穩懋半導體公司新聞| IPO贏家未上市股票交流網

台灣砷化鎵晶圓代工服務歷經四年餘的練兵，二○○四年終於可以看

到業者有較好的營運成績顯現。

穩懋總經理吳展興表示，經由客戶產品認證的程序告一段落後，目前

穩懋八十五家的客戶中，已有二十五家客戶的訂單進入量產，並一舉

讓穩懋在六月的月出貨量（六吋晶圓）達六八八片，營收達新台幣七

○○○萬元，達單月的現金損益兩平。

展望二○○四年，經由客戶訂單的持續湧入，穩懋也希望二○○四年

營收能達九億元，並有八七○○片晶圓的產出，此外，二○○五年的

營收也希望仍能呈現倍數的成長。

吳展興表示，即便二○○一年迄今，台灣砷化鎵產業受產品認證期長

、全球景氣低迷等因素衝擊，然對穩懋而言，二○○一年迄今，每年

均可維持一定的成長性。

而二○○四年受惠於多數客戶的產品認證告一段落，並開始進入正式

量產，也讓穩懋的出貨總量與營收因而攀升，目前除產能滿載外，訂

單也已承接到九月中旬，且估計第三季每月的單月營收，都可達七○

○○萬元以上。

鉅亨網採訪中心／台北•11月26日 11/26 09:11

穩懋半導體(3015)與荷蘭應用科學研究組織物理及

電子實驗室宣佈策略聯盟，依雙方簽訂的策略聯盟備忘

錄，雙方將利用穩懋半導體先進和完整的砷化鎵製程技

術能力，提供客戶微波積體電路之產品開發設計服務。

鉅亨網編譯戴美如／綜合外電． 2月11日 02/12 08:14

根據 SBN網站報導指出，台灣GaAs(砷化鎵)半導體

廠商穩懋已與RF、類比以及單晶微波積體電路(MMIC)供

應商Acco SA達成合作協議

穩懋與Acco合作之後，Acco將可望提供穩懋客戶設

計服務，雙方合作將提供完整的設計與生產服務，加速

系統與IDM公司上市時效(time-to-market)。

穩懋方面指出，藉由雙方具備的先進製程科技，再

加上Acco在MMIC方面的專長，將可提供客戶更加的高階

產品、系統設計服務。

鉅亨網編輯中心／台北•12月10日 12/10 15:54

砷化鎵晶圓代工廠穩懋半導體昨 (9)日宣佈與英國最

大IC設計公司 Roke Manor Research簽訂策略聯盟合約，

合約中雙方已就共同開發無線通訊用射頻積體電路(RFIC)

與微波積體電路(MMIC)達成共識，

此外，穩懋並同時宣佈與美國 Agilent (US-A；安捷

倫科技)科技共同開發出0.15微米功率pHEMT製程的設計工

程套件。該套件提供比例可調式的元件模型，可讓IC設計

公司自由選擇穩懋的砷化鎵 pHEMT製程的主、被動元件大

小。

鉅亨網編譯戴美如／綜合外電． 1月29日 01/30 09:26

台灣通訊專業廠商穩懋半導體宣佈推出全球最快速

的磷化銦鎵(InGaP)異質接面雙極性電晶體(HBT)製程技

術，應用於無線通訊與相關領域。

穩懋半導體也公開了該公司以砷化銦鎵(InGaAs)為

基礎的HBT 2微米製程，輸出功率 4瓦，在1.9 GHz的頻

率時額外省電功率可達75%。穩懋的HBT製程應用於手機

晶片相當理想，在WLAN(無線區域網路)產品方面的應用

也十分適合。

穩懋方面指出，該項新製程已由一日本晶片大廠認

可。該日本廠正研發藍芽技術所用的功率放大器。穩懋

期望今年能與數位客戶洽談，開始接單生產。

位於桃園的穩懋是個創立 3年的新興公司，以 6吋

晶圓廠提供GaAs晶圓製造服務。穩懋宣稱要成為全球第

一個純粹的 6吋GaAs晶圓廠。

鉅亨網記者王志煌／新竹科學園區． 5月 4日 05/04 15:32

今年才開始量產砷化鎵的穩懋半導體今天下午召開

90年度股東常會，通過去年財報每股稅後虧損 1.4元，

公司訂定的營業目標為今年內達到單月損益兩平。

穩懋半導體今天股東會的主要議程包括承認89年決

算表冊、虧損撥補表、董監事選舉辦法修訂及修改公司

章程。

去年仍在建廠階段的穩懋半導體，公告89年財報為

稅後虧損1.67億元，以21.5億元股本計算，每股稅後虧

損 1.4元。目前該公司 6吋砷化鎵晶圓單月產能僅數百

片，今年預估全產能為 1萬片，希望在年底前達單月損

益兩平的目標。

穩懋半導體是全球第一家6吋砷化鎵晶圓廠商，昨(15)日宣布全球第一片以0.15微米製程生產的6吋砷化鎵晶圓產出，今(90)年第四季前量產。穩懋以0.15微米製程的砷化鎵pHEMT(應變式高電子遷移率電晶體)所製造出來的功率放大器，可應用在高速光纖電子元件、車輛業的感應系統和點對多點區域性分佈服務(LMDS)；而應用於衛星通訊、點對點基地台連繫、固網通訊及特低干擾CATV調頻系統等，可有效降低通訊IC代工成本、提升效能。(90/3/16 經濟日報 30版)

