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汎銓科技(上)公司新聞
汎銓科技（MSS）開發新一代穿透式電子顯微鏡液態樣品乘載元件（TEM liquid cell），能對液態樣品中奈米成分進行穿透電顯觀察，為檢測「液態」樣品的最佳載具。
此項學界合作專案，是利用微機電製程搭配前瞻二維材料技術製作乘載元件，突破液態樣品在真空中觀察的限制，改善以往液態樣品進行TEM檢測時須進行乾燥樣品，所面臨的不便與失真及高成本等問題，避免奈米粒子在乾燥過程中發生聚集，而影響到直接觀測液體內奈米粒子的粒徑分布、型態、團聚及粒子濃度狀況，具有競爭力。
此一專利技術應用很廣，例如油類（工業）、液體（化工）、乳液（化妝品）以及懸浮粒子液體原料（半導體業研磨液）等各種液態樣品觀測，重現奈米粒子在液體內的真實樣貌。而此創新的技術相較於其他現有的電子顯微鏡液態樣品觀察技術，其克服以往在觀測濕式環境下之奈米粒子影像不佳之問題，特別針對非導體樣品提供更精細的解析度。運用此TEM液態樣品乘載元件，汎銓提供客戶多樣創新的TEM液態分析服務，在電子顯微鏡檢測領域開創全新市場，布局多元產業。
歐美國際組織均有標準規範討論食品藥物應用奈米科技的風險及功效評估，如何在液態產品（例如防曬乳、面膜、乳霜、醫療藥漿與血液）中進行奈米粒子的尺度與形貌測定為重要課題，該技術可針對上述液態產品的奈米成分進行清晰的影像觀察及成分分析，對台灣推動生技產業發展、奈米藥物開發將有創新的貢獻。
汎銓專精於材料分析及IC電路修補，過去平均年成長達二成，去年更創下成長近四成的歷來最佳成績。儘管目前接單滿手，未來3-5年公司成長無虞，仍積極布局新一代技術，厚植更強動能。董事長柳紀綸表示，為持續深耕茁壯，除了不斷投入研發材料分析相關技術，近期也將轉投資成立生技公司，延續10年來累積的能量，再適時加入新團隊新人才，擴大業務領域。（翁永全）
此項學界合作專案，是利用微機電製程搭配前瞻二維材料技術製作乘載元件，突破液態樣品在真空中觀察的限制，改善以往液態樣品進行TEM檢測時須進行乾燥樣品，所面臨的不便與失真及高成本等問題，避免奈米粒子在乾燥過程中發生聚集，而影響到直接觀測液體內奈米粒子的粒徑分布、型態、團聚及粒子濃度狀況，具有競爭力。
此一專利技術應用很廣，例如油類（工業）、液體（化工）、乳液（化妝品）以及懸浮粒子液體原料（半導體業研磨液）等各種液態樣品觀測，重現奈米粒子在液體內的真實樣貌。而此創新的技術相較於其他現有的電子顯微鏡液態樣品觀察技術，其克服以往在觀測濕式環境下之奈米粒子影像不佳之問題，特別針對非導體樣品提供更精細的解析度。運用此TEM液態樣品乘載元件，汎銓提供客戶多樣創新的TEM液態分析服務，在電子顯微鏡檢測領域開創全新市場，布局多元產業。
歐美國際組織均有標準規範討論食品藥物應用奈米科技的風險及功效評估，如何在液態產品（例如防曬乳、面膜、乳霜、醫療藥漿與血液）中進行奈米粒子的尺度與形貌測定為重要課題，該技術可針對上述液態產品的奈米成分進行清晰的影像觀察及成分分析，對台灣推動生技產業發展、奈米藥物開發將有創新的貢獻。
汎銓專精於材料分析及IC電路修補，過去平均年成長達二成，去年更創下成長近四成的歷來最佳成績。儘管目前接單滿手，未來3-5年公司成長無虞，仍積極布局新一代技術，厚植更強動能。董事長柳紀綸表示，為持續深耕茁壯，除了不斷投入研發材料分析相關技術，近期也將轉投資成立生技公司，延續10年來累積的能量，再適時加入新團隊新人才，擴大業務領域。（翁永全）
半導體下半年景氣出現雜音，但各晶圓廠在先進製程持續投入研發，對專精於材料分析及IC電路修補的汎銓科技（MSS）而言，對未來樂觀看待。以目前狀況，全年營收不僅將呈二位數增長，甚至可望出現逾30% 的佳績。
機台最先進
獲客戶信賴
在16奈米以下製程技術的材料分析與IC電路修補，技術門檻之高不難想見，汎銓總經理柳紀綸表示，汎銓擁有最優秀的工程團隊，穩定度與經驗累積領先同業，機台也最先進；「以最好的技術、設備及服務來滿足客戶需求的經營定位，獲得客戶信賴。」
汎銓以全面服務來滿足客戶需求，今年資本支出仍超過一億元，是國內業界唯一同時擁有日系及歐美系TEM設備的專業分析服務公司。
材料分析主管周學良表示，半導體製程研發腳步演進微縮至20╱16╱10nm，元件尺寸不斷變小，電晶體從平面式轉變到3D，使得TEM穿透式電子顯微鏡（Transmission electron microscopy）試片製備難度越來越高，TEM試片厚度需小於15nm以下。
汎銓不斷提升TEM試片製備能力及強化TEM成份（元素）分析能力，TEM試片厚度製備能力已達15奈米以下，是先進製程開發的最佳後盾。他表示，以去年引進FEI OSIRIS TEM為例，配備四個對稱的EDS SDD（Silicon drift detectors）偵測器，取得更低的元素偵測極限、更佳的mapping及 linescan空間解析度，以及更好mapping的訊噪比，並提供更穩定的元素半定量分析，為國內先進製程客戶在TEM EDS成分分析唯一認可的平台。
IC電路修補
良率大躍進
IC電路修補主管李基榮表示，為提供IC設計大廠在尖端IC電路修補的技術支援，2013年底汎銓率先引進最先進的聚焦離子束機台FEI V400ACE，工程人員以熟練的IC電路修補技術，有能力切斷或連接28╱20╱16nm製程IC至最深層極小Ml導線。
他表示，尖端28╱20╱16nm IC電路的修補技術有二大挑戰：線寬尺寸小與介電層（IMD╱ILD, inter metal dielectric╱inter layer dielectric）結構與材料脆弱。因應線寬尺寸小，需要高精密定位與取得清楚的操作影像；介電層結構與材料脆弱，離子束蝕刻或沈積都容易造成打擊損傷，造成元件特性改變或阻抗改變，IC無法正常運作。
汎銓具備豐富經驗，輔以先進設備，如虎添翼，多次成功完成客戶原以為無法修補的案件，良率大幅上升，有效縮短IC設計debug時間，贏得好評。
柳紀綸指出，維持員工士氣與穩定性，才能在技術專業領先同業，贏得客戶滿意度，為汎銓永續經營的不二法門；在開發材料分析及IC電路修補新世代製程分析技術時，更率先投資最先進機台。汎銓對於「員工高向心力、高穩定性、離職率低於同業、機密資訊管控獲國內大廠肯定」相當自豪；人員經驗累積與技術傳承是不變的策略，為汎銓主要的競爭優勢。
機台最先進
獲客戶信賴
在16奈米以下製程技術的材料分析與IC電路修補，技術門檻之高不難想見，汎銓總經理柳紀綸表示，汎銓擁有最優秀的工程團隊，穩定度與經驗累積領先同業，機台也最先進；「以最好的技術、設備及服務來滿足客戶需求的經營定位，獲得客戶信賴。」
汎銓以全面服務來滿足客戶需求，今年資本支出仍超過一億元，是國內業界唯一同時擁有日系及歐美系TEM設備的專業分析服務公司。
材料分析主管周學良表示，半導體製程研發腳步演進微縮至20╱16╱10nm，元件尺寸不斷變小，電晶體從平面式轉變到3D，使得TEM穿透式電子顯微鏡（Transmission electron microscopy）試片製備難度越來越高，TEM試片厚度需小於15nm以下。
汎銓不斷提升TEM試片製備能力及強化TEM成份（元素）分析能力，TEM試片厚度製備能力已達15奈米以下，是先進製程開發的最佳後盾。他表示，以去年引進FEI OSIRIS TEM為例，配備四個對稱的EDS SDD（Silicon drift detectors）偵測器，取得更低的元素偵測極限、更佳的mapping及 linescan空間解析度，以及更好mapping的訊噪比，並提供更穩定的元素半定量分析，為國內先進製程客戶在TEM EDS成分分析唯一認可的平台。
IC電路修補
良率大躍進
IC電路修補主管李基榮表示，為提供IC設計大廠在尖端IC電路修補的技術支援，2013年底汎銓率先引進最先進的聚焦離子束機台FEI V400ACE，工程人員以熟練的IC電路修補技術，有能力切斷或連接28╱20╱16nm製程IC至最深層極小Ml導線。
他表示，尖端28╱20╱16nm IC電路的修補技術有二大挑戰：線寬尺寸小與介電層（IMD╱ILD, inter metal dielectric╱inter layer dielectric）結構與材料脆弱。因應線寬尺寸小，需要高精密定位與取得清楚的操作影像；介電層結構與材料脆弱，離子束蝕刻或沈積都容易造成打擊損傷，造成元件特性改變或阻抗改變，IC無法正常運作。
汎銓具備豐富經驗，輔以先進設備，如虎添翼，多次成功完成客戶原以為無法修補的案件，良率大幅上升，有效縮短IC設計debug時間，贏得好評。
柳紀綸指出，維持員工士氣與穩定性，才能在技術專業領先同業，贏得客戶滿意度，為汎銓永續經營的不二法門；在開發材料分析及IC電路修補新世代製程分析技術時，更率先投資最先進機台。汎銓對於「員工高向心力、高穩定性、離職率低於同業、機密資訊管控獲國內大廠肯定」相當自豪；人員經驗累積與技術傳承是不變的策略，為汎銓主要的競爭優勢。
很多人都聽過，成功的國際企業以加油站倉庫或地下室車庫為草創據點，終於成就偉業的傳奇故事，對於汎銓科技（MSS）而言，以10年時間，在材料分析及IC電路修補領域嶄露頭角，則有全然不同的起點與發展情節。
技術實力提升
客戶信賴
時間向前推移至2005年，汎銓總經理柳紀綸、負責先進製程分析技術的副總陳榮欽博士，及專責營運事務的廖永順處長三人，在竹科內速食店的一場聚會，催生了汎銓科技。在此之前，柳紀綸服務於IC設計業，陳榮欽及廖永順則曾任職於台積電，專攻良率提升及製程，三人由於背景相仿，有共同的語言及理念，且專業領域完全互補，因此成為默契十足的經營鐵三角。
