將測試區塊影像及參考區塊影像分割為多個子區塊，再辨識及濾除干擾的子區塊
，以產生已濾除測試區塊影像及已濾除參考區塊影像，進而取得偏移校正參數，
以校正測試影像中的測試區塊，從而取得已校正測試區塊影像。將已校正測試區
塊影像與參考區塊影像進行比對，以取得出待測物品對應於測試區塊的缺陷資訊
。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
非揮發性半導體儲存裝置以及其控制方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/10/24
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 88,694
4.其他應敘明事項:
一非揮發性記憶體單元陣列被分為第一單元陣列以及第二單元陣列，頁面緩衝電
路設置於第一單元陣列以及第二單元陣列之間，且第二閂鎖電路設置於第一單元
陣列的外緣區域，且頁面緩衝電路透過第一單元陣列之總體位元線連接至上述第
二閂鎖電路。控制資料寫入至第一單元陣列或第二單元陣列係藉由在資料寫入時
，當寫入資料被閂鎖於第二閂鎖電路中之後，透過第一單元陣列之總體位元線將
寫入資料從第二閂鎖電路傳送至頁面緩衝電路。控制從第一單元陣列或第二單元
陣列讀取的資料輸出至外部電路係藉由在資料讀取時，透過第一單元陣列之總體
位元線將資料從頁面緩衝電路傳送至第二閂鎖電路。
非揮發性半導體儲存裝置以及其控制方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/10/24
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 88,694
4.其他應敘明事項:
一非揮發性記憶體單元陣列被分為第一單元陣列以及第二單元陣列，頁面緩衝電
路設置於第一單元陣列以及第二單元陣列之間，且第二閂鎖電路設置於第一單元
陣列的外緣區域，且頁面緩衝電路透過第一單元陣列之總體位元線連接至上述第
二閂鎖電路。控制資料寫入至第一單元陣列或第二單元陣列係藉由在資料寫入時
，當寫入資料被閂鎖於第二閂鎖電路中之後，透過第一單元陣列之總體位元線將
寫入資料從第二閂鎖電路傳送至頁面緩衝電路。控制從第一單元陣列或第二單元
陣列讀取的資料輸出至外部電路係藉由在資料讀取時，透過第一單元陣列之總體
位元線將資料從頁面緩衝電路傳送至第二閂鎖電路。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
三維記憶體的陣列結構及其製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期: 106/11/10
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 72,286
4.其他應敘明事項:
一種三維記憶體的陣列結構，包括：堆疊結構，為由介電層與第一導電層交錯堆
疊而成的結構，堆疊結構具有孔洞貫穿堆疊結構的各層，且孔洞於介電層與第一
導電層處分別具有不同的孔徑；第二導電層，設置於堆疊結構中的孔洞；以及資
料儲存層，設置於堆疊結構與第二導電層之間。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
偵測微影熱點的方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/11/24
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 65,482
4.其他應敘明事項:
本發明提出了一種偵測微影熱點的方法，其步驟包含：接收一佈局圖形資料，對
該佈局圖形資料進行空間影像模擬以析取出多種空間影像強度指數，根據一或多
種該些空間影像強度指數的組合產生出多種空間影像偵測子，再根據該些空間影
像偵測子的數值來判定出所對應的微影熱點位置與種類。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
半導体記憶裝置
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 39,500
4.其他應敘明事項:
本發明降低半導體記憶裝置再新時的大的峰值電流IDDP，並且確保位元線的感測
放大器容限為規定值以上。半導體記憶裝置在多條字元線與多條位元線的各交叉
點處分別具有記憶胞元，且具備從來自多個記憶胞元的多條資料線讀出資料的感
測放大器、及具有從多條資料線鎖存資料的第1電晶體的感測放大器鎖存電路，其
中，與多條字元線平行的相同行線的多個感測放大器被分割為多個感測放大器電
路群組，所述經分割的感測放大器電路群組更包括第2電晶體，所述第2電晶體基
於從資料讀出時的字元線啟動開始延遲的鎖存信號，來鎖存讀出資料。
半導体記憶裝置
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 39,500
4.其他應敘明事項:
本發明降低半導體記憶裝置再新時的大的峰值電流IDDP，並且確保位元線的感測
放大器容限為規定值以上。半導體記憶裝置在多條字元線與多條位元線的各交叉
點處分別具有記憶胞元，且具備從來自多個記憶胞元的多條資料線讀出資料的感
測放大器、及具有從多條資料線鎖存資料的第1電晶體的感測放大器鎖存電路，其
中，與多條字元線平行的相同行線的多個感測放大器被分割為多個感測放大器電
路群組，所述經分割的感測放大器電路群組更包括第2電晶體，所述第2電晶體基
於從資料讀出時的字元線啟動開始延遲的鎖存信號，來鎖存讀出資料。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
非揮發性半導體記憶裝置及其抹除方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 61,600
4.其他應敘明事項:
本發明的非揮發性半導體記憶裝置包括控制電路，所述控制電路藉由對包含設置
在多個字元線與多個位元線的各交叉點上的記憶胞元的記憶胞元陣列的規定的塊
施加規定的抹除電壓而進行資料的抹除，且所述控制電路藉由對所述記憶胞元陣
列的緣端部以外的偶數的字元線及奇數的字元線施加互不相同的字元線電壓，對
所述記憶胞元陣列的緣端部的字元線施加與所述字元線電壓不同的電壓，將所述
抹除電壓施加至記憶胞元來抹除資料。
非揮發性半導體記憶裝置及其抹除方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 61,600
4.其他應敘明事項:
本發明的非揮發性半導體記憶裝置包括控制電路，所述控制電路藉由對包含設置
在多個字元線與多個位元線的各交叉點上的記憶胞元的記憶胞元陣列的規定的塊
施加規定的抹除電壓而進行資料的抹除，且所述控制電路藉由對所述記憶胞元陣
列的緣端部以外的偶數的字元線及奇數的字元線施加互不相同的字元線電壓，對
所述記憶胞元陣列的緣端部的字元線施加與所述字元線電壓不同的電壓，將所述
抹除電壓施加至記憶胞元來抹除資料。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
結構上的光阻圖案製程
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 50,600
4.其他應敘明事項:
一種結構上的光阻圖案製程，包括：提供基底，此基底包括第一區以及多個第二
區，其中第二區位於第一區的相對兩側，且多個突起圖案形成於基底上；於第一
區上形成光阻圖案，其中當突起圖案至少位於第一區上且與待形成的光阻圖案的
位置重疊時，在形成光阻圖案之前，移除突起圖案。
結構上的光阻圖案製程
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本: NT$ 50,600
4.其他應敘明事項:
一種結構上的光阻圖案製程，包括：提供基底，此基底包括第一區以及多個第二
區，其中第二區位於第一區的相對兩側，且多個突起圖案形成於基底上；於第一
區上形成光阻圖案，其中當突起圖案至少位於第一區上且與待形成的光阻圖案的
位置重疊時，在形成光阻圖案之前，移除突起圖案。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
電容器結構及其製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 59,800
4.其他應敘明事項:
一種電容器結構的製造方法，包括以下步驟。於第一導體層上形成堆疊結構，其
中堆疊結構從第一導體層起依序包括第一介電層、蝕刻終止層與第二介電層。於
堆疊結構中形成介層窗，其中介層窗包括阻障層與導電插塞，且介層窗與第一導
體層電性連接。於第二介電層中形成第一開口，其中第一開口環繞介層窗。移除
導電插塞，以形成第二開口。於第一開口與第二開口中形成電容結構，其中電容
結構包括下電極、電容介電層以及上電極，且下電極與第一導體層電性連接。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
衡量二元資料於時間等級的群聚級別的無母數分析方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 47,600
4.其他應敘明事項:
一種衡量二元資料於時間等級的群聚級別的無母數分析方法。將工程資料中的樣
本集合分成目標組與對照組，並按照時間順序來對各樣本設定等級。自目標組中
，獲得最小等級與最大等級，藉此來設定特徵區間。在特徵區間中，計算目標組
的等級平均值與對照組的等級平均值。在建立虛擬樣本集合之後，基於目標組的
等級平均值與對照組的等級平均值的比較結果，以及特徵區間的最大等級與最小
等級，將虛擬樣本集合納入分析資料集合，並重新設定新的等級，而獲得調整後
資料。對調整後資料執行曼-惠特尼U檢定，以獲得二元資料於時間等級的群聚級
別指標。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