穩懋半導體的6吋砷化鎵單晶體微波積體電路(MMIC)晶圓廠，於昨(12)日正式啟用，是亞洲首座同時擁有異質介面雙極電晶體(HBT)、假型高速電子移動電晶體(Phemt)生產技術的工廠，也是全球第一座專業6吋砷化鎵晶圓代工廠。其設備自動化程度可達80%，預計在90年3月正式量產，出貨量可達1萬片左右，預估至94年產能將可達10萬片。

穩懋的6吋砷化鎵MMIC晶圓廠，在89年7月設備已逐漸進廠，9月開始試用，目前已開發出全亞洲第一片6吋2微米磷化銦鎵(InGap)HBTMMIC晶圓及第一片6吋0.5微Phemt晶圓，其中0.35微米的Phemt晶圓已完成開發，估計90年1月可以正式量產，而0.15的Phemt晶圓也將於90年3月推出。(電子時報3版) (經濟日報30版)

台灣第一座也是全球第一座6吋GaAs MMIC（砷化鎵

微波磊晶片）的穩懋半導體，今日舉行新廠啟用典禮，

該公司日前已宣佈成功開發出第一片 6吋 2微米HBT(磷

化銦異質介面雙極性電晶體）晶圓，預計2001年第三季

便可開始量產。

穩懋半導體副董事長林燕津表示，手機市場逐年成

長，對於RF需求日加殷切，也使得今年台灣眾多業者極

力挺進砷化鎵（GaAs）半導體代工業務，穩冒領先同業

完成第一片2微米HBT晶圓開發，將快速搶佔台灣砷化鎵

代工市場。

該公司主要業務鎖定在HBT及PHEMT，初期將以 HBT

為主，日前已成功開發出 2微米 HBT，並於12月進行試

產，明年 3月便可量產。至於新投入的可應用於光纖領

域的產品，預計明年第三季便可開發完成並進行試產。

穩懋半導體去年12月動土興建，今日舉行晶圓廠落

成啟用，者是領先同業跨入 6吋晶圓廠製造服務，預計

明年 3月便開始進入量產，2001年全產能將達 1萬片以

上的6吋晶圓。

穩懋半導體是全球首座 6吋晶圓專業生產砷化鎵的

晶圓廠，其無塵室區域超過 2萬平方英尺，滿載產能每

年約可量產10萬片 6吋晶圓，該公司自動化設備程度可

超過 80%，遠超過其他業者的 30%。

今日在開幕會場中展出一片 6吋2微米InGaPHBT

MMIC晶圓及6吋0.5微米pHEMT，另外也展示大尺寸 GaAs

晶圓製造上的晶圓晶背全套製程技術，一片 6吋晶圓厚

度僅有 100微米，領先台灣其他同業推出此製程技術。

穩懋半導體總經理吳展興表示，目前生產線日漸成

熟，也陸續接受客戶技術及品質驗證，計劃明年 3月開

始量產，2001年全年產能將可達到1萬片6吋晶圓，並在

2002年年底前快速提昇產能，屆時將可達到3萬片6吋晶

圓產出，2004年年底前完成10萬片 6吋晶圓目標。

全球首座專業生產6吋砷化鎵微波磊晶片(GaAs MMIC)晶圓的穩懋半導體，在歷經二個月的生產設備及製程測試後，於昨(15)日宣布已成功產出全亞洲的第一片6吋2微米磷化銦鎵異質介面雙極性電晶體(InGaP HBT) MMIC 晶圓。預計於明(90)年第一季開始量產，在91年年產能達到3.6萬片晶圓，待晶圓一廠全面量產後，預估年產能可擴增達10萬片。穩懋除在 HBT 製程有階段性的成果外，在砷化銦鎵應變式高電子遷移率電晶體(pHEMT)產品的製程技術也在試產階段，預計在月底前會有所成績。

穩懋半導體甫於去(88)年11月成立，實收資本額18億元，目前正在辦理現金增資作業，預計年底前增資至21億元，並於明(90)年起申請輔導上市(櫃)。

公司總經理吳展興表示，砷化鎵積體電路特有的高頻特性及應用為一般矽鍺(SiGe)所無法取代，由於量產技術的門檻較高，且良率提升不易，全球現有的6吋廠都處於萌芽階段，僅有位於美國的Anadigics、 Motorola、 Lockheed-Martin Sanders，以及歐洲的 Infineon、Filtronic 等公司，但大都處於建廠裝機及試產階段，但真正進入量產的則非常少。穩懋以先進的技術建立6吋晶圓代工服務的能力，將可達到降低成本、增加產能、縮短製造工時，積極搶佔目前市場規模達20億美元，且每年成長幅度逾30%的砷化鎵市場。