柳紀綸回想，當時的創業理念是要提供半導體廠及IC設計公司所需的工程服務。為了讓汎銓具備更完整的實力，補足在材料分析的最重要一塊拼圖，他「三顧茅廬」，終於說服陳榮欽加入。此過程加上往後「十年磨一劍」的努力，終使汎銓成功卡位半導體產業，國內產業供應鏈也增加一名實力派的成員。
10年間，汎銓的變化不可不謂大，成員從初期不到10人增至目前120多人，營收也有數十倍成長。陳榮欽主導先進製程分析技術研發，以符合客戶的需求，他表示，10年前，180 及130奈米製程為市場主流，目前先進製程已進展至10及7奈米。汎銓在每個技術世代都跟上腳步，人員技術實力提升及持續導入先進設備，獲得客戶的信賴、持續成長。
重視人才養成
利潤分享
將製程分析技術的機密保護提升至「國安」等級， 更是汎銓近期的大事。柳紀綸強調，防堵機密技術及資料外洩，始終是科技業的一個重要課題。去年第三季起，汎銓員工及訪客進入工作區，手機都得貼上保密貼；特定人員才能進出的重點區域，則由金屬閘門來過濾把關。
汎銓的機密保護措施紮實到位，是基於正直誠信原則，與客戶簽立NDA，保障其重要資料，包括樣品存放與案件分析結果等保密協定。實驗室外加強設置金屬探測門、防尾隨閘門及3G訊號遮斷器，全面防堵任何儲存記憶、攝錄及通訊設備，嚴格管控人員進出實驗室。汎銓對技術及服務的專注甚至超乎客戶期望。柳紀綸強調，員工報到的第一課，就是要先熟悉及接受相關的保密訓練。
汎銓視人才為企業最大資產，重視人才養成，並落實利潤分享員工。其薪資與福利向來令同業欣羡，大學畢業新進員工努力三年，年薪翻倍、晉升百萬元並非難事。
為了舒解工作壓力，公司內設置有10多張床位的休息室設施，體恤員工為業界少見；每人年度旅遊津貼高達2萬5,000元，也是科技業罕見。
國內外主要半導體廠、LED廠、IC設計業及半導體材料設備商都是汎銓的長期客戶。廖永順表示，台積電是台灣半導體發展的火車頭，大廠帶動下游材料及設備商，效應十分明顯。
汎銓的創業之路堪稱順遂，獲利成績亮麗，但2009年是唯一的例外。
柳紀綸指出，當年雷曼事件吞噬全球，又遭逢股東出走，另立門戶打對台，是創業過程當中的小挫折，顯見創業絕不是浪漫的過程，但汎銓只受到雲淡風輕的影響。
技術實力提升
客戶信賴
時間向前推移至2005年，汎銓總經理柳紀綸、負責先進製程分析技術的副總陳榮欽博士，及專責營運事務的廖永順處長三人，在竹科內速食店的一場聚會，催生了汎銓科技。在此之前，柳紀綸服務於IC設計業，陳榮欽及廖永順則曾任職於台積電，專攻良率提升及製程，三人由於背景相仿，有共同的語言及理念，且專業領域完全互補，因此成為默契十足的經營鐵三角。
柳紀綸回想，當時的創業理念是要提供半導體廠及IC設計公司所需的工程服務。為了讓汎銓具備更完整的實力，補足在材料分析的最重要一塊拼圖，他「三顧茅廬」，終於說服陳榮欽加入。此過程加上往後「十年磨一劍」的努力，終使汎銓成功卡位半導體產業，國內產業供應鏈也增加一名實力派的成員。
10年間，汎銓的變化不可不謂大，成員從初期不到10人增至目前120多人，營收也有數十倍成長。陳榮欽主導先進製程分析技術研發，以符合客戶的需求，他表示，10年前，180 及130奈米製程為市場主流，目前先進製程已進展至10及7奈米。汎銓在每個技術世代都跟上腳步，人員技術實力提升及持續導入先進設備，獲得客戶的信賴、持續成長。
重視人才養成
利潤分享
將製程分析技術的機密保護提升至「國安」等級， 更是汎銓近期的大事。柳紀綸強調，防堵機密技術及資料外洩，始終是科技業的一個重要課題。去年第三季起，汎銓員工及訪客進入工作區，手機都得貼上保密貼；特定人員才能進出的重點區域，則由金屬閘門來過濾把關。
汎銓的機密保護措施紮實到位，是基於正直誠信原則，與客戶簽立NDA，保障其重要資料，包括樣品存放與案件分析結果等保密協定。實驗室外加強設置金屬探測門、防尾隨閘門及3G訊號遮斷器，全面防堵任何儲存記憶、攝錄及通訊設備，嚴格管控人員進出實驗室。汎銓對技術及服務的專注甚至超乎客戶期望。柳紀綸強調，員工報到的第一課，就是要先熟悉及接受相關的保密訓練。
汎銓視人才為企業最大資產，重視人才養成，並落實利潤分享員工。其薪資與福利向來令同業欣羡，大學畢業新進員工努力三年，年薪翻倍、晉升百萬元並非難事。
為了舒解工作壓力，公司內設置有10多張床位的休息室設施，體恤員工為業界少見；每人年度旅遊津貼高達2萬5,000元，也是科技業罕見。
國內外主要半導體廠、LED廠、IC設計業及半導體材料設備商都是汎銓的長期客戶。廖永順表示，台積電是台灣半導體發展的火車頭，大廠帶動下游材料及設備商，效應十分明顯。
汎銓的創業之路堪稱順遂，獲利成績亮麗，但2009年是唯一的例外。
柳紀綸指出，當年雷曼事件吞噬全球，又遭逢股東出走，另立門戶打對台，是創業過程當中的小挫折，顯見創業絕不是浪漫的過程，但汎銓只受到雲淡風輕的影響。
晶圓代工大廠預告明年仍將維持高資本支出，材料分析及IC電路修補專業廠汎銓科技，在設備投資上亦密切跟上客戶需求的腳步，今年引進FEI OSIRIS TEM設備，與市場零時差，提供更高端的分析服務給客戶。
FEI OSIRIS TEM大幅提升能量分散分析光譜（EDS；Energy-Dispersive X-ray spectroscopy）分析能力，提供更高品質的ZC（atomic number contrast）影像。半導體製程微縮至20/16/10nm，元件不斷變小，電晶體從平面式轉變到3D，TEM試片製備的也難度越來越高。汎銓持續提升TEM試片製備能力及強化TEM成份分析能力，滿足先進製程開發需求。
FEI OSIRIS TEM配備四個對稱的EDS SDD（Silicon drift detectors）偵測器，有更低的元素偵測極限、更佳的mapping & linescan空間解析度，與更好mapping的訊噪比；提供更穩定的元素半定量分析，成為先進製程客戶在ZC影像及成份分析功能最佳的TEM分析平台。
汎銓是國內唯一同時擁有日系及歐美系TEM設備的專業分析服務公司，取得全面性服務的優勢。其工程人員穩定度與經驗累積也領先同業，堅持以最好的技術、設備及服務來滿足客戶需求，獲得客戶信賴。（翁永全）
FEI OSIRIS TEM大幅提升能量分散分析光譜（EDS；Energy-Dispersive X-ray spectroscopy）分析能力，提供更高品質的ZC（atomic number contrast）影像。半導體製程微縮至20/16/10nm，元件不斷變小，電晶體從平面式轉變到3D，TEM試片製備的也難度越來越高。汎銓持續提升TEM試片製備能力及強化TEM成份分析能力，滿足先進製程開發需求。
FEI OSIRIS TEM配備四個對稱的EDS SDD（Silicon drift detectors）偵測器，有更低的元素偵測極限、更佳的mapping & linescan空間解析度，與更好mapping的訊噪比；提供更穩定的元素半定量分析，成為先進製程客戶在ZC影像及成份分析功能最佳的TEM分析平台。
汎銓是國內唯一同時擁有日系及歐美系TEM設備的專業分析服務公司，取得全面性服務的優勢。其工程人員穩定度與經驗累積也領先同業，堅持以最好的技術、設備及服務來滿足客戶需求，獲得客戶信賴。（翁永全）
汎銓科技全新引進 FEI OSIRIS TEM設備，大幅提升EDS（Energy-dispersive X-ray spectroscopy能量分散分析光譜）分析能力，提供更高品質的 ZC（atomic number contrast）影像。
汎銓專精於材料分析及IC電路修補，近年在各種先進分析設備的投資額皆以億元計，顯示出資本與技術密集的行業特性。汎銓的所有投資均經縝密的規劃，包括因應市場發展的提前布局及各項先進設備投入的時間點，以配合客戶需求為前提，不同於一般製造業的「稼動率」觀念。汎銓肯投資，在最短時間內完成客戶交付的任務，追求效率與堅持品質，取得客戶的信任委案，進而創造業績及獲利。
材料分析主管周學良表示，半導體製程研發腳步演進微縮至20/16/10nm，元件尺寸不斷變小，電晶體從平面式轉變到3D，使得TEM 試片製備難度越來越高。汎銓不斷提升TEM試片製備能力及強化TEM 成份(元素)分析能力，具備15奈米以下TEM試片厚度製備能力，滿足先進製程開發需求。
汎銓為目前國內業界唯一同時擁有日系及歐美系TEM 設備的專業分析服務公司，更全面服務來滿足客戶。工程人員的穩定度與經驗領先同業，機台也最先進，「以最好的技術、設備及服務來滿足客戶需求」的經營定位，獲得客戶信賴。
汎銓專精於材料分析及IC電路修補，近年在各種先進分析設備的投資額皆以億元計，顯示出資本與技術密集的行業特性。汎銓的所有投資均經縝密的規劃，包括因應市場發展的提前布局及各項先進設備投入的時間點，以配合客戶需求為前提，不同於一般製造業的「稼動率」觀念。汎銓肯投資，在最短時間內完成客戶交付的任務，追求效率與堅持品質，取得客戶的信任委案，進而創造業績及獲利。
材料分析主管周學良表示，半導體製程研發腳步演進微縮至20/16/10nm，元件尺寸不斷變小，電晶體從平面式轉變到3D，使得TEM 試片製備難度越來越高。汎銓不斷提升TEM試片製備能力及強化TEM 成份(元素)分析能力，具備15奈米以下TEM試片厚度製備能力，滿足先進製程開發需求。
汎銓為目前國內業界唯一同時擁有日系及歐美系TEM 設備的專業分析服務公司，更全面服務來滿足客戶。工程人員的穩定度與經驗領先同業，機台也最先進，「以最好的技術、設備及服務來滿足客戶需求」的經營定位，獲得客戶信賴。
為滿足半導體大廠對尖端IC電路修補的技術需求，汎銓科技去年底引進最先進的聚焦離子束機台FEI V400ACE，應用於國內IC設計大廠的最先進20nm IC，今年1月電性測試證實，已率先成功完成20nm製程電路修補，符合客戶預期。