影像感測器及其製作方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 95,540
4.其他應敘明事項:
本發明提供了一種影像感測器，其包括一感光元件、一內連線結構、一介電疊層
、一反射層以及一阻障層。感光元件設置於一基底內，而內連線結構設置於基底
表面。介電疊層設置於基底表面並覆蓋感光元件，其中內連線結構設置於介電疊
層內，且介電疊層之頂面包括至少一突起部分位於感光元件之一側。反射層覆蓋
介電疊層之突起部分，且反射層之剖面形狀包括一倒V字形圖案或包括一倒U字形
圖案。阻障層覆蓋於反射層上。
影像感測器及其製作方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 95,540
4.其他應敘明事項:
本發明提供了一種影像感測器，其包括一感光元件、一內連線結構、一介電疊層
、一反射層以及一阻障層。感光元件設置於一基底內，而內連線結構設置於基底
表面。介電疊層設置於基底表面並覆蓋感光元件，其中內連線結構設置於介電疊
層內，且介電疊層之頂面包括至少一突起部分位於感光元件之一側。反射層覆蓋
介電疊層之突起部分，且反射層之剖面形狀包括一倒V字形圖案或包括一倒U字形
圖案。阻障層覆蓋於反射層上。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
爐管製程的派工控制方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/18
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 164,571
4.其他應敘明事項:
一種爐管製程的派工控制方法，包括下列步驟。在多批晶圓進入爐管之前，算出
各批晶圓的特性變異值。將多批晶圓依照特性變異值的大小進行排序。將多批晶
圓依照特性變異值由大到小的順序對應於爐管中造成特性變異值變小到變大的多
個位置擺放在爐管中。
爐管製程的派工控制方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/18
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 164,571
4.其他應敘明事項:
一種爐管製程的派工控制方法，包括下列步驟。在多批晶圓進入爐管之前，算出
各批晶圓的特性變異值。將多批晶圓依照特性變異值的大小進行排序。將多批晶
圓依照特性變異值由大到小的順序對應於爐管中造成特性變異值變小到變大的多
個位置擺放在爐管中。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
具有奈米腔的集成生物感測器及其製作方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/11
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 382,440
4.其他應敘明事項:
一種生物感測器，包含有一基底，其上設有一光感測區。在基底上設有一第一介
電層、一擴散阻擋層、一第二介電層。第二介電層中設有一溝槽凹陷結構，其內
設有一濾光材料層，被一上蓋層封蓋住。上蓋層上設有一第一鈍化層以及一奈米
腔結構層，其中於奈米腔結構層中，設有一奈米腔。於奈米腔的側壁及底部設有
一第二鈍化層。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結構及其製作方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/08/15
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 280,978
4.其他應敘明事項:
一種多層王冠型金屬-絕緣體-金屬電容器結構，包含有一基底，其中設有一導電
區域；一金屬層間介電層，設於基底上；一電容溝渠，貫穿金屬層間介電層，顯
露出導電區域；一電容下電極結構，設於電容溝渠內，包括一第一下電極及一第
二下電極，其中第一下電極環繞著第二下電極，且第一下電極直接接觸導電區域
；一導電支撐底座，位於電容溝渠內，固定並電連接第一下電極及第二下電極的
底部；一電容介電層，順形的設置在第一下電極、第二下電極及導電支撐底座的
表面上；以及一電容上電極，設置在電容介電層上。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
非揮發性半導體記憶裝置及其抹除方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/11
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 234,923
4.其他應敘明事項:
本發明的非揮發性半導體記憶裝置包括控制電路，所述控制電路藉由對包含設置
在多個字元線與多個位元線的各交叉點上的記憶胞元的記憶胞元陣列的規定的塊