其中 HBT 主要應用於高階個人通訊服務(PCS)如大哥大，廣範應用於低頻的無線產品如雙向呼叫器、無線區域性網絡(WLAN)，另外也包括光纖高速IC的產品。而 pHEMT 可應用於快速成長中的點對多點區域性分佈服務(LMDS)、衛星通訊(SATCOM and VSAT)、汽車業的感應系統(防撞)和點對點基地台的聯繫，也可應用於光纖電子業、固網通訊及特低干擾 CATV 調頻系統。穩懋估計在未來三、四年內，全球每年將需要超過100萬片以上6吋高效能的 MMIC 晶圓產能。

(經濟日報 23版) (電子時報 19版)

鉅亨網記者張建仁／新竹科學園區˙11月16日 11/16 09:11

全球首座專業從事六吋砷化鎵微波晶片晶圓的穩懋

半導體，已成功產出第一片六吋2微米InGaP MMIC晶圓

，而砷化鎵應變式高電子遷移率電晶體 (PHEMT)11月底

將有成績，明年第一季量產。

穩懋成功試產出六吋砷化鎵MMIC晶圓，此產品技術

可提供手機、GPRS、第三代無線通訊及高效能的高功率

放大器。該公司除了HBT製程有所突破外，PHEMT產品製

程技術也在試產階段，預計月底將有成果，明年第一季

將可量產。

該公司表示，2002年前將可完成第一階段年產能目

標，達到3萬片六吋晶圓，晶圓一廠全面量產後，年產

能將可擴增至數十萬片。

穩懋總經理吳展興表示，穩懋目前核心技術包含此

次試產成功的2微米的InGaP HBT及先進的0.15,0.25及

0.35微米PHEMT和1微米HBT。HBT主要應用於高階個人通

訊服務及應用於低頻無線產品，如雙向呼叫器、無線區

域網路及光纖高速IC。PHEMT可應用於點對多點區域性

分布服務、衛星通訊、點對點基地台服務、光纖電子元

件及固網通訊。

由於使用砷化鎵原料製成的高速通訊器材、無線射

頻IC需求度不斷提升，台灣多家業者開始加入砷化鎵磊

晶圓製造行列，桃園的穩懋半導體15日便宣布將開設全

球首家 6吋砷化鎵磊晶圓代工廠，預計本月開工，明年

可全面進入量產。

穩懋創辦人多是朗訊 (LU;Lucent)、飛利浦(PHIL;

(Philips)、TRA等知名機構的高級主管，成立迄今僅一

年的時間，其執行長Chan-shin Wu表示，「我們是全球

第一家砷化鎵磊晶圓代工廠商」，而且已吸引20多家企

業與該公司接洽，許多IDM (整合元件大廠)都希望將穩

懋納為他們的第二供貨來源。

穩懋新廠造價約 1億美元，每年可生產10萬片砷化

鎵磊晶圓，HBT(異質接面雙極性電晶體磊晶圓)、PHEMT

(分化銦鎵應變式高電子遷移率電晶體)尤其是該公司專

精項目。

由於砷化鎵磊晶圓製造可以複製台灣早已成型矽晶

圓生產經驗，業界觀察家指出，現知台灣約有10家公司

準備在明年進軍砷化鎵加工服務業。

如宏捷科技目前已有一座 4吋砷化鎵磊晶圓製造廠

，宏捷並與美國科勝訊系統 (CNXT;Conexant)簽約結盟

，準備在此領域裡大展鴻圖。

穩懋半導體股份有限公司在去年十月成立，目前參與投資者有明碁電腦、三菱集團、中華開發等，所以公司資本相當雄厚。該公司以提供寬頻通訊IC晶圓專業代工服務為主，採用砷化鎵(GaAs)HBT(異質介面雙極性電晶體)與 PHEMT(砷化銦鎵應變式高電子遷移率電晶體)MMIC二種技術，而HBT主要應用在手機製造上，PHEMT則應用在固網、寬頻、無線通訊上，目前穩懋已在林口華亞科技園區購地建廠，預計今年六月建廠完成，預計明年第一季可以量產，提供全球無線通訊、資訊、及網路(Wireless、Information、NetWorking)等MMIC的晶圓零組件市場。

由於寬頻應用領域越來越廣，而之前Nokia預估2002年手機需求量為3.6億支，現已修正為10億支，而每支手機會放2-3顆HBT，所以需要砷化鎵晶片的量很大，因此公司發展機會很大。行動通訊的演進，由於有高頻特性的半導體電晶體及積體電路，目前已由低頻轉為高頻，窄頻轉為寬頻，而由最初的單一通訊功能演變為至今的多項加值型服務功能。而該公司選在此時成立，將為無線通訊市場注入一股新的活力。

該公司在技術層面著重於GaAs製造、電子及MMIC的研究、設計與量產，穩懋半導體將為亞洲第一座擁有六吋製程砷化鎵(GaAs)晶圓代工廠，預計產能達六萬片砷化鎵(GaAs)晶圓，目前全球也只有五家公司擁有此項技術。

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