汎銓專注於電路修補服務與技術開發，工程人員穩定度與經驗累積領先同業，以最好的技術、設備及服務來滿足客戶需求。
在材料分析方面，隨著半導體製程演進微縮至20/16/10nm，一般SEM/FIB/TEM影像已無法滿足分析需求，需藉由成份（元素）分析資訊輔助觀察製程缺陷及製程研發改善效果，此需求及依賴性，隨著製程微縮越來越高。
汎銓為此也引進先進設備及軟體，強化元素分佈（element mapping）分析能力。近期購置台灣第一台EDS（Energy dispersive Spectrum）SDD（Solid Drift Detector）150mm偵測器，裝置於高階SEM/FIB，帶來超高偵測效益，並降低元素偵測極限。在輕元素部分，可大幅度改進，提高元素分佈分析空間的解析度達幾十奈米等級，取得更快的分析時效；TEM元素分佈分析能力也不斷提升，符合先進製程開發的需求。
汎銓投資先進機台，為業界領先者，深信維持人員穩定性，才能在專業度領先同業，為客戶滿意的不二法門。除了自豪於員工年薪一直高於同業，離職率低於同業，人員經驗累積與技術傳承，更是汎銓重要的策略與競爭優勢。電話（03）666-3298，網址：www.msscorps.com。
汎銓專注於電路修補服務與技術開發，工程人員穩定度與經驗累積領先同業，以最好的技術、設備及服務來滿足客戶需求。
在材料分析方面，隨著半導體製程演進微縮至20/16/10nm，一般SEM/FIB/TEM影像已無法滿足分析需求，需藉由成份（元素）分析資訊輔助觀察製程缺陷及製程研發改善效果，此需求及依賴性，隨著製程微縮越來越高。
汎銓為此也引進先進設備及軟體，強化元素分佈（element mapping）分析能力。近期購置台灣第一台EDS（Energy dispersive Spectrum）SDD（Solid Drift Detector）150mm偵測器，裝置於高階SEM/FIB，帶來超高偵測效益，並降低元素偵測極限。在輕元素部分，可大幅度改進，提高元素分佈分析空間的解析度達幾十奈米等級，取得更快的分析時效；TEM元素分佈分析能力也不斷提升，符合先進製程開發的需求。
汎銓投資先進機台，為業界領先者，深信維持人員穩定性，才能在專業度領先同業，為客戶滿意的不二法門。除了自豪於員工年薪一直高於同業，離職率低於同業，人員經驗累積與技術傳承，更是汎銓重要的策略與競爭優勢。電話（03）666-3298，網址：www.msscorps.com。
汎銓TEM分析能力 與世界級實驗室同一水準服務技術及時效領先 成為半導體大廠策略夥伴
汎銓科技專精於半導體尖端製程技術的研發分析服務，為IC Design House、FAB、半導體設備商及LED產業的長期夥伴，配合客戶需求，提供各種材料分析及IC電路修補，受到高度信賴。
汎銓建置有高解析度FE-SEM、FIB、TEM等材料結構分析儀器，以及OBIRCH、InGaAs等電性故障分析儀器，並有IC設計電路修補儀器等先進設備，能協助客戶找出缺陷和故障成因，加速產品商業化。
材料分析部門主管周學良表示，隨著半導體製程演進，台灣及國際半導體廠已邁入20/22nm 及14/16nm生產及研發的世代，汎銓不斷投入設備及研發來提升分析技術能力，符合先進製程需求。汎銓更嘗試向最高難度的技術挑戰，以市面上最先進的Intel 22nm CPU （Ivy bridge CUP）進行TEM 分析，結果證明，該公司的TEM 分析能力不但與世界級實驗室同一水準，時效上的領先更獲得客戶認同。
一般TEM試片的厚度約100nm，但14~22nm製程則需具備超薄TEM 試片厚度的製備能力，汎銓早已具備此分析能力，能滿足16~22nm 先進製程的需求。而隨著製程微縮至14~22nm，一般TEM影像已無法滿足分析需求，必需藉由成份（元素）的分析資訊輔助觀察，該公司特別購置最先進的Windowless EDS 偵測器，強化元素分佈（element mapping）分析的能力。
清華大學陳福榮教授為電子顯微鏡研究領域的專家，今年年初汎銓敦請他擔任榮譽顧問。陳福榮在高顯像能電子顯微鏡、積體電路微結構分析、固體界面原子結構偏折及鍵結、原子分辨率斷層攝影學、先進電子光學儀器設計研發、軟物質電子顯微學（相位板／濕胞顯微術）、電致色變智慧節能窗、太陽能電池元件製程等方面，具有突出的成就和顯著貢獻，因而享有聲譽。
汎銓表示，在陳福榮教授的協助下，將進一步精進公司在電子顯微鏡、積體電路微結構分析、固體界面原子結構偏折及鍵結等材料分析領域的技術能力，提升服務客戶的能量與深度。
維持人員的穩定性，累積經驗與技術傳承，為汎銓重要的策略與競爭優勢。汎銓很自豪於員工年薪一直高於同業，離職率低於同業，深信並澈底實踐:維持人員穩定性才能在專業度領先同業，也是讓客戶滿意的不二法門。
汎銓科技（MSS）以奈米碳管結構做為LOGO，期盼所有成員就像奈米碳管中的碳原子，緊密結合、強韌延展，持續強化專業及熱忱特質，成為客戶研發分析的長期夥伴。汎銓參加2013國際半導體展參展，攤位號碼404，電話（03）666-3298，http://www.msscorps.com/。
汎銓科技專精於半導體尖端製程技術的研發分析服務，為IC Design House、FAB、半導體設備商及LED產業的長期夥伴，配合客戶需求，提供各種材料分析及IC電路修補，受到高度信賴。
汎銓建置有高解析度FE-SEM、FIB、TEM等材料結構分析儀器，以及OBIRCH、InGaAs等電性故障分析儀器，並有IC設計電路修補儀器等先進設備，能協助客戶找出缺陷和故障成因，加速產品商業化。
材料分析部門主管周學良表示，隨著半導體製程演進，台灣及國際半導體廠已邁入20/22nm 及14/16nm生產及研發的世代，汎銓不斷投入設備及研發來提升分析技術能力，符合先進製程需求。汎銓更嘗試向最高難度的技術挑戰，以市面上最先進的Intel 22nm CPU （Ivy bridge CUP）進行TEM 分析，結果證明，該公司的TEM 分析能力不但與世界級實驗室同一水準，時效上的領先更獲得客戶認同。
一般TEM試片的厚度約100nm，但14~22nm製程則需具備超薄TEM 試片厚度的製備能力，汎銓早已具備此分析能力，能滿足16~22nm 先進製程的需求。而隨著製程微縮至14~22nm，一般TEM影像已無法滿足分析需求，必需藉由成份（元素）的分析資訊輔助觀察，該公司特別購置最先進的Windowless EDS 偵測器，強化元素分佈（element mapping）分析的能力。
清華大學陳福榮教授為電子顯微鏡研究領域的專家，今年年初汎銓敦請他擔任榮譽顧問。陳福榮在高顯像能電子顯微鏡、積體電路微結構分析、固體界面原子結構偏折及鍵結、原子分辨率斷層攝影學、先進電子光學儀器設計研發、軟物質電子顯微學（相位板／濕胞顯微術）、電致色變智慧節能窗、太陽能電池元件製程等方面，具有突出的成就和顯著貢獻，因而享有聲譽。
汎銓表示，在陳福榮教授的協助下，將進一步精進公司在電子顯微鏡、積體電路微結構分析、固體界面原子結構偏折及鍵結等材料分析領域的技術能力，提升服務客戶的能量與深度。
維持人員的穩定性，累積經驗與技術傳承，為汎銓重要的策略與競爭優勢。汎銓很自豪於員工年薪一直高於同業，離職率低於同業，深信並澈底實踐:維持人員穩定性才能在專業度領先同業，也是讓客戶滿意的不二法門。
汎銓科技（MSS）以奈米碳管結構做為LOGO，期盼所有成員就像奈米碳管中的碳原子，緊密結合、強韌延展，持續強化專業及熱忱特質，成為客戶研發分析的長期夥伴。汎銓參加2013國際半導體展參展，攤位號碼404，電話（03）666-3298，http://www.msscorps.com/。
汎銓科技因應半導體客戶未來幾年強勁需求，展開擴廠計畫，已新增200坪廠地，將建置最先進的材料分析檢測設備，積極邁入16nm及以下製程。
汎銓專注於材枓分析與IC電路修補，長期為半導體大廠在尖端製程技術研發與分析的策略夥伴，近年營業成長幅度約二成以上，除了晶圓代工大廠，IC Design House、半導體設備商及LED產業也是重要客群。
該公司表示，半導體高階製程朝向10奈米邁進，晶圓廠已展開龐大的擴廠與研發投資，因應半導體產業世代進步演進與分析服務的需求，汎銓在機台設備及人員技術經驗方面已做好萬全的準備。
汎銓近年引進一系列全球最先進的材料分析機台，包括Dual Beam FIB 450S（雙粒子束聚焦式離子束顯微切割儀）、高對比TEM（穿透式電子顯微鏡）、高解析度SEM（掃描式電子顯微鏡，0.9nm@1KV） 及高解析TEM（點解析0.19nm@200KV）等機台均超越同業，可提供16nm以下先進製程的分析；最先進的低角度背像電子（LaBe）影像技術，可供超低電壓之材料的表面對比，以及高量子效應的成分分析（EDS）先進偵測器提高Mapping速度與空間解析度達次微米（SEM<1um）及次奈米（TEM<1nm）水準。
在電性故障分析方面，則引進OBIRCH最先進的數位Lock-in技術，提升訊號對雜訊比，增加缺陷偵測成功率及定位精準度。（翁永全）
汎銓專注於材枓分析與IC電路修補，長期為半導體大廠在尖端製程技術研發與分析的策略夥伴，近年營業成長幅度約二成以上，除了晶圓代工大廠，IC Design House、半導體設備商及LED產業也是重要客群。
該公司表示，半導體高階製程朝向10奈米邁進，晶圓廠已展開龐大的擴廠與研發投資，因應半導體產業世代進步演進與分析服務的需求，汎銓在機台設備及人員技術經驗方面已做好萬全的準備。