施加規定的抹除電壓而進行資料的抹除，且所述控制電路藉由對所述記憶胞元陣
列的緣端部以外的偶數的字元線及奇數的字元線施加互不相同的字元線電壓，對
所述記憶胞元陣列的緣端部的字元線施加與所述字元線電壓不同的電壓，將所述
抹除電壓施加至記憶胞元來抹除資料。
非揮發性半導體記憶裝置及其抹除方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/11
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 234,923
4.其他應敘明事項:
本發明的非揮發性半導體記憶裝置包括控制電路，所述控制電路藉由對包含設置
在多個字元線與多個位元線的各交叉點上的記憶胞元的記憶胞元陣列的規定的塊
施加規定的抹除電壓而進行資料的抹除，且所述控制電路藉由對所述記憶胞元陣
列的緣端部以外的偶數的字元線及奇數的字元線施加互不相同的字元線電壓，對
所述記憶胞元陣列的緣端部的字元線施加與所述字元線電壓不同的電壓，將所述
抹除電壓施加至記憶胞元來抹除資料。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
半導体記憶裝置
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/19
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 177,466
4.其他應敘明事項:
本發明降低半導體記憶裝置再新時的大的峰值電流IDDP，並且確保位元線的感測
放大器容限為規定值以上。半導體記憶裝置在多條字元線與多條位元線的各交叉
點處分別具有記憶胞元，且具備從來自多個記憶胞元的多條資料線讀出資料的感
測放大器、及具有從多條資料線鎖存資料的第1電晶體的感測放大器鎖存電路，其
中，與多條字元線平行的相同行線的多個感測放大器被分割為多個感測放大器電
路群組，所述經分割的感測放大器電路群組更包括第2電晶體，所述第2電晶體基
於從資料讀出時的字元線啟動開始延遲的鎖存信號，來鎖存讀出資料。
半導体記憶裝置
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/19
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 177,466
4.其他應敘明事項:
本發明降低半導體記憶裝置再新時的大的峰值電流IDDP，並且確保位元線的感測
放大器容限為規定值以上。半導體記憶裝置在多條字元線與多條位元線的各交叉
點處分別具有記憶胞元，且具備從來自多個記憶胞元的多條資料線讀出資料的感
測放大器、及具有從多條資料線鎖存資料的第1電晶體的感測放大器鎖存電路，其
中，與多條字元線平行的相同行線的多個感測放大器被分割為多個感測放大器電
路群組，所述經分割的感測放大器電路群組更包括第2電晶體，所述第2電晶體基
於從資料讀出時的字元線啟動開始延遲的鎖存信號，來鎖存讀出資料。
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2546050專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
CMOS影像感測單元及其製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/07
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$67,488
4.其他應敘明事項:
一種CMOS影像感測單元及其製造方法。所述影像感測單元包括感光二極體、轉移
閘、重置閘、源極隨耦閘、轉移閘與重置閘之間的浮汲極區、以及PIP型電容器，
其中PIP型電容器的複晶矽下電極與浮汲極區和源極隨耦閘電性連接，而兼作為浮
汲極區和源極隨耦閘之間的內連線。所述製造方法包括：在浮汲極區和源極隨耦
閘上形成接觸窗，然後形成PIP型電容器，其複晶矽下電極與各接觸窗連接。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
CMOS影像感測單元及其製造方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/07
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$67,488
4.其他應敘明事項:
一種CMOS影像感測單元及其製造方法。所述影像感測單元包括感光二極體、轉移
閘、重置閘、源極隨耦閘、轉移閘與重置閘之間的浮汲極區、以及PIP型電容器，
其中PIP型電容器的複晶矽下電極與浮汲極區和源極隨耦閘電性連接，而兼作為浮
汲極區和源極隨耦閘之間的內連線。所述製造方法包括：在浮汲極區和源極隨耦
閘上形成接觸窗，然後形成PIP型電容器，其複晶矽下電極與各接觸窗連接。