汎銓近年引進一系列全球最先進的材料分析機台，包括Dual Beam FIB 450S（雙粒子束聚焦式離子束顯微切割儀）、高對比TEM（穿透式電子顯微鏡）、高解析度SEM（掃描式電子顯微鏡，0.9nm@1KV） 及高解析TEM（點解析0.19nm@200KV）等機台均超越同業，可提供16nm以下先進製程的分析；最先進的低角度背像電子（LaBe）影像技術，可供超低電壓之材料的表面對比，以及高量子效應的成分分析（EDS）先進偵測器提高Mapping速度與空間解析度達次微米（SEM<1um）及次奈米（TEM<1nm）水準。
在電性故障分析方面，則引進OBIRCH最先進的數位Lock-in技術，提升訊號對雜訊比，增加缺陷偵測成功率及定位精準度。（翁永全）
做為半導體產業尖端製程技術研發分析的長期夥伴，汎銓科技對於客戶委託的分析服務內容視為最高機密，嚴格保密的作業流程是汎銓讓客戶放心委託分析的一大原因，另一方面，汎銓以最先進的設備與成熟專精的分析技術，提供優良的服務而獲得客戶選擇與信賴。
汎銓成立7年以來一直著力於半導體產業的分析服務，專注於材料分析及IC電路修補，建置高解析度FE-SEM、FIB、TEM等材料結構分析儀器，OBIRCH、InGaAs等電性故障分析儀器及IC設計電路修補儀器等先進設備，協助客戶找出缺陷和故障成因，加速產品商業化。主力客戶包含IC Design House、FAB、半導體設備商及LED產業等。
材料分析部門主管周學良表示，隨著28奈米及以下先進製程需求熱絡，汎銓引進Dual Beam FIB 450S（雙粒子束聚焦式離子束顯微切割儀）及高對比TEM（穿透式電子顯微鏡）等全球最先進的材料分析機台，分析技術可達20奈米以下製程需求水準，超前同業，實驗室設備或人員的技術能力，完全跟上最先進製程的腳步。
汎銓擁有最高SEM（掃描式電子顯微鏡）解析度（0.9nm@1KV）及超高解析TEM（穿透式電子顯微鏡）點解析（0.19nm@ 200KV），可提供20nm以下先進製程的分析。最先進的低角度背像電子（LaBe）影像技術，可供超低電壓材料的表面對比，及高量子效應的成分分析（EDS）先進偵測器，提高Mapping速度與空間解析度達次微米（SEM小於1um）及次奈米（TEM小於1nm）水準。
在電性故障分析方面，則引進OBIRCH 最先進的數位Lock-in技術，提升訊號對雜訊比，增加缺陷偵測成功率及定位精準度。
IC電路修補部門主管李基榮表示，在40nm及以下先進製程的線路修補面臨介電層（ILD, inter layer dielectric）結構與材料脆弱的問題，容易受到離子束打擊損傷，造成電路短路或阻抗改變，IC無法正常運作，電路修補的良率偏低。汎銓研發新的電路修補工法與沈積特殊材料技術，用來減少離子束轟擊時間與補強受到離子束轟擊損傷的電路。此技術運用於先進製程的線路修補，良率大幅上升，有效縮短設計工程師Debug的時間，深獲IC設計公司好評。
汎銓近2年營收穩定成長，即使第四季景氣看法趨於保守，但一線大廠在下世代技術的研發仍如火如荼展開，汎銓在機台設備及人員技術經驗方面已做好萬全準備，有信心以專業及熱忱的服務，讓客戶滿意。
汎銓電話（03）666-3298，網址：www.msscorps.com，2012國際半導體展參展攤位號碼406。
汎銓成立7年以來一直著力於半導體產業的分析服務，專注於材料分析及IC電路修補，建置高解析度FE-SEM、FIB、TEM等材料結構分析儀器，OBIRCH、InGaAs等電性故障分析儀器及IC設計電路修補儀器等先進設備，協助客戶找出缺陷和故障成因，加速產品商業化。主力客戶包含IC Design House、FAB、半導體設備商及LED產業等。
材料分析部門主管周學良表示，隨著28奈米及以下先進製程需求熱絡，汎銓引進Dual Beam FIB 450S（雙粒子束聚焦式離子束顯微切割儀）及高對比TEM（穿透式電子顯微鏡）等全球最先進的材料分析機台，分析技術可達20奈米以下製程需求水準，超前同業，實驗室設備或人員的技術能力，完全跟上最先進製程的腳步。
汎銓擁有最高SEM（掃描式電子顯微鏡）解析度（0.9nm@1KV）及超高解析TEM（穿透式電子顯微鏡）點解析（0.19nm@ 200KV），可提供20nm以下先進製程的分析。最先進的低角度背像電子（LaBe）影像技術，可供超低電壓材料的表面對比，及高量子效應的成分分析（EDS）先進偵測器，提高Mapping速度與空間解析度達次微米（SEM小於1um）及次奈米（TEM小於1nm）水準。
在電性故障分析方面，則引進OBIRCH 最先進的數位Lock-in技術，提升訊號對雜訊比，增加缺陷偵測成功率及定位精準度。
IC電路修補部門主管李基榮表示，在40nm及以下先進製程的線路修補面臨介電層（ILD, inter layer dielectric）結構與材料脆弱的問題，容易受到離子束打擊損傷，造成電路短路或阻抗改變，IC無法正常運作，電路修補的良率偏低。汎銓研發新的電路修補工法與沈積特殊材料技術，用來減少離子束轟擊時間與補強受到離子束轟擊損傷的電路。此技術運用於先進製程的線路修補，良率大幅上升，有效縮短設計工程師Debug的時間，深獲IC設計公司好評。
汎銓近2年營收穩定成長，即使第四季景氣看法趨於保守，但一線大廠在下世代技術的研發仍如火如荼展開，汎銓在機台設備及人員技術經驗方面已做好萬全準備，有信心以專業及熱忱的服務，讓客戶滿意。
汎銓電話（03）666-3298，網址：www.msscorps.com，2012國際半導體展參展攤位號碼406。
擁有最好設備及成熟的技術經驗，汎銓科技專注於材料分析與IC電路修補，以備配有核磁共振影像設備的「健診中心」為比喻，再恰當不過。
汎銓聚焦於半導體及綠能產業，服務對象含IC design house、半導體、LED及PV產業，建置高解析度FE-SEM、TEM等結構分析儀器，OBIRCH、InGaAs等電性故障分析儀器及IC設計電路修補儀器等先進設備，協助客戶找出設計缺陷和故障成因，加速產品商業化。
汎銓處長廖永順表示，隨著28奈米及以下先進製程需求熱絡，晶圓廠已展開龐大的擴廠與研發投資，因應半導體產業世代進步演進與分析服務的需求，汎銓在機台設備及人員技術經驗方面已做好萬全的準備。
周學良處長表示，汎銓近年引進全球最先進的材料分析機台，Dual Beam FIB450S（雙粒子束聚焦式離子束顯微切割儀）及高對比TEM（穿透式電子顯微鏡），使材料分析分析技術可達到20nm以下製程需求的水準，超前同業。
汎銓擁有最高SEM（掃描式電子顯微鏡）解析度（0.9nm@1KV）及超高解析TEM（穿透式電子顯微鏡）點解析（0.19nm@200KV）均超越同業，可提供20nm以下先進製程的分析；最先進的低角度背像電子（LaBe）影像技術，可供超低電壓之材料的表面對比，以及高量子效應的成分分析（EDS），先進偵測器提高Mapping速度與空間解析度，達次微米（SEM<1um）及次奈米（TEM<1nm）水準。
在電性故障分析方面，則引進OBIRCH最先進的數位Lock-in技術，提升訊號對雜訊比，增加缺陷偵測成功率及定位精準度。
汎銓科技（MSS）以「材料分析業務」創業起步，創業者以MSS融合奈米碳管結構為LOGO，期盼員工有如奈米碳管中碳原子，緊密結合、強韌延展，持續強化專業及熱忱特質，成為客戶研發分析的長期夥伴。創業7年，技術經驗持續累積傳承，人員穩定性與專業度均領先同業；據了解，其員工年收入及各項福利制度優於同業水準，並以優異的經營績效，為股東創造更大報酬率。
汎銓電話（03）666-3298，網址：http://www.msscorps.com。
汎銓聚焦於半導體及綠能產業，服務對象含IC design house、半導體、LED及PV產業，建置高解析度FE-SEM、TEM等結構分析儀器，OBIRCH、InGaAs等電性故障分析儀器及IC設計電路修補儀器等先進設備，協助客戶找出設計缺陷和故障成因，加速產品商業化。
汎銓處長廖永順表示，隨著28奈米及以下先進製程需求熱絡，晶圓廠已展開龐大的擴廠與研發投資，因應半導體產業世代進步演進與分析服務的需求，汎銓在機台設備及人員技術經驗方面已做好萬全的準備。
周學良處長表示，汎銓近年引進全球最先進的材料分析機台，Dual Beam FIB450S（雙粒子束聚焦式離子束顯微切割儀）及高對比TEM（穿透式電子顯微鏡），使材料分析分析技術可達到20nm以下製程需求的水準，超前同業。
汎銓擁有最高SEM（掃描式電子顯微鏡）解析度（0.9nm@1KV）及超高解析TEM（穿透式電子顯微鏡）點解析（0.19nm@200KV）均超越同業，可提供20nm以下先進製程的分析；最先進的低角度背像電子（LaBe）影像技術，可供超低電壓之材料的表面對比，以及高量子效應的成分分析（EDS），先進偵測器提高Mapping速度與空間解析度，達次微米（SEM<1um）及次奈米（TEM<1nm）水準。
在電性故障分析方面，則引進OBIRCH最先進的數位Lock-in技術，提升訊號對雜訊比，增加缺陷偵測成功率及定位精準度。
汎銓科技（MSS）以「材料分析業務」創業起步，創業者以MSS融合奈米碳管結構為LOGO，期盼員工有如奈米碳管中碳原子，緊密結合、強韌延展，持續強化專業及熱忱特質，成為客戶研發分析的長期夥伴。創業7年，技術經驗持續累積傳承，人員穩定性與專業度均領先同業；據了解，其員工年收入及各項福利制度優於同業水準，並以優異的經營績效，為股東創造更大報酬率。
汎銓電話（03）666-3298，網址：http://www.msscorps.com。
光電、半導體的先進製程技術逐步從研發導入量產，帶動IC電路修補及材料分析更大的需求。汎詮科技總經理柳紀倫表示，汎詮台灣總部及上海分公司都將因此受惠，但目前科技業景氣尚未全面轉睛，IC電路修補及材料分析業務更存在著許多不可掌握的變數，，以現況估計，即使今年景氣持平，汎詮科技乃有把握成長二成。
柳紀綸指出，科技界對於次世代製程技術的研發及應用十分積極，半導體尤其明顯；汎詮去年年中，已感受到先進製程技術帶來的服務需求明顯增加。國際先進半導體大廠已開發量產28nm奈米製程，最新的電晶體製程技術也由原本2D進入3D製造，可提供速度更快更省電的電晶體。
後賈伯斯時代來臨，更多蘋陣營產品堀起，不讓蘋果專美於前，促使零件供應鏈向外擴散，國內若干IC設計廠今年業績因此看好。汎詮以先進的OBIRCH數位Lock-in技術來提高缺陷定位的精準度，以成熟的TEM（穿透式電子顯微鏡）技術解析失效點的結構、成分，協助IC設計公司及晶圓廠開發新設計與改善製程。
汎銓大手筆投資先進設備，在業界起了帶頭作用，甚至也跟進採用。汎詮最自豪的是，人員穩定性高，制度上軌道，員工亦享有較高年薪水準。面對今年的挑戰，柳紀倫說，在穩定的制度及人力下，持續提升競爭力為首要之務，至於IPO則不列入計畫。
柳紀綸指出，科技界對於次世代製程技術的研發及應用十分積極，半導體尤其明顯；汎詮去年年中，已感受到先進製程技術帶來的服務需求明顯增加。國際先進半導體大廠已開發量產28nm奈米製程，最新的電晶體製程技術也由原本2D進入3D製造，可提供速度更快更省電的電晶體。
後賈伯斯時代來臨，更多蘋陣營產品堀起，不讓蘋果專美於前，促使零件供應鏈向外擴散，國內若干IC設計廠今年業績因此看好。汎詮以先進的OBIRCH數位Lock-in技術來提高缺陷定位的精準度，以成熟的TEM（穿透式電子顯微鏡）技術解析失效點的結構、成分，協助IC設計公司及晶圓廠開發新設計與改善製程。
汎銓大手筆投資先進設備，在業界起了帶頭作用，甚至也跟進採用。汎詮最自豪的是，人員穩定性高，制度上軌道，員工亦享有較高年薪水準。面對今年的挑戰，柳紀倫說，在穩定的制度及人力下，持續提升競爭力為首要之務，至於IPO則不列入計畫。
近年環境保護意識高漲，綠色能源產業如太陽光電、LED 節能產品、儲氫電池等產業已成為各國發展重點，各國廠商無不努力加速發展相關技術。面對綠色能源產業崛起，汎銓科技已做好準備。該公司專精於材枓分析與IC電路修補，聚焦於半導體及綠能市場，在IC、LED、LCD、PV等上游產業嶄露頭角。
汎銓去年資本支出超過二億元，引進全球最先進的Dual Beam FIB 450S材料分析機台及FIB V600CE+ 電路修補等機台，此外亦率先採用OBIRCH數位Lock-in 技術，提高缺陷定位的精準度，應用在IC設計的除錯與太陽光電製程改善，展現深耕市場的決心。
汎銓服務的項目包括高解析度FE-SEM、TEM等結構分析儀器，OBIRCH、InGaAs等電性故障分析儀器及IC 設計電路修補儀器，服務的產業有IC design house、半導體產業、PV產業、LED產業等，協助客戶找出設計缺陷和故障成因，加速客戶產品商業化。
汎銓擁有最好的設備及成熟的技術經驗，以備配有核磁共振影像設備的「健診中心」為比喻，再恰當不過。其TEM(穿透式電子顯微鏡)分析技術可達到20nm製程需求的水準，超前同業；擁有最高SEM（掃描式電子顯微鏡）解析度（0.9nm@1KV）之DB FIB(雙粒子束聚焦式離子束顯微切割儀)亦超越同業，符合先進製程分析需求。
SEM分析技術亦可提供客戶20nm以下製程的分析需求，擁有最先進的低角度背像電子（LaBe）影像技術，供超低電壓之材料的表面對比，SEM成分分析（EDS）亦提供先進設備提高的Mapping速度與解析度達次微米水準（小於1um）。在電性故障分析則增加OBIRCH 最先進的數位Lock-in技術，提高缺陷定位的精準度，大量應用在太陽光電CIGS缺陷定位與製程改善。
汎銓成立的時間在業界排第三，專注於材料分析及電路修補，專業領先同業。未來將持續購置最高階的先進設備機台，強化內部研發與人員訓練，繼續保持在失效分析的領先地位。汎銓電話（03）666-3298，網址：http://www.msscorps.com。
汎銓去年資本支出超過二億元，引進全球最先進的Dual Beam FIB 450S材料分析機台及FIB V600CE+ 電路修補等機台，此外亦率先採用OBIRCH數位Lock-in 技術，提高缺陷定位的精準度，應用在IC設計的除錯與太陽光電製程改善，展現深耕市場的決心。
汎銓服務的項目包括高解析度FE-SEM、TEM等結構分析儀器，OBIRCH、InGaAs等電性故障分析儀器及IC 設計電路修補儀器，服務的產業有IC design house、半導體產業、PV產業、LED產業等，協助客戶找出設計缺陷和故障成因，加速客戶產品商業化。
汎銓擁有最好的設備及成熟的技術經驗，以備配有核磁共振影像設備的「健診中心」為比喻，再恰當不過。其TEM(穿透式電子顯微鏡)分析技術可達到20nm製程需求的水準，超前同業；擁有最高SEM（掃描式電子顯微鏡）解析度（0.9nm@1KV）之DB FIB(雙粒子束聚焦式離子束顯微切割儀)亦超越同業，符合先進製程分析需求。
SEM分析技術亦可提供客戶20nm以下製程的分析需求，擁有最先進的低角度背像電子（LaBe）影像技術，供超低電壓之材料的表面對比，SEM成分分析（EDS）亦提供先進設備提高的Mapping速度與解析度達次微米水準（小於1um）。在電性故障分析則增加OBIRCH 最先進的數位Lock-in技術，提高缺陷定位的精準度，大量應用在太陽光電CIGS缺陷定位與製程改善。
汎銓成立的時間在業界排第三，專注於材料分析及電路修補，專業領先同業。未來將持續購置最高階的先進設備機台，強化內部研發與人員訓練，繼續保持在失效分析的領先地位。汎銓電話（03）666-3298，網址：http://www.msscorps.com。
太陽光電、LED 節能產品、儲氫電池等綠色能源產業為各國發展重點，業者無不努力加速發展相關技術。面對綠色能源產業崛起，汎銓科技已做好準備。
該公司專精於材枓分析與IC電路修補，聚焦於半導體及綠能市場，在IC、LED、LCD、PV等上游產業嶄露頭角。汎銓去年資本支出超過二億元，引進全球最先進的Dual Beam FIB 450S材料分析機台及FIB V600CE+電路修補等機台，並率先採用OBIRCH數位Lock-in 技術，提高缺陷定位的精準度，應用在IC設計的除錯與太陽光電製程改善，展現深耕市場的決心。
汎銓科技總經理柳紀綸表示，服務的項目包括高解析度FE-SEM、TEM等結構分析儀器，OBIRCH、InGaAs等電性故障分析儀器及IC 設計電路修補儀器，服務的產業有IC design house、半導體產業、PV產業、LED產業等，協助客戶找出設計缺陷和故障成因，加速客戶產品商業化。
汎銓擁有最好的設備及成熟的技術經驗，其TEM（穿透式電子顯微鏡）分析技術可達20nm製程需求的水準，超前同業；擁有最高SEM（掃描式電子顯微鏡）解析度（0.9nm@1KV）之DB-FIB（雙粒子束聚焦式離子束顯微切割儀），超越同業，符合先進製程分析需求。
SEM分析技術亦可提供客戶20nm以下製程的分析需求，擁有最先進的低角度背像電子（LaBe）影像技術，供超低電壓之材料的表面對比，SEM成分分析（EDS）亦提供先進設備提高的Mapping速度與解析度達次微米水準（小於1um）。在電性故障分析則增加OBIRCH 最先進的數位Lock-in技術，提高缺陷定位的精準度，大量應用在太陽光電CIGS缺陷定位與製程改善。汎銓電話（03）666-3298，網址：http:// www.msscorps.com。
該公司專精於材枓分析與IC電路修補，聚焦於半導體及綠能市場，在IC、LED、LCD、PV等上游產業嶄露頭角。汎銓去年資本支出超過二億元，引進全球最先進的Dual Beam FIB 450S材料分析機台及FIB V600CE+電路修補等機台，並率先採用OBIRCH數位Lock-in 技術，提高缺陷定位的精準度，應用在IC設計的除錯與太陽光電製程改善，展現深耕市場的決心。
汎銓科技總經理柳紀綸表示，服務的項目包括高解析度FE-SEM、TEM等結構分析儀器，OBIRCH、InGaAs等電性故障分析儀器及IC 設計電路修補儀器，服務的產業有IC design house、半導體產業、PV產業、LED產業等，協助客戶找出設計缺陷和故障成因，加速客戶產品商業化。
汎銓擁有最好的設備及成熟的技術經驗，其TEM（穿透式電子顯微鏡）分析技術可達20nm製程需求的水準，超前同業；擁有最高SEM（掃描式電子顯微鏡）解析度（0.9nm@1KV）之DB-FIB（雙粒子束聚焦式離子束顯微切割儀），超越同業，符合先進製程分析需求。
SEM分析技術亦可提供客戶20nm以下製程的分析需求，擁有最先進的低角度背像電子（LaBe）影像技術，供超低電壓之材料的表面對比，SEM成分分析（EDS）亦提供先進設備提高的Mapping速度與解析度達次微米水準（小於1um）。在電性故障分析則增加OBIRCH 最先進的數位Lock-in技術，提高缺陷定位的精準度，大量應用在太陽光電CIGS缺陷定位與製程改善。汎銓電話（03）666-3298，網址：http:// www.msscorps.com。
汎銓科技專注材料分析與電路修補
協助業者改善設計與製程 大幅提升良率與競爭力
由於目前電子裝置愈來愈小，因此材料分析服務的樣品處理愈來愈困難。無論是在樣品前置處理或是結構觀察階段，都必須仰賴高度精密儀器設備，如先進的聚焦離子束FIB設備、掃描式電子顯微鏡SEM、穿透式電子顯微鏡TEM等機台，從材料的橫切面、薄片等不同方式，觀察材料的結構或成份，才能符合目前日益微縮且日益複雜的製程技術。