公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發 CN 2590480專利
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
非揮發性記憶體及其製作方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/08/18
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 78,752
4.其他應敘明事項:
一種非揮發性記憶體及其製作方法。此非揮發性記憶體包括基底、多個字元線、
多個選擇線以及摻雜區。基底具有記憶胞區與二個選擇線區。選擇線區分別位於
記憶胞區的相對兩側。字元線設置於記憶胞區中。選擇線設置於選擇線區中。每
一字元線的線寬與每一選擇線的線寬相同。相鄰的字元線之間的間距、相鄰的選
擇線之間的間距以及相鄰的選擇線與字元線之間的間距相同。摻雜區位於每一字
元線兩側以及每一選擇線區的兩側的基底中。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
非揮發性記憶體及其製作方法
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/08/18
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 78,752
4.其他應敘明事項:
一種非揮發性記憶體及其製作方法。此非揮發性記憶體包括基底、多個字元線、
多個選擇線以及摻雜區。基底具有記憶胞區與二個選擇線區。選擇線區分別位於
記憶胞區的相對兩側。字元線設置於記憶胞區中。選擇線設置於選擇線區中。每
一字元線的線寬與每一選擇線的線寬相同。相鄰的字元線之間的間距、相鄰的選
擇線之間的間距以及相鄰的選擇線與字元線之間的間距相同。摻雜區位於每一字
元線兩側以及每一選擇線區的兩側的基底中。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
內部電源電壓輔助電路、半導體記憶裝置及半導體裝置
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 119,900
4.其他應敘明事項:
本發明提供一種內部電源電壓輔助電路，用於內部電源電壓產生電路，內部電源
電壓產生電路包括：差動放大器，將供給至負載電路的內部電源電壓與規定的基
準電壓進行比較，並從輸出端子輸出控制電壓；及驅動電晶體，根據控制電壓來
驅動外部電源電壓。內部電源電壓輔助電路包括：時序檢測電路，檢測資料信號
的變化，產生並輸出檢測信號；及內部電源電壓輔助供給電路，基於檢測信號，
輔助性地供給針對負載電路的電流。因此，可穩定地輸出內部電源電壓，而消耗
電力不會大幅增大。本發明亦提供一種半導體記憶裝置及半導體裝置。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
電晶體測試電路及方法、半導體記憶裝置以及半導體裝置
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 146,700
4.其他應敘明事項:
本發明提供可對每個晶片高準確度地測定半導體裝置中所含的電晶體的擊穿電壓
的電晶體測試電路等。電晶體測試電路，其設置於半導體晶片，測定MOS電晶體的
擊穿電壓，該電晶體測試電路包括：電壓施加裝置，對所述MOS電晶體的汲極、源
極及閘極中的至少其中之一施加預定的測試電壓；電流檢測電路，當施加所述測
試電壓時，對從所述MOS電晶體流至負載電路的電流進行檢測；電流鏡電壓輸出電
路，產生與檢測出的所述電流對應的鏡像電流並輸出；以及比較器電路，將所述
鏡像電流與預定的基準電流進行比較並輸出比較結果訊號。
1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:
金屬氧化物金屬電容器電路及其半導體裝置
2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:106/07/21
3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT$ 71,200
4.其他應敘明事項:
本發明提供一種使用形成於基板上的金屬電極藉由多個電容器形成的電容器電路
，以使得與習知技術相比可以更精確地調整電容器的電容。MOM電容器包含分別
藉由透過基板上的絕緣薄膜面向彼此的多對金屬電極形成的多個MOM（金屬氧化
物金屬）電容器。MOM電容器電路是以MOM電容器的金屬電極對中的每一者經由連
接導體連接至第一端子及第二端子的方式並藉由至少一個電容器元件形成；以及
至少一個開關元件，其連接至所述多個金屬電極以及第一端子及第二端子中的至
少一者，其中所述MOM電容器電路的電容是藉由接通/斷開所述開關元件而進行調
整。
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