汎銓科技以「材料界設計服務中心」(Material Design Service Center)為經營定位，不僅率先領先業界引進台灣第1、第2台應用於32奈米的FEI V600CE+機台，提供電路修補(Circuit Repair)服務，更引進全球最高階的Dual Beam聚焦離子束FIB(Focused Ion Beam)機台DB Helios 450S，擁有超高解析度的掃描SEM影像品質，提供更為快速且精確的材料分析服務。
汎銓科技表示，該公司係以材料的分析服務為技術核心與基礎，並提供研發、應用等附加價值的服務，以滿足客戶全方位的材料問題解決需求。尤其台灣業界one-stop shopping的產業服務趨勢，加上製程不斷地演進，因此汎銓科技在設備儀器方面的投資一直不遺餘力，隨時進行機台的追加與更新，期能提供業界最先進、最具效益、最值得信賴的分析服務。此外，汎銓亦率先採用OBIRCH數位Lock-in技術，提高缺陷定位的精準度，應用在IC設計的除錯與製程改善。
以汎銓的TEM為例，分析技術達到業界領先的20nm製程水準；而SEM解析度亦達到領先業界的0.9nm@1KV。此外，並擁有最先進的低角度背向電子(LABE)影像技術，及可提供超低電壓的電子束增加材料表面對比。SEM成分分析(EDS)先進設備提高Mapping速度與解析度，達到次微米水準(<1um)。
此外，針對目前半導體熱門的3D IC技術領域，汎銓在3D package失效分析方面也有布局。汎銓科技表示，3D IC失效的主要來源是TSV(矽穿孔)的缺陷，包含絕緣層Breakdown、Glue Layer的不完美及金屬填充的缺陷。利用OBIRCH、FIB、CP、SEM可觀察3D IC失效的TSV缺陷。
目前汎銓科技在新竹和上海張江高科技園區皆有實驗室，分析設備包括電性故障分析的EMMI、InGaAs、OBIRCH，結構分析的FIB、FE-SEM、TEM、AFM，成份分析的AES、EDS等各種分析儀器，並以材料分析為基礎，協助產業界快速找出設計缺陷和故障成因，提供客戶量產支援服務。
協助業者改善設計與製程 大幅提升良率與競爭力
由於目前電子裝置愈來愈小，因此材料分析服務的樣品處理愈來愈困難。無論是在樣品前置處理或是結構觀察階段，都必須仰賴高度精密儀器設備，如先進的聚焦離子束FIB設備、掃描式電子顯微鏡SEM、穿透式電子顯微鏡TEM等機台，從材料的橫切面、薄片等不同方式，觀察材料的結構或成份，才能符合目前日益微縮且日益複雜的製程技術。
汎銓科技以「材料界設計服務中心」(Material Design Service Center)為經營定位，不僅率先領先業界引進台灣第1、第2台應用於32奈米的FEI V600CE+機台，提供電路修補(Circuit Repair)服務，更引進全球最高階的Dual Beam聚焦離子束FIB(Focused Ion Beam)機台DB Helios 450S，擁有超高解析度的掃描SEM影像品質，提供更為快速且精確的材料分析服務。
汎銓科技表示，該公司係以材料的分析服務為技術核心與基礎，並提供研發、應用等附加價值的服務，以滿足客戶全方位的材料問題解決需求。尤其台灣業界one-stop shopping的產業服務趨勢，加上製程不斷地演進，因此汎銓科技在設備儀器方面的投資一直不遺餘力，隨時進行機台的追加與更新，期能提供業界最先進、最具效益、最值得信賴的分析服務。此外，汎銓亦率先採用OBIRCH數位Lock-in技術，提高缺陷定位的精準度，應用在IC設計的除錯與製程改善。
以汎銓的TEM為例，分析技術達到業界領先的20nm製程水準；而SEM解析度亦達到領先業界的0.9nm@1KV。此外，並擁有最先進的低角度背向電子(LABE)影像技術，及可提供超低電壓的電子束增加材料表面對比。SEM成分分析(EDS)先進設備提高Mapping速度與解析度，達到次微米水準(<1um)。
此外，針對目前半導體熱門的3D IC技術領域，汎銓在3D package失效分析方面也有布局。汎銓科技表示，3D IC失效的主要來源是TSV(矽穿孔)的缺陷，包含絕緣層Breakdown、Glue Layer的不完美及金屬填充的缺陷。利用OBIRCH、FIB、CP、SEM可觀察3D IC失效的TSV缺陷。
目前汎銓科技在新竹和上海張江高科技園區皆有實驗室，分析設備包括電性故障分析的EMMI、InGaAs、OBIRCH，結構分析的FIB、FE-SEM、TEM、AFM，成份分析的AES、EDS等各種分析儀器，並以材料分析為基礎，協助產業界快速找出設計缺陷和故障成因，提供客戶量產支援服務。
汎銓科技專精於材料分析及電路修補，配合眾多IC設計公司快速確認IC設計問題的解法，讓產品及早上市。驗證工程處處長廖永順表示，汎銓擁有最好的設備及成熟的技術經驗，以備配有核磁共振影像設備的「健診中心」為比喻，再恰當不過。
汎銓在新竹及上海均有實驗室，勇於投資新設備的手筆與氣魄，令同業瞠乎其後。近年，資本支出超過2億元，引進全球最先進的Dual Beam FIB 450S材料分析機台及電路修補 FIB V600CE+ 設備等機台，並率先採用OBIRCH數位Lock-in技術，提高缺陷定位的精準度，應用在IC設計的除錯與製程改善。
以全球最先進的V600CE+機台為例，汎銓為業界最早採用，共有二部，可對應32奈米製程IC電路修補，與IC大廠合作應用於Backside電路修補，成效十分良好，連同業也跟進。
汎銓主管李基榮表示，科技業講求時效，分秒必爭，目前景氣略為下滑，但排隊的案件還是很多，汎銓自我要求，24小時內回件。許多客戶也認為，汎銓能滿足良率及交期的要求，可成為客戶長期合作實驗室。
李基榮強調，汎銓自行開發的雷射開槽機是一大經營利基，經統計，1萬顆IC Decap的良率高達99.5%，電路修改的良率達93%，均高出競爭對手，讓IC設計公司設計開發新產品時能準確排除障礙，加速客戶推出產品時間。
廖永順表示，下半年景氣雖趨緩，但對該公司全年營收影響有限，主要原因是客戶的認同及持續增加新客戶。
在材料分析方面，汎銓的TEM（穿透式電子顯微鏡）分析技術達到20nm 製程水準，超前同業；SEM（掃描式電子顯微鏡）解析度達到0.9nm@1KV ，亦居領先，符合20nm以下製程分析需求，並擁有最先進的低角度背向電子（LABE）影像技術，及可提供超低電壓的電子束增加材料表面對比。SEM成分分析（EDS）先進設備提高Mapping速度與解析度，達到次微米水準（小於1um）。
汎銓在3D package失效分析方面也有布局，廖永順說，3D IC失效的主要來源是TSV（矽穿孔）的缺陷，包含絕緣層breakdown、glue layer 的不完美及金屬填充的缺陷。利用OBRICH/FIB/CP/SEM可觀察3D IC 失效的TSV（矽穿孔）缺陷，已有多家客戶委託相關的失效分析。
除了半導體領域，汎銓也成功拓展綠能光電產業，未來將視客戶需求持續購置最高階的先進設備機台，並強化內部研發及人員訓練，繼續保持在失效分析的領先地位。汎銓電話（03）666-3298，網址：www.msscorps.com，semicon展覽攤位A808。
汎銓在新竹及上海均有實驗室，勇於投資新設備的手筆與氣魄，令同業瞠乎其後。近年，資本支出超過2億元，引進全球最先進的Dual Beam FIB 450S材料分析機台及電路修補 FIB V600CE+ 設備等機台，並率先採用OBIRCH數位Lock-in技術，提高缺陷定位的精準度，應用在IC設計的除錯與製程改善。
以全球最先進的V600CE+機台為例，汎銓為業界最早採用，共有二部，可對應32奈米製程IC電路修補，與IC大廠合作應用於Backside電路修補，成效十分良好，連同業也跟進。
汎銓主管李基榮表示，科技業講求時效，分秒必爭，目前景氣略為下滑，但排隊的案件還是很多，汎銓自我要求，24小時內回件。許多客戶也認為，汎銓能滿足良率及交期的要求，可成為客戶長期合作實驗室。
李基榮強調，汎銓自行開發的雷射開槽機是一大經營利基，經統計，1萬顆IC Decap的良率高達99.5%，電路修改的良率達93%，均高出競爭對手，讓IC設計公司設計開發新產品時能準確排除障礙，加速客戶推出產品時間。
廖永順表示，下半年景氣雖趨緩，但對該公司全年營收影響有限，主要原因是客戶的認同及持續增加新客戶。
在材料分析方面，汎銓的TEM（穿透式電子顯微鏡）分析技術達到20nm 製程水準，超前同業；SEM（掃描式電子顯微鏡）解析度達到0.9nm@1KV ，亦居領先，符合20nm以下製程分析需求，並擁有最先進的低角度背向電子（LABE）影像技術，及可提供超低電壓的電子束增加材料表面對比。SEM成分分析（EDS）先進設備提高Mapping速度與解析度，達到次微米水準（小於1um）。
汎銓在3D package失效分析方面也有布局，廖永順說，3D IC失效的主要來源是TSV（矽穿孔）的缺陷，包含絕緣層breakdown、glue layer 的不完美及金屬填充的缺陷。利用OBRICH/FIB/CP/SEM可觀察3D IC 失效的TSV（矽穿孔）缺陷，已有多家客戶委託相關的失效分析。
除了半導體領域，汎銓也成功拓展綠能光電產業，未來將視客戶需求持續購置最高階的先進設備機台，並強化內部研發及人員訓練，繼續保持在失效分析的領先地位。汎銓電話（03）666-3298，網址：www.msscorps.com，semicon展覽攤位A808。
汎銓科技今年光電展將針對IC、LED、 LCD、PV等各種固態元件之材料結構、成份分析及定點失效分析，展示具體化的解決方案，攤位在南港館L306號。
汎銓服務的LED業包括磊晶及封裝廠。驗證工程處處長廖永順表示，LED注重光效的一致性，但由於磊晶機或製程參數等因素，在不同腔體（Chamber），或不同批次（Batch）產品間，常產生色溫及亮度差異。透過磊晶層微結構的材料分析，精確比較Chamber to Chamber、Batch to Batch、片與片及每顆晶粒間的些微變化，提供客戶改善的科學依據，改善製程參數，減少磊晶機台的差異性，提升產品良率。
微縮線寬是降低IC成本與提高IC效能的必要手段，以DRAM為例，由90nm改為65nm，除了加快運算速度外，面積省一半，成本也可降低。半導體產業的線寬微縮，需要研發新的製程技術與設計，因此提升對材料分析及電路修補的需求。
以先進技術 提高定位精度
例如，為求省電及延長待時間，手機IC對於漏電流的要求極嚴苛，線寬微縮到28nm時，漏電流的挑戰就更高了，定位與觀察造成漏電流的物理原因，是業者普遍的難處。汎銓以先進的OBIRCH數位Lock -in技術來提高缺陷定位的精準度，以成熟的TEM（穿透式電子顯微鏡）技術解析失效點的結構，成份，協助IC設計公司及晶圓廠開發新設計與改善製程。
工程服務處處長周學良指出，國際半導體大廠已準備量產22奈米製程，最新的電晶體製程技術也由2D進入3D製造，可提供速度更快且更省電的電晶體。台灣半導體業也將於第三季後量產28nm，此趨勢將引導所有IC設計公司採用更先進的製程。
製程越先進材料及故障分析難度越高，汎銓的TEM（穿透式電子顯微鏡）分析技術可達20nm製程需求水準，超前同業；擁有最高SEM（掃描式電子顯微鏡）解析度（0.9nm@1KV）之DB FIB（雙粒子束聚焦式離子束顯微切割儀），亦超越同業，符合先進製程分析需求。
SEM技術 滿足20nm分析需求
SEM分析技術亦可提供客戶20nm以下製程分析需求，以最先進的低角度背像電子（LaBe）影像技術，可供超低電壓之材料表面對比。 SEM成分分析（EDS）亦提供先進設備提高的Mapping速度與解析度，達次微米水準（小於1um），在電性故障分析則增加OBIRCH最先進的數位Lock -in技術來提高缺陷定位的精準度。
銅打線大量應用於IC封裝，也帶動製程分析需求。汎銓為IC封裝大廠建立分析平台，提升產品可靠度及良率，並自行研發鐳射開槽機，開蓋1萬顆的良率高達99.5%，除了自用，也獲封裝廠訂購。
廖永順表示，若以40nm為分析驗證服務業分野，40nm以上的分析驗證服務市場大致為供需平衡，40nm以下則供不應求，為汎銓專精及主攻的市場。迎接半導體邁入18吋及20奈米全新世代，汎銓已做好充份的準備。
汎銓電話（03）666-3298，網址：http:// www.msscorps.com。
汎銓服務的LED業包括磊晶及封裝廠。驗證工程處處長廖永順表示，LED注重光效的一致性，但由於磊晶機或製程參數等因素，在不同腔體（Chamber），或不同批次（Batch）產品間，常產生色溫及亮度差異。透過磊晶層微結構的材料分析，精確比較Chamber to Chamber、Batch to Batch、片與片及每顆晶粒間的些微變化，提供客戶改善的科學依據，改善製程參數，減少磊晶機台的差異性，提升產品良率。
微縮線寬是降低IC成本與提高IC效能的必要手段，以DRAM為例，由90nm改為65nm，除了加快運算速度外，面積省一半，成本也可降低。半導體產業的線寬微縮，需要研發新的製程技術與設計，因此提升對材料分析及電路修補的需求。
以先進技術 提高定位精度
例如，為求省電及延長待時間，手機IC對於漏電流的要求極嚴苛，線寬微縮到28nm時，漏電流的挑戰就更高了，定位與觀察造成漏電流的物理原因，是業者普遍的難處。汎銓以先進的OBIRCH數位Lock -in技術來提高缺陷定位的精準度，以成熟的TEM（穿透式電子顯微鏡）技術解析失效點的結構，成份，協助IC設計公司及晶圓廠開發新設計與改善製程。
工程服務處處長周學良指出，國際半導體大廠已準備量產22奈米製程，最新的電晶體製程技術也由2D進入3D製造，可提供速度更快且更省電的電晶體。台灣半導體業也將於第三季後量產28nm，此趨勢將引導所有IC設計公司採用更先進的製程。
製程越先進材料及故障分析難度越高，汎銓的TEM（穿透式電子顯微鏡）分析技術可達20nm製程需求水準，超前同業；擁有最高SEM（掃描式電子顯微鏡）解析度（0.9nm@1KV）之DB FIB（雙粒子束聚焦式離子束顯微切割儀），亦超越同業，符合先進製程分析需求。
SEM技術 滿足20nm分析需求
SEM分析技術亦可提供客戶20nm以下製程分析需求，以最先進的低角度背像電子（LaBe）影像技術，可供超低電壓之材料表面對比。 SEM成分分析（EDS）亦提供先進設備提高的Mapping速度與解析度，達次微米水準（小於1um），在電性故障分析則增加OBIRCH最先進的數位Lock -in技術來提高缺陷定位的精準度。
銅打線大量應用於IC封裝，也帶動製程分析需求。汎銓為IC封裝大廠建立分析平台，提升產品可靠度及良率，並自行研發鐳射開槽機，開蓋1萬顆的良率高達99.5%，除了自用，也獲封裝廠訂購。
廖永順表示，若以40nm為分析驗證服務業分野，40nm以上的分析驗證服務市場大致為供需平衡，40nm以下則供不應求，為汎銓專精及主攻的市場。迎接半導體邁入18吋及20奈米全新世代，汎銓已做好充份的準備。
汎銓電話（03）666-3298，網址：http:// www.msscorps.com。
以「材料界設計服務中心」(Material Design Service Center)為經營定位的汎銓科技，繼領先業界引進台灣第1、第2台應用於32奈米的FEI V600CE+機台，提供電路修補(Circuit Repair)服務之後，將再次引進全台唯一、同時也是目前全球最高階的Dual Beam聚焦離子束FIB(Focused Ion Beam)機台DB Helios 450S，擁有超高解析度的掃描SEM影像品質。新機台預計11月下旬抵達，預計最快12月起將可提供更為快速且精確的材料分析服務。
汎銓科技副總經理陳榮欽博士表示，該公司係以材料的分析服務為技術核心與基礎，並附加研發、應用等附加價值的服務，以滿足客戶全方位的材料問題解決需求。尤其台灣業界one-stop shopping的產業服務趨勢，加上製程不斷地演進，因此汎銓科技在設備儀器方面的投資一直不遺餘力，隨時進行機台的追加與更新，期能提供業界最先進、最具效益、最值得信賴的分析服務。
陳榮欽指出，由於目前電子裝置愈來愈小，因此分析服務的樣品處理更為困難。無論是在樣品前置處理或是結構觀察階段，都必須仰賴高度精密儀器設備，如先進的聚焦離子束FIB設備、掃描式電子顯微鏡SEM、穿透式電子顯微鏡TEM等機台，從材料的橫切面、薄片等不同方式，觀察材料的結構或成份，才能符合目前日益微縮且日益複雜的製程技術。
目前汎銓科技在新竹和上海張江高科技園區皆有實驗室，分析設備包括電性故障分析的EMMI、InGaAs、OBIRCH，結構分析的FIB、FE- SEM、TEM、AFM，成份分析的AES、EDS等各種分析儀器，並以材料分析為基礎，協助產業界快速找出設計缺陷和故障成因，提供客戶量產支援服務。
而為了擴大營運版圖，陳榮欽表示，除了既有的材料分析服務業務穩定成長之外，汎銓今年亦跨足電路修補業務，目前並已被國內多家IC設計業選為重要合作夥伴。此外，汎銓亦投入太陽能與LED光電產業領域，提供太陽能晶片、模組及LED燈具模組等產品可靠度驗證一次購足服務。
此外，汎銓科技並與客戶合作開發及負責經銷的著色節能玻璃，具有優於Low-e玻璃的節能效果；另外並發展屬於共晶結構的陶瓷附銅板散熱材料，可應用於解決聚光型太陽能(CPV)系統及高功率(High Power) LED產品的散熱問題。
汎銓科技副總經理陳榮欽博士表示，該公司係以材料的分析服務為技術核心與基礎，並附加研發、應用等附加價值的服務，以滿足客戶全方位的材料問題解決需求。尤其台灣業界one-stop shopping的產業服務趨勢，加上製程不斷地演進，因此汎銓科技在設備儀器方面的投資一直不遺餘力，隨時進行機台的追加與更新，期能提供業界最先進、最具效益、最值得信賴的分析服務。
陳榮欽指出，由於目前電子裝置愈來愈小，因此分析服務的樣品處理更為困難。無論是在樣品前置處理或是結構觀察階段，都必須仰賴高度精密儀器設備，如先進的聚焦離子束FIB設備、掃描式電子顯微鏡SEM、穿透式電子顯微鏡TEM等機台，從材料的橫切面、薄片等不同方式，觀察材料的結構或成份，才能符合目前日益微縮且日益複雜的製程技術。
目前汎銓科技在新竹和上海張江高科技園區皆有實驗室，分析設備包括電性故障分析的EMMI、InGaAs、OBIRCH，結構分析的FIB、FE- SEM、TEM、AFM，成份分析的AES、EDS等各種分析儀器，並以材料分析為基礎，協助產業界快速找出設計缺陷和故障成因，提供客戶量產支援服務。
而為了擴大營運版圖，陳榮欽表示，除了既有的材料分析服務業務穩定成長之外，汎銓今年亦跨足電路修補業務，目前並已被國內多家IC設計業選為重要合作夥伴。此外，汎銓亦投入太陽能與LED光電產業領域，提供太陽能晶片、模組及LED燈具模組等產品可靠度驗證一次購足服務。
此外，汎銓科技並與客戶合作開發及負責經銷的著色節能玻璃，具有優於Low-e玻璃的節能效果；另外並發展屬於共晶結構的陶瓷附銅板散熱材料，可應用於解決聚光型太陽能(CPV)系統及高功率(High Power) LED產品的散熱問題。
IC、綠能及材料界分析服務中心汎銓科技，在新竹和上海張江高科技園區皆有實驗室，分析設備包括電性故障分析的EMMI、InGaAs、OBIRCH，結構分析的FIB、FE-SEM、TEM、AFM各種分析儀器。為了擴大營運並提供客戶更完整且先進的專業服務，汎銓科技今年資本支出金額約新台幣2億元，引進全球最先進的材料分析Dual Beam FIB機台，並加購多台電路修補FIB設備，為明年營收成長奠定厚實的基礎。
汎銓今年正式跨入電路修補領域，加上既有的材料分析服務業務穩定成長，全年營收已回到金融海嘯前的水準。尤其電路修補業務被國內多家IC設計業選為重要合作夥伴，明年營收可望創下新高。
汎銓科技總經理柳紀綸表示，汎銓今年大幅增資，股本接近2億元，加上多位半導體界菁英加入，經營陣容更為堅實，這也是吸引半導體業及IC設計業客戶青睞的原因。汎銓2005年7月成立，提供IC 設計公司、TFT LCD、半導體製造、LCoS、太陽能與LED等光電產業，以及傳統產業產品或元器件的材料與故障分析服務(Material Analysis & Failure Analysis)，協助產業界快速找出設計缺陷和故障成因，成為科技產業研發分析的重要夥伴。
柳紀綸表示，今年因應業務擴大，斥資擴展設備，增加IC電路修補(Circuit Repair)服務，引進台灣第一、第二台應用於32奈米的FEI V600CE+，以最充沛的機台及工程人員，提供快速(24小時內回貨)及高品質的服務方式，加速客戶產品商業化，迅速進入量產，提升競爭力，是具有電路修補豐富經驗的勁旅。
汎銓科技以董事長何明芳、總經理柳紀綸、副總經理陳榮欽博士為首的經營團隊，獨創全新的經營模式，以材料分析及電路修補為核心技術平台，經營觸角延伸至節能及散熱材料領域，除了固守本業，且發揮多元經營的綜效。該公司與客戶合作開發及負責經銷的著色節能玻璃，具優於Low-e玻璃的節能效果，且有百種以上顏色可供選擇，已接近大尺寸量產品階段，亦將於近期推出，將可為該公司未來營收貢獻不小。
汎銓今年正式跨入電路修補領域，加上既有的材料分析服務業務穩定成長，全年營收已回到金融海嘯前的水準。尤其電路修補業務被國內多家IC設計業選為重要合作夥伴，明年營收可望創下新高。
汎銓科技總經理柳紀綸表示，汎銓今年大幅增資，股本接近2億元，加上多位半導體界菁英加入，經營陣容更為堅實，這也是吸引半導體業及IC設計業客戶青睞的原因。汎銓2005年7月成立，提供IC 設計公司、TFT LCD、半導體製造、LCoS、太陽能與LED等光電產業，以及傳統產業產品或元器件的材料與故障分析服務(Material Analysis & Failure Analysis)，協助產業界快速找出設計缺陷和故障成因，成為科技產業研發分析的重要夥伴。
柳紀綸表示，今年因應業務擴大，斥資擴展設備，增加IC電路修補(Circuit Repair)服務，引進台灣第一、第二台應用於32奈米的FEI V600CE+，以最充沛的機台及工程人員，提供快速(24小時內回貨)及高品質的服務方式，加速客戶產品商業化，迅速進入量產，提升競爭力，是具有電路修補豐富經驗的勁旅。
汎銓科技以董事長何明芳、總經理柳紀綸、副總經理陳榮欽博士為首的經營團隊，獨創全新的經營模式，以材料分析及電路修補為核心技術平台，經營觸角延伸至節能及散熱材料領域，除了固守本業，且發揮多元經營的綜效。該公司與客戶合作開發及負責經銷的著色節能玻璃，具優於Low-e玻璃的節能效果，且有百種以上顏色可供選擇，已接近大尺寸量產品階段，亦將於近期推出，將可為該公司未來營收貢獻不小。
定位為「IC、綠能及材料界分析服務中心」的汎銓科技，自2005
年7月成立以來一直致力於成為科技產業研發分析的長期夥伴。該
公司專業提供IC設計公司、TFT-LCD、半導體製造、LCoS、太陽
能與LED等光電產業，以及傳統產業之產品或元器件的材料與故
障分析服務(Material Analysis & Failure Analysis)，協助產業界快速找
出設計缺陷和故障成因。
汎銓科技目前在新竹和上海張江高科技園區皆設置有完善的實驗
室，配備全套分析設備，包括電性故障分析的EMMI、InGaAs、
OBIRCH，結構分析的FIB、FE- SEM、TEM、AFM各種分析儀器。
2010年，因應業務擴大，汎銓特別再度斥巨資擴展設備，並增加
IC電路修補(Circuit Repair)服務，建立電路修補經驗豐富的專業工
程團隊。
汎銓科技總經理柳紀綸表示，該公司引進台灣第一台應用至32奈
米之FEI V600CE+，以最充沛的機台數及工程人員，提供快速(24
小時內回貨)及高品質的服務方式，加速客戶產品商業化，協助客
戶迅速進入量產，提升競爭力。
汎銓科技以董事長何明芳、總經理柳紀綸、副總經理陳榮欽博士
為首的經營團隊，獨創全新的經營模式，以材料分析及電路修補
為核心技術平台，經營觸角更延伸至節能及散熱材料領域，除成
功固守本業，且發揮多元經營的綜效。
柳紀綸表示，目前與客戶合作開發及負責經銷的著色節能玻璃，
具優於Low-e玻璃的節能效果，且有百種以上顏色可供選擇，目
前已接近大尺寸量產品階段，預計明年推出，將為營收帶來貢獻
。汎銓科技網址：www.msscorps.com。
年7月成立以來一直致力於成為科技產業研發分析的長期夥伴。該
公司專業提供IC設計公司、TFT-LCD、半導體製造、LCoS、太陽
能與LED等光電產業，以及傳統產業之產品或元器件的材料與故
障分析服務(Material Analysis & Failure Analysis)，協助產業界快速找
出設計缺陷和故障成因。
汎銓科技目前在新竹和上海張江高科技園區皆設置有完善的實驗
室，配備全套分析設備，包括電性故障分析的EMMI、InGaAs、
OBIRCH，結構分析的FIB、FE- SEM、TEM、AFM各種分析儀器。
2010年，因應業務擴大，汎銓特別再度斥巨資擴展設備，並增加
IC電路修補(Circuit Repair)服務，建立電路修補經驗豐富的專業工
程團隊。
汎銓科技總經理柳紀綸表示，該公司引進台灣第一台應用至32奈
米之FEI V600CE+，以最充沛的機台數及工程人員，提供快速(24
小時內回貨)及高品質的服務方式，加速客戶產品商業化，協助客
戶迅速進入量產，提升競爭力。
汎銓科技以董事長何明芳、總經理柳紀綸、副總經理陳榮欽博士
為首的經營團隊，獨創全新的經營模式，以材料分析及電路修補
為核心技術平台，經營觸角更延伸至節能及散熱材料領域，除成
功固守本業，且發揮多元經營的綜效。
柳紀綸表示，目前與客戶合作開發及負責經銷的著色節能玻璃，
具優於Low-e玻璃的節能效果，且有百種以上顏色可供選擇，目
前已接近大尺寸量產品階段，預計明年推出，將為營收帶來貢獻
。汎銓科技網址：www.msscorps.com。
汎銓科技2005年7月成立，定位為「IC、綠能及材料界分析服務中
心」，科技產業研發分析的長期夥伴。該公司專業提供IC design
house、TFT-LCD、半導體製造、LCOS、太陽能與LED等光電產業
、以及傳統產業之產品或元器件的材料與故障分析服務(Materail
Analysis & Failure Analysis)，協助產業界快速找出設計缺陷和故障
成因。
汎銓在新竹和上海張江高科技園區皆設置有完善的實驗室，配備
全套分析設備，包括電性故障分析的EMMI、InGaAs、OBIRCH，
結構分析的FIB、FE-SEM、TEM、 AFM各種分析儀器。2010年，
因應業務擴大，斥巨資再度擴展設備，並增加IC電路修補（
Circuit Repair）服務，建立電路修補經驗豐富的專業工程團隊。
汎銓總經理柳紀綸表示，該公司引進台灣第一台應用至32奈米
之FEI V600CE+，以最充沛的機台數及工程人員，提供快速（24
小時內回貨）及高品質的服務方式，加速客戶產品商業化，協助
客戶迅速進入量產，提升競爭力。
以董事長何明芳、總經理柳紀綸、副總經理陳榮欽博士為首的汎
銓經營團隊，獨創全新的經營模式，以材料分析及電路修補為核
心技術平台，經營觸角更延伸至節能及散熱材料領域，除成功固
守本業，且發揮多元經營的綜效。
柳紀綸表示，目前與客戶合作開發及負責經銷的著色節能玻璃，
具優於Low-e玻璃的節能效果，且有百種以上顏色可供選擇，目
前已接近大尺寸量產品階段，預計明年推出，將為營收帶來貢獻
。
汎銓公司電話（03）666-3298。
心」，科技產業研發分析的長期夥伴。該公司專業提供IC design
house、TFT-LCD、半導體製造、LCOS、太陽能與LED等光電產業
、以及傳統產業之產品或元器件的材料與故障分析服務(Materail
Analysis & Failure Analysis)，協助產業界快速找出設計缺陷和故障
成因。
汎銓在新竹和上海張江高科技園區皆設置有完善的實驗室，配備
全套分析設備，包括電性故障分析的EMMI、InGaAs、OBIRCH，
結構分析的FIB、FE-SEM、TEM、 AFM各種分析儀器。2010年，
因應業務擴大，斥巨資再度擴展設備，並增加IC電路修補（
Circuit Repair）服務，建立電路修補經驗豐富的專業工程團隊。
汎銓總經理柳紀綸表示，該公司引進台灣第一台應用至32奈米
之FEI V600CE+，以最充沛的機台數及工程人員，提供快速（24
小時內回貨）及高品質的服務方式，加速客戶產品商業化，協助
客戶迅速進入量產，提升競爭力。
以董事長何明芳、總經理柳紀綸、副總經理陳榮欽博士為首的汎
銓經營團隊，獨創全新的經營模式，以材料分析及電路修補為核
心技術平台，經營觸角更延伸至節能及散熱材料領域，除成功固
守本業，且發揮多元經營的綜效。
柳紀綸表示，目前與客戶合作開發及負責經銷的著色節能玻璃，
具優於Low-e玻璃的節能效果，且有百種以上顏色可供選擇，目
前已接近大尺寸量產品階段，預計明年推出，將為營收帶來貢獻
。
汎銓公司電話（03）666-3298。